第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路1第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路14.1單極型晶體管4.2場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路4.3應(yīng)用電路介紹4.1單極型晶體管

場(chǎng)效應(yīng)管屬于另一種半導(dǎo)體器件，尤為突出的是：場(chǎng)效應(yīng)管具有高達(dá)107～1015的輸入電阻，幾乎不取用信號(hào)源提供的電流，因而具有功耗小、噪聲小、體積小、抗幅射、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單且易于集成化等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場(chǎng)效應(yīng)管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類，它們都只有一種載流子(多數(shù)載流子)參與導(dǎo)電，故又稱為單極型三極管。其中絕緣柵型應(yīng)用更為廣泛。

簡(jiǎn)介簡(jiǎn)介P126P1264.1單極型晶體管

（FET）

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)是金屬－氧化物－半導(dǎo)體，簡(jiǎn)稱為MOS管。MOS管可分為N溝道和P溝道兩種，每一種又可分為增強(qiáng)型與耗盡型兩種型式。本節(jié)將以N溝道為例，說(shuō)明絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理。4.1.1場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和外部特性

1.N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)

圖4-1

4.1單極型晶體管（FET）（1）工作原理1)導(dǎo)電溝道的形成

當(dāng)足夠大時(shí)，由于靜電場(chǎng)作用，管子的漏極和源極之間將產(chǎn)生一個(gè)導(dǎo)電通道(稱為溝道)，極間等效電阻較小。

越大，導(dǎo)電溝道寬度越寬，等效電阻越小。

產(chǎn)生導(dǎo)電溝道所需的最小柵源電壓我們稱為開(kāi)啟電壓。改變柵源電壓，就可以改變導(dǎo)電溝道的寬度。

（1）工作原理1)導(dǎo)電溝道的形成當(dāng)上述這種在時(shí)沒(méi)有導(dǎo)電溝道，因而必須在時(shí)才形成導(dǎo)電溝道的場(chǎng)效應(yīng)管稱為增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。圖4-2

上述這種在時(shí)沒(méi)有導(dǎo)電溝道，因而必須在時(shí)才形成導(dǎo)電溝道的場(chǎng)效2）漏源間電壓好柵源電壓對(duì)漏極電流的影響

當(dāng)時(shí)，若在漏-源之間加上正向電壓時(shí)，則將產(chǎn)生一定的漏極電流。此時(shí)，的變化會(huì)對(duì)導(dǎo)電溝道產(chǎn)生影響。即當(dāng)較小時(shí)，的增大使線性增大，溝道沿源-漏方向逐漸變窄，如圖4-3a)所示。一旦增大到使時(shí)，溝道在漏極一側(cè)出現(xiàn)夾斷點(diǎn)，稱為預(yù)夾斷，如果繼續(xù)增大，夾斷區(qū)隨之延長(zhǎng)，如圖(b)所示。

圖4-3

2）漏源間電壓好柵源電壓對(duì)漏極電流的影響當(dāng)2）漏源間電壓好柵源電壓對(duì)漏極電流的影響而且的增大部分幾乎全部用于克服夾斷區(qū)對(duì)漏極電流的阻力。

此時(shí)，

幾乎不因的增大而變化，管子進(jìn)入恒流區(qū)，幾乎僅決定于。

在時(shí)，對(duì)應(yīng)于每一個(gè)就有一個(gè)確定的。此時(shí)，可將視為電壓控制的電流源。2）漏源間電壓好柵源電壓對(duì)漏極電流的影響工作原理工作原理（2）特性曲線與電流方程轉(zhuǎn)移特性曲線是描述當(dāng)保持不變時(shí)，輸入電壓對(duì)輸出電流的控制關(guān)系，所以稱為轉(zhuǎn)移特性，如圖4-4a)所示。1)轉(zhuǎn)移特性曲線

圖4-4a)

當(dāng)時(shí)，；當(dāng)時(shí)，通電溝道開(kāi)始形成，隨著的增大，溝道加寬，也增大。與的關(guān)系，可用下式近似表示其中是時(shí)的值。（2）特性曲線與電流方程轉(zhuǎn)移特性曲線是描述當(dāng)保持2)輸出特性曲線

