晶體結(jié)構(gòu)：畫(huà)出金剛石的晶體結(jié)構(gòu)示意圖并給出相應(yīng)碳原子的坐標(biāo)；畫(huà)出金剛石品體的空間點(diǎn)陣示意圖并寫(xiě)出名稱(chēng)；計(jì)算金剛石品體中每個(gè)晶胞含碳原子數(shù)和原子堆積系數(shù)。J每個(gè)原子成囚由體鑲合，但是每J遮種機(jī)枸也可以看成是兩個(gè)FCC■史剛石屬于立方面心京眸，可若成是面心立方晶梏沿域?qū)ξ堇`方J每個(gè)原子成囚由體鑲合，但是每J遮種機(jī)枸也可以看成是兩個(gè)FCC■史剛石屬于立方面心京眸，可若成是面心立方晶梏沿域?qū)ξ堇`方向枚移了屯4住有角域長(zhǎng)度后共同構(gòu)成的,J對(duì)稱(chēng)中心位于與^-^FCC晶格映點(diǎn)的等距處，即（部8,3/8,Itil*ThedianiondstmcturecanbeviE/ed雷afaee-centered<ubicanaywith,halfof也etetrahedralholeshlfed.金剛石配位數(shù)為4試比較閃鋅礦結(jié)構(gòu)（如GaAs）與金剛石立方結(jié)構(gòu)（如Si）上的異同性?同：都服從電子-原子比等于4,結(jié)構(gòu)很相似，都可以看作是兩個(gè)相互滲透FCC晶格交替而成，都是四面體鍵合。異：1、閃鋅礦與金剛石結(jié)構(gòu)相比具有較低的對(duì)稱(chēng)性2、 閃鋅礦結(jié)構(gòu)中具有米勒指數(shù)為111和111的溶解和腐蝕速度也不同閃鋅礦品體的解理面在｛100｝面，而金剛石的解理面通常在｛111｝面?；衔锱c固溶體3、在化合物品體中摻雜雜質(zhì)所占據(jù)的替代位置一般遵循的基本原則？摻雜原子在化合物半導(dǎo)體品格中講占據(jù)化學(xué)勢(shì)達(dá)到最下的位置一般來(lái)說(shuō)，金屬摻雜原子偏析到金屬亞品格A的位置，非金屬摻雜原子偏析到非金屬亞品格A的位置摻雜原子如何替代？摻雜原子在化合物半導(dǎo)體晶格中將占據(jù)化學(xué)勢(shì)最小的位置；口化合物半導(dǎo)體可以通過(guò)將捧雜原子替代A或日亞晶幡上的原子謎行有效的捧雜口金屬摻雜原子偏析到金斌亞晶搭A(yù)的位置口非金屬摻雜原子刪到非金屬亞晶梧B的位置□例如，要格晶體摟雜為n型，可以通過(guò)在珅晶格位置上引入稼原子（YI族），或在像晶格位上加入錫原子uv震）GaAs中的兩性摻雜?硅原子在GaAs晶格的取代位置是由碑原子的化學(xué)勢(shì)狹定的，當(dāng)璉取代A亞晶格上踏蹤時(shí)可以作為H型擒雜劑，當(dāng)取代曰晶格上的神時(shí)可作為P型摻雜劑彳在室迅時(shí)畦藤子取枕嫁康子*為「型^雜制?降值硅爆子在砰程上的化學(xué)靜且使乏旌于在蚊役上的化學(xué)野”Et凰子會(huì)取代碑服子（增如削空垃糧梗｝〈稔SA調(diào)悻在低辭分壓中進(jìn)行熱處理.M可增加碑空也浪度，成禪可把SAs轉(zhuǎn)斐成p型IKa4、試說(shuō)明硅原子在GaAs中具有的兩性摻雜特性與摻雜條件？硅原子在GaAs中的這種特性有何重要應(yīng)用？硅原子在GaAs晶格的取代位置是由硅原子的化學(xué)勢(shì)決定的，當(dāng)硅取代入亞晶格上的鎵時(shí)可以作為n型摻雜劑,當(dāng)取代B晶格上的神時(shí)可作為P型摻雜劑在室溫時(shí)硅原子取代鎵原子，為n型摻雜劑降低硅原子在神位上的化學(xué)勢(shì)且使之低于在鎵位上的化學(xué)勢(shì)，硅原子會(huì)取代神原子（增加神空位濃度）將6狄，品體在低神分壓中進(jìn)行熱處理，則可增加神空位濃度，這樣可把GaAs轉(zhuǎn)變成p型：Ka

