1、文檔編碼 : CP8A10H1E9W2 HU3F1R1U1O7 ZI4Q7S7U2G1第 1 頁 共 8 頁課時(shí)跟蹤檢測（十）分子晶體與原子晶體1以下物質(zhì)固態(tài)時(shí)確定是分子晶體的是 A酸性氧化物 B堿性氧化物C含氧酸 D非金屬單質(zhì)解析： 選 C 利用舉特例法解題；A 項(xiàng), SiO2 為酸性氧化物,屬于原子晶體；B 項(xiàng),Na 2O、CaO 等堿性氧化物屬于離子晶體；體；2以下說法中錯(cuò)誤選項(xiàng) D 項(xiàng),金剛石、晶體硅等非金屬單質(zhì)屬于原子晶A干冰與二氧化硅晶體熔化時(shí),所克服的微粒間相互作用不相同 BC2H5OH 與 C 2H5Br 相比, 前者的相對分子質(zhì)量遠(yuǎn)小于后者,而沸點(diǎn)卻遠(yuǎn)高于后者,其緣由是前者的

2、分子間存在氫鍵C非金屬單質(zhì)只能形成分子晶體 D金剛石熔化時(shí)斷裂共價(jià)鍵解析： 選 C干冰熔化時(shí)破壞范德華力,二氧化硅、 金剛石等原子晶體熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵, A、D 項(xiàng)正確；乙醇的分子間易形成氫鍵,故其沸點(diǎn)高于C 2H 5Br ,B 項(xiàng)正確； C、Si、O 是非金屬元素,但金剛石、晶體硅、二氧化硅都是原子晶體,C 項(xiàng)不正確；3據(jù)報(bào)道,用激光可將置于鐵室中的石墨靶上的碳原子“ 炸松” ,再用一個(gè)射頻電火花噴射出氮?dú)?可使碳、氮原子結(jié)合成碳氮化合物的薄膜,該碳氮化合物的硬度比金剛石更堅(jiān)硬,就以下分析正確選項(xiàng) A該碳氮化合物呈片層狀結(jié)構(gòu)B該碳氮化合物呈立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)C該碳氮化合物中CN 鍵長比金剛石的CC

3、 鍵長長D相鄰主族非金屬元素形成的化合物的硬度比單質(zhì)小解析： 選 B 由題意知, 碳氮化合物的硬度比金剛石仍大,說明該碳氮化合物為原子晶體,因此是立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),與金剛石相比,C 原子半徑大于 N 原子半徑,所以 CN 鍵長小于 CC 鍵長；4如圖為冰的一種骨架形式,依此為單位向空間延長,請問該冰中的每個(gè)水分子有幾個(gè)氫鍵 B4 A 2 C 8 D12 第 2 頁共 8 頁因此每個(gè)水分子具有解析：選 A每個(gè)水分子與四個(gè)方向的其他4 個(gè)水分子形成氫鍵,的氫鍵個(gè)數(shù)為41 22；5以下說法正確選項(xiàng) A冰熔化時(shí),分子中HO 鍵發(fā)生斷裂B原子晶體中,共價(jià)鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高 C分子晶體中,共價(jià)鍵鍵能越大,分子晶

4、體的熔、沸點(diǎn)越高 D分子晶體中,分子間作用力越大,該物質(zhì)越穩(wěn)固解析： 選 BA 項(xiàng),冰熔化時(shí),破壞分子間作用力主要是氫鍵 ,分子內(nèi)的HO 鍵不發(fā)生斷裂； C 項(xiàng),分子晶體中,分子間作用力越強(qiáng),分子晶體的熔、沸點(diǎn)越高,與分子內(nèi)共價(jià)鍵的鍵能大小無關(guān)；D 項(xiàng),分子晶體中,分子內(nèi)共價(jià)鍵的鍵能越大,該分子越穩(wěn)固；6以下性質(zhì)符合分子晶體的是 A熔點(diǎn) 1 070 ,易溶于水,水溶液能導(dǎo)電B熔點(diǎn) 10.31 ,液體不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電C熔點(diǎn) 97.81 ,質(zhì)軟,能導(dǎo)電,密度是0.97 g cm3D熔點(diǎn) 63.65 ,熔化時(shí)能導(dǎo)電,水溶液也能導(dǎo)電解析： 選 BA 項(xiàng)中的熔點(diǎn)太高,C 項(xiàng)中能導(dǎo)電的說法不符合題意,

