1、半導體行業(yè)景氣度持續(xù)、半導體行業(yè)處氣周期自半導體誕生以來，半導體行業(yè)經歷了三輪完整的發(fā)展周期：第一輪周期發(fā)生在0年代末至990年代中期主要由于C工業(yè)級計算機的推動半導體銷售額快速增長1995年全球半導體的年銷售額已經突破億美元，達到歷史高位，隨后半導體產業(yè)有所回落。2年年初至7年末，半導體迎來了新一輪周期，這一輪周期主要由蜂窩電話、3G通信、消費電子共同推動。據美國半導體行業(yè)協會數據，這一階段球半導體的銷售額從002年年初的12億美元增長至07年末的8億美元，CAGR為14.5。第三輪周期從2010年開始至4年結束這一輪周期主要由智能手機網絡推動智能手機的快速普及帶動全球半導體產業(yè)下游需求增長助推半導銷售額持續(xù)上升。2014年后，由于智能手機的滲透率達到高位，智能手機的貨量日漸平穩(wěn)，4年至6年半導體行業(yè)銷售額漲幅并不大，在個別月份銷售額略有下降。7年開始半導體行業(yè)迎來第四輪發(fā)展周期017年起半導體產業(yè)受存儲業(yè)務需求增長銷售額再次明顯提升。8年下半年受中美貿易摩擦和全球經濟下行的影響半導體行業(yè)的全球銷售額出現較大的萎縮從2018年10月的億美元下滑至2019年4月的4億美元。但是半導體的發(fā)展周期并未中斷，9年下半年，半導體產業(yè)出現復蘇跡象，華為公司為應對制裁從9年底開始大量備貨芯片也加速了半導體行業(yè)整體回暖。019年末，全球半導體的銷售額回升至7億美元。盡管在020年半導體行業(yè)的復蘇進程受到新冠肺炎疫情的影響但在家辦公遠程辦公等新的辦公形勢促進了C端銷售激增0年三季度初，電子元器件主要下游應用領域的需求增多，新能源汽車、可穿戴設備、G、高性能計算機、人工智能等領域均出現明顯增長,半導體行業(yè)景氣度仍在持續(xù)9年末至1年末全球半導體的銷售金額從67億美元增至5億美元，CAGR達7。在本輪發(fā)展周期中半導體行業(yè)供給端的產能明顯不足一方面受到全球疫情的影響建廠擴產和驗證的節(jié)奏明顯放緩另一方面很多晶圓廠對汽車電子求的快速增長預判不足使得產線改造慢于預期在晶圓廠商基本處于滿負荷情況下晶圓仍然稀缺持續(xù)缺芯的情況使得半導體整個產業(yè)鏈出現晶圓短缺價格齊漲—驅動行業(yè)持續(xù)景氣的情形國內半導體廠商還受益于海外供應供給不足，國產替代爭取市場份額的邏輯，1年國內半導體行業(yè)整體表現較好。022年，晶圓產能稀缺的局面未得到明顯緩解，需求端的需求增長助推半導體行業(yè)持續(xù)景氣。圖表1：全球半導體累計銷售額第一輪周期：P第一輪周期：P動第二輪周期：蜂窩電話、3網絡等動智能手機、4網絡等動存儲、穿戴設備、5絡汽車電子、AoT等推動全球半導體銷售金額（億美元）5000.04000.03000.02000.01000.0197-03198-05198-07198-09199-11199-01200-03200-05200-07201-09201-11202-01資料來源：美國半導體行業(yè)協會， 統(tǒng)計區(qū)間：1976年3月至2022年2月、半導體景氣度斷下游三大應用需求助推半導體行業(yè)持續(xù)景氣0年三季度至1年末新能源汽車光伏和風力發(fā)電以及5G應用助推半導體行業(yè)持續(xù)景氣。22年，我們認為上述三大板塊仍是半導體行業(yè)需求端增長的重要動力并且隨著新能源車光伏和風力發(fā)電滲透率的持續(xù)提升對半導體產品的需求會出現成倍增長，半導體行業(yè)將持續(xù)景氣。、新能源汽車新能源車滲透率不斷提高帶動車規(guī)級半導用量和單車價值量共同增長車規(guī)半導體有望成為最景氣的半導體細分環(huán)節(jié)在政策與成本的推動下電動車將步替代燃油車根據中汽協數據截止22年3月我國新能源車的滲透率達7，根據中汽協預測，22年新能源車銷量有望突破00萬輛，同比增長%在新能源車銷量維持高速增長滲透率不斷提高的情況下對車規(guī)級芯的需求將大幅提升。汽車芯片從應用環(huán)節(jié)可以分為5大類：主控芯片、功率芯片、模擬芯片及存儲、信號接口等其他芯片0年按各類芯片的銷售額統(tǒng)計主控芯片占比21%，功率芯片占比5%，模擬芯片占比12.3，存儲芯片及信號與接口芯片合計占比2%。根據中汽協的統(tǒng)計數據，傳統(tǒng)汽車單車需要芯片為50-600顆，新能源車單車所需芯片較傳統(tǒng)燃油車翻倍，達到100-0顆。隨著新能源車加速滲透，對于車規(guī)半導體的需求將逐漸增多，2020年車用芯片市場達到439億顆，預計到2026年將達到3億顆。圖表2：按銷售額統(tǒng)計各類汽車芯片占比其他芯片37.20%

主控芯片,27.10% 模擬芯片,12.30%功率芯片,23.50%資料來源：智研咨詢， 統(tǒng)計日期截至：2020年12月31日根據行業(yè)研究機構Trenfore的統(tǒng)計數據從單車價值量來看傳統(tǒng)油車中半導體的單車價值量在450美元左右，新能源車中，混合動力汽車半導體的單價值量上升至75美元，純電動車半導體價值量上升至70美元左右。根據思在1年中國汽車半導體產業(yè)大會發(fā)布的數據，2021年全球汽車半導體市場規(guī)模約為4.7億美元預計到2025年汽車半導體市場規(guī)模接近71億美元；至207年，汽車半導體市場規(guī)模接近.7億美元。圖表3：全球汽車半導體市場規(guī)模統(tǒng)計及預測 34.0 34.0%同比增長率(右32.6%33.0%951.731.5%30.2%853.328.0%26.9%27.4%28.1%26.1%766.1688.9620.2559.2504.7456.1412.6373.6338.7900800700

全球市場規(guī)模測左，億元）

35.0%

35%30%25%600500400

20%15%300

10%2001000 217 218 219 220 221 222E 223E 224E 225E 226E 227E資料來源：海思預測， 統(tǒng)計區(qū)間：2017年至2021年為實際值，2022年至2027年為預測值圖表4：不同汽車半導體總價值及各部分價值量對比（200年）73575047545073575047545045537537537530075502020202020152501208095

