1、一維納米材料1一維納米材料概念： 指在徑向上尺寸在1 nm100 nm這個(gè)范圍內(nèi)，長度方向上的尺寸遠(yuǎn)高于徑向尺寸，長徑比可以從十幾到上千上萬，空心或者實(shí)心的一類材料。2一維納米單元分類一維納米材料可以根據(jù)其空心或?qū)嵭?，以及形貌不同，分為：納米管納米棒或納米線納米帶以及納米同軸電纜等。納米管的典型代表就是納米碳管，它可以看作由單層或者多層石墨面按照一定的規(guī)則卷繞而成的無縫管狀結(jié)構(gòu)。 其它的還有Si、Se、Te、Bi、BN、BCN、WS2、MoS2、TiO2納米管等等。3一維納米單元分類納米棒一般是指長度較短、縱向形態(tài)較直的一維圓柱狀(或其橫截面呈多角狀)實(shí)心納米材料；納米線是指長度較長，形貌表現(xiàn)

2、為直的或彎曲的一維實(shí)心納米材料。納米帶與以上2種納米結(jié)構(gòu)存在較大的差別，其截面不同于納米管或納米線的接近圓形，而是呈現(xiàn)四邊形，其寬厚比分布范圍一般為幾到十幾。納米帶的典型代表為氧化物，如Ga2O3、ZnO、SnO2等。納米同軸電纜是指徑向在納米尺度的核殼準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)，其代表產(chǎn)物有CBNC、SiSiOx 、SiCSiO2等。44.1 碳納米管(carbon nanotube)1991年4月，日本筑波的NEC公司飯島澄男(Iijima)等首次用高分辨透射電鏡觀察到了多壁碳納米管(Mult-Walled Carbon Nanotube)。這些碳納米管是多層同軸管，也叫巴基管(Bucky tube)。1

3、993年又發(fā)現(xiàn)單壁碳納米管(Single-Walled Carbon Nanotube)。與 MWNTs相比，SWNTS是由單層圓柱型石墨層構(gòu)成，其直徑大小的分布范圍小，缺陷少，具有更高的均勻一致性。51970年，法國奧林大學(xué)Endo用氣相生長技術(shù)制成了直徑為7nm的碳纖維，但未進(jìn)行細(xì)致的表征。幾乎同時(shí)，莫斯科化學(xué)物理研究所的研究人員也獨(dú)立地發(fā)現(xiàn)了碳納米管和納米管束，但是這些碳納米管的縱橫比很小。 1996年，美國著名的諾貝爾獎(jiǎng)金獲得者斯莫利(Smalley)等合成了成行排列的單壁碳納米管束(bundle)，每一束中含有許多碳納米管，這些碳納米管的直徑分布很窄。我國中國科學(xué)院物理研究所解思深等

4、人實(shí)現(xiàn)了碳納米管的定向生長，并成功合成了超長(毫米級)納米碳管。 6一、合成碳納米管的方法Methods for Preparation of SWNTs電弧放電法 Arc-Charge Method (Iijima)激光燒蝕法 Laser Ablation Method (Smalley) 化學(xué)氣相沉積法 Chemical Vapor Deposition Method 解思深7電弧法該方法是在真空反應(yīng)室中充以一定壓力的惰性氣體，采用面積較大的石墨棒（直徑為20mm） 作陰極，面積較小的石墨棒（直徑為10mm）為陽極，如圖。在電弧放電過程中，兩石墨電極間總是保持1mm的間隙，陽極石墨棒不斷被

5、消耗，在陰極沉積出含有NTS、Fullerenes、石墨微粒、無定形碳和其他形式的碳微粒，同時(shí)在電極室的壁上沉積有由Fullerenes、無定形碳等碳微粒組成的煙灰（Soot）。8電弧法Carbon Arc or Arc Discharge9Arc Method10其關(guān)鍵工藝參數(shù)有： 電弧電流及電壓、惰性氣體種類及壓力、電極的冷卻速度等。電弧電流一般為70200A、放電電壓2040V不等。 若電弧電流低，有利于NTS生成，但電弧不穩(wěn)定；若電弧電流高，NTS與碳的其他納米微粒融合在一起，且無定形碳、石墨等雜質(zhì)增多，給其后的純化處理帶來困難。惰性氣體一般用氦氣、氮?dú)猓渥罴褖毫?6661Pa，

