1、電電技術(shù)課后習(xí)題第章答案2.1與信息電電路中的極管相，電極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點才使得其具有耐受壓和電流的能？答：1.極管的通流能。2.P區(qū)和N區(qū)之間多了層低摻雜NN區(qū)由于摻雜濃度低接近于摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體，由于摻雜濃度低，低摻以承受很的電壓不被擊穿。2.2使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？2.3 維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？答：1.流。2.到接近于零的某數(shù)值以下，即降到維持電流以下，便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。2.4 圖 2-27波形的電流最值均為Im Id1、Id2Id3與電流有效值 I1I2I3。解：a)Id1=I1=b)Id2=I2=c)Id3=I3=2.

2、5上題中如果不考慮安全裕量,問 100A的晶闡管能送出的平均電流 Id1Id2Id3各為多少? Im1、Im2Im3各為多少?解：額定電流的晶閘管，允許的電流有效值, 上題計算結(jié)果知a)b)c)Im1A,Id1 0.2717Im1 89.48AIm2Id2Im3=2I=314Id3=2.6GTO 和普通晶閘管同為 PNPN 結(jié)構(gòu),為什么 GTO 能夠關(guān)斷,普通晶閘管不能?答：GTO和普通晶闡管同為PNPN結(jié)構(gòu)，由和V1V2別具有共基極電流增益 和是器件臨界導(dǎo)通的條件。 兩個等效晶體管過飽和導(dǎo)通；不能維持飽和導(dǎo)通關(guān)斷。GTOGTO與普通晶閘管在設(shè)計和藝有以下點不同：1.GTO在設(shè)計時 較，這樣晶

3、體管V2控制靈敏，易于GTO關(guān)斷；導(dǎo)通時的更接近于GTO則為，GTO的飽和程度不深，接近于臨界飽和，這樣為極控制關(guān)斷提供了有利條件；3.GTO元陰極積很，極和陰極間的距離為縮短，使得P2極區(qū)所謂的橫向電阻很，從使從極抽出較的電流成為可能。2.7 結(jié)構(gòu)特點才使得它具有耐受電壓電流的能？答 1.電極管都采垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，使得硅中通過電流的有效積增，顯著提了極管的通流能。2.P區(qū)和N區(qū)之間多了層低摻雜NN區(qū)由于摻雜濃度低接近于摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體，由于摻雜濃度低，低摻承受很的電壓不被擊穿。2.8 試分析IGBT和電MOSFET在內(nèi)部結(jié)構(gòu)和開關(guān)特性上的相似與不同之處.答 IGBT電MOSFETP型層，IGBT電流沖擊的能，通態(tài)壓降較低，輸阻抗，為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率。開關(guān)速度低于電MOSFETMOSFET電路簡單，作頻率，不存在次擊穿問題。IGBT驅(qū)動電路的特點是:驅(qū)動電路具有較的輸出電阻，GBT是電壓驅(qū)動型器件，IGBT的驅(qū)動多采專的混合集成驅(qū)動器。電MOSFET較的輸電阻，驅(qū)動功率且電