圖是N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特性曲線，輸出特性曲線可分為下列幾個(gè)區(qū)域。

①可變電阻區(qū)

很小時(shí)，可不考慮對(duì)溝道的影響。于是一定時(shí)，溝道電阻也一定，故與之間基本上是線性關(guān)系。

越大，溝道電阻越小，故曲線越陡。在這個(gè)區(qū)域中，溝道電阻由決定，故稱為可變電阻區(qū)。

圖4-4b)

2)輸出特性曲線圖是N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特2)輸出特性曲線

②恒流區(qū)

③截止區(qū)

圖中所示曲線近似水平的部分即是恒流區(qū)，它表示當(dāng)時(shí)，與漏極電流間的關(guān)系。

該區(qū)的特點(diǎn)是幾乎不隨的變化而變化，已趨于飽和，具有恒流性質(zhì)。所以這個(gè)區(qū)域又稱飽和區(qū)。當(dāng)增大一定值以后，漏源之間會(huì)發(fā)生擊穿，漏極電流急劇增大。

時(shí)以下的區(qū)域。（夾斷區(qū)）圖4-4b)

2)輸出特性曲線②恒流區(qū)③截止區(qū)模電第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路課件2.N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)

上述的增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管只有當(dāng)時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道，如果在制造時(shí)就使它具有一個(gè)原始導(dǎo)電溝道，這種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管稱為耗盡型。與增強(qiáng)型相比，它的結(jié)構(gòu)變化了，使其控制特性有明顯變化。在為常數(shù)的條件下，當(dāng)時(shí)，漏、源極間已經(jīng)導(dǎo)通，流過(guò)的是原始導(dǎo)電溝道的漏極電流。當(dāng)時(shí)，即加反向電壓時(shí)，導(dǎo)電溝道變窄，減小；負(fù)值愈高、溝道愈窄，也就愈小。當(dāng)達(dá)到一定負(fù)值時(shí)，導(dǎo)電溝道被夾斷，，這時(shí)的稱為夾斷電壓，用表示。圖4-5

2.N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)上述的增強(qiáng)型絕緣可見(jiàn)，耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管不論柵－源電壓是正是負(fù)或零，都能控制漏極電流，這個(gè)特點(diǎn)使它的應(yīng)用具有較大的靈活性。一般情況下，這類管子還是工作在負(fù)柵－源電壓的狀態(tài)。

實(shí)驗(yàn)表明，在范圍內(nèi)，耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性可近似用下式表示圖4-6可見(jiàn)，耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管不論柵－源電壓是P126P1263.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性和耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管類似。圖a)、b)分別為Ｎ溝道和Ｐ溝道的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管圖形符號(hào)。使用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)使柵極與源極間加反偏電壓，漏極與源極間加正向電壓。對(duì)于Ｎ溝道的管子來(lái)說(shuō)，柵源電壓應(yīng)為負(fù)值，漏源電壓為正值。在漏源電壓作用下，形成了漏極電流。柵源電壓增大時(shí)，導(dǎo)通溝道變窄，從而在一定的作用下變小。所以，改變也可實(shí)現(xiàn)對(duì)的控制。

當(dāng)增大到一定值時(shí)，導(dǎo)通溝道被夾斷，此時(shí)。夾斷時(shí)的柵源電壓用表示。圖4-73.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性和耗盡型絕緣柵圖4-8為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)時(shí)，溝道被夾斷，；減小，增大；時(shí)的漏極電流為零偏漏極電流。對(duì)于P溝道管子來(lái)說(shuō)，為正值。圖4-8

圖4-9為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性曲線。管子的工作狀態(tài)也劃分三個(gè)區(qū)域：可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)。工作于恒流區(qū)中時(shí)，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性也可用下式表示：

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管正常使用時(shí)，g、s間是反偏的，故輸入電阻也較高。圖4-8為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)模電第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路課件模電第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路課件4.1.2場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)、特點(diǎn)以及使用注意事項(xiàng)1.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)（1）性能參數(shù)①開(kāi)啟電壓：它是增強(qiáng)型MOS管的參數(shù)。②夾斷電壓：