6、如低于 13332Pa，則幾乎無 NTs生成，即高氣壓低電流有利于生成納米碳管（NTS）。11電弧法制備的一般都是MWNTS，且尺寸小(長度1um)，更重要的是陰極沉積物沉積時(shí)的溫度太高（電弧能產(chǎn)生高達(dá)4000K的高溫），導(dǎo)致所制備的MWNTS的缺陷多，且與其他的副產(chǎn)物如無定形碳、納米微粒等雜質(zhì)燒結(jié)于一體，對隨后的分離和提純不利。盡管石墨電弧法有些不足，但到目前為止它仍是制備MWNTS的主要方法，因?yàn)殡娀∵^程能很方便地產(chǎn)生制備NTS所需要的高溫。12催化電弧法 催化電弧法是在石墨電弧放電法的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，在陽極中以不同的方式摻雜不同的金屬催化劑（如 Fe、Co、Ni、Y等），利用兩極的弧光

7、放電來制備納米碳管，其實(shí)驗(yàn)裝置與石墨電弧法的基本相同。催化電弧法主要是用來制備單壁納米碳管，也是目前比較流行的制備方法，很有希望用此法實(shí)現(xiàn)對單壁納米碳管的連續(xù)化、大批量的生產(chǎn)。13激光燒蝕法1996年，瑞斯大學(xué)Tans和Smalley等在1200度的爐中用激光蒸發(fā)碳靶，采用Co-Ni做催化劑獲得了有序單壁碳納米管束(bundle)，每一束中含有許多碳納米管。由流動的Ar氣載入水冷的Cu收集器。14 American Scientist 199715Laser Method16電弧法和激光蒸發(fā)法是目前獲得高品質(zhì)碳納米管的主要方法。但存在一些問題：首先，需要3000 oC以上的高溫將固態(tài)的碳源蒸發(fā)

8、成碳原子，限制了碳管的產(chǎn)量。其次，蒸發(fā)方法生長的碳管形態(tài)高度糾纏，并與碳的其他存在形式及催化劑金屬元素相互雜糅，需要進(jìn)行提純。17CVD法在20世紀(jì)70年代初期，Baker等在采用金屬（Fe、Co、Ni、Cr）作為催化劑熱分解碳?xì)浠衔镆灾苽涮祭w維方面做過系統(tǒng)研究，其研究結(jié)果對利用催化分解碳?xì)浠衔镏苽銷TS是一種很好的提示并具參考價(jià)值。18制備NTS方法的典型裝置在一平放的管式爐中放人作為反應(yīng)器的石英管，將一瓷舟置于石英管中，瓷舟底部鋪上一層薄薄的采用浸漬法制備的負(fù)載在石墨粉或硅膠上的金屬催化劑或純金屬粉末催化劑。反應(yīng)混合氣（含2.510乙炔的氮?dú)猓┮砸欢ㄋ俾释ㄟ^催化床，溫度為 773107

9、3K，反應(yīng)時(shí)間由催化劑用量、混合氣流速和反應(yīng)溫度而定，從幾十分鐘到幾個(gè)小時(shí)不等。反應(yīng)中所用的催化劑一般為負(fù)載在硅膠或分子篩或石墨上的鐵、鈷、鎳、銅、鉻或它們的合金。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，用鐵和鈷作催化劑時(shí)制備的NTs含量高、質(zhì)量好，尤其是鈷更好。1920CVD Method21其他方法醇熱法600 oC 錢逸泰CH3CH2OH + Mg 2C+ MgO + 3H222模板法(b)23碳管生長機(jī)理CVD法生長溫度常為500-1000 ，生長過程中，過渡金屬(Fe、Ni、Co等)催化劑顆粒吸收和分解碳?xì)浠衔锏姆肿樱荚訑U(kuò)散到催化劑的內(nèi)部后形成金屬-碳的固溶體，隨后，碳原子從過飽和的催化劑顆粒中析出，形

10、成納米管結(jié)構(gòu)。通常一根碳管一端附有或包覆著催化劑顆粒，另一端為空心。24Growth mechanism Visualisation of a possible carbon nanotube growth mechanism2526Acid Based PurificationBefore Purification After Purification27SEM束狀排列納米碳管28束狀排列納米碳管TEM29二、碳納米管的結(jié)構(gòu)高分辮透射電鏡證明：多壁碳納米管一般由幾個(gè)到幾十個(gè)單壁碳納米管同軸構(gòu)成。管間距為0.34nm左右，這相當(dāng)于石墨的0002面間距。碳納米管的直徑為零點(diǎn)幾納米至幾十納米，長度