5、D 項(xiàng)中熔化時(shí)能導(dǎo)電的說法也不符合題意；7在以下三種晶體：金剛石,晶體硅,碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的次序是 B因此,共價(jià)鍵鍵長： CC 鍵 CSiACD解析：選 A由于碳的原子半徑小于硅的原子半徑,鍵 SiSi 鍵,而共價(jià)的鍵長越短,金剛石碳化硅晶體硅；鍵能越大, 所以題中三種物質(zhì)的熔點(diǎn)從高到低的次序是8二氧化硅有晶體和無定形兩種外形,晶態(tài)二氧化硅主要存在于石英礦中；除石英外,SiO2 仍有磷石英和方英石等多種變體；方英石結(jié)構(gòu)和金剛石相像,其結(jié)構(gòu)單元如圖；以下有關(guān)說法正確選項(xiàng) A方英石晶體中存在著 SiO4結(jié)構(gòu)單元B 1 mol Si 形成 2 mol SiO 鍵C圖示結(jié)構(gòu)單元中實(shí)際占有

6、18 個(gè)硅原子第 3 頁 共 8 頁D方英石晶體中,SiO 鍵之間的夾角為 90解析： 選 A 由方英石結(jié)構(gòu)示意圖,知方英石晶體中存在著 SiO4 的結(jié)構(gòu)單元, A 項(xiàng)正確；1 mol Si 形成 4 mol SiO 鍵,B 項(xiàng)錯(cuò)誤；題圖所示的結(jié)構(gòu)單元實(shí)際占有的硅原子數(shù)：81 861 24 8 個(gè), C 項(xiàng)錯(cuò)誤；方英石晶體中存在著 SiO 4的結(jié)構(gòu)單元,說明 SiO 鍵之間的夾角為 10928, D 項(xiàng)錯(cuò)誤；91如圖為 CO 2分子晶體結(jié)構(gòu)的一部分,觀看圖形；每個(gè) CO 2分子四周有 _個(gè)與之緊鄰且等距的 有_個(gè) CO 2 分子；2在 40 GPa 高壓下,用激光器加熱到CO 2 分子；該結(jié)構(gòu)

7、單元平均占1 800 K 時(shí),人們成功制得原子晶體干冰,其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)與 SiO2 原子晶體相像,以下說法正確的 是_；A原子晶體干冰易升華,可用作制冷劑 B原子晶體干冰有很高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn) C原子晶體干冰的硬度小,不能用作耐磨材料 D原子晶體干冰在確定條件下可與氫氧化鈉反應(yīng)E每摩爾原子晶體干冰中含有4 mol CO 鍵解析： 1題給 CO 2 分子晶體的一部分,取任一頂點(diǎn)的CO 2 分子,就與之距離最近且等距的是共用該頂點(diǎn)的三個(gè)面心上的 CO 2 分子,共 3 個(gè)；而該頂點(diǎn)被 8 個(gè)同樣晶胞共用,而面心上的分子被 2 個(gè)晶胞共用,這樣符合題意的 CO 2 分子有： 3 8/212 個(gè)；在此結(jié)構(gòu)中