③飽和漏極電流：

它是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型MOS管的參數(shù)。

當(dāng)為一常量時(shí)，柵源電壓為零時(shí)的漏極電流。④直流輸入電阻：等于柵-源電壓與柵極電流之比。結(jié)型管的大于，而MOS管的大于。

⑤低頻跨導(dǎo)：該數(shù)值的大小表示對(duì)控制作用的強(qiáng)弱。

是轉(zhuǎn)移特性曲線上某一點(diǎn)的切線的斜率，與切點(diǎn)的位置密切相關(guān)。

⑥極間電容：場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極之間均存在極間電容。

越大場(chǎng)效應(yīng)管放大能力越好。通常，柵-源電容和柵-漏電容約為1~3pF，而漏-源電容約為0.1~1pF。4.1.2場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)、特點(diǎn)以及使用注意事項(xiàng)1.（2）極限參數(shù)①最大漏極電流：是管子正常工作時(shí)漏極電流的上限值。

②漏源擊穿電壓：

管子進(jìn)入恒流區(qū)后，使驟然增大的。③柵源擊穿電壓：對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，柵極與溝道間PN結(jié)反向擊穿電壓；對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，使絕緣層擊穿時(shí)的電壓。

④最大耗散功率：

PD=UDS·ID，該數(shù)值決定于管子允許的溫升。（2）極限參數(shù)①最大漏極電流：是管子正常模電第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路課件模電第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路課件2.使用MOS管的注意事項(xiàng)

1）MOS管柵源之間的電阻很高，使得柵極的感應(yīng)電荷不易泄放，因極間電容很小，故會(huì)造成電壓過(guò)高使絕緣柵擊穿?！癖４鍹OS管應(yīng)使三個(gè)電極短接，避免柵極懸空。●焊接時(shí)，電烙鐵的外殼應(yīng)良好的接地，或燒熱電烙鐵后切斷電源再焊?！駵y(cè)試MOS場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)先接好線路再去除電極之間的短接，測(cè)試結(jié)束后應(yīng)先短接各電極。2）有些場(chǎng)效應(yīng)管將襯底引出，故有4個(gè)管腳，這種管子漏極與源極可互換使用。但有些場(chǎng)效應(yīng)管在內(nèi)部已將襯底與源極接在一起，只引出3個(gè)電極，這種管子的漏極與源極不能互換。2.使用MOS管的注意事項(xiàng)1）MOS管柵源之間的電阻很

4.1.3場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較

（1）場(chǎng)效應(yīng)管用柵-源電壓控制漏極電流，柵極基本不取電流。而晶體管工作時(shí)基極總要索取一定的電流。因此，要求輸入電阻高的電路應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而若信號(hào)源可以提供一定的電流，則可選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管幾乎只有多子參與導(dǎo)電。晶體管內(nèi)既有多子又有少子參與導(dǎo)電，而少子數(shù)目受溫度、輻射等因素影響較大，因而場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)。所以在環(huán)境條件變化很大的情況下應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。

（3）場(chǎng)效應(yīng)管噪聲系數(shù)很小，所以低噪聲放大器的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。當(dāng)然也可選用特制的低噪聲晶體管。

4.1.3場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管用柵-（4）場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與源極可以互換使用，互換后特性變化不大。而晶體管的發(fā)射極與集電極互換后特性差異很大，因此只在特殊需要時(shí)才互換。（5）場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管的種類多，特別是耗盡型MOS管，柵-源電壓可正、可負(fù)、可零，均能控制漏極電流；因而在組成電路時(shí)比晶體管有更大的靈活性。（6）場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管均可用于放大電路和開(kāi)關(guān)電路，它們構(gòu)成了品種繁多的集成電路。但由于場(chǎng)效應(yīng)管集成工藝更簡(jiǎn)單，且具有耗電省、工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，因此更加廣泛地應(yīng)用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路之中。

4.1.3場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（續(xù)）

（4）場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與源極可以互換使用，互換后特性變化不大。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題4.2場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路三種基本放大電路：共源極、共漏極和共柵極電路。必須設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，以保證在信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi)，場(chǎng)效應(yīng)管均工作于放大區(qū)。4.2.1場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，因此它沒(méi)有偏流，關(guān)鍵是要有合適的柵偏壓。常用的偏置電路有兩種4.2場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路三種基本放大電路：共源極、共漏1.自給偏壓