半導體總價 CE 功率半導體 模擬C 傳感器 其他7006005004003002001000傳統(tǒng)燃料汽

48/MEV

混合動力汽

純電動汽車資料來源：renfore， 統(tǒng)計日期截至：2020年12月31日汽車電動化在汽車電動化領域車用半導體增長較多的領域是功率半導體傳統(tǒng)汽車中功率半導體主要應用于啟動、發(fā)電和安全領域，包括直流電機、電磁閥、繼電器LED驅動等硅基OSFETGBT及模塊即可滿足需求而新能源車普遍采用高壓電路當電池輸出高壓時需要頻繁進行電壓變化對電壓轉換電路需求提升，此外還需要大量的C-C逆變器、變壓器、換流器、高壓輔助驅動等，這些器件對GBTOSFET等功率半導體的需求量巨大甚至會用第三代半導體（SiC、GaN）取代傳統(tǒng)硅基半導體。傳統(tǒng)油車中，功率半導體單車價值量約為0美元，混合動力型汽車中功率半導體的單車價值量增長至300美元，純電車中功率半導體的單車價值量增至5美元。汽車智能化智能化駕駛是未來的發(fā)展趨勢，根據中汽協測算，2020年DS主要功能市場規(guī)模達844億元，同比增長19.3。隨著G逐步落地，主機廠紛紛推出搭載DAS功能的新車型，DAS各功能滲透率加速提升，到2025年智能汽車市規(guī)模達到2250億元。根據英飛凌在2020年的預測L2級別的自動駕駛汽車所攜帶的半導體單車價量可達到16-0美元L5級別的自動駕駛汽車則提升至150-0美元汽車智能化帶動的半導體增量主要來源于模擬芯片和主控芯片智能駕駛通過傳器獲得大量數據自動駕駛的程度越高需要的傳感器就越多傳感器收集信后需要模擬芯片將這類信號轉換為數字信號。L2級別的汽車大約帶有6個傳器L5級別的汽車預計將攜帶2個傳感器這些傳感器包括超聲波雷達長離雷達、環(huán)視攝像頭、立體攝像機、激光雷達、航位推算等。在主控芯片方面隨著自動化駕駛程度越來越高智能汽車對芯片算力的要求越來越高，需要搭載的高算力CU也越來越多。傳統(tǒng)燃油車可能僅需要0CU芯片，主要應用于傳統(tǒng)動力系統(tǒng)如引擎控制、離合器控制等；而智能汽可能需要0顆CU芯片并且對32位高算力的MCU需求較多32位的CU芯片主要用于智能駕駛安全系統(tǒng)、引擎控制、車身控制、智能座艙等。、光伏及風力發(fā)電光伏及風力電站需要用到大量的逆變器和整流器在逆變器和整流器中需要功器件支持新能源發(fā)電輸出的電能無法直接接入電網需要通過整流器整流為流電，再逆變?yōu)榻涣麟姴拍芙尤腚娋W。而逆變器和變流器中核心的功率器件是GBT單管、OS分立器件、GBT模塊和SiCOSFET模塊。光伏領域光伏逆變器并不僅僅是將直流電轉變?yōu)榻涣麟?，光伏逆變器還要與電網實現交互使得光伏發(fā)電系統(tǒng)能夠高效輸出電流根據逆變器適用場合可將光伏逆變器分為集中式逆變器組串式逆變器以及微型逆變器不同功率段的光伏發(fā)電場景選取不同的逆變器一般情況下1.KW以下項（家庭戶用光伏發(fā)電系統(tǒng)選用微型逆變器；1KW-6KW（如中小型屋頂光伏發(fā)電系統(tǒng)和小型地面電站等）選用單相組串式逆變器5KW-200K（商業(yè)屋頂光伏發(fā)電系統(tǒng)中小型電站等選用三相組串式逆變器；600KW以上的項目（如大型廠房、荒漠電站、地面電站等大型發(fā)電系統(tǒng)選用集中式逆變器目前逆變器市場以集中式和組串式的逆變器為主微型逆變器占比較少集中式逆變器中通常使用多個逆變器并聯例如500KW的集中式光伏逆變器中通常使用4只125KW的逆變器并聯125KW的逆變器中通常需要3個半橋的1200V/600AGBT模塊一個半橋模塊中需要2組IGBT芯片，每一組共有4顆150A的芯片，因此一個半橋模塊中需要用到8顆GBT芯片在組串式光伏逆變器較集中式光伏逆變器復雜需要用到的功率器件更多，根據不同的功率需求可以選擇多個GBT單管并聯，也可選擇GBT模塊。根據中國光伏行業(yè)協會的統(tǒng)計及預測，至025年全球光伏IGBT市場規(guī)模將提升至8億元（按銷售額，下同），中國光伏IGBT的市場規(guī)模將提升至8億元。圖表5：全球及中國光伏IGT市場空間資料來源：中國光伏行業(yè)協會，統(tǒng)計區(qū)間：2020年為實際值，2021年至2026年為中國光伏業(yè)協會預測值。2021年尚未有實際數據，因此為預測值風電領域風電領域主要的半導體器件是風電變流器風電變流器是風力發(fā)電機組大型核心部件之一將風機發(fā)出的電能經整理后輸入電網變化的電壓和頻率的電能經過交直轉換變?yōu)榉€(wěn)定電壓和頻率的電能饋入電網。風力發(fā)出的電本身是交流電但由于風力發(fā)電有很大的不穩(wěn)定性且風速和設備本身等都會直接影響發(fā)電機轉動，因此需要通過風電變流器將電能轉變?yōu)榉€(wěn)定電壓和頻率的電能才能接入電網變頻器中主要用到的半導體部件主要是GBT模塊根據CWEA的統(tǒng)計及測全球風電IGBT市場規(guī)（按下游需求測算將從0年的8億元左右提升至025年的13.0億元。圖表6：風電IGT市場規(guī)模（億元）13.39全球風電GB13.39全球風電GBT市場規(guī)模（億元）11.9611.7411.2110.7510.8713.0012.0011.0010.009.002020 202E 202E 202E 202E 2025E資料來源：中國風能協會（EA，統(tǒng)計區(qū)間：2020年為實際值，2021年至2025年為中國風能協會預測值。2021年尚未有實際數據，因此為預測值3）G基站G基站及配套設施進入大規(guī)模建設期帶動通信功率半導體需求快速增長5G鋪設密度要求更高。相于G通信網絡，5G通信頻譜分布在高頻段，信號衰減速度就會越快，因此G基站的鋪設密度比G大，建設數量也將比G基站多5G電源功耗需求更高G用的assiveIO設備通道數大幅增加基帶處理計算量大幅上升增加并將導致數字中頻射頻小信號的功耗顯著增加根據中國鐵塔數據目前華為5G基站單系統(tǒng)的典型功耗為W中興為32W、大唐為4940W而G基站單系統(tǒng)的功耗僅為1300WG基站單系統(tǒng)的功耗是G基站的5倍至4倍更高的覆蓋密度更大的功率需要更多電源管理系統(tǒng)，每個電源管理系統(tǒng)中最多有近百個OSFET，因此通信用功率器件需求將大幅增長。衡量半導體行業(yè)景氣度的兩項指標半導體廠商資本開支情況半導體行業(yè)產業(yè)鏈較長存在一定的周期性半導體行業(yè)的資本開支情況是觀察半導體行業(yè)景氣度的重要指標。據Cinsigs數據1年全球半導體行業(yè)資本開支1539億美元，同比增長.5，預計2022年半導體行業(yè)資本支出將增長至歷史新高1904億美元，同比增長23.3，實現自0年以來連續(xù)三年的正增長。圖表7：全球半導體行業(yè)資本開支（億美元）1904全球半導體資本開支1904全球半導體資本開支（左軸，億美元）同比增速（右軸，%）15391132106110259556746616526795915415534342610 0 0 0 -10%0

-50%資料來源：Iiniht，統(tǒng)計區(qū)間：2008年至2021年為實際值，2022年為Iinsihs預測值全球晶圓代工龍頭臺積電的產能指引：半導體的景氣周期是由于下游需求旺盛但晶圓廠商供給不足導致芯片產能緊缺從汽車芯片蔓延至消費電子芯片帶動半導體全行業(yè)價格上漲目前晶圓廠的產能仍舊緊張由先進制程晶圓短缺蔓延至成熟制程晶圓短缺，根據臺積電的產能指引，022年供應鏈會保持更高的庫存產能會持緊臺積電在2年一季報中表示雖然手機市場需求走弱但是高性能計算機需求和汽車半導體需求增長臺積電仍給出了強勁的二季度業(yè)績指引其預計二季度營收176-2億元并維持22年4-0億元的資本開支基于對全球半導體廠商的資本開支情況和龍頭晶圓代工廠對晶圓供需形勢的判斷，我們認為半導體行業(yè)的景氣度仍將延續(xù)。2、半導體產業(yè)鏈重點細分環(huán)節(jié)分析半導體產業(yè)鏈包括設計制造封裝測試等環(huán)節(jié)根據有無晶圓加工線可以將功率半導體企業(yè)的經營模式主要分為D、Faless以及Fnry/OST三種形式其中DM模式即垂直整合制造模式集芯片設計芯片制造芯片封裝和測試等多個產業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一身Faless模式即無晶圓加工線設計模式只責芯片的電路設計與銷售；將生產、測試、封裝等環(huán)節(jié)外包；Fnr/OST即代工模式只負責制造封裝或測試不負責芯片設計可以同時為多家設計公司提供代工服務。、上游材料端濺射靶材超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復用到的濺（Sutering工藝屬于物理相沉VD技術的一種是制備電子薄膜材料的主要技術之一它利用離子源產生的離子在高真空中經過加速聚集而形成高速度能的離子束流轟擊固體表面離子和固體表面原子發(fā)生動能交換使固體表面的原子離開固體并沉在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。濺射靶材的下游應用高純?yōu)R射靶材應用于半導體方（晶圓制造和芯片封裝中的介質層導體層甚保護層平板顯示方（顯示面板和觸控屏面板的膜層太陽能電池方（要是薄膜電池和T光伏電池）。半導體領域：隨著消費電子汽車電子物聯網等終端消費行業(yè)的快速迭代發(fā)展全球半導體靶材的需求規(guī)模仍將持續(xù)增長根據江豐電子可轉債募集說明書援引智研咨詢數據中國半導體靶材市場規(guī)模9年已達47.7億元同比增長率高達35.9%，2年中國半導體靶材的市場規(guī)模預計將達到75.1億元。圖表8：半導體濺射靶材市場規(guī)模（億元）半導體濺射靶半導體濺射靶市規(guī)（億）2018