8、,8 個(gè) CO 2 分子處于頂點(diǎn),6 個(gè) CO 2 分子處于面心；所以,該結(jié)構(gòu)單元平均占有的 CO 2分子數(shù)為： 81 86 1 24；2 該題應(yīng)從 SiO2 的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)來判定；答案： 112 4 2BDE 10碳有多種同素異形體,其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如以下圖：1在石墨烯晶體中,每個(gè)C 原子連接 _個(gè)六元環(huán),每個(gè)六元環(huán)占有_個(gè)C 原子；2在金剛石晶體中,C 原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán),每個(gè)C 原子連接 _個(gè)第 4 頁 共 8 頁六元環(huán),六元環(huán)中最多有 _個(gè) C 原子在同一平面；解析： 1由石墨烯的結(jié)構(gòu)可知,每個(gè) C 原子連接 3 個(gè)六元環(huán),每個(gè)六元環(huán)占有的 C 原子數(shù)為1 3 62

9、；2由金剛石的結(jié)構(gòu)可知,每個(gè) C 可參與形成 4 條 CC 鍵,其中任意兩條邊 共價(jià)鍵 可以構(gòu)成 2 個(gè)六元環(huán)；依據(jù)組合學(xué)問可知四條邊 共價(jià)鍵 任選其中兩條有 6 組, 6 212；因此每個(gè) C 原子連接 12 個(gè)六元環(huán)；六元環(huán)中 多有 4 個(gè) C 原子位于同一平面；答案： 1322124 C 原子實(shí)行 sp 3 雜化,為空間六邊形結(jié)構(gòu),最1以下各組晶體物質(zhì)中,化學(xué)鍵類型相同,晶體類型也相同的是 SiO 2和 SO3 金剛石和白磷 CO 2 和 SO2晶體硅和金剛石 晶體氖和晶體氮 硫黃和單質(zhì)碘A BC D解析： 選 C 屬于分子晶體的有 SO3、CO 2、SO2、白磷、晶體氖、晶體氮、硫黃和

10、單質(zhì)碘,屬于原子晶體的有 SiO2、晶體硅和金剛石；但晶體氖是由稀有氣體單原子分子組成,晶體中不存在化學(xué)鍵；2以下晶體性質(zhì)的比較中,正確選項(xiàng) A熔點(diǎn)：單質(zhì)硫磷晶體硅B沸點(diǎn)： NH 3H 2OHF C硬度：白磷 冰二氧化硅D熔點(diǎn)： SiI 4SiBr 4SiCl 4解析： 選 D硫與磷是分子晶體,晶體硅是原子晶體,其中晶體硅的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于硫與磷的熔點(diǎn), A 項(xiàng)錯(cuò)誤；氟化氫、冰、氨都是分子晶體,三種物質(zhì)之中都存在氫鍵,水在常溫下是液體,氟化氫、氨常溫下是氣體,就水的沸點(diǎn)最高,氨的最低,B 項(xiàng)錯(cuò)誤；二氧化硅是原子晶體,硬度大,白磷和冰都是分子晶體,硬度較小,C 項(xiàng)錯(cuò)誤；鹵化硅為分子晶體,它們的組成和結(jié)

11、構(gòu)相像,分子間不存在氫鍵,故相對分子質(zhì)量越大,熔點(diǎn)越高,D 項(xiàng)正確；3干冰和二氧化硅晶體同屬第 的緣由是 A 族元素的最高價(jià)氧化物,它們的熔、沸點(diǎn)差別很大第 5 頁 共 8 頁A二氧化硅的相對分子質(zhì)量大于二氧化碳的相對分子質(zhì)量BC=O 鍵鍵能比 SiO 鍵鍵能小C干冰為分子晶體,二氧化硅為原子晶體D干冰易升華,二氧化硅不能解析：選 C干冰和二氧化硅晶體盡管同屬第A 族元素的最高價(jià)氧化物,但干冰是分子晶體,二氧化硅為原子晶體；原子晶體微粒間以較強(qiáng)的共價(jià)鍵結(jié)合,其熔、沸點(diǎn)較高,而分子晶體以較弱的分子間作用力結(jié)合,熔、沸點(diǎn)較低；4SiCl 4的分子結(jié)構(gòu)與CCl 4 相像,對其進(jìn)行以下估量,不正確選項(xiàng)