當(dāng)耗盡型管的柵源回路接通時(shí)，在漏極電源作用下，就有電流通過(guò)，并在源極電阻上產(chǎn)生靜態(tài)負(fù)柵偏壓，通常稱為自偏壓，其值為適當(dāng)調(diào)整源極電阻，可以得到合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，通過(guò)下列關(guān)系式可求得工作點(diǎn)上的有關(guān)電流和電壓：

此電路不適用于增強(qiáng)MOS管，因?yàn)殪o態(tài)時(shí)該電路不能使管子開(kāi)啟，即。圖4-9

1.自給偏壓當(dāng)耗盡型管的柵源回路接通時(shí)，在漏極電源作用下2.分壓式偏置電路

適當(dāng)選擇或值，就可獲得正、負(fù)及零三種偏壓。圖中阻值很大，用以隔離、對(duì)信號(hào)的分流作用，以保持高的輸入電阻。

靜態(tài)分析也可以采用公式估算法，并在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，用RP來(lái)微調(diào)可聯(lián)立求解：

圖4-10

2.分壓式偏置電路適當(dāng)選擇或4.2.2場(chǎng)效應(yīng)管的交流等效模型

場(chǎng)效應(yīng)管也是非線性器件，在輸入信號(hào)電壓很小的條件下，也可將用小信號(hào)模型等效。與建立晶體管小信號(hào)模型相似，將場(chǎng)效應(yīng)管也看成一個(gè)兩端口網(wǎng)絡(luò)，以結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例，柵極與源極之間為輸入端口，漏極與源極之間為輸出端口。無(wú)論是哪種類型的場(chǎng)效應(yīng)管，均可以認(rèn)為柵極電流為零，輸入端視為開(kāi)路，柵-源極間只有電壓存在。在輸出端口，漏極電流是和的函數(shù)。圖4-11

4.2.2場(chǎng)效應(yīng)管的交流等效模型4.2.3共源放大電路的動(dòng)態(tài)分析

應(yīng)用微變等效電路法來(lái)分析計(jì)算場(chǎng)效應(yīng)管放大的電壓放大倍數(shù)和輸入電阻、輸出電阻，其步驟與分析三極管放大電路相同。圖為共源極放大電路和微變等效電路。圖4-12

4.2.3共源放大電路的動(dòng)態(tài)分析應(yīng)用微變等效1.求電壓放大倍數(shù)

2.求輸入電阻通常，為了減小、對(duì)輸入信號(hào)的分流作用，常選擇，3.求輸出電阻

1.求電壓放大倍數(shù)2.求輸入電阻通常，4.2.4共漏放大電路的動(dòng)態(tài)分析

圖是由耗盡型NMOS管構(gòu)成的共漏極放大電路，由交流通路可見(jiàn)，漏極是輸入、輸出信號(hào)的公共端。由于信號(hào)是從源極輸出，故也稱源極輸出器。圖4-13

4.2.4共漏放大電路的動(dòng)態(tài)分析1.求電壓放大倍數(shù)2.求輸入電阻當(dāng)時(shí)，。

1.求電壓放大倍數(shù)2.求輸入電阻當(dāng)3.求輸出電阻

用“加壓求流法”求源極輸出器的輸出電阻的電路如下圖由于柵極電流，故，所以則圖4-14

3.求輸出電阻用“加壓求流法”求源極輸出例4-2

在所示電路中，已知靜態(tài)工作點(diǎn)合適，，，，，，場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)啟電壓，。試求解、、。解：例4-2在所示電路中，已知靜態(tài)工作點(diǎn)合適，4.3絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

圖4-15IGBT的符號(hào)

圖4-16IGBT的等效電路

4.3絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)圖4-15IGBT與MOSFET的對(duì)比

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大；缺點(diǎn)：擊穿電壓低低，工作電流小。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶體管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。主要特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。IGBT與MOSFET的對(duì)比4.3

應(yīng)用電路介紹

圖是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管用作可調(diào)輸出電流大小的恒流源電路。由結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性可知，當(dāng)大于某一數(shù)值（如3V以上）時(shí)，JFET脫離變阻區(qū)進(jìn)入恒流區(qū)，不隨變化，具有恒流特性。