2019

2020E

2021E

2022E資料來源：江豐電子轉債募集說明書，統(tǒng)計區(qū)間：2018年至2019年為實際值，統(tǒng)計時間為2019年年末，因此2020年至2022年為預測值平板顯示領域：隨著我國本土企業(yè)在平板顯示領域不斷實現技術突破不斷降本增效不斷完供應鏈配置平板顯示領域國產替代化正在加速進行未來在平板領域濺射靶方面也有較大的進口替代空間逐步減少對進口靶材的依賴根據江豐電子可債募集說明書中援引智研咨詢的數據：2019年中國平板顯示靶材市場規(guī)模為7億元，同比增長24，預計平板顯示靶材需求規(guī)模有望進入長期增長，2年達到206.5億元的市場規(guī)模。圖表9：平板顯示濺射靶材市場規(guī)模（億元）平板顯示濺射平板顯示濺射材場模（元）2018

2019

2020E

2021E

2022E資料來源：江豐電子轉債募集說明書，統(tǒng)計區(qū)間：2018年至2019年為實際值，統(tǒng)計時間為2019年年末，因此2020年至2022年為預測值太陽能電池領域：太陽能電池主要包括晶硅電池和薄膜電池靶材主要應用于薄膜太陽能電池的電極環(huán)節(jié)以及異質結電池的導體層目前靶材主要用于太陽能薄膜電池領域來隨著異質結電池技術突破和成本下降異質結電池能夠替代ER（鈍化射極及背局域接觸電池電池實現大規(guī)模量產從而帶動靶材需求太陽能電池領域所用到的濺射靶材技術難度低于半導體領域和平板顯示領域因此技術壁壘相對較低更容易實現國產替代我國光伏行業(yè)新增裝機量持續(xù)增長持續(xù)推動太陽能電池領域的濺射靶材市場擴容根據隆華科技可轉債募集說明書中援引瞻產業(yè)研究和光伏網的數據，預計202-2024我國太陽能電池用靶材市場規(guī)模持續(xù)擴大CGR保持在15以上至4年我國太陽能電池用靶材行業(yè)市場規(guī)模有望突破70億元。靶材應用領域不同在對金屬材料的選擇性能技術門檻上也存在一定差異中半導體芯片對濺射靶材的要求是最高的價格也最為昂貴一般需要使用雜含量極低的高純?yōu)R射靶材因為雜質含量較高的靶材容易在晶圓上形成微粒致電路短路或損壞。太陽能電池領域的靶材技術門檻低于半導體和平板顯示領域。高純?yōu)R射靶材的進入壁技術壁壘：高純?yōu)R射靶材的技術工藝難度較大其質量性能直接決定了終端產品的品質和穩(wěn)定性。高純?yōu)R射靶材制造首先需要根據下游應用領域的性能需求進行工藝設計然后要進行塑性加工和熱處理工序這兩項工序中需要對晶粒晶向進行精準控制隨后還需要進行焊接機械加工清洗干燥真空包裝等工序高純?yōu)R射靶材制造對生產技術機器設備工藝流程和工作環(huán)境都提出了非常嚴格的求并且高純?yōu)R射靶材制造工藝的獲取需要企業(yè)長期的研發(fā)投入和較長的開發(fā)周期很難通過收并購國外先進企業(yè)或者得到國外企業(yè)授權的方式來獲取以美國日本為代表的高純?yōu)R射靶材生產商在掌握核心技術以后執(zhí)行非常嚴格的密和專利授權措施，提高了新進入者的進入壁壘。資金壁壘：濺射靶材制造屬于重資產行業(yè)進入者需要具備雄厚的資本實力高純?yōu)R射靶材需要向國外進口高純度的金屬材料建造符合生產標準的廠房實驗室等配備研發(fā)生產設備和精密的檢測儀器并且生產建設周期較長需要充裕的資金支持除此以外濺射靶材制造還需要持續(xù)投入資金進行產品研發(fā)和設備配置才能不斷滿足下游客戶的需求才能在技術迭代快速競爭日益激烈的市場中存活和發(fā)展客戶認證壁壘：濺射靶材行業(yè)存在嚴格的供應商認證機制且認證周期較長首先要通過部分際組織和行業(yè)協會為高純?yōu)R射靶材設置的行業(yè)性質量管理體系標準例如應用于汽車電子的半導體廠商普遍要求上游濺射靶材供應商能夠通過SO/TS16949質量管理體系認證其次下游客戶還會根據自身的質量管理要求再對供應商進行認證包括技術評審產品報價樣品檢測小批量試用批量生產等幾個階段，認證過程相當苛刻，從新產品開發(fā)到實現大批量供貨，整個過程一般需要-3年時間。為了降低供應商開發(fā)與維護成本保證產品質量的持續(xù)性濺射靶材供應商在通過下游客戶的資格認證后下游客戶會與濺射靶材供應商保持長期穩(wěn)定的合作關系，不會輕易更換供應商，并在技術合作、供貨份額等方面向優(yōu)質供應商傾斜濺射靶材市場的競爭格局長期以來全球濺射靶材研制和生產主要集中在美國日本少數幾家公司產業(yè)集中度高以霍尼韋（美國)日礦金屬日本東（日本等跨國集團為代表的濺射靶材生產商較早涉足該領域居于全球濺射靶材市場的主導地位高純?yōu)R射靶材的國產化是近年來國家產業(yè)政策大力支持和鼓勵的方向但由于該行業(yè)的技術門檻資金門檻和人才門檻較高我國僅有少量的企業(yè)能夠進入全球知名半導體芯片的供應鏈體系。根據江豐電子轉債募集說明書，9年全球半導體靶材市場份額比例中，四家日本及美國企業(yè)占據了全球約80的市場份額（按銷售額統(tǒng)計國內主要靶材龍頭企業(yè)包括江豐電子有研新材的子公司有研億金阿石創(chuàng)、隆華科技的子公司四豐電子和晶聯光電。圖表10：全球濺射靶材競爭格局（2019年，按銷售額統(tǒng)計）,20%