SiGa?+VAsX SiAs/+VGaX+2h。在溫度800^以上，GaAs中的硅原子也傾向于取代神位，因此800°C是可看作是硅在GaAs中的摻雜特性由n型到P型的轉(zhuǎn)變點(diǎn)這一特性在制備GaAS發(fā)光二極管中是十分重要的缺陷2、什么是自補(bǔ)償效應(yīng)？為什么一般的II-VI族化合物具有自補(bǔ)償效應(yīng)，即其電學(xué)性質(zhì)受原子缺陷的控制？而III-V族半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)很少受原子缺陷的控制？試舉例加以說(shuō)明。7 的自補(bǔ)償機(jī)制ZnTe摻雜？ZnTe摻雜？以ZnTe為例，當(dāng)加入的硬原子作為n型捧雜劑取代疏位時(shí)，會(huì)出現(xiàn)什么樣的情況？-碘原子產(chǎn)生的電子態(tài)靠近導(dǎo)帶底，這個(gè)電子態(tài)容易被電離而釋放atS由電子,?如果存在一種機(jī)制，使得這些自由電子降落到價(jià)帶，這時(shí)整個(gè)晶體的能量有可能會(huì)降低.在普通半導(dǎo)體材料中，由于價(jià)帶中沒(méi)有占據(jù)的狀態(tài)是非常少的「所以一般認(rèn)為這種機(jī)制發(fā)生的可能性很小.ZnT&fi^：中含甫過(guò)多的鋅空位（■威格25紹力，電S5一個(gè)鋅空位在價(jià)帶中產(chǎn)生兩個(gè)空火，這些空穴可與修八旗原子啟產(chǎn)生的電子冥臺(tái).，在逮個(gè)過(guò)程中，悖的平衡是；81■于每產(chǎn)生一個(gè)電高鋅空位渺成格為》晦V）就會(huì)有兩個(gè)電子降落過(guò)整個(gè)祭帝真度￡帶置為29由/>■當(dāng)?shù)庠泳S入ZnT?晶悻時(shí)，在能星上（2衛(wèi)應(yīng)心-A6W用利于鋅空徂的自盼形成.補(bǔ)璧由碘加入所產(chǎn)生的電子，這種機(jī)制薜為偵*、襟self-ccanpensaticm）在血氐中，宜盤(pán)形成的群空位可以完全補(bǔ)髭的任何濃度的爪-壅搟摧劑「因此血年不保是本征p型半導(dǎo)體'而且不能以推雜方式來(lái)產(chǎn)生兩!材料. CdS的BrouwerffiJCdS的Biouwer圖顯示i在所有氣相蛆成范用內(nèi)CdS的BrouwerffiJCdS的Biouwer圖顯示i在所有氣相蛆成范用內(nèi),硫空位或橘間隙的影響起著決定性作用在0型搟雜的中「A由電子的濃度取決于□型掇雜制的濃度，但是硫空位將會(huì)在整個(gè)組成范圍內(nèi)補(bǔ)常F-型摻雜劑-自補(bǔ)償發(fā)生的條件直補(bǔ)償發(fā)生基本條件T-本征域略的形成焙很小.它們所產(chǎn)生的電子霆靠近輸帶或?qū)н吘墸婋x能小）-帶康很鹿*II-VI族半導(dǎo)體滿(mǎn)足這些條件，呈現(xiàn)自補(bǔ)償特性，fi^CdTe是一個(gè)重要的例外”rtg^Cd^Te:虹外探潮器-這些半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)是由本征點(diǎn)魄陷控制的Cd&自補(bǔ)償機(jī)制T在CdS中『電離硫空位的形成焙為2.69W,GOS帶?為2.4evd因此產(chǎn)生一個(gè)硫空位能補(bǔ)償忱帶中的兩個(gè)空穴，導(dǎo)致總靖減少大約卻4.8-263）ev.T因此3S是本征H型半導(dǎo)的不能制備成具有史型導(dǎo)電特性的半導(dǎo)體材料9也在CHS晶體中，用鋸空位自補(bǔ)倍「型摻雜削在能量平衡上是不利的，這是因?yàn)殒k空位的電離焙很大.因此，在COS晶體中自由電子的濃度是由加入晶體中摻雜荊濃度控制的上CdTe摻雜？能量上有利的自補(bǔ)償并不總是存在的，在CdT檔中帶隙為1.b6eV,鎘空位的形成焙為2一T晶％很容易證明只有當(dāng)鎘空位所產(chǎn)生的電子態(tài)位于離價(jià)帶0.3T或以?xún)?nèi)時(shí)，神懵有意如入的施主拶雜劑的現(xiàn)象才能發(fā)生？