應(yīng)用一：可調(diào)恒流源與的關(guān)系可以從轉(zhuǎn)移特性曲線中查出。實(shí)際應(yīng)用時(shí)可調(diào)節(jié)RP來(lái)改變。4.3應(yīng)用電路介紹圖是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管用作可調(diào)應(yīng)用二：場(chǎng)效應(yīng)管用于放大駐極體話筒的信號(hào)

駐極性話筒是一種體積只有花生大小的具有電容性質(zhì)的話筒，它廣泛應(yīng)用于錄音機(jī)等電路中。它的輸出電阻極高（以上），不能用普通三極管來(lái)放大。圖是采用高輸入電阻的耗盡型MOSET進(jìn)行電壓放大的電路。

圖中的駐極體接受的聲波越強(qiáng)，C的容量變化越大，C兩端輸出的音頻信號(hào)電壓也越高。MOSFET與駐極體裝在同一殼體內(nèi)，由決定。圖4-18

應(yīng)用二：場(chǎng)效應(yīng)管用于放大駐極體話筒的信號(hào)駐極性應(yīng)用三：人體感應(yīng)電路圖4-19所示電路是利用絕緣柵欄型場(chǎng)效管組成觸模式接近開(kāi)關(guān)。圖4-20

當(dāng)人們?cè)谑覂?nèi)活動(dòng)時(shí)，由于人體與周圍的220交流電路存在一微小的分布電容，使人體因感應(yīng)交流電場(chǎng)而帶有幾伏至幾十伏的50Hz交流信號(hào)，由于此感應(yīng)信號(hào)的內(nèi)阻極高，不能用普通的三極管電路來(lái)檢測(cè)。當(dāng)人體觸及接在MOSFET的G極上的金屬板時(shí)，該感應(yīng)電壓就迭加到G、S端，使MOSFET導(dǎo)通，PNP管獲得，從而產(chǎn)生。流經(jīng)V3的基極，形成較大的。從而使繼電器KA吸合，去控制外電路的負(fù)載（如樓道燈等）。圖中的VD1為穩(wěn)壓管，用于保護(hù)G極不至因過(guò)高的輸入電壓而擊穿；C1用于濾除中的交流分量；VD3用于吸收V3突然截止時(shí)，繼電器鐵心中磁場(chǎng)突然減小所引起的過(guò)電壓，起續(xù)流作用，稱為續(xù)流二極管。圖4-19

應(yīng)用三：人體感應(yīng)電路圖4-19所應(yīng)用四：利用場(chǎng)效應(yīng)管作非接觸式測(cè)電筆

導(dǎo)線只要接上交變電壓，它的周圍就會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)，而場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)外部電場(chǎng)比較敏感，即使很弱的電場(chǎng)也會(huì)使場(chǎng)效應(yīng)管柵、源之間感應(yīng)到信號(hào)電壓，因此用它作無(wú)觸點(diǎn)測(cè)電筆非常方便，其電路如圖4-20所示。

圖4-20

此測(cè)電筆可用于查找導(dǎo)線內(nèi)部斷路之處。使用時(shí)，把被查導(dǎo)線的端部接到火線上，手握測(cè)電筆，沿導(dǎo)線表面移動(dòng)。在未斷部分，探頭可感應(yīng)到電場(chǎng)信號(hào)，由電容C1耦合到場(chǎng)效應(yīng)管V1的柵極，經(jīng)放大后使發(fā)光二極管LED發(fā)光。一旦探頭移至某點(diǎn)時(shí)發(fā)現(xiàn)LED熄滅，說(shuō)明此點(diǎn)已無(wú)電場(chǎng)，必定就是斷芯點(diǎn)。應(yīng)用四：利用場(chǎng)效應(yīng)管作非接觸式測(cè)電筆應(yīng)用五：對(duì)鹵鎢燈作緩啟動(dòng)鹵鎢燈是在白熾燈的基礎(chǔ)上經(jīng)過(guò)充碘蒸氣等工藝改進(jìn)出來(lái)的一種高亮度燈具。它具有體積小，光色好，光效高等優(yōu)點(diǎn)。其點(diǎn)亮?xí)r間約為0.1秒，啟動(dòng)電流約為工作電流的5倍，正是這個(gè)啟動(dòng)沖擊電流使本來(lái)可以長(zhǎng)壽的燈管壽命大為縮短。將功率場(chǎng)效應(yīng)管（VMOS管）作為可控開(kāi)關(guān)串聯(lián)在鹵鎢燈電源回路中，使其可實(shí)現(xiàn)緩啟動(dòng)，延長(zhǎng)燈管的使用壽命。電路如圖所示。VD1～VD4對(duì)220V交流電源作全波整流，R、C構(gòu)成延時(shí)環(huán)節(jié)。

