《模擬電子技術》胡宴如主編耿蘇燕版(第四版)習題解答第2章《模擬電子技術》胡宴如主編耿蘇燕版(第四版)習題解答第2章《模擬電子技術》胡宴如主編耿蘇燕版(第四版)習題解答第2章《模擬電子技術》胡宴如主編耿蘇燕版(第四版)習題解答第2章編制僅供參考審核批準生效日期地址：電話：傳真:郵編:第2章放大電路中某三極管三個管腳eq\o\ac(○,)eq\o\ac(○,)eq\o\ac(○,)測得對地電位-8V，-3V,和3V、12V、，試判別此管的三個電極，并說明它是NPN管還是PNP管，是硅管還是鍺管解：放大電路中的發(fā)射結必定正偏導通，其壓降對硅管為，對鍺管則為。（1）三極管工作在放大區(qū)時，UB值必介于UC和UE之間，故對應的管腳eq\o\ac(○,)為基極，UB=，eq\o\ac(○,)腳電位與eq\o\ac(○,)腳基極電位差為，所以eq\o\ac(○,)腳為發(fā)射極，則eq\o\ac(○,)腳為集電極，該管為PNP鍺管。（2）由于eq\o\ac(○,)腳電位為介于3V和12V之間，故eq\o\ac(○,)腳為基極，eq\o\ac(○,)腳電位低于eq\o\ac(○,)腳，故eq\o\ac(○,)腳為發(fā)射極，則eq\o\ac(○,)腳為集電極，該管為NPN硅管。對圖所示各三極管，試判別其三個電極，并說明它是NPN管還是PNP管，估算其β值。圖圖解：（a）因為iB<iC<iE，故①、②、③腳分別為集電極、發(fā)射極和基極。由電流流向可知是NPN管：（b）①、②、③腳分別為基極、集電極和發(fā)射極。由電流流向知是PNP管圖所示電路中，三極管均為硅管，β=100，試判斷各三極管的工作狀態(tài)，并求各管的IB、IC、UCE。圖圖解：（a）設三極管工作在放大狀態(tài)，則IC=βIB=100×=10mAUCE=16V－10mA×1kΩ=6V由于UCE=6V>UCE=，三極管處于放大狀態(tài)，故假設成立。因此三極管工作在放大狀態(tài)，IB=，IC=10mA，UCE=6V。（b）設三極管工作在放大狀態(tài)，則得IC=βIB=100×=則UCE=-(5V－×3kΩ)=-(5V－＞0說明假設不成立，三極管已工作在飽和區(qū)，故集電極電流為因此三極管的IB=，IC=，UCE=UCES≈（c）發(fā)射結零偏置，故三極管截止，IB=0，IC=0，UCE=5V。圖（a）所示電路中，三極管的輸出伏安特性曲線如圖（b）所示，設UBEQ=0，當RB分別為300kΩ、150kΩ時，試用圖解法求IC、UCE。圖圖解：（1）在輸出回路中作直流負載線令iC=0，則uCE=12V，得點M（12V，0mA）；令uCE=0，則iC=12V/3kΩ=4mA，得點N（0V，4mA），連接點M、N得直流負載線，如圖解所示。圖解圖解（2）估算IBQ，得出直流工作點當RB=300kΩ，可得IBQ1==40μA當RB=150kΩ，可得IBQ2==80μA由圖解Ｐ可見，IB=IBQ1=40μA和IB=IBQ2=80μA所對應的輸出特性曲線，與直流負載線MN分別相交于Q1點和Q2點。（3）求IC、UCE由圖解中Q1點分別向橫軸和縱軸作垂線，即可得：UCEQ1=6V，ICQ1=2mA同理，由Q2點可得UCEQ2=，ICQ2=。硅晶體管電路如圖所示，已知晶體管的β＝100，當RB分別為100KΩ、51KΩ時，求出晶體管的IB、IC及UCE。圖解：（1）RB=100KΩ，IB=V/100KΩ=IC=100×=UCE=12-3×=(2)RB=51KΩIB=V/51KΩ=IBS==因IB﹥IBS，所以晶體管飽和，則IB=IC=12V/3KΩ=4mAUCE≈0圖所示電路中，晶體管為硅管，β=60，輸入ui為方波電壓，試畫出輸出電壓uo波形。解：UI=0，管子截止，UO=5VUI=，IB=（）V/56KΩ=IBS==﹤IB，所以晶體管飽和，UO≈0輸出電壓UO波形與UI波形相反幅度近似為5V,如圖解所示。圖解圖所示三極管放大電路中，電容對交流信號的容抗近似為零，ui=10sinωt(mV)，三極管參數(shù)為β=80，UBE（ON）=，rbb=200Ω，試分析：（1）計算靜態(tài)工作點參數(shù)IBQ、ICQ、UCEQ；（2）畫出交流通路和小信號等效電路；（3）求uBE、iB、iC、uCE。圖圖解：（1）計算電路的靜態(tài)工作點IBQ===24μAICQ=βIBQ=80×=UCEQ=VCC－ICQRC=12V－×Ω=（2）畫出放大電路的交流通路和小信號等效電路如圖解（a）、（b）所示（3）求uBE、iB、iB、uCE圖解圖解由于IEQ≈，故可求得由解圖（b）可得ic=βib=80×ωt(μA)≈ωt(mA)uce=－icRc=－×ωt(v)≈－ωt(V)合成電壓和電流為uBE=UBEQ+ube=（+ωt）ViB=IBQ+ib=(24+ωt)μAiC=ICQ+ic=+ωt)mAuCE=UCEQ+uce=－ωt)V場效應管的轉移特性曲線如圖所示，試指出各場效應管的類型并畫出電路符號；對于耗盡型管求出UGS（off）、IDSS；對于增強型管求出UGS（th）。圖圖圖解解：（a）由于uGS>0，故為增強型NMOS管，電路符號如圖解（a）所示，由圖（a）可得UGS(th)=1V。（b）由于uGS≤0，故為N溝道結型場效應管，其電路符號如圖解（b）所示。由圖（b）可得UGS（off）=－5V，IDSS=5mA。（c）由于uGS可為正、負、零，且UGS（off）=2V，故為耗盡型PMOS管，電路符號如圖解（c）所示。由圖（c）可得UGS（off）=2V,IDSS=2mA.場效應管放大電路如圖所示，已知場效應管的U=2V，I=1mA，輸入信號us=ωt(V)，試畫出放大電路小信號等效電路并求出uGS、iD、uDS。解：畫出電路小信號等效電路如圖解所示圖解令uS=0，則得UGSQ=10V/2=5V。所以由圖解可得ugs=us/2=ωt(V)id=gmugs=×sinωt(mA)=sinωt(mA)uds=－idRD=－5×sinωt(V)=－sinωt(V)合成電壓、電流uGS=UGSQ+ugs=(5+sinωt)ViD=IDQ+id=+sinωt)mAuds=UDSQ+uds=(20－×5）ωt=（）V由N溝道結型場效應管構成的電流源如圖所示，已知場效應管的IDSS=2mA，UGS（th）=，試求流過負載電阻RL的電流大小。當RL變?yōu)?KΩ和1KΩ時，電流為多少為什么