11、一般為幾十納米至微米級。每個(gè)單壁管側(cè)面由碳原子六邊形組成，兩端由碳原子的五邊形封頂。根據(jù)管壁可以分為單壁碳納米管和多壁碳納米管。30碳納米管的結(jié)構(gòu)碳原子整齊排列，形成碳薄片，被卷成圓管形狀的薄片就是納米碳管碳薄片納米碳管捲起31Schematic of a single-walled carbon nanotube (SWNT)Schematic of a multi-walled carbon nanotube (MWNT)32NATURE, 1993NATURE, 199133STM Image34單壁碳納米管存在三種類型的結(jié)構(gòu)：分別稱為單臂納米管、鋸齒形納米管和手性形納米管。如圖所示這些

12、類型的碳納米管的形成取決于碳原子的六角點(diǎn)陣二維石墨片是如何“卷起來”形成圓筒形的。35二維石墨片的卷曲a1a236手性矢量Ch = na1+ ma2a1和a2為單位矢量，n,m為整數(shù)，手性角為手性矢量與a1之間的夾角。通常用(n,m) 表征碳管結(jié)構(gòu)；也可用直徑dt和螺旋角表示。 對于不同類型的碳納米管具有不同的m,n值。m=n, =30o, 單臂納米管。Armchairn或m=0, =0o , 鋸齒形納米管。zigzag處于0o 與30o之間，手性納米管。chiral37a富勒烯、b單臂納米管、c鋸齒形納米管和d手性形納米管38碳管的研究存在的兩個(gè)重要問題：1 碳管的最小直徑是多少？直徑越小，

13、彎曲度越大，電子云形狀變化越大，相反，直徑越大，彎曲度越小，電子云接近石墨的情形，性質(zhì)接近石墨。2 制備無法控制碳管的直徑和手性。產(chǎn)物是不同直徑與手性的混合物，缺乏有效的分離方法。39最細(xì)的碳納米管 (0.4 nm)2000年，香港科技大學(xué)的湯子康博士即宣布發(fā)現(xiàn)了世界上最細(xì)的純碳納米碳管0.4nm，這一結(jié)果已達(dá)到碳納米管的理論極限值。 Sumio Iijima402003年，德國Crupke利用電泳的方法從半導(dǎo)體納米管中分離處金屬性納米管。兩種管具有不同的介電常數(shù)，在電場作用下，金屬管吸引的電極上。41不同手性的單壁管具有不同的管徑，也具有不同的電學(xué)性質(zhì)。物理上是不同的禁帶寬度和費(fèi)米能級，化學(xué)

14、上是不同的價(jià)帶和導(dǎo)帶，分子軌道理論上是HOMO和LUMO，電化學(xué)上是氧化還原電勢。不同手性的化學(xué)電勢不一樣，和分子的反應(yīng)活性也不一樣，管徑大禁帶窄的半導(dǎo)體單壁管反應(yīng)活性比小管徑帶隙寬的要大，金屬型最大，所以可以通過控制反應(yīng)動力學(xué)來達(dá)到分離不同手性納米管的效果。 42三、碳納米管的性質(zhì)和應(yīng)用1. 電學(xué)性質(zhì) 碳納米管的性質(zhì)強(qiáng)烈依賴于直徑和手性，直徑越小，電子的狀態(tài)與sp2差別越大，表現(xiàn)的量子效應(yīng)越明顯。 美國C.T.White教授計(jì)算得出n-m=3q（q為整數(shù)), 碳管為金屬性。其他情況表現(xiàn)半導(dǎo)體性，并且禁帶寬度正比于碳管直徑的倒數(shù)。單臂納米管為金屬性，鋸齒形、手性碳管部分為金屬，部分為半導(dǎo)體性。