開(kāi)關(guān)S閉合后，Ｃ開(kāi)始充電，隨著其電壓的升高，VMOS管的電流逐漸增大，而壓降逐漸減小，鹵鎢燈逐漸點(diǎn)亮。經(jīng)過(guò)１秒左右，Ｃ兩端電壓達(dá)到穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓20V，VMOS管完全導(dǎo)通，電路便進(jìn)入穩(wěn)定工作狀態(tài)。由于VMOS導(dǎo)通時(shí)的內(nèi)阻很?。s零點(diǎn)幾歐姆），所以其本身的發(fā)熱很小，對(duì)鹵鎢燈影響也很小。圖4-21

應(yīng)用五：對(duì)鹵鎢燈作緩啟動(dòng)鹵鎢燈是在白應(yīng)用六：VMOS管用于控制碘鎢燈的亮度由于VMOS管耐壓高、電流大，所以可以帶動(dòng)大功率設(shè)備，如碘鎢燈、加熱器、風(fēng)機(jī)等。圖中的RP用于調(diào)節(jié)，從而控制流過(guò)碘鎢燈的電流，VD用于保護(hù)VMOS管的柵極，防止過(guò)電壓；C1用于防止突變，實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)；整流橋組成整流電路，、組成濾波電路，為提供穩(wěn)定的控制電壓。

此種調(diào)光方法是不夠經(jīng)濟(jì)的，在碘鎢燈調(diào)得較暗時(shí)，有很大一部分功率損耗在VMOS上，必須將VMOS與較大面積的散熱片裝在一起，才能保證VMOS的管芯溫度小于150℃。圖4-21

應(yīng)用六：VMOS管用于控制碘鎢燈的亮度模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路49第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路14.1單極型晶體管4.2場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路4.3應(yīng)用電路介紹4.1單極型晶體管

場(chǎng)效應(yīng)管屬于另一種半導(dǎo)體器件，尤為突出的是：場(chǎng)效應(yīng)管具有高達(dá)107～1015的輸入電阻，幾乎不取用信號(hào)源提供的電流，因而具有功耗小、噪聲小、體積小、抗幅射、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單且易于集成化等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場(chǎng)效應(yīng)管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類，它們都只有一種載流子(多數(shù)載流子)參與導(dǎo)電，故又稱為單極型三極管。其中絕緣柵型應(yīng)用更為廣泛。

簡(jiǎn)介簡(jiǎn)介P126P1264.1單極型晶體管

（FET）

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)是金屬－氧化物－半導(dǎo)體，簡(jiǎn)稱為MOS管。MOS管可分為N溝道和P溝道兩種，每一種又可分為增強(qiáng)型與耗盡型兩種型式。本節(jié)將以N溝道為例，說(shuō)明絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理。4.1.1場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和外部特性

1.N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)

圖4-1

4.1單極型晶體管（FET）（1）工作原理1)導(dǎo)電溝道的形成

當(dāng)足夠大時(shí)，由于靜電場(chǎng)作用，管子的漏極和源極之間將產(chǎn)生一個(gè)導(dǎo)電通道(稱為溝道)，極間等效電阻較小。

越大，導(dǎo)電溝道寬度越寬，等效電阻越小。

產(chǎn)生導(dǎo)電溝道所需的最小柵源電壓我們稱為開(kāi)啟電壓。改變柵源電壓，就可以改變導(dǎo)電溝道的寬度。

（1）工作原理1)導(dǎo)電溝道的形成當(dāng)上述這種在時(shí)沒(méi)有導(dǎo)電溝道，因而必須在時(shí)才形成導(dǎo)電溝道的場(chǎng)效應(yīng)管稱為增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。圖4-2