日礦金屬（日本）,30%普萊克斯（美國10%東曹（日本20%

霍尼韋爾（美國20%資料來源：江豐電子轉債募集說明書， 統(tǒng)計時間截至：2019年12月31日、集成電路設計端半導體設計公司可分為分立器件集成電路光電器件和傳感器設計等其中成電路設計規(guī)模遠超其他幾類應用設計集成電路產業(yè)分為設計制造封裝測試等環(huán)節(jié)。下文重點討論集成電路設計環(huán)節(jié)。垂直分工的成熟催生了Faless模式的設計端企業(yè)成電路設計指在單晶硅片上按多層布線或隧道布線的方式集成若干晶體管和元器件并組合成完整電子電路的行為集成電路在不斷的發(fā)展中形成了一體化模（D和垂直分工模式垂直分工模式產生的原因主要為了應對一體化企業(yè)資金投入巨大和成本攀升的問題垂直分工模式將半導體主要的生產環(huán)節(jié)分拆至不同的專業(yè)廠商不同廠商之間通過合作最終制造出成品這些專業(yè)的廠商包括上游的設計環(huán)（Faless中游加工制造廠（Fnry和下游的封裝測試廠（ackageTesing垂直分工模式強化了規(guī)模效應，專業(yè)廠商能夠有效降本。不同的集成電路類型對應不同的設計方法集成電路可以分為模擬集成電路數字集成電路和數/?；旌霞呻娐啡箢?，不同類型設計方式不同。模擬集成電路用來產生放大和處理各種模擬信號其輸入信號和輸出信號成比例關系模擬集成電路多采用由底向上的設計方式設計門檻高難度大數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號。數字集成電路設計多采用自頂向下設計方式首先是系統(tǒng)的行為級設計然后進行結構設計數模混合集成電路是指輸入模擬或數字信號輸出為模擬或數字信號在電路中一部分為模擬信號處理一部分為數字信號處理數?；旌霞呻娐吩O計的關鍵步驟是清晰地劃分與界定數字電路與模擬電路的部分。集成電路設計環(huán)節(jié)的市場規(guī)?？焖偕仙鶕谌窖芯繖C構Satisa的統(tǒng)計數據，從010年至2020年十年間，全球Faless設計環(huán)節(jié)公司的銷售額從36.1億美元增長至1億美元，年復合增長率達4%。根據中國半導體行業(yè)協會的統(tǒng)計數據我國集成電路行業(yè)的銷售額從00年的6億元快速增長至2021年的231571億元，CGR達9.08；而我國集成電路設計環(huán)節(jié)的累計銷售額從010年的383億元增長至21年的1014.1億元，CGR高達6，高于集成電路行業(yè)的整體增速，設計環(huán)節(jié)在集成電路產業(yè)鏈中的占比也從0年的1.29提升至1年的43.68。相比于傳統(tǒng)DM生產模式，“Faless設計代工”模式的生產周期更為靈活、技術迭代周期較短能夠更快的推出匹配市場需求的新產品未來隨著人工智能汽車電子G通訊物聯網等高速發(fā)展“Faless設計+代工模式或更適應未來發(fā)展。圖表11：全球aess設計環(huán)節(jié)廠商銷售額集成電路設計端廠商銷售額（左軸，集成電路設計端廠商銷售額（左軸，億美元同比增長率（右軸，）1003%10080

2%60

1%400%200208

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10%資料來源：tis， 統(tǒng)計時間截至：2020年12月31日圖表12：我國集成電路設計、制造、封裝各環(huán)節(jié)銷售額（億元）分布情況設計端制造端封測端2設計端制造端封測端2000015000100050000200820092010

2012

20132014

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2019

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2021資料來源：中國半導體行業(yè)協會， 圖中單位：億元 統(tǒng)計時間截至：2021年12月31日集成電路設計環(huán)節(jié)的進入壁壘C設計行業(yè)屬于知識密集型行業(yè)和技術密集型行業(yè)，行業(yè)壁壘主要體現在技術壁壘人才壁壘產業(yè)化壁壘客戶壁壘四個方面隨著下游應用端迭代更新加快對上游設計端的研發(fā)速度質量保障持續(xù)創(chuàng)新能力提出了更高的要求在此種背景下，龍頭公司的優(yōu)勢將會愈發(fā)明顯，新進入者將需要突破更高的壁壘技術壁壘：C設計行業(yè)的技術復雜程度高，具有較高的技術壁壘，設計企業(yè)技術的形成需要依靠企業(yè)長期的摸索和實踐積累，C設計企業(yè)通常需要具備對器件物理特性的理解、拓撲結構的設計技巧以及布圖布線的設計能力等。此外，C設計企還需要持續(xù)進行技術創(chuàng)新緊跟下游應用端的創(chuàng)新步伐不斷推出符合下游需求的產品才能在競爭中取得優(yōu)勢行業(yè)新進入者往往需要經歷較長一段時間的技術摸索和積累才能在產品的技術功能性能劑工藝平臺建設方面和行業(yè)中較優(yōu)的企業(yè)抗衡。人才壁壘：集成電路設計屬于知識密集型行業(yè)研發(fā)人員不僅需要了解C設計的基礎原理還需要掌握大量的技術細節(jié)，能夠根據終端廠商的需求靈活設計和修改技術細節(jié)。研發(fā)人員一般需要-10年的設計經驗才能夠獨立完成芯片設計，因此研發(fā)團隊的實力對于IC設計企業(yè)的技術實力和產品的整體性能起到至關重要的作用相對歐美和日本我國大陸地區(qū)設計經驗豐富的人才較為稀缺這也是我國芯片設計領域技術薄弱的一大原因。產業(yè)化壁壘：獨立的C設計端的企業(yè)是在芯片制造垂直分工后產生的，基本都采用a模式。因此在C設計廠商完成電路設計后，需要委托外部的晶圓制造商和芯封測商場協同加工才能夠提供最終產品但外協加工涉及到信任度匹配度問題需要通過長期的合作減少雙方的溝通成本同時由于先進制程的晶圓制造廠商產能有限若遇下游需求迅速增長而晶圓制造廠商產能不足時就會出晶圓難求甚至價格大幅上漲的情況因此如果沒有穩(wěn)定的晶圓制造廠商和封測商合作容易造成無法交貨的情形并且多家設計廠商都會積極爭取晶圓制廠商的產能只有長期建立了穩(wěn)固良好合作關系的設計企業(yè)才能夠優(yōu)先獲得能和更好的議價能力?？蛻舯趬荆篊設計行業(yè)已經漸趨成熟國內不少C設計企業(yè)已經在多年的發(fā)展中進入了核心客戶的供應體系得到了客戶的認可形成了一定的品牌效應由于半導體產業(yè)中的產品往往需要復雜的制造步驟才能產出成品因此下游客戶對于設計端企業(yè)產品的穩(wěn)定性可靠性和一致性要求高因此認證要求嚴格并且驗證周期較長只有經過一系列的驗證后才能進入客戶的供應鏈進入了供應鏈后下游客戶也不會輕易更換供應商新進入者由于缺乏為相關客戶提供產品的經驗很難獲得客戶的信賴。、分立器件功率半導體功率半導體是分立器件中的一種主要用于實現電能的處理與變換例如改變電子裝置中的電壓和頻率實現直流交流轉換等是電子電力變化裝置中的核心器件最早的功率二極管誕生于0年代左右隨后晶閘管功率三極管平面型OSFET溝槽型OSFET以及GBT接而面世實現了高頻率低損耗、易控制的半導體功率器件目前超結OSFET和屏蔽柵功率OSFET的推出又極大的改進了功率半導體的性能目前我國在中低端的功率半導體中基本實現國產替代例如在功率二極管功率三極管晶閘管等分立器件的使用中基本完成了國產化的替代但是在MOSFETGBT等先進功率半導體的應用方面仍依賴進口在政策與市場的雙重驅動下國內不少企業(yè)在先進功率半導體的制造中取得突破，未來先進功率半導體的國產替代需求巨大。新應用領域市場空間廣闊在功率半導體的傳統(tǒng)領域例如工控白色家電等市場需求增速在放緩對于海外廠商的替代也幾乎完成；而新能源車和光伏發(fā)電目前還處于加速滲透階段不僅下游需求增速維持在較高水平還能夠通過國產替代取得更多市場份額未來新能源車新能源發(fā)電以及G應用等領域將會成為國內功率半導體新的“增長極”。在新能源汽車中動力系統(tǒng)改變?yōu)殡姵仉婒屇Ｊ诫婒層职姍C和電控系統(tǒng)電控系統(tǒng)接收整車控制器指令驅動電機的轉速和轉矩進而控制整車的運動軌跡相當于傳統(tǒng)燃油車的發(fā)動機在電控系統(tǒng)中主要使用到逆變器逆變器將動力電池直流電轉換成驅動電機所需交流變頻電能逆變器中需要使用到至少6個GBT模組和6個二極管除此以外由于逆變器的設計取決于汽車的額定功率額定功率與總線電壓成正比為了提高總可用功率還需要借助升壓器提高電壓，升壓器中一般需要2個GBT模組。在新能源發(fā)電方面目前功率半導體最主要的運用是光伏和風電發(fā)電中逆變器的使用目前我國風電發(fā)電的占比還較小我們以光伏發(fā)電為例闡述功率半導體在光伏發(fā)電中的應用光伏逆變器將太陽電池發(fā)出的直流電轉化為符合電網電能質量要求的交流電并配合一般交流供電的設備使用光伏逆變器的性能可以影響整個光伏系統(tǒng)的平穩(wěn)性發(fā)電效率和使用年限一方面受益于光伏行業(yè)的發(fā)展逆變器出貨量大幅增高，根據Woodackenie的統(tǒng)計及預測，全球光伏逆變器出貨量從7年的8.5W增至2020年的1GW，CAGR達3.40，預計2年全球光伏逆變器出貨量將達2W。圖表13：全球光伏逆變器出貨量221.0全球光伏逆變器出貨量221.0全球光伏逆變器出貨量）201.0185.1126.798.5106.020015010002017