但是鎘空位的電子奄是位于禁帶的中心附近，即高于價(jià)帶0.96*,因此只有空位-雜頂紳合物產(chǎn)生時(shí).自補(bǔ)惟才能出現(xiàn)，因?yàn)檫@種繩合物的電子志非?？拷鼉r(jià)帶邊緣事實(shí)上］非摻雜的WT巖晶體的導(dǎo)電率是受剩余雜質(zhì)支配的，損諄易被摻雜成n型和P型半導(dǎo)體,只存在少量的自樸供CdTeBrouwerffl在低8壓范圍內(nèi)，非電高點(diǎn)缺陷的濃度要高于本征自由載流子波度』這些自由載流子是由?！鲇嚯s質(zhì)和通過(guò)窄恭帶缺激卷電子產(chǎn)生的，在高Cd壓范圍內(nèi)，雙電離爆間隙的濃度決定著CdTe的電學(xué)性質(zhì)。H-V族化合物中的電子缺陷對(duì)于某些CdTeBrouwerffl在低8壓范圍內(nèi)，非電高點(diǎn)缺陷的濃度要高于本征自由載流子波度』這些自由載流子是由剩■余雜質(zhì)和通過(guò)窄恭帶缺激卷電子產(chǎn)生的，在高Cd壓范圍內(nèi)，雙電離爆間隙的濃度決定著CdTe的電學(xué)性質(zhì)。H-V族化合物中的電子缺陷但這種方法并不適用^ZnTe晶體，它的電學(xué)性質(zhì)總是由原于象咯支配的，因?yàn)閆HT皇的平衡相留顯示.在ZnTw中琦恩是過(guò)量的「因此不可能抑制例空位的形成。化學(xué)鍵和高于半徑對(duì)自補(bǔ)償?shù)挠绊?，共價(jià)健成份大的材料自樸催輕.ni-v^t*離于鍵成份大的材料自補(bǔ)磴重.n-VLte，高子半至越小，空位生成能低，容易形成空位CdS,r^rcd：VS=Vs+2e.補(bǔ)糧受主演質(zhì)，為世型單性ZnTe^r^ryg-V丑「/'血+由，補(bǔ)健施主雜質(zhì).為P型單性CdTe的財(cái)MS，正巍點(diǎn)子牛役相近，H補(bǔ)償弱，為兩性材料■與口-^珠化臺(tái)腳不同-ni_v^化合勒的電學(xué)性質(zhì)齡受原子映陪的控制，在III-V族材科中不存在摻雜原子的自補(bǔ)陵機(jī)制，其電學(xué)性質(zhì)由電子齦陷控制.?能址平商時(shí)ZnTw中峋立位是有利的（因?yàn)閆r空位可M■串情中描莪兩個(gè)電產(chǎn)）：而肘GmP中的Ga空位則是不利的《困為髭能捕蔬一T電f?JIII-憂(yōu)湄目?雜品體的導(dǎo)電率通常是由晶體中的剩余雜質(zhì)頃及帶間熱激發(fā)決定-?摻雜可制備n型和P型材料,而不存在來(lái)自本征點(diǎn)峽陪的補(bǔ)隱以ZnTe為例加入碘原子作為n型摻雜劑取代Te位。由于ZnTe晶體總是會(huì)含有過(guò)多的Zn空位，每一個(gè)電離鋅空位在價(jià)帶中產(chǎn)生兩個(gè)自由空穴，這些空穴可與摻入I原子后產(chǎn)生的自由電子復(fù)合。在這個(gè)過(guò)程中，焓的平衡是對(duì)于每產(chǎn)生一個(gè)電離Zn空位，就會(huì)有兩個(gè)電子降落過(guò)整個(gè)禁帶寬度，ZnTe的禁帶寬度為2.2ev，一個(gè)電離鋅空位總的形成焓為（2.54+X）ev,X很?。殡婋x焓）因此損耗約為2.6ev產(chǎn)生一個(gè)鋅空位，而導(dǎo)致電子能量降低4ev以上，所以當(dāng)I原子摻入ZnTe晶體時(shí)，在能量上有利于鋅空位的自發(fā)形成，并補(bǔ)償由I加入所產(chǎn)生的自由電子。這種機(jī)制稱(chēng)為自補(bǔ)償。一般來(lái)說(shuō)，II-H族半導(dǎo)體的本征形成焓很小，同時(shí)他們所產(chǎn)的電子態(tài)靠近價(jià)帶或?qū)н吘?，并且?guī)逗軐挘虼顺尸F(xiàn)自補(bǔ)償特性。而對(duì)于III-V族化合物，其位錯(cuò)缺陷的形成焓很低，所以他們存在的濃度很高，此外，II-V族材料中不存在摻雜原子的自補(bǔ)償機(jī)制，單電離空位會(huì)被補(bǔ)償，電離本征缺陷會(huì)被其他本征缺陷所補(bǔ)償，而由摻雜劑和雜質(zhì)所產(chǎn)生的自由載流子不能被補(bǔ)償。舉例：GaP中最主要的點(diǎn)缺陷是中性空位（Vx,Vx）和帶點(diǎn)的位錯(cuò)缺陷（Ga〃,P??GaP pGa