15、隨著半導(dǎo)體納米管直徑增加，帶隙變小，在大直徑情況下，帶隙為零，呈現(xiàn)金屬性質(zhì)。4344Smalley等人利用STM測量出單個(gè)碳管的手性角，并測量出電流-電壓曲線，測出帶隙Eg，部分Eg為0.50.6 eV，與預(yù)計(jì)的半導(dǎo)體納米管能隙（0.5eV）一致。電流隨電壓呈梯形上升，電導(dǎo)高于Cu，在低溫（4.2K）下電導(dǎo)隨外加磁場的變化出現(xiàn)漲落現(xiàn)象。如圖金屬性納米碳管-集成電路連線半導(dǎo)體性納米碳管-納米電子開關(guān)和量子器件。例如擠壓碳管。45隨著偏壓V的增加，電流呈臺階性增加。462. 碳納米管具有與金剛石相同的熱導(dǎo)和獨(dú)特的力學(xué)性質(zhì)熱導(dǎo)在120 K以下隨溫度成平方關(guān)系，120 K以上趨于線性。常溫?zé)釋?dǎo)大約25

16、WKcm (金剛石20)，比熱容在整個(gè)測量溫區(qū)表現(xiàn)出良好的線性。碳納米管的強(qiáng)度比鋼高100多倍，楊氏模量估計(jì)可高達(dá)5 TPa， (測量報(bào)道 1.280.59) 這是目前可制備出的具有最高比強(qiáng)度的材料，而比重卻只有鋼的1/6，延伸率為百分之幾，具有好的可彎曲性，單壁納米碳管可承受扭轉(zhuǎn)形變并可彎成小圓環(huán)，應(yīng)力卸除后可完全恢復(fù)到原來狀態(tài)；壓力不會導(dǎo)致碳納米管的斷裂。用作復(fù)合材料的增強(qiáng)劑47碳納米管的強(qiáng)度測量48Mechanically Deformed Carbon Nanotubes具有極好的可彎折性03045609049具有極好的可扭曲性503. 納米碳管在平面顯示器的應(yīng)用直徑細(xì)小的碳納米管可以

17、用來制作極細(xì)的電子槍，在室溫及低于80伏的偏置電壓下，即可獲得0.11微安的發(fā)射電流。開口碳納米管比封閉碳納米管具有更好的場發(fā)射特性。與目前的商用電子槍相比，碳納米管電子槍具有尺寸小、發(fā)射電壓低、發(fā)射密度大、穩(wěn)定性高、無需加熱和無需高真空等優(yōu)點(diǎn)，有望在新一代冷陰極平面顯示器中得到應(yīng)用。 51Samsung早在1999年已經(jīng)展示了4.5寸彩色的CNT-FED，事過多年一直沒有見到產(chǎn)品上市，據(jù)說是CNT-FED的穩(wěn)定度問題一直無法克服所致。52原因：一個(gè)是雖然納米碳管有非常好的場發(fā)射特性，但是電流電場的關(guān)系圖極為陡峭，如圖所示，5%的電場強(qiáng)度變化會造成80%以上的電流變化。另一個(gè)是納米碳管場發(fā)射的

18、穩(wěn)定性的問題，如圖所示，這種場發(fā)射的電流隨時(shí)間常有20%的大小變化，造成極大困擾。534. 原子力顯微鏡針尖優(yōu)點(diǎn)：納米級直徑，高的長徑比，高的機(jī)械柔軟性，電子特性確定。分辨率高，探測深度深，可進(jìn)行狹縫和深層次探測。54AFM Tips with CNT 555. 化學(xué)傳感器由于碳納米管暴露在NO2 和NH3 時(shí)，電導(dǎo)發(fā)生明顯的增加或減小，奠定了在氣體化學(xué)傳感器應(yīng)用的基礎(chǔ)。Kong. J 等人測定了SWNT在NO2 和NH3通過時(shí)，碳納米管電導(dǎo)隨電壓的變化情況。 電導(dǎo) NO2 3個(gè)數(shù)量級；電導(dǎo) NH3 2個(gè)數(shù)量級優(yōu)點(diǎn)：具有響應(yīng)速度快，靈敏度高（較常規(guī)高1000倍），重現(xiàn)性好，室溫操作等。566.