2018

2019

2020

2021E

2022E資料來源：ooMkenzie 統(tǒng)計區(qū)間2017年至2020年為實際值，2021年至2022年為預測值，因預測時點為2020年年末，故2021年為預測值盡管新能源車用功率半導體和光伏用功率半導體的大部分市場份額仍由國外廠商占據但是國內已經涌現出不少從工控領域升級制造車規(guī)級和光伏級功率半體的廠商在全球市場整“缺芯國際形勢不穩(wěn)定及海外疫情的影響下國際供應商不能夠及時供給產品并且進口功率半導體漲價幅度明顯上述因素都為國內供應商提供了替代機會特別是一些規(guī)模偏小的新能源車廠商和光伏逆器廠商已經開始使用國內制造的功率半導體一些下游大客戶也在綜合考慮本后會采用國內供應商的解決方案例如在功率較小的逆變器中用單管GBT代GBT模組對于技術更加先進的GBT模組超結OSFET等產品國內廠商也在加速追趕進程，通過自主研發(fā)，兼并收購等方式突破技術壁壘。功率半導體進入壁壘功率半導體的研發(fā)過程復雜涉及微電子半導體物理材料學電子線路械力學熱力學等諸多學科的知識還需要通過不斷的技術積累才能將研發(fā)想轉換為工藝實現其中需要技術人力資金的支持還需要和下游客戶反溝通確認，因此功率半導體行業(yè)進入門檻高，主要進入壁壘有如下方面：技術壁壘半導體功率器件屬于亞微米級產品其設計工藝復雜對產品性能要求極高求功率半導體模塊在大電流高電壓高頻率的環(huán)境下穩(wěn)定工作還需保持開和損耗抗短路能力和導通壓降維持平衡對每一項結構參數確認均需經過大的仿真設計和周密研究包括刻蝕深度刻蝕角度溝槽表面光滑度溝槽深寬比等除此以外下游客戶對于產品的可靠性和質量穩(wěn)定性要求高生產中的一個環(huán)節(jié)都需要長時間的摸索才能使最后交付的產品符合客戶的需求經過數年的發(fā)展功率半導體產品呈現出多功能化低能耗輕薄化的趨勢對設計和制造工藝的要求進一步提高.企業(yè)只有具備深厚的技術底蘊和持續(xù)創(chuàng)新的能力才能夠在行業(yè)中立足因此行業(yè)新進入者勢必要經歷長期的技術積累和探索才夠與行業(yè)中的優(yōu)勢企業(yè)抗衡。資金壁壘設備投入方面，外延、光刻、蝕刻、離子注入、擴散等工序所需的研發(fā)、生產測試設備中部分需要進口價格昂貴在日常經營中企業(yè)需要大量的流動資金應對產品的設計、生產、應用評估測試、可靠性考核等，還需要豐富產品矩陣，滿足不同下游客戶的要求贏得市場競爭力在研發(fā)投入方面行業(yè)技術更新換代迅速需要不斷投入研發(fā)資金包括提高核心研發(fā)人員的待遇水平才能在技術上取得領先優(yōu)勢綜上行業(yè)內的新進入者如果沒有持續(xù)的大量資金投入將很難與行業(yè)內現有企業(yè)競爭?？蛻舯趬竟β拾雽w是內嵌于電子整機產品中的關鍵零部件功率半導體的性能和可靠將很大程度上影響下游產品的性能和質量因此下游客戶通常設定嚴格的認證準不僅需要多次綜合評定供應商的實力還需要對產品進行復雜的測試包單體測試整機測試多次小批量測試等在完成了測試之后才會開始大批量購因此客戶認證的周期也較長換而言之客戶替換供應商的成本也較高進入客戶的供應鏈體系后，客戶不會輕易更換供應商。3、重點個券梳理半導體行業(yè)細分領域較多轉債市場上屬于半導體行業(yè)上下游的個券多達8只我們重點關注濺射靶材集成電路設計功率半導體封裝設備這四個環(huán)節(jié)對應的轉債，并對有關公司的具體業(yè)務和公司優(yōu)勢進行梳理。、江豐轉債：半靶材國產替代加速江豐電子我國濺射靶材的龍頭企業(yè)主要產品包括鋁靶鈦靶鉭靶鎢鈦靶等應用于半導體液晶平板顯示器太陽能等領域公司通過多年技術沉淀進入了中芯國際臺積電Snwer等知名廠商的供應體系特別在半導體領域公司的超高純金屬濺射靶材產品在7納米技術節(jié)點實現批量供貨應用于5納米技術節(jié)點的部分產品評價通過并量產，另外一部分產品進入驗證階段公司加快半導體太陽能電池領域靶材產品的研發(fā)與批量應用公司產品在主要技術指標方面已經不遜于海外廠商，公司產品已經進入先端的5nm技術節(jié)點，在半導體靶材領域繼續(xù)保持領軍地位。公司2021年實現營業(yè)收入15.94億元，同比增長36.6，實現歸母凈利潤1.07億元，同比下滑27.5。圖表14：江豐電子主要指標一覽資料來源：in， 統(tǒng)計日期截止：2022年5月5注：正股E分位數采用近兩年正股E值計算得出公司業(yè)務：1）各類靶公司經營的各類金屬超高純靶材包括鋁靶材鈦靶材鉭靶材和銅靶材鋁靶主要運用于超大規(guī)模集成電路芯片的制（純度要求達到99.995平板示器（純度要求達到99.999）和太陽能電池（純度達到99.95%）。鈦靶主要運用于超大規(guī)模集成電路芯片中的阻擋層薄膜材料鈦環(huán)件則與超高純鈦材配套使用其主要功能是實現更好的薄膜性能以達到更高的集成度要求靶材和鈦環(huán)件主要運用于130-55nm的制程。鉭靶材也是運用于超大規(guī)模集電路芯片中的阻擋層薄膜材料但對應的制程為-5nm的先進制程鉭靶及環(huán)件是靶材制造技術難度最高品質一致性要求最高的產品特別是鉭環(huán)件生技術要求極高目前只有江豐電子霍尼韋爾日礦掌握了此產品的核心生產術超高純銅及銅錳銅鋁合金靶材運用于超大規(guī)模集成電路芯片中的阻擋層膜材料和平板顯示器制造領域在超大規(guī)模集成電路芯片中對應9-nm的先進制程近年來隨著高端芯片需求的增長銅錳合金靶材的需求大幅增長全球供應鏈非常緊張掌握超高純銅錳合金靶材制造技術的只有江豐電子霍尼韋爾日礦。2）零部件公司生產的零部件主要配合公司的高純靶材使用具體包括傳輸腔體反應腔體膛體圓環(huán)類組件腔體遮蔽件保護盤體等材料包括金屬（不銹鋼鋁合金鈦合金非金屬（陶瓷石英硅高分子材料等公司生產的零部件產品主要用于超大規(guī)模集成電路芯片領域。公司優(yōu)勢：持續(xù)的技術創(chuàng)新優(yōu)勢。經過數年的技術積淀，公司已經建立了較為完善的發(fā)體系目前公司成功打破了國內高純?yōu)R射靶材基本依靠進口的局面填補了內同類產品的技術空白并能夠在全球范圍內與美國日本跨國公司進行市場爭。穩(wěn)定可靠的產品質量。穩(wěn)定的產品質量和較高的產品性價比優(yōu)勢使得公司在競爭中贏得優(yōu)勢爭取更多市場份額目前公司已經建立了高品質高純度濺靶材專業(yè)生產商的良好品牌形象多家客戶給予公司優(yōu)秀供應商A等供應商評價，受到國內外客戶的廣泛認可。優(yōu)質的客戶資源。憑著領先的技術水平和穩(wěn)定的產品性能，公司已成為芯國際臺積電格羅方德意法半導體東（通過綜合商社實現銷售力士SnPwer等國內外知名廠商的高純?yōu)R射靶材供應商業(yè)務范涉及半導體芯片平板顯示器和太陽能電池等建立了較為穩(wěn)定的供貨關系望促進公司營業(yè)收入和經營業(yè)績的穩(wěn)步增長。轉債情況：江豐轉債是一只評級較低（）、債底保護較弱的轉債。