其單電離會(huì)立即被下面兩個(gè)反應(yīng)所補(bǔ)償：A+VA+VA+4h?，由于位錯(cuò)缺陷形成焓很低，這種電離本征V；+BX=B;+V+4e/點(diǎn)缺陷的自動(dòng)補(bǔ)償非常有效。能量平衡對(duì)于GaP中的Ga空位來(lái)說(shuō)是不利的，因?yàn)樗荒懿东@一個(gè)電子，因此由摻雜劑和雜質(zhì)所產(chǎn)生的自由載流子不能被補(bǔ)償。試從點(diǎn)缺陷觀(guān)點(diǎn)說(shuō)明：為什么化合物ZnTe固熔體存在區(qū)域全部在化學(xué)計(jì)量比的富Te一邊，而CdTe化合物固熔體存在區(qū)大致對(duì)稱(chēng)地分布在化學(xué)計(jì)量比組成的兩邊(圖1.2)？化合物ZnTe固熔體存在區(qū)域全部在化學(xué)計(jì)量比的富Te一邊，由于^四Te*^HVZn大于1eV，因此總是存在Te過(guò)剩而對(duì)于CdTe晶體來(lái)說(shuō)，由于VA/VB接近，他們的形成^AHrCd=AHrT所以他的化合物固溶體存在區(qū)大致對(duì)稱(chēng)的分布在化學(xué)計(jì)量比組成的兩邊。 65、在30克GaP中要求摻Te濃度為1x10i8cm-3。已知GaP為閃鋅礦結(jié)構(gòu)，其鍵長(zhǎng)d=2.35A，原子量：Ga=30.97,P=69.72，Te=127.6。試求GaP的密度計(jì)算碲的理論摻雜量擴(kuò)散和固相反應(yīng)請(qǐng)對(duì)燒結(jié)過(guò)程中3個(gè)不同階段的特點(diǎn)進(jìn)行描述，并說(shuō)明不同燒結(jié)過(guò)程中的主要傳質(zhì)機(jī)制。5.4燒結(jié)過(guò)程燒結(jié)和熔融：這兩個(gè)過(guò)程都是由原子熱振動(dòng)引起的，但熔融時(shí)所有組元都轉(zhuǎn)變?yōu)橐合?而燒結(jié)時(shí)至少有一個(gè)組元是保持固態(tài)的，?密結(jié)螫?金屬粉末］7>(0.3-0.4}rMA無(wú)機(jī)鹽類(lèi)I7>0.57TmA硅酸鹽類(lèi)'T>(0.8-0.9)rM

燒結(jié)過(guò)程中3個(gè)階段:初期?物質(zhì)在素坯顆粒表面和晶粒內(nèi)部發(fā)生擴(kuò)散?在初期階段，素坯球形顆粒之間的接觸面積明顯擴(kuò)展，素坯的收編率在0—5%范圍；廠(chǎng)境廠(chǎng)境結(jié)初期包括了一次顆粒間一定程度的界面即燒結(jié)瓢的形成（顆粒間的接觸面枳從零起始，增加并達(dá)到一個(gè)平衡狀態(tài)"■燒結(jié)初期不包括顆粒生長(zhǎng)在境皓初期.表面擴(kuò)散的作用十分顯著.表面擴(kuò)散升始的溫度比體擴(kuò)散保得多，如即工。3中，體擴(kuò)散塹I在900%開(kāi)始，表面擴(kuò)散約在330，C開(kāi)始-燒結(jié)過(guò)程中3個(gè)階段：中期A(yíng)中期階段，素坯中的管狀氣孔沿三又晶界排出燒結(jié)體，最終樣品A中期階段，素坯中的管狀氣孔沿三又晶界排出燒結(jié)體，最終樣品的氣孔率下降到5%左右；,顆粒和氣孔隨著燒結(jié)頸的長(zhǎng)大而同時(shí)長(zhǎng)大，旦顆粒長(zhǎng)大速率高于氣孔長(zhǎng)大速率，,氣孔仍是相互連通成建續(xù)網(wǎng)絡(luò),而顆粒間的晶界面仍是相互孤立而不形成連續(xù)網(wǎng)絡(luò). E燒結(jié)過(guò)程中3個(gè)階段：末期＞燒甯后期材料的徽觀(guān)結(jié)枸變化?