上述這種在時(shí)沒(méi)有導(dǎo)電溝道，因而必須在時(shí)才形成導(dǎo)電溝道的場(chǎng)效2）漏源間電壓好柵源電壓對(duì)漏極電流的影響

當(dāng)時(shí)，若在漏-源之間加上正向電壓時(shí)，則將產(chǎn)生一定的漏極電流。此時(shí)，的變化會(huì)對(duì)導(dǎo)電溝道產(chǎn)生影響。即當(dāng)較小時(shí)，的增大使線性增大，溝道沿源-漏方向逐漸變窄，如圖4-3a)所示。一旦增大到使時(shí)，溝道在漏極一側(cè)出現(xiàn)夾斷點(diǎn)，稱為預(yù)夾斷，如果繼續(xù)增大，夾斷區(qū)隨之延長(zhǎng)，如圖(b)所示。

圖4-3

2）漏源間電壓好柵源電壓對(duì)漏極電流的影響當(dāng)2）漏源間電壓好柵源電壓對(duì)漏極電流的影響而且的增大部分幾乎全部用于克服夾斷區(qū)對(duì)漏極電流的阻力。

此時(shí)，

幾乎不因的增大而變化，管子進(jìn)入恒流區(qū)，幾乎僅決定于。

在時(shí)，對(duì)應(yīng)于每一個(gè)就有一個(gè)確定的。此時(shí)，可將視為電壓控制的電流源。2）漏源間電壓好柵源電壓對(duì)漏極電流的影響工作原理工作原理（2）特性曲線與電流方程轉(zhuǎn)移特性曲線是描述當(dāng)保持不變時(shí)，輸入電壓對(duì)輸出電流的控制關(guān)系，所以稱為轉(zhuǎn)移特性，如圖4-4a)所示。1)轉(zhuǎn)移特性曲線

圖4-4a)

當(dāng)時(shí)，；當(dāng)時(shí)，通電溝道開(kāi)始形成，隨著的增大，溝道加寬，也增大。與的關(guān)系，可用下式近似表示其中是時(shí)的值。（2）特性曲線與電流方程轉(zhuǎn)移特性曲線是描述當(dāng)保持2)輸出特性曲線

圖是N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特性曲線，輸出特性曲線可分為下列幾個(gè)區(qū)域。

①可變電阻區(qū)

很小時(shí)，可不考慮對(duì)溝道的影響。于是一定時(shí)，溝道電阻也一定，故與之間基本上是線性關(guān)系。

越大，溝道電阻越小，故曲線越陡。在這個(gè)區(qū)域中，溝道電阻由決定，故稱為可變電阻區(qū)。

圖4-4b)

2)輸出特性曲線圖是N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特2)輸出特性曲線

②恒流區(qū)

③截止區(qū)

圖中所示曲線近似水平的部分即是恒流區(qū)，它表示當(dāng)時(shí)，與漏極電流間的關(guān)系。

該區(qū)的特點(diǎn)是幾乎不隨的變化而變化，已趨于飽和，具有恒流性質(zhì)。所以這個(gè)區(qū)域又稱飽和區(qū)。當(dāng)增大一定值以后，漏源之間會(huì)發(fā)生擊穿，漏極電流急劇增大。

時(shí)以下的區(qū)域。（夾斷區(qū)）圖4-4b)

2)輸出特性曲線②恒流區(qū)③截止區(qū)模電第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路課件2.N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)

上述的增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管只有當(dāng)時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道，如果在制造時(shí)就使它具有一個(gè)原始導(dǎo)電溝道，這種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管稱為耗盡型。與增強(qiáng)型相比，它的結(jié)構(gòu)變化了，使其控制特性有明顯變化。在為常數(shù)的條件下，當(dāng)時(shí)，漏、源極間已經(jīng)導(dǎo)通，流過(guò)的是原始導(dǎo)電溝道的漏極電流。當(dāng)時(shí)，即加反向電壓時(shí)，導(dǎo)電溝道變窄，減??；負(fù)值愈高、溝道愈窄，也就愈小。當(dāng)達(dá)到一定負(fù)值時(shí)，導(dǎo)電溝道被夾斷，，這時(shí)的稱為夾斷電壓，用表示。圖4-5