截至02年5月5日江豐轉債收盤價為34.76元轉債余額為.16億元轉債剩余年限為57。轉換價值為99.77元轉股溢價率35.08在中低價券中略偏高江豐轉債的轉股溢價率位于上市以來46.20的分位值水平。江豐轉債的純債價值為48元，債底保護弱。江豐轉債發(fā)生過三次轉換價格調整。2年2月16日進行了轉債價格調整調整原因為增發(fā)新股或配股轉換價格從13元調整為51.80元；2022年3月8日進行了轉債價格調整，調整原因為增發(fā)新股或配股，轉換價格從51.80元調整為51.43元；2年4月6日進行了轉債價格調整，原因為公司第一期股票期權激勵計劃第二個權期的實際可行權期已結束,轉換價格從3元調整為1元。圖表15：江豐轉債價格走勢江豐轉債價格走勢（元）1江豐轉債價格走勢（元）140.0130.0120.0110.0100.02021-09 2021-11 2022-01 2022-03 2022-05資料來源：in， 統(tǒng)計日期截止：2022年5月5日風險提示：產品驗證不及預期；半導體景氣度下降的風險；上游原材料價格波動的風險。、國微轉債：特成電路設計龍爭優(yōu)勢凸顯紫光國微專注于集成電路芯片設計開發(fā)領域是目前國內領先的集成電路芯片設計和系統(tǒng)集成解決方案供應商，主要產品有智能安全芯片、高穩(wěn)定存儲器芯片FGA、功率半導體器件、超穩(wěn)晶體頻率器件等。公司深耕集成電路相關領域多年憑借持續(xù)的技術積累在智能安全芯片特種行業(yè)集成電路存儲器芯片FGA領域已經形成領先優(yōu)勢得到了國內外客戶的認可根據公司021年年報司在021年實現營業(yè)收入2億元，同比增長3.35；歸屬于上市公司股東的凈利潤9.54億元，同比增長42.28。圖表16：紫光國微主要指標一覽資料來源：in， 統(tǒng)計日期截止：2022年5月5日注：正股E分位數采用近兩年正股E值計算得出公司業(yè)務：智能安全芯片業(yè)務智能安全芯片出貨量創(chuàng)新高，新產品有望帶來強有力增長。0年度，智能安全芯片業(yè)務出貨量創(chuàng)下歷史新高，21年度智能安全芯片業(yè)務持續(xù)增長，行業(yè)地位進一步鞏固在身份識別應用方面公司在第二代居民身份證第三代社保卡和電子旅行證件等證照類產品穩(wěn)定供應。在電信SM卡業(yè)務領域，公司產品布局齊全，為全球電信SIM卡提供了豐富的產品選型，公司下游客戶已中標中國移動NFC-SIM卡產品集采項目該產品支持數字貨幣數字身份等創(chuàng)新應用的需求，代表著SM卡產品的發(fā)展趨勢，隨著新應用需求的發(fā)展，公司在SM領域的優(yōu)勢將繼續(xù)凸顯由于全球半導體缺產能三星和英飛凌等主要SIM卡芯片廠商開始陸續(xù)退出該領域。受益于此，公司SIM卡海外業(yè)務出貨量達到幾億顆。公司作為國內目前e-SM龍頭企業(yè)，未來有望受益于e-SM卡在手機中滲透率的提高在金融支付安全業(yè)務中公司產品應用于國內銀行C卡芯片公司在國內市場的份額進一步提升公司還推出了數字貨幣芯片及解決方案正在試點地區(qū)應用。除此以外公司還在加速打造物聯網和車聯網應用場景對應的產品在智能穿領域和智能三表領（電表燃氣表水表有多個項目落地公司的車規(guī)級全芯片已在多個車企批量使用，并在布局車載控制器芯片的研發(fā)工作。特種集成電路業(yè)務特種集成電路新產品的研制與開發(fā)工作持續(xù)推進公司特種集成電路產品涵蓋微處理器、可編程器件、存儲器、網絡及接口、模擬器件、SC/SoC等幾大系列產品，近500個品種。公司的特種FGA產品高速發(fā)展，x納米的FPGA系列產品已逐步成為主流產品并占據重要市場地位公司特種存儲器產品技術先進是國內特種應用領域覆蓋最廣泛的產品系列具備市場領先優(yōu)勢在模擬產品領域公司的電源芯片電源模組電源監(jiān)控等產品的市場份額還在持續(xù)擴大。另外，公司還在數字電源、高速高精度ADC/DC、保護電路、隔離芯片、傳感器芯片等領域持續(xù)研發(fā)部分型號產品已經開始銷售有望成為公司新的增長點半導體功率器件業(yè)務半導體功率器件業(yè)務逆勢增長。公司生產的功率器件具體包括：SOSFET、SGT/TRENCHOSFET、VDOSFET、IGBT、GTO、SiC等先進半導體功率器件。021年，公司半導體功率器件業(yè)務在新冠疫情反復、芯片代工產能緊張的情況下營業(yè)規(guī)模保持穩(wěn)定公司的研發(fā)投入取得積極成效公司半導體功率器件業(yè)務從工控電控大功能電源等傳統(tǒng)領域逐步切入充電樁US車載OBC光伏逆變等市場，打開了產品的應用范圍。公司可提供高中低壓全系列高性能OSFET產品覆蓋電壓范圍V-1500V廣泛應用于節(jié)能綠色照明等領域。公司超結OSFET技術研發(fā)能力在國內處于領先水平，截至021年2月31日公司高壓超結OSFETGen3平臺銷售量占比進一步提升至50%以上與此同時公進一步優(yōu)化客戶結構注重拓展工業(yè)級以上的客戶以獲得規(guī)模效應晶體業(yè)務晶體行業(yè)國內行業(yè)景氣度提升公司晶體業(yè)務營收繼續(xù)增長在0年公司晶體業(yè)務受新冠肺炎疫情反復和國際貿易摩擦持續(xù)的疊加影響但國內G商用基站布網高端頻率元器件國產化替代和“新基建”政策驅動等因素的積極推動下，行業(yè)景氣度恢復。021年，國內通信設備廠商頻率組件國產化替代的浪潮仍在延續(xù)公司晶體業(yè)務積極對接國內廠商的替代需求大力開拓G網絡通訊、車載電子工業(yè)控制智能儀表物聯網等新市場領域根據公司21年年報，1年度，公司晶體業(yè)務的營業(yè)收入較020年同比增長7.6%。公司優(yōu)勢：技術和產品優(yōu)勢。在智能安全芯片方面，公司掌握智能安全芯片相關的近場通信安全算法安全攻防嵌入式存儲嵌入式方案高可靠等六大核心技術，擁有多項核心專利，搭建了設計、測試、質量保障和工藝外協等四大技術平臺，可保障多種工藝節(jié)點的研發(fā)制造測試及應用開發(fā)在特種集成電路方面公司特種集成電路技術處于國內領先地位公司龍頭優(yōu)勢凸顯核心產品在相關領域得到廣泛應用在半導體功率器件領域公司可提供性能卓越的高中低壓全系列OSFET產品覆蓋電壓范圍V-1500V公司超結OSFET技術研發(fā)能力在國內處于領先水平并且公司積極布局第三代半導體功率器件依托SiCSBDGaNET和SiCOSFET產品，初步實現在工業(yè)電源和快充領域的應用突破。在晶體業(yè)務方面公司是國內石英壓電晶體龍頭企業(yè)也是國內少數掌握全系列石英壓電晶體制作技術的企業(yè)之一。人才與知識產權優(yōu)勢。公司有超過0年的芯片研發(fā)經驗，在集成電路的計和產業(yè)化方面積累深厚培養(yǎng)并吸引了具備理論素養(yǎng)和實踐能力的芯片領域才在智能安全芯片特種集成電路等核心產品方面已形成業(yè)內領先的人才和識產權優(yōu)勢。