后期階段，素坯中的球形氣孔沿著四又晶界排出燒結(jié)體，燒結(jié)體密度接近理論密度。?后期階段，素坯中的球形氣孔沿著四又晶界排出燒結(jié)體，燒結(jié)體密度接近理論密度。氣孔變成孤立一而燒結(jié)頊開(kāi)始形成連續(xù)網(wǎng)絡(luò)；＞孤立的氣孔常位于兩晶粒界面、三晶粒間的界線(xiàn)或名晶粒的結(jié)合點(diǎn)處,也可能被包褒在晶粒中。＞隨著燒結(jié)過(guò)程的推進(jìn).氣孔球化井縮小F最終材料中議剩下殘留的大氣孔P初期階段，素坯球形顆粒之間的接觸面積明顯擴(kuò)展，素坯的收縮率在0—5%范圍；中期階段，素坯中的管狀氣孔沿三叉品界排出燒結(jié)體，最終樣品的氣孔率下降到5%左右；后期階段，素坯中的球形氣孔沿著四叉品界排出燒結(jié)體，燒結(jié)體密度接近理論密度。3.什么是“材料芯片”？其熱處理品化過(guò)程有何特點(diǎn)一、什么是材料芯片材料芯片實(shí)質(zhì)上是f種高密度的材料庫(kù)陣列*運(yùn)用光刻掩膜的并行組合策略和薄膜材料鳥(niǎo)竺術(shù).快速將成千上萬(wàn)種不同化學(xué)疽芬函初S院磷成在一塊基底上,即為合成材料芯片心材料芯片上具有大通不同材料的物理信息和結(jié)構(gòu)信息.對(duì)這種具有大量組元的材料芯片可進(jìn)行高效率的'并桁的性能測(cè)域,以達(dá)到材料的快速合成和優(yōu)化的目的°什么是集成組合技術(shù)？/利用組合論的思想與理論F將多種反應(yīng)物或前體化合物通過(guò)各科化學(xué)合成手段’迅速的產(chǎn)生化合物多樣性集合，并進(jìn)行優(yōu)化選押的方法NA有機(jī)化合物的分子務(wù)祥性靠臺(tái)成中分子枸件單元的排列變換來(lái)實(shí)現(xiàn)＞無(wú)機(jī)固體材料化合物的多樣性咂靠混合不同:&的前驅(qū)體物質(zhì)、改變組分和反應(yīng)條件等來(lái)實(shí)現(xiàn)。集成組合技術(shù)定義為：利用狙合論的思穌方法，將不同組成,配比的前體化合物*在不同的反應(yīng)條件下，通過(guò)胃態(tài)化學(xué)平行合成手段，快速生成陶森產(chǎn)物多樺性的集合（即集成材料芯片｝，并進(jìn)行憂(yōu)化逸彝的技術(shù).芯片上薄膜樣品晶化條件由于高密度組合材料芯片是障膜形式的祥品』時(shí)薄膜形成條件的IffiW選（沉積尊序、熱處:理參數(shù)、組分偏差的補(bǔ)法等）是制備高質(zhì)最材料芯片的基礎(chǔ).通過(guò)控制媯質(zhì)亶過(guò)星團(tuán)相反廊可以分薜為相對(duì)獨(dú)立的麗作美做步髭避行，其-是反原置I的敏迥2￡擴(kuò)咆」其二是生成物時(shí)高通戚板或品化，而H在順序m耿府超常牌原超晶精化合勒中（uItratfiin-filmSupperiatticeComposite5＞也安理T這一過(guò)程.113集成材料芯片熱處理?xiàng)l件的優(yōu)化■11-elImL'r-^rdliiu賣(mài)廈H相反應(yīng)中站能與戚雄反底防匿的分從而投制景壽產(chǎn)物的昏成11-4＞建立在界面誠(chéng)桂（成桂是結(jié)晶的第一步）與■11-elImL'r-^rdliiu賣(mài)廈H相反應(yīng)中站能與戚雄反底防匿的分從而投制景壽產(chǎn)物的昏成11-4，對(duì)于順序沉枳的前驅(qū)體層-存在著一個(gè)臨界厚度（兒埃到兒百埃）.低于此厚度時(shí)，在相XI找低的濕度下，擴(kuò)散速度比政核速度大得寶=這祥:就有可能在結(jié)晶開(kāi)始之前.