1、Flash特在對(duì)器Flash特在對(duì)器器特 MSP430器特 MSP430FLASH模塊邏輯 FLASH結(jié)512段，A FLASH結(jié)512段，AD128器包含4個(gè)段，A到D通過(guò)引導(dǎo)加載程序（BSL）對(duì)每個(gè)MSP430Flash通過(guò)引導(dǎo)加載程序（BSL）對(duì)每個(gè)MSP430Flash256位口令可以保護(hù)通過(guò)BSL對(duì)。 MSP430F663x系列單 MSP430F663x系列單片器結(jié)構(gòu)區(qū)扇區(qū)0110（一個(gè)扇區(qū)110110（一個(gè)扇區(qū)11從從區(qū)啟動(dòng)擦除操?gòu)膹腞AM區(qū)啟動(dòng)擦除操器寫(xiě)操器寫(xiě)操 從器從器中啟動(dòng)字/字節(jié)寫(xiě)從從RAM區(qū)中啟動(dòng)字/字節(jié)寫(xiě)從器中從器中啟動(dòng)長(zhǎng)字寫(xiě)從從RAM區(qū)啟動(dòng)長(zhǎng)字寫(xiě)寄存 MSP430F5

2、xx6xx系列單片機(jī)的的寄存器名縮初始狀偏移地控制寄存器讀/寄存 MSP430F5xx6xx系列單片機(jī)的的寄存器名縮初始狀偏移地控制寄存器讀/控制寄存器讀/控制寄存器讀/中斷使能讀/中斷標(biāo)志讀/配置控制FCTLx寄存器是一個(gè)16位的，具保護(hù)的讀/寫(xiě)寄存器。讀或0A5h。配置控制FCTLx寄存器是一個(gè)16位的，具保護(hù)的讀/寫(xiě)寄存器。讀或0A5h。時(shí)必須使用字指令，寫(xiě)操作時(shí)高字節(jié)內(nèi)必須包括寫(xiě)任何FCTLx寄存器寫(xiě)入0A5h以外的其他值，將引起密鑰錯(cuò)誤，KEYV志將置位，產(chǎn)生一個(gè)UC系統(tǒng)復(fù)位。果為h。任何FCTLx寄存器高字節(jié)的在擦除或字節(jié)/字/雙字寫(xiě)入操作期間，對(duì)FCTL1的寫(xiě)操作都操作，ACCV

3、IFG將置位。在塊寫(xiě)入模式下，WAIT = 1 時(shí)，允許對(duì)進(jìn)行寫(xiě)操作，但是當(dāng)WAIT = 0 時(shí)，對(duì)FCTL1的寫(xiě)操ACCVIFG置位操作當(dāng)BUSY = 1 時(shí)，對(duì)FCTL2的任何寫(xiě)入操作當(dāng)BUSY = 1 時(shí)，可以讀FCTLx寄存器。讀操作不會(huì)。寫(xiě)入或者擦除寫(xiě)入或者擦除1時(shí)，從RAM （BUSY0）,CPUBUSY0時(shí)，F(xiàn)lash控制器才允許CPU FLASH控制寄存器1 位76543210功保保保 FLASH控制寄存器1 位76543210功保保保字節(jié)/字位8功是96h,寫(xiě)時(shí)必須為 FLASH控制寄存器1 位76543210功保保保 FLASH控制寄存器1 位76543210功保保保位8功

4、是96h,寫(xiě)時(shí)必須為 FLASH控制寄存器1 位76543210功保保保 FLASH控制寄存器1 位76543210功保保保全部擦除（包括主FLASH和信息段位8功是96h,寫(xiě)時(shí)必須為 FLASH控制寄存器3 位76543210功保保鎖信 FLASH控制寄存器3 位76543210功保保鎖信息A段。對(duì)該位寫(xiě)1能改變?cè)撐粻顟B(tài)。寫(xiě)0無(wú)效信息A、B、C、D、信息A段被寫(xiě)保護(hù)位8功是96h,寫(xiě)時(shí)必須為 FLASH控制寄存器3 位76543210功保保0 FLASH控制寄存器3 位76543210功保保0位8功是96h,寫(xiě)時(shí)必須為 FLASH控制寄存器3 位76543210功保保中斷標(biāo) FLASH控制寄

5、存器3 位76543210功保保中斷標(biāo)1 沒(méi)有中斷產(chǎn)2位8功是96h,寫(xiě)時(shí)必須為 FLASH控制寄存器3 位76543210功保保 FLASH控制寄存器3 位76543210功保保Flash安全鍵值出錯(cuò)。該位指示了一個(gè)不正確的FCTLx安全鍵值被寫(xiě)入flash控制寄存器中，KEYV會(huì)置位。并觸發(fā)PUC。KEYV位必須位8功是96h,寫(xiě)時(shí)必須為 FLASH控制寄存器3 位76543210功保保 FLASH控制寄存器3 位76543210功保保忙標(biāo)志位。該位指示是否Flash正忙于當(dāng)前的擦除或者編程位8功是96h,寫(xiě)時(shí)必須為 FLASH控制寄存器4 位76543210功位8功 FLASH控制寄存器

6、4 位76543210功位8功是96h,寫(xiě)時(shí)必須為 FLASH控制寄存器4 位76543210功邊沿1讀模 FLASH控制寄存器4 位76543210功邊沿1讀模邊沿1讀模式使邊沿讀1模式。該位使能邊沿讀1模式。僅僅當(dāng)從Flash 區(qū)讀時(shí)，邊沿位8功是96h,寫(xiě)時(shí)必須為 FLASH控制寄存器4 位76543210功邊沿0讀模 FLASH控制寄存器4 位76543210功邊沿0讀模邊沿0讀模式使邊沿讀0模式。該位使能邊沿讀0模式。僅僅當(dāng)從Flash 區(qū)讀時(shí)，邊沿位8功是96h,寫(xiě)時(shí)必須為 FLASH控制寄存器4 位76543210功 FLASH控制寄存器4 位76543210功位8功是96h,寫(xiě)

7、時(shí)必須為 FLASH控制寄存器4 位76543210功位8功 FLASH控制寄存器4 位76543210功位8功是96h,寫(xiě)時(shí)必須為示例示例示例1：操作寄示例1：操作寄存void unsigned long* FLASH_ptrD = (unsigned long *) 0 x1800;unsignedlongvalue=/ 判斷是否處于忙碌WDTCTL=置位ERASE空寫(xiě)操作，地址可以為段范圍內(nèi)的任寫(xiě)FCTL3=FCTL1=*FLASH_ptrD=FCTL1=*FLASH_ptrD=/ 清除WRTFCTL1 = FWKEY;FCTL3=示例1：庫(kù)函數(shù)編程示例1：庫(kù)函數(shù)編程unsignedlo

8、ng*FLASH_ptrD=(unsignedlong*)0 x1800; unsigned long value = 0 x12345678;voidmains示例1：庫(kù)函數(shù)編程擦除FLASHInfoD段 do 示例1：庫(kù)函數(shù)編程擦除FLASHInfoD段 do Flash_segmentErase( *)FLASH_ptrDsus = Flash_eraseCheck( 128 while us=寫(xiě)FLASHFlash_write32( (unsignedlong*)(FLASH_ptrD), 1 );示例示例/ 初始化FLASH信息段SegC與SegDuu*FLASH_ptrC/ 初始化FLASH信息段SegC與SegDuu*FLASH_ptrC=*FLASH_