12、 A SiCl4晶體是分子晶體B常溫、常壓下 SiCl4是氣體C SiCl4的分子是由極性鍵形成的非極性分子D SiCl4的熔點(diǎn)高于 CCl 4解析： 選 B 由于 SiCl 4 具有分子結(jié)構(gòu),所以確定屬于分子晶體；影響分子晶體熔、沸點(diǎn)的因素是分子間作用力的大小,在這兩種分子中都只有范德華力,SiCl 4 的相對分子質(zhì)量大于 CCl 4 的相對分子質(zhì)量, 所以 SiCl4 的分子間作用力較大,熔、沸點(diǎn)應(yīng)當(dāng)比 CCl 4 高；CCl 4的分子是正四周體結(jié)構(gòu),SiCl 4 與它結(jié)構(gòu)相像,因此也應(yīng)當(dāng)是正四周體結(jié)構(gòu),是含極性鍵的非極性分子；5以下表達(dá)中,結(jié)論 事實(shí) 和對應(yīng)的說明 事實(shí) 均不正確選項(xiàng) A

13、金剛石的熔、沸點(diǎn)高于晶體硅,由于 CC 鍵的鍵能大于 SiSi 鍵的鍵能B二氧化硅晶體中不存在SiO2分子,由于它含有硅氧四周體的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)C稀有氣體的晶體屬于原子晶體,由于其組成微粒是原子,不存在分子間作用力 D立體構(gòu)型為正四周體結(jié)構(gòu)的分子中,化學(xué)鍵的鍵角不愿定是 10928 ,有可能為 60解析： 選 C稀有氣體的晶體屬于分子晶體,存在分子間作用力,不存在共價(jià)鍵,C 項(xiàng)符合題意；6下面關(guān)于SiO 2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的表達(dá)正確選項(xiàng) A存在四周體結(jié)構(gòu)單元,O 處于中心, Si 處于 4 個(gè)頂點(diǎn)B最小的環(huán)上,有 3 個(gè) Si 原子和 3 個(gè) O 原子C最小的環(huán)上,Si 和 O 原子數(shù)之比為 12

14、D最小的環(huán)上,有 6 個(gè) Si 原子和 6 個(gè) O 原子解析： 選 D 二氧化硅是原子晶體,為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),存在硅氧四周體結(jié)構(gòu),硅處于中心,氧處于4 個(gè)頂點(diǎn), A 項(xiàng)錯(cuò)誤；在第 6 頁共 8 頁6 個(gè) Si 原子和 6 個(gè) O 原子形成一個(gè)SiO2 晶體中,每12 元環(huán) 最小環(huán) ,D 正確, B、C 錯(cuò)誤；7以下說法中正確選項(xiàng) 金剛石晶體中的最小碳原子環(huán)由 6 個(gè)碳原子構(gòu)成金剛石晶體中的碳原子是 sp 3 雜化的1 mol SiO 2 晶體中含 2 mol SiO 鍵金剛石化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)固,即使在高溫下也不會(huì)和 O2 反應(yīng)A BC D解析： 選 A 在金剛石晶體中的最小環(huán)為六元環(huán),為空間六邊形,由

15、六個(gè)碳原子構(gòu)成,正確；金剛石晶體中每個(gè)碳原子形成 4 個(gè)共價(jià)鍵,是 sp 3 雜化, 正確；在 SiO 2晶體中 1個(gè)硅原子與四個(gè)氧原子形成 4 個(gè)共價(jià)鍵, 所以 1 mol SiO 2 晶體中含 4 mol Si O 鍵,錯(cuò)誤；金剛石的化學(xué)性質(zhì)很穩(wěn)固,但在高溫下可以和氧氣反應(yīng)生成CO 2,錯(cuò)誤；8干冰晶體是一種面心立方結(jié)構(gòu),如以下圖,即每 8 個(gè) CO 2構(gòu)成立方體, 且在 6 個(gè)面的中心又各有1 個(gè) CO 2 分子, 在每個(gè) CO 2四周距離為 2 a其中 a 為立方體棱長 的 CO 2 有 2 A 4 個(gè) B8 個(gè)C 12 個(gè) D6 個(gè)解析： 選 C 在每個(gè) CO 2 四周距離為 2 a