市場渠道與品牌優(yōu)勢。通過多年的市場耕耘，公司積累了深厚的客戶資源與全球領先的智能卡商電信運營商金融機構科研院所社保交通衛(wèi)等各大行業(yè)客戶形成緊密合作在G應用物聯網車聯網等新興應用場景內公司與電信運營商物聯網廠商云計算廠商智能終端廠商及汽車電子廠商等累計簽署戰(zhàn)略合作協議，加強在G、工業(yè)互聯網、物聯網、云計算、汽車電子等領域的深入合作公司已成為多家客戶的優(yōu)質供應商深受客戶信任提高用戶粘性，也樹立了公司良好的品牌形象。轉債情況：國微轉債是一只評級高（AA）、債底保護強的轉債。截至2年5月5日，國微轉債收盤價為60.80元，轉債余額為14.94億元，轉債剩余年限為年。轉換價值為14元，轉股溢價率為17，在中高價券中處于合理水平國微轉債的轉股溢價率位于上市以來21.76的分位值水平在中高價轉債中轉股溢價率略微偏高國微轉債的純債價值為96.4元債底保護強國微債上市以來暫未發(fā)生過轉股價格調整。圖表17：國微轉債價格走勢國微轉債價格走勢（元）2國微轉債價格走勢（元）2000180.0160.0140.0120.02021-07 2021-08 2021-10 2021-11 2021-12 2022-02 2022-03 2022-05資料來源：in， 統(tǒng)計日期截止：2022年5月5日風險提示：產品研發(fā)不及預期；下游需求不及預期；晶圓代工廠產能緊張導致無法供貨的風險。、聞泰轉債：多務共進的IM廠商聞泰科技主營業(yè)務包括移動終端和半導體兩大業(yè)務板塊聞泰科技已經形成從導體芯片設計晶圓制造封裝測試到光學模組通訊終端服務器筆記本電腦、lT、汽車電子的全產業(yè)鏈布局。公司收購的安世半導體是全球知名的導體DM公司是原飛利浦半導體標準產品事業(yè)部有0多年半導體研發(fā)和制造經驗在車規(guī)級功率模組制造領域處于世界領先地位公司在收購安世半導后，成功邁入半導體IDM領域，并且與公司原有的光學模組、通訊產品協同展，構筑公司新的增長曲線。根據公司1年年報，公司在2021年實現營收入527.29億元同比增長1.98歸屬于上市公司股東的凈利潤26.12億元，同比增長8.12。圖表18：聞泰科技主要指標一覽資料來源：in， 統(tǒng)計日期截止：2022年5月5注：正股E分位數采用近兩年正股E值計算得出公司業(yè)務：移動終端板塊聞泰科技的移動終端板塊主要為移動通訊終端品牌商提供ODM服務即提供從研發(fā)設計到生產后期維護的全部服務產品包括手機平板電腦筆記本電腦IT模塊CE工業(yè)網關TWS耳機等在移動終端板塊中手機及配件業(yè)務收入占比較多，5G時代，預計ODM手機的營收占比將會進一步提升。一方面，5G信號的頻段比4G信號更多，各國家、地區(qū)使用的頻段又有所不同，手機品牌廠商需要借助ODM廠商來設計匹配各個區(qū)域通信網絡的手機才能更好地搶占市場并減少設計成本因此在G時代ODM企業(yè)將進一步搶占OEM手機市場份額；另一方面，G手機單機價值量高于4G手機，品牌廠商基于成本的考慮，會更多的資源將集中高端機，而不是覆蓋各個層次的機型，中低端G機型有望得到更多下沉市場的份額，ODM機型的比例也將提高，利于廠商獲取更多利潤。除此以外公司還順應移動端和AT的發(fā)展趨勢將公司在消費電子方面的優(yōu)勢擴大至工業(yè)、IT、汽車電子領域，并在平板、筆記本電腦、服務器、汽車電子等非手機業(yè)務領域持續(xù)推出新品擴大公司在ODM生產制造中的原有優(yōu)勢半導體板塊聞泰科技半導體業(yè)務的主要產品包括晶體管（包括保護類器件ESD/TVS等）、sfet功率管模擬與邏輯C2021年上述三類產品占半導體業(yè)務收入的比重分別為50.33、27.53%和16.7。公司的半導體業(yè)務主要由安世集團承載，安世集團是全球領先的分立與功率芯片DM龍頭廠商，也是全球汽車半導體龍頭公司憑借豐富的車規(guī)級半導體產品線安世集團與國內重點的新能源汽車廠商均建立了深度的合作關系。1年度，汽車半導體供應持續(xù)緊張，而下游新能源車銷量維持穩(wěn)定增長，車規(guī)級半導體供不應求，公司生產的汽車OS芯片、功率二極管、功率三極管ESD/TVS保護器件廣泛用于國內外新能源汽車中的驅動系統(tǒng)、電源系統(tǒng)、電控系統(tǒng)智能座艙系統(tǒng)等關鍵領域并在1年進行了多批次漲價得益于車規(guī)半導體的高景氣度，公司半導體業(yè)務收入快速擴張，021年公司半導體業(yè)務實現營業(yè)收入38.03億元，同比增長34；實現凈利潤6.32億元，同比增長66.31%。未來，隨著新能源車的滲透率不斷提高和智能駕駛技術的不斷成熟，車規(guī)級半導體的需求將快速擴張，公司半導體業(yè)務未來增長空間可觀。由于全球晶圓產能緊缺的情況還在延續(xù)汽“缺芯的局面暫未得到緩解聞泰科技在晶圓產能方面亦提前布局公司在德國漢堡晶圓廠的新增8英寸晶圓產線已順利投產運營安世集團已完成對英國Newprt晶圓廠100%股權的收購，并啟動了代工產能向IDM自有產能的轉換。Newrt晶圓廠在車規(guī)級GBT、功率OSFET、模擬芯片和化合物半導體等領域的產能與安世集團的現有的產品和工藝融合后能夠保障產品供給能力同時公司控股股東聞天下投資的上海臨港2英寸車規(guī)級晶圓項目也已經全面開工建設未來將成為支撐公司半導體產能擴充的重要來源諸多的產能布局不僅能夠保障公司產品的順利交付還能夠在晶圓緊張的情況下爭取到更多客戶訂單獲取更大的市場份額抓住汽車電動化、智能化帶給半導體廠商的新機遇。光學模組板塊公司于021年完成了對廣州得爾塔的收購順利進入光學模組領域廣州得爾塔采用行業(yè)領先的fli-cip技術，實現更穩(wěn)定的性能，更強的抗干擾、更小的產品尺寸以滿足特定客戶的產品需求公司擁有智能化光學模組生產平臺和精密的自動化生產線、搭建智能化生產系統(tǒng)，在收購得爾塔后能夠實現業(yè)務協同1年5月公司完成資產交割，目前正在積極推進新型號的驗證工作，進一步推動其先進技術產品在車載光學、R/VR光學、筆電等領域的應用。公司將充分利用在移動終端業(yè)務和半導體業(yè)務中的研發(fā)優(yōu)勢規(guī)模優(yōu)勢和客戶資源推動光學模組業(yè)務以及產業(yè)鏈上下游的有效整合。公司優(yōu)勢：技術優(yōu)勢領先，研發(fā)能力突出。在移動終端板塊方面公司對攝像頭模塊音質模塊屏幕顯示模塊等方面均投入了較多的研發(fā)資源已形成了完備的研發(fā)生產制造工藝技術并能夠在原有產品上持續(xù)創(chuàng)新，公司眾多的關鍵技術均成為行業(yè)標配，例如：2007年，公司率先推出單芯片雙卡雙待技術成為行業(yè)標配7年推出基于RM架構的高通芯片Winws10筆記本電腦；8年，首發(fā)柔性折疊屏手機，并提交數十項相關專利；1年，助力北美通信運營商T-Mbile推出首款采用USKU技術的REVVLG手機在半導體領域安世半導體經過數十年的積淀已然成為全球功率半導體領軍企業(yè)，擁有近6萬種產品料號，每年可交付0多億件產品，安世半導體堅持創(chuàng)新驅動發(fā)展，021年已自主開發(fā)出0V以上的中高壓OSFET新產品GBT系列產品已流片成功化合物半導體的研發(fā)進展順利。