前體擴(kuò)散已經(jīng)完成.畛城無(wú)定型的中間體=隨后再聞高溫帽燒（800-1400DC?來(lái)誘發(fā)結(jié)晶,即可得到粒好的結(jié)晶膜'■聚用兩拒垠火丁藝.可通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜厚度來(lái)控制其反概機(jī)制.并控制反應(yīng)最終產(chǎn)物口分立的樣品陣列式地集成為樣品庫(kù)（或集成材料芯片，簡(jiǎn)稱(chēng)IMChips）/反應(yīng)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)組成的連續(xù)或準(zhǔn)連續(xù)變化及組分選擇的多樣性，快速、高效、并行制備/處理/檢測(cè)大量樣品，以比傳統(tǒng)方法快百倍、千倍乃至更高的速度獲得統(tǒng)計(jì)意義上的優(yōu)化結(jié)果。相圖1、試推導(dǎo)PbS中生成一對(duì)電離化的肖特基缺陷的反應(yīng)平衡常數(shù)和電中性關(guān)系。電中性關(guān)系：%]+〃=[*]+?肖特力!頊也：什1科,生一成：PbS0頃命）+S（V；） 心=[『氟[$]⑴*以的-級(jí)電離：匚二【％]"[*（2）K的-級(jí)電離：咋。咋+丁舟=[廳]前[咋]（3）?電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生：0。/十，廣 K==H，p（4）化學(xué)計(jì)量比線(xiàn)。線(xiàn).與最小壓力線(xiàn)并不重合，說(shuō)明在最小壓力條件或真空〔惰性）氣氛下得到的P55都顯示Fh過(guò)量，2化學(xué)計(jì)量比線(xiàn)。線(xiàn).與最小壓力線(xiàn)并不重合，說(shuō)明在最小壓力條件或真空〔惰性）氣氛下得到的P55都顯示Fh過(guò)量，職io3'明吵mr電子地度 空穴祝度昨 圖頭iu瞄的局部圜廠(chǎng)職io3'明吵mr電子地度 空穴祝度昨 圖頭iu瞄的局部圜，這種固液相組成木同的體系很難從焰體中得到正化學(xué)汁置比的晶體，通常先得到非化學(xué)計(jì)量比的晶體，再采用高溫...??.8正其化學(xué)計(jì)置比的偏差201偵千忒I?充士201偵千忒I?充士、某十沮度下兌壓力― 小甬■的V-tDPIS的7郎甘工叫化學(xué)好比殘。簇與最小壓為登并不重合，說(shuō)明在最小壓力條件或其空(情性)氣飯下得到的PbS都顯示Pb過(guò)量.PbS的T-k相圖計(jì)化學(xué)計(jì)量比的PI何的帽點(diǎn)(136UK)并不ftPb-S系統(tǒng)的最ffi?^(1400K)X這種固液相組成不同的體系很漕從婚體中得到正化學(xué)計(jì)最比的晶體?通常先得到非化學(xué)計(jì)量比的品體，再采用高沮氣知熱處理的方法來(lái)糾正其化學(xué)計(jì)量比的館差非晶態(tài)和導(dǎo)電高分子3、試述高分子材料的摻雜與無(wú)機(jī)半導(dǎo)體摻雜概念的區(qū)別，以碘摻雜聚乙快為例說(shuō)明其摻雜工藝與導(dǎo)電機(jī)制。

I在聚乙煥中的摻雜，在這個(gè)高分亍上，具有最小志密度竹區(qū)域是由于埴滿(mǎn)的■碩(雙舞)與未域滿(mǎn)的戒睫間的能量差別所致丑,沿著高分于鏈樣遞的電荷一定是從德虐(雙健)跳躍到念遂-?