16、 的 CO 2 即為每個(gè)面心上的 2CO 2 分子,共有831 212 個(gè)；9硅是一種重要的非金屬單質(zhì),硅及其化合物的用途特殊廣泛；依據(jù)所學(xué)學(xué)問回答硅及其化合物的相關(guān)問題；1基態(tài)硅原子的核外電子排布式為 _；2 晶 體硅 的微觀 結(jié)構(gòu)與金 剛石相 似,晶 體硅中 SiSi 鍵 之間的 夾角大 小約為_；3請?jiān)诳驁D中補(bǔ)充完成SiO2晶體的結(jié)構(gòu)示意圖部分原子已畫出,并進(jìn)行必要的標(biāo)注；4下表列有三種物質(zhì)第 7 頁共 8 頁晶體 的熔點(diǎn)：物質(zhì)SiO 2SiCl 4SiF 4熔點(diǎn) /1 710 70.5 90.2 簡要說明熔點(diǎn)產(chǎn)生差異的緣由：SiO 2和 SiCl 4：_ ；SiCl 4 和 SiF4：

17、_ ；解析：2晶體硅以一個(gè)硅原子為中心,與另外 4 個(gè)硅原子形成正四周體結(jié)構(gòu),所以 SiSi鍵之間的夾角大小約為 10928；3圖中給出的是硅晶體的結(jié)構(gòu),SiO 2 晶體相當(dāng)于在硅晶體結(jié)構(gòu)中的每個(gè) SiSi 鍵中插入一個(gè)氧原子,所以只要在每兩個(gè)硅原子之間畫一個(gè)半徑比硅原子小的原子,再用實(shí)線連起來即可；4晶體類型不同,其熔點(diǎn)具有很大的差別,一般原子晶體的熔點(diǎn)高,而分子晶體的熔點(diǎn)低；答案： 11s 22s 22p 63s 23p22109 283如以下圖：4SiO2是原子晶體,微粒間作用力為共價(jià)鍵；SiCl4 是分子晶體,微粒間作用力為范德華力, 故 SiO2 熔點(diǎn)高于 SiCl 4 SiCl 4

18、 和 SiF4 均為分子晶體, 微粒間作用力為范德華力,結(jié)構(gòu)相像時(shí)相對分子質(zhì)量越大,范德華力越大,故 101BN 是一種新型的無機(jī)材料,由于碳單質(zhì)與SiCl 4 熔點(diǎn)高于 SiF 4 BN 屬于等電子體,其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)具有極大的相像性,故可推知, 在 BN 的晶體中, 一種是類似于_的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體,可用作耐磨材料；2單質(zhì)硼有無定形體和晶體兩種,參考下表數(shù)據(jù)：熔點(diǎn) /K 金剛石晶體硅晶體硼3 550 1 410 2 573 沸點(diǎn) /K 4 827 2 628 2 823 摩氏硬度第 8 頁共 8 頁9.5 10 6.5 晶體硼的晶體類型屬于_晶體,理由是 _；已知晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元是由硼原子組成的正二十面體 如右圖所示,其中有 20 個(gè)等邊三角形的面和確定數(shù)目的頂點(diǎn),硼原子；通過觀看圖形及推算,此基本結(jié)構(gòu)單元由 其中 BB 鍵的鍵角為 _；每個(gè)頂點(diǎn)上各有一個(gè) _個(gè)硼原子構(gòu)成,3假設(shè)將晶體硼的結(jié)構(gòu)單元中每個(gè)頂點(diǎn)均削去,余下部分的結(jié)構(gòu)與C 60相同,就C60由_個(gè)正五邊形 _個(gè)正六邊形構(gòu)成；解析： 1依據(jù)等電子體物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)相像的原理,可推知 BN 的結(jié)構(gòu),一種類似 于金剛石,硬度大、耐磨；2由于晶