根據公司21年年報安世半導體在多個細分領域均居行業(yè)前列其中小信號二極管和晶體管出貨量全球第一邏輯芯片全球第二ESD保護器件全球第一小信號OSFET全球排名第一車規(guī)級PwerOS全球排名第二功率分立器件全球第六（2020年第九）。得爾塔科技憑借在細分領域的多年深耕，不斷突破技術瓶頸擁有行業(yè)領先的Fli-Cip技術生產頂級的光學模組產品可提供性能更穩(wěn)定、抗干擾更強、尺寸更小的產品。多類業(yè)務協同，規(guī)模效應提高公司傳統(tǒng)的移動終端ODM業(yè)務已經逐步擴展從手機類業(yè)務擴展至到平板電AT服務器、汽車電子等更廣闊的領域，并且，公司ODMDM業(yè)務協同發(fā)展例如基于安世TEC全球領先的巨量轉移技術和聞泰產品集成能力司已經通過內部的協同創(chuàng)新成功開發(fā)出成功開發(fā)出ini/icroLED直顯和背光產品，在消費電子和汽車電子市場擁有巨大的發(fā)展?jié)摿?。除此以外，公司的消費電子類產品也充分應用半導體業(yè)務DM的平臺優(yōu)勢，引入更多功率模擬芯片做產品協同推動動SiP等晶圓級封裝ini/icrLED等技術創(chuàng)新，目前公司的SiP封裝產品包括G射頻SiP模塊、TWS主板模塊、Wach主板模塊等，公司SiP產品已實現客戶方案導入。公司光學模組板塊也可借助公司在移動終端ODM和半導體DM的平臺優(yōu)勢進入手機攝像頭模組和車載攝像頭領域。客戶資源廣泛聞泰科技在十余年成長中研發(fā)能力提高技術逐步成熟管理經驗豐富成產出的成本性價比高得到了國內外客戶的廣泛認可不僅客戶資源豐富客戶粘性也在不斷提高。公司在移動及可穿戴設備領域的客戶包括蘋果、谷歌、華為三星小米等在汽車電子方面的客戶包括博世比亞迪大陸德爾福等在筆記本電腦端的客戶有華碩戴爾惠普在工業(yè)領域的主要客戶有艾默生施耐德思科等公司積極強化同汽車客戶工業(yè)客戶消費電子客戶更緊密的合作關系，達到產品協同、客戶協同的良性發(fā)展。轉債情況：聞泰轉債是一只評級較（+債底保護弱的轉債截至22年5月5日，聞泰轉債收盤價為3.34元，轉債余額為85.8億元，轉債剩余年限為3年轉換價值為1元轉股溢價率70.14%在中低價券中溢價率偏高聞泰轉債的轉股溢價率位于上市以來98.9的分位值水平聞泰轉債的純債價值為9元債底保護較強上市以來聞泰轉債發(fā)生過一次轉股價格調整022年1月9日，公司回購注銷4名激勵對象持有的已獲授但尚未解除限售的限制性股票，轉換價格從967元調整為9元。圖表19：聞泰轉債價格走勢聞泰轉債價格走勢（元）175聞泰轉債價格走勢（元）160.0145.0130.0115.0100.02021-12 2022-01 2022-02 2022-02 2022-03 2022-04 2022-05資料來源：in， 統(tǒng)計日期截止：2022年5月5日風險提示：行業(yè)競爭加劇的風險；產品研發(fā)不及預期的風險；并購業(yè)務整合進展不及預期的風險。、捷捷轉債：不高端產品突破的IM廠商捷捷微電從事功率半導體芯片和器件的研發(fā)設計生產和銷售以先進的芯片技術和封裝設計、制程及測試為核心競爭力的DM業(yè)務體系為主。公司主要的產品包括晶閘管器件和芯片、防護類器件和芯片（包括：TVS、放電管、ESD集成放電管貼片Y電容壓敏電阻等二極管器件和芯（包括整流二極管快恢復二極管肖特基二極管等厚膜組件晶體管器件和芯片OSFET器件和芯片碳化硅器件等公司晶閘管系列產品二極管及防護系列產品采用垂直整合（D）一體化的經營模式，OSFET主要采用Faless+封測的業(yè)務模式，目前，芯片（8英寸）全部為委外流片，部分器件封測代工。21年，公司實現營業(yè)收入7.73億元同比增長7%實現歸屬于上市公司股東的凈利潤.97億元，同比增長4。圖表20：捷捷微電主要指標一覽資料來源：in， 統(tǒng)計日期截止：2022年5月5注：正股E分位數采用近兩年正股E值計算得出公司業(yè)務：晶閘管業(yè)務：晶閘管耐壓高、電流大，主要用于電力變換與控制，可以用微小的信號功率對大功率的電流進行控制和變換晶閘管的功用不僅是整流還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電流實現將直流電變成交流電的逆變一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等作用。防護器件業(yè)務：半導體防護器件主要用于各類需要防浪涌沖擊、防靜電的電子產品內部保護內部昂貴的電子電路由于使用場合廣泛在工控汽車電子手持終端設備、戶外安防、電腦主機中均需要使用，防護器件市場需求量較大，但防護器件技術已經比較成熟，半導體防護器件市場規(guī)模較為穩(wěn)定。二極管業(yè)務：二極管是最常用的電子器件之一，二極管的單向導電特性可以把正弦波的交流電轉變?yōu)槊}動的直流電公司二極管芯片采用SIOS+GP鈍化工藝主要產品有高耐壓整流二極管快恢復二極管肖特基二極管整流二極管模塊組件等用于民用電器電源整流工業(yè)設備電源整流漏電斷路器電表通訊電源、變頻器等應用領域。OSFET業(yè)務OSFET通過柵極電壓的變化來控制輸出電流的大小并實現開通和關斷，OSFET功率器件輸入阻抗大導通電阻小功耗低漏電小工作頻率高，是市場規(guī)模最大的功率分立器件。公司MOSFET系列產品主要包括中低壓溝槽OSFET產品中低壓分離柵OSFET產品中高壓平面VDOS產品以及超結OS等產品廣泛用于消費電子通信工業(yè)控制汽車電子等領域后續(xù)公司擬通過設立控股子公司布局GBT等新型功率器件進一步完善功率半導體的供應能力，有望深度受益GBT行業(yè)的快速發(fā)展。車規(guī)級半導體封測2021年公司發(fā)行轉債5億元主要用于車規(guī)級功率半導體封測產業(yè)化項目產品包括各類車規(guī)級大功率器件和電源器件項目達后公司將新增車規(guī)級大功率器件和電源器件封測產能8億只其中DFN系列產品14.25億只TOLL系列產品9000萬只LFPCK系列產品6750萬只，WCSP電源器件產品0萬只。公司優(yōu)勢：研發(fā)和定制化設計能力突出公司是國內為數不多具備芯片設計制造封裝能力的廠商公司面對的下游終端產品技術升級換代迅速要求公司不斷研發(fā)創(chuàng)新提高技術水平才能在市場競爭中取得優(yōu)勢在多年的積累中公司已經研發(fā)并生產多種型號和規(guī)格的標準產品特別是功率半導體芯片和器件的核心技術不僅保證公司產品性能優(yōu)良工藝領先質量穩(wěn)定可靠性價比高還可及時根據客戶需求設計生產定制產品更好地對接客戶需求。完善的綜合管理能力公司在功率半導體分立器件