如果將一個(gè)受主摻雜削，I,引入到站十區(qū)域,那么送個(gè)牛雜原手將會(huì)從一個(gè)詢(xún)上除去一個(gè)成錐電子，姑果會(huì)在高分子鏈上產(chǎn)生一個(gè)碳高子，對(duì)于這個(gè)碟離于的:&低能量給拘計(jì)算表明，它們是部分去局域化的「沿若高分子鏈散發(fā)也去,形成一個(gè)較大的分子高于’翱之泌子空穴-碘摻雜聚乙煥的導(dǎo)電機(jī)制碘分子從聚乙煤抽取一個(gè)電子形成I技'聚乙烷分子形成帶正電荷的自由基陽(yáng)高子，在外加電場(chǎng)作用下雙健上的電子可以非常容易地移動(dòng)，結(jié)果使雙鍵可以成功地延著分子移動(dòng)'實(shí)現(xiàn)其導(dǎo)電行為”W'；、、疣"、J礦、、C、/'/41化揄親(p-dcping):[CH]n十3^212 >[CH],1*+x虹還點(diǎn)捧雜(/?-doping):[CH]n+xN日 >[CH]^-+xNa4-JX■：W窠乙訣電導(dǎo)率與攜雜劑濃度的美柔聚乙塊電導(dǎo)活化能

與按雜劑濃度瓣美系摻雜過(guò)程:電子受悻或電子玲體分別接受或給出一個(gè)電子變成負(fù)高于t或正高子但共扼豪合物中每個(gè)鏈節(jié)(P)卻儀有、(v<0.1)個(gè)電子發(fā)生了遷移*這種部分電荷轉(zhuǎn)移是其貌聚合物出現(xiàn)高導(dǎo)電性的重要HSo當(dāng)聚乙塊中摻雜劑含量、從。增加到0.1時(shí)'其電導(dǎo)率增加了7個(gè)數(shù)量級(jí).電導(dǎo)活化能則急劇下降.JX■：W窠乙訣電導(dǎo)率與攜雜劑濃度的美柔聚乙塊電導(dǎo)活化能

與按雜劑濃度瓣美系摻雜過(guò)程:1、 化學(xué)電池：①在含有碘離子的化學(xué)電池中，用高分子作為一個(gè)電極，從兀鍵上除去一些電子，并引入碘離子，即P-型摻雜采用含有鈉離子的電化學(xué)電池，并施加反向電壓，可進(jìn)行n-型摻雜摻雜量取決于外加電壓，并且摻雜過(guò)程是可逆的；2、 也可用氣相摻雜劑的內(nèi)擴(kuò)散來(lái)進(jìn)行，高分子敞開(kāi)的纖維結(jié)構(gòu)，說(shuō)明了為什么非常容易從氣相或液相中引入摻雜劑導(dǎo)電機(jī)理

高分子宏觀(guān)電導(dǎo)的產(chǎn)生，不僅要靠電荷沿高分子鏈的跳躍，而且還要哦靠電荷在組成或纖維的大分子之間的跳躍以及纖維本身間的跳躍制備導(dǎo)電高分子的另一種方法是把精細(xì)分布的導(dǎo)電相引入到絕緣高分子基體中，通常用石墨和銀的細(xì)粒進(jìn)行摻雜，稱(chēng)為微粒摻雜工藝，此導(dǎo)電由鄰近填充粒子之間的隧道效應(yīng)所致半導(dǎo)體材料的制備與有關(guān)工藝1、與Si單品相比較，SiC單品性能有那些特點(diǎn)？其單晶生長(zhǎng)原理和方法如何？6-4SiC半導(dǎo)體隼晶的生長(zhǎng)，梅為一種猶秀的微電于材料.以其禁帶龐、飽和電子漂捋速搜■、臨界雪崩擊穿電易高和逾導(dǎo)高的特點(diǎn)，＞在大功率、高頻、酣高溫、抗輻射器件及光電子集成器件方面具有重要的應(yīng)用價(jià)值，是制作.高明高辨率租鬲溫器件的材料，也是制作藍(lán)光LED和激光器的重要材料口*工藝上又可既與集成電路兼容，被期特作為新型的光電材料應(yīng)用于大規(guī)模光電集或龜踮（DEIC】，因而日益成為關(guān)注焦點(diǎn)-3迨的晶體結(jié)構(gòu)ASp3雜化成鍵xfifr很強(qiáng)的斐價(jià)鐐M2%離子槌）?嗟能1250KJ/MOLDebye溫度1200-1450K制料冊(cè)t3C-5ICtiH-SiC銷(xiāo)命寬廢住制料冊(cè)t3C-5ICtiH-SiC銷(xiāo)命寬廢住U2.22.S電f遷疵.EE明尸1000600404&?.7Sic單Nfl能博點(diǎn)T

2700K3*蒸汽壓很

