1、 容納器件的數(shù)量急劇增加 , 其設(shè)計(jì)工具也由最初的手工繪制轉(zhuǎn)為運(yùn)算機(jī)輔助設(shè) 計(jì)(CAD), 相應(yīng)的設(shè)計(jì)工具按照市場(chǎng)需求迅速進(jìn)展，出現(xiàn)了專門的 EDA 工具 供給商。目 (2)制造工藝與相關(guān)設(shè)備。集成電路加工制造是一項(xiàng)與專用設(shè)備緊密相關(guān)術(shù)，俗稱“一代設(shè)備，一代工藝，一代產(chǎn)品”。在集成電路制造技術(shù)中，最薄膜生成技術(shù)和光刻技術(shù)。光刻技術(shù)的主要設(shè)備是曝光機(jī)和刻蝕機(jī)，目 前在 13() nm 測(cè)試。由于系統(tǒng)芯片 (s() c)的測(cè)試本錢幾乎占芯片本錢的一半，因此未來集成電路測(cè)試面臨的最大挑戰(zhàn)是如何降低測(cè)試本錢。結(jié)構(gòu)測(cè)試和內(nèi)置自測(cè) 試可大大縮短測(cè)試開發(fā)時(shí)刻和降低測(cè)試費(fèi)用。另一種降低測(cè)試本錢的測(cè)試方式是 采

2、用基于故障的測(cè)試。在普遍采用將不同的 IP 核集成在一路的情形下，還需解 決時(shí)鐘異步測(cè)試問題。另一個(gè)要解決(4)封裝。電于產(chǎn)品向便攜式 /小型化、網(wǎng)絡(luò)化和多媒體化方向進(jìn)展的市場(chǎng) 微組裝技術(shù)。是在高密度多層互連基板上，采用微焊接和封裝工藝組 裝各類微型化片式元器件和半導(dǎo)體集成電路芯片，形成高密度、高速度、高靠得 住的三維立體機(jī)構(gòu)的高級(jí)微電于組件的技術(shù)，其代表產(chǎn)品為多芯片組件 (MCM)。 圓片級(jí)封裝。其主要特征是：器件的外引出端和包封體是在已通過前 工序的硅 為鞫巴丁(5)材料。集成電路的最初材料是錯(cuò)，而后為硅，一些特種集成電路 ( 如光電器件 )也采用三五族 ( 如碑化稼 )或二六族元素 (

3、如硫化鎘、磷化錮 ) 組成 對(duì)半導(dǎo)低的訐憲在氏現(xiàn)晶體管效應(yīng)査爾犧左量亍豈亍學(xué)領(lǐng)域的基礎(chǔ)訐憲成更，該成臬導(dǎo)致亍葺干徽液一滋光原黑建迄的拒蕩器和放大器伊瓦爾章- 兀半導(dǎo)依和電導(dǎo)體的隧道效應(yīng)釣勵(lì)內(nèi)務(wù) 宅屯現(xiàn)陶洗材料的電導(dǎo)性方窗的炯杰克基爾比一三匸 U繳器件電荷耦合船件 答：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電于材料，其電導(dǎo)率在 磁等外界因素的轉(zhuǎn)變十分敏感，在半導(dǎo)體材料中摻入少量雜質(zhì)能夠控制這種材料 漸被硅材料取代。用硅制造的半 導(dǎo)體器件，耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件。因此，硅已成 為應(yīng)用最多的一種增導(dǎo)體材料，

4、目前的集成電路大多數(shù)是用硅材料制造 的有碑化鐐、磷化錮、彿化錮、碳化硅、硫化鎘 &銖碑硅等。其中碑化稼是制 造微波器件和集 分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。這 種材料具有良好的開關(guān)和記憶特性和很強(qiáng)的抗輻射 導(dǎo)體材料有幾十 種，包括縈、蔥、聚丙烯睛、歆菁和一些芳香族化合物等，目前尚未取得應(yīng) ）， 成的，最明顯的是電容和電感以常常利用的 220V 耐壓的電解電容為例，要想在 集成電路里 容值成反比的。所以，要想做出這么大的 電容，不僅需要超級(jí)好的工藝水平，還得需要專門大的芯片面積，可能比本身電 路面積大很多倍，比起單獨(dú)做個(gè)電解電容，本錢那可就高了很多，這顯然是沒事 虧錢的行為。一個(gè)顯而易見的問題，集成電路進(jìn)展這么連年，原來大個(gè)的電解 電容仍是那么大個(gè)。第二，部份功率器件受電流、散熱等方面影響，無法 集成，比 成，指甲蓋都