19、 碳納米管儲氫碳納米管由于其管道結(jié)構(gòu)及多壁碳管之間的類石墨層空隙，成為最有潛力的儲氫材料，用于發(fā)展納米管燃料電池。美國國立可再生能源實(shí)驗(yàn)室采用程序控溫脫附儀測量單壁納米碳管的載氫量，從實(shí)驗(yàn)結(jié)果推測在130K、4104 Pa條件下的載氫量為5wt一10wt，并認(rèn)為SWNT是唯一可用于氫燃料電池汽車的儲氫材料。這是世界上關(guān)于碳納米管儲氫的第一篇報(bào)道。57H2原子和C納米管58Nanotube Covers594.2. 納米棒、納米帶和納米線準(zhǔn)一維納米材料是指在兩維方向上為納米尺度，長度比上述兩維方向上的尺度大很多，甚至為宏觀量的新型納米材料。納米棒、納米線、納米帶、同軸納米電纜60納米棒：縱橫比(

20、長度與直徑的比率)小，截面為圓形。一般小于20。納米線：縱橫比大，截面為圓形。 半導(dǎo)體和金屬納米線通常稱為量子線。納米帶：其截面為長方形。同軸納米電纜： 芯部為半導(dǎo)體或?qū)w的納米線，外包異質(zhì)納米殼體（半導(dǎo)體或?qū)w），外部的殼體和芯部線是同軸的。6162636465666768一維納米材料的制備方法熱蒸發(fā)沉積、分子束外延、脈沖激光沉積、化學(xué)氣相沉積 、溶膠-凝膠、水熱合成、電化學(xué)沉積、電泳、模板合成等方法。一維納米材料制備主要是利用“由下而上”的方法， 通過物理、化學(xué)的方法獲得材料組成的原子（離子）或分子，在適當(dāng)?shù)闹苽錀l件下獲得一維納米結(jié)構(gòu)，其制備的關(guān)鍵是在納米材料生長過程中控制合適的條件，使材

21、料只在一維方向上結(jié)晶生長。 69一維納米材料的制備方法一維納米材料制備過程的狀態(tài)將制備方法分為1）氣相法；2）液相法；3）模板法。701）氣相法 兩種生長機(jī)理：氣相-液相-固相（VLS）生長機(jī)理，氣相-固相（VS）生長機(jī)理。 VLS法是以液態(tài)金屬團(tuán)簇催化劑作為氣相反應(yīng)物的活性點(diǎn)，將所要制備的一維納米材料的材料源加熱形成蒸氣，待蒸氣擴(kuò)散到液態(tài)金屬團(tuán)簇催化劑表面形成過飽和團(tuán)簇后，在催化劑表面生長形成一維納米結(jié)構(gòu)。 71氣相-液相-固相（VLS）生長機(jī)理72氣相-液相-固相（VLS）法2001年，楊培東等利用Au催化的化學(xué)氣相沉積法在管式爐中，在藍(lán)寶石(110)基底上外延生長出ZnO納米線陣列。具體

22、生長方法是：首先在有掩膜(方格) 藍(lán)寶石襯底上生長一層Au膜，然后以混合的ZnO粉與石墨粉作為原料，放入管式爐中部的氧化鋁舟中，在高純Ar氣保護(hù)下將混合物粉末加熱到880905，生成的Zn蒸氣被流動Ar氣體輸送到遠(yuǎn)離混合粉末的納米線“生長區(qū)”，在生長區(qū)放置了提供納米線生長的藍(lán)寶石(110)基底材料。ZnO只能在Au膜區(qū)外延生長，由于襯底(110)和ZnO(0001)面間良好的匹配，ZnO能垂直于襯底向上生長，最終得到直徑20 nm150 nm、長約10 mm的ZnO納米線。 73氣相-固相（VS）法 一種或幾種原料在高溫下形成蒸氣或者本身就是氣態(tài)，在低溫時(shí)，使氣相分子快速降溫凝聚，達(dá)到臨界尺寸

23、后，形核并生長。這種制備方法的優(yōu)點(diǎn)是不需要催化劑，不足之處是所需溫度較高。不同晶體結(jié)構(gòu)的材料都可以在一定條件下形成一維納米結(jié)構(gòu)，而在納米線和納米帶的形成過程中，表面能最小化可能起到很重要的作用。 溫度和過飽和度是兩個(gè)重要因素。高溫和高過飽和度利于二維形核，導(dǎo)致形成片狀結(jié)構(gòu)，相反，低溫和低過飽和度對一維納米結(jié)構(gòu)的生長有促進(jìn)作用。74氣相-固相（VS）法 氣相-固相法生長一維納米材料需要滿足兩個(gè)條件：軸向螺旋位錯(cuò)：一維納米材料的形成是晶核內(nèi)含有的螺旋位錯(cuò)延伸的結(jié)果，它決定了一維納米材料快速生長的方向；防止側(cè)面成核：首先一維納米材料的側(cè)面應(yīng)該是低能面，這樣，從其周圍氣相中吸附在低能面上的氣相原子其結(jié)