商單威生長(zhǎng)采用籽品升華法nPVT法生長(zhǎng)SiC單晶的基本步驟?采用中胃感應(yīng)PVT法生長(zhǎng)SiC單晶的基本步驟?采用中胃感應(yīng)加胳，使用睛惟氣麟作為氣源，在石是反應(yīng)西悖內(nèi)膨就一定的m度鼻度與胞度梆度.憧得sic原料升華,實(shí)現(xiàn)旬相廢■神運(yùn)，在輯■上就租姑精，暇成Sit雄晶SiC作為一種優(yōu)秀的微電子材料，以其禁帶寬、飽和電子漂移速度大、臨界雪崩擊穿電場(chǎng)高和熱導(dǎo)高的特點(diǎn)，在大功率、高頻、耐高溫、抗輻射器件及光電子集成器件方面具有重要的應(yīng)用價(jià)值，是制作高功率、高頻率和高溫器件的材料，也是制作藍(lán)光LED和激光器的重要材料。工藝上又可以與集成電路兼容，被期待作為新型的光電材料應(yīng)用于大規(guī)模光電集成電路(OEIC)，因而日益成為關(guān)注焦點(diǎn)。熔點(diǎn)：2700°C，蒸汽壓很高，單晶生長(zhǎng)采用籽品升華法。PVT(Physicalvaportransport)法生長(zhǎng)SiC單晶的基本步驟：采用中頻感應(yīng)加熱，使用惰性氣體作為氣源，在石墨反應(yīng)腔體內(nèi)形成一定的溫度梯度與濃度梯度，使得SiC原料升華，實(shí)現(xiàn)氣相質(zhì)量輸運(yùn)，在籽晶上沉積結(jié)晶，形成SiC單晶。

3.畫(huà)出半導(dǎo)體LED器件的基本結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)述其基本工作原理發(fā)光二極管3.畫(huà)出半導(dǎo)體LED器件的基本結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)述其基本工作原理發(fā)光二根菅口D）是一種fMi結(jié).它能在紫外光、可見(jiàn)光或紅外光區(qū)域輻射自發(fā)輻射光?可見(jiàn)光LED被大量用于咨神電子仗器設(shè)備與使用者之間的借息傳送°而紅外光ItDlirJ^用于光隔離及光纖通訊方面?？梢?jiàn)光發(fā)光二槌管：由于人眼只對(duì)光子佻ffh.v等于或大于L.BeVCA<0.7lih0的花繾感蕪.因眈所送擇的半導(dǎo)ft.其禁褚寬.度町絨大于此植除但,右圖標(biāo)示了幾伸半導(dǎo)體的禁帝寬度值..發(fā)光二極管是由III-W族化合物，如GaAs（神化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷神化鎵）等半導(dǎo)體制成的，其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-N特性，即正向?qū)?，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子（少子）一部分與多數(shù)載流子（多子）復(fù)合而發(fā)光7.LED發(fā)光器件在選擇材料時(shí)有那些要求，獲得白色LED發(fā)光有那些途經(jīng)？

Materialcarbemadepandn-typeDirectbandgapCorrectbardgapJEfficient「adiadvepathwaysmust

existfsuitablerefractiveindex)Directbandgapmaterialse.g.CaAsnotSICandidateMaterialsMaterialswithrefractiveindexthatcouldallowlightto'getouT^UV-EDX-05-400nm>3.25eV->LED-孔M50-650nmL=3.1eVtD1.6eVCandidateMaterialsMaterialswithrefractiveindexthatcouldallowlightto'getouT->R-ED-X~750nm-田=1.65^/wraMulti^hipLED(withc^niiDlcircuitry)MklightmultipleLEDswraMulti^hipLED(withc^niiDlcircuitry)MklightmultipleLEDsofdHfs■圖航cDksr