.硅片線痕、ttv的分析分類：線痕按表現(xiàn)形式分為雜質(zhì)線痕、劃傷線痕、密布線痕、錯位線痕、邊緣線痕等。各種線痕產(chǎn)生的原因如下：1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。表現(xiàn)形式：(1)線痕上有可見黑點，即雜質(zhì)點。無可見雜質(zhì)黑點，但相鄰兩硅片線痕成對，即一片中凹入，一片凸起，并處同一位置。以上兩種特征都有。一般情況下，雜質(zhì)線痕比其它線痕有較周的線弓。改善方法：(1)改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測手段。改善切片工藝，米用粗砂、粗線、降低臺速、提周線速等。其它相關(guān)：硅錠雜質(zhì)除會產(chǎn)生雜質(zhì)線痕外，還會導(dǎo)致切片過程中出現(xiàn)“切不動”現(xiàn)象。如未及時發(fā)現(xiàn)處理，可導(dǎo)致斷線而產(chǎn)生更大的損失。2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆粒"卡"在鋼線與硅片之間，無法溢出，造成線痕。表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細。改善方法：(1)針對大顆粒SIC(2.5~3D50),加強IQC檢測；使用部門對同一批次SIC先進行試用，然后再進行正常使用。導(dǎo)致砂漿結(jié)塊的原因有：砂漿攪拌時間不夠；SIC水分含量超標(biāo)，砂漿配制前沒有進行烘烤；PEG水分含量超標(biāo)(重量百分比V0.5%);SIC成分中游離C(<0.03%)以及v2Tm微粉超標(biāo)。其它相關(guān)：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韌性等，各項性能對于切片都有很大的影響。3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。表現(xiàn)形式：(1)硅片整面密集線痕。硅片出線口端半片面積密集線痕。硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。硅塊頭部區(qū)域密布線痕。改善方法：(1)硅片整面密集線痕，原因為砂漿本身切割能力嚴(yán)重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對性解決。硅片出線口端半片面積密集線痕。原因為砂漿切割能力不夠，回收砂漿易出現(xiàn)此類情況，通過改善回收工藝解決。硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。原因為切片機臺內(nèi)砂漿循環(huán)系統(tǒng)問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時用美工刀將噴嘴內(nèi)贓物劃向兩邊。部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。原因為多晶硅錠硬度不均勻，部分區(qū)域硬度過高。改善鑄錠工藝解決此問題。硅塊頭部區(qū)域密布線痕。切片機內(nèi)引流桿問題。4、錯位線痕：由于切片機液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產(chǎn)生的線痕。改善方法：規(guī)范粘膠操作，加強切片前檢查工作，定期清洗機床。5、邊緣線痕：由于硅塊倒角處余膠未清理干凈而導(dǎo)致的線痕。表現(xiàn)形式：一般出現(xiàn)在靠近粘膠面一側(cè)的倒角處，貫穿整片硅片。改善方法：規(guī)范粘膠操作，加強檢查和監(jiān)督。二、TTV仃otalThicknessVarietyTTV不良，都是由于各種問題導(dǎo)致線網(wǎng)抖動而產(chǎn)生的硅片不良，包括設(shè)備精度問題、工作臺問題、導(dǎo)輪問題、導(dǎo)向條粘膠問題等。1、設(shè)備精度：導(dǎo)輪徑向跳動V40人m,軸向跳動＜20人m。改善方法：校準(zhǔn)設(shè)備。2、工作臺問題：工作臺的不穩(wěn)定性會導(dǎo)致大量TTV不良的產(chǎn)生。改善方法：維修工作臺。3、導(dǎo)輪問題：因?qū)л唵栴}而產(chǎn)生的TTV不良，一般出現(xiàn)在新導(dǎo)輪和導(dǎo)輪磨損很大的時候。改善方法：更換導(dǎo)輪。4、導(dǎo)向條粘膠問題：當(dāng)導(dǎo)向條下的膠水涂抹不均勻，出現(xiàn)部分空隙，在空隙位置的硅片，易出現(xiàn)TTV不良問題。改善方法：規(guī)范粘膠操作。三、臺階臺階的出現(xiàn)，是由切片過程中的鋼線跳線引起，而導(dǎo)致鋼線跳線的原因，包括設(shè)備、工藝、物料等各方面的問題，部分如下：1、砂漿問題：砂漿內(nèi)含雜質(zhì)過多，沒有經(jīng)過充分過濾，造成鋼線跳線。改善方法：規(guī)范砂漿配制、更換，延長切片的熱機時間和次數(shù)。2、硅塊雜質(zhì)問題：硅塊的大顆粒雜質(zhì)會引起跳線而產(chǎn)生臺階。改善方法：改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測手段。3、單晶停機、切起工藝問題：單晶相對多晶