24、合能低、解析率高，生長會非常緩慢。75氣相-固相（VS）法 北京大學(xué)的俞大鵬等采用簡單物理蒸發(fā)法成功地制備了硅納米線。具體方法是，將經(jīng)過8小時(shí)熱壓的靶（95Si，5Fe)置于石英管內(nèi)，石英管的一端通入氬氣作為載氣，另一端以恒定速率抽氣，整個(gè)系統(tǒng)在1200保溫20小時(shí)后，在收集頭附近管壁上可收集到直徑為153nm、長度從幾十微米到上百微米的硅納米線。他們認(rèn)為該方法生成的硅納米線芯部是直徑約10nm的晶體硅，外層是厚度約2nm 的硅的氧化物。762）液相法氣相法適合于制備各種無機(jī)半導(dǎo)體納米線 (管)、納米帶。 對于金屬納米線，利用氣相法卻難以合成。液相法可以合成包括金屬納米線在內(nèi)的各種無機(jī)、有機(jī)納

25、米線材料，是另一種重要的合成一維納米材料的方法。 772）液相法對于晶體結(jié)構(gòu)呈高度各向異性的晶體來說，它們依靠其晶體學(xué)結(jié)構(gòu)特性差異很容易從各向同性的液相介質(zhì)中生長成一維線型結(jié)構(gòu)。包括硫族(氧除外)單質(zhì)及化合物，一般具有六方密堆積鏈結(jié)構(gòu)，如Te、Se、M2O2X6(M=Li，Na；X=Se，Te)等。 這種生長成一維納米結(jié)構(gòu)的方法稱之為“晶體學(xué)結(jié)構(gòu)控制生長方法”。782）液相法金屬一般常為各向同性的晶體結(jié)構(gòu)，因此要使金屬晶體生長成一維線型結(jié)構(gòu)，則需要在金屬晶體形核、生長階段破壞其晶體結(jié)構(gòu)的對稱性，通過生長過程中限制一些晶面的生長來誘導(dǎo)晶體的各向異性生長。 “毒化”晶面控制生長 溶液液相固相法(s

26、olution-liquid-solid，SLS)79“毒化”晶面控制生長利用多元醇還原法，選擇乙二醇作為溶劑和還原劑來還原AgNO3，同時(shí)選用聚乙烯吡咯烷酮PVP(polyvinyl pyrrolidone)作為包絡(luò)劑(capping reagent)，選擇性地吸附在Ag納米晶的表面，以控制各個(gè)晶面的生長速度，使納米Ag顆粒以一維線型生長方式生長. 80“毒化”晶面控制生長81溶液液相固相法(solution-liquid-solid，SLS)在低溫下合成了III-V族化合物半導(dǎo)體(InP，InAs，GaP，GaAs)納米線。這種方法生長的納米線一般為多晶或單晶結(jié)構(gòu)，納米線的尺寸分布范圍較寬

27、，其直徑為20-200 nm，長度約10 mm。機(jī)理非常類似于前面說過的高溫VLS生長機(jī)制。一般制備過程如下：溶劑一般選碳?xì)淙軇?如甲苯、1,3-二異丙苯等)，其中的前驅(qū)物為三叔丁基茚(tri-tertbutylindane)金屬有機(jī)化合物或鎵烷(gallane)。 為了防止產(chǎn)物中殘留一些金屬有機(jī)低聚物，常在液相體系中加入一定量的質(zhì)子性的試劑，如MeOH、PhSH、Et2NH或PhCOOH.82溶液液相固相法(solution-liquid-solid，SLS)在加熱條件下，液相中涉及到的金屬有機(jī)物反應(yīng)通式如下：式中的 t-Bu為tert-butyl的縮寫，即叔丁基，XH指質(zhì)子性催化劑，M和E分別指III族In、Ga元素和V族P、As元素，H指氫元素。832）模板法模板法制備納米線可以追溯到1970年。Possin等在用高能離子轟擊云母形成的孔中，制備出了直徑只有40 nm的多種金屬.模板法可以分為硬模板法、軟模板法和無模板法。842）模板法按硬模板材料可以分為多孔氧化鋁膜模板法、聚合物膜模板法、碳納米管模板法生命分子模板法等。 85一般過程納米孔道模板材料鍍Au或Ag膜作陰極固定于導(dǎo)電基底上暴露于