2.N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)上述的增強(qiáng)型絕緣可見(jiàn)，耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管不論柵－源電壓是正是負(fù)或零，都能控制漏極電流，這個(gè)特點(diǎn)使它的應(yīng)用具有較大的靈活性。一般情況下，這類管子還是工作在負(fù)柵－源電壓的狀態(tài)。

實(shí)驗(yàn)表明，在范圍內(nèi)，耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性可近似用下式表示圖4-6可見(jiàn)，耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管不論柵－源電壓是P126P1263.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性和耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管類似。圖a)、b)分別為Ｎ溝道和Ｐ溝道的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管圖形符號(hào)。使用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)使柵極與源極間加反偏電壓，漏極與源極間加正向電壓。對(duì)于Ｎ溝道的管子來(lái)說(shuō)，柵源電壓應(yīng)為負(fù)值，漏源電壓為正值。在漏源電壓作用下，形成了漏極電流。柵源電壓增大時(shí)，導(dǎo)通溝道變窄，從而在一定的作用下變小。所以，改變也可實(shí)現(xiàn)對(duì)的控制。

當(dāng)增大到一定值時(shí)，導(dǎo)通溝道被夾斷，此時(shí)。夾斷時(shí)的柵源電壓用表示。圖4-73.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性和耗盡型絕緣柵圖4-8為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)時(shí)，溝道被夾斷，；減小，增大；時(shí)的漏極電流為零偏漏極電流。對(duì)于P溝道管子來(lái)說(shuō)，為正值。圖4-8

圖4-9為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性曲線。管子的工作狀態(tài)也劃分三個(gè)區(qū)域：可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)。工作于恒流區(qū)中時(shí)，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性也可用下式表示：

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管正常使用時(shí)，g、s間是反偏的，故輸入電阻也較高。圖4-8為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)模電第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路課件模電第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路課件4.1.2場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)、特點(diǎn)以及使用注意事項(xiàng)1.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)（1）性能參數(shù)①開(kāi)啟電壓：它是增強(qiáng)型MOS管的參數(shù)。②夾斷電壓：

③飽和漏極電流：

它是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型MOS管的參數(shù)。

當(dāng)為一常量時(shí)，柵源電壓為零時(shí)的漏極電流。④直流輸入電阻：等于柵-源電壓與柵極電流之比。結(jié)型管的大于，而MOS管的大于。

⑤低頻跨導(dǎo)：該數(shù)值的大小表示對(duì)控制作用的強(qiáng)弱。

是轉(zhuǎn)移特性曲線上某一點(diǎn)的切線的斜率，與切點(diǎn)的位置密切相關(guān)。

⑥極間電容：場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極之間均存在極間電容。

越大場(chǎng)效應(yīng)管放大能力越好。通常，柵-源電容和柵-漏電容約為1~3pF，而漏-源電容約為0.1~1pF。4.1.2場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)、特點(diǎn)以及使用注意事項(xiàng)1.（2）極限參數(shù)①最大漏極電流：是管子正常工作時(shí)漏極電流的上限值。

②漏源擊穿電壓：

管子進(jìn)入恒流區(qū)后，使驟然增大的。③柵源擊穿電壓：對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，柵極與溝道間PN結(jié)反向擊穿電壓；對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，使絕緣層擊穿時(shí)的電壓。

④最大耗散功率：

PD=UDS·ID，該數(shù)值決定于管子允許的溫升。（2）極限參數(shù)①最大漏極電流：是管子正常模電第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路課件模電第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路課件2.使用MOS管的注意事項(xiàng)

1）MOS管柵源之間的電阻很高，使得柵極的感應(yīng)電荷不易泄放，因極間電容很小，故會(huì)造成電壓過(guò)高使絕緣柵擊穿?！癖４鍹OS管應(yīng)使三個(gè)電極短接，避免柵極懸空?！窈附訒r(shí)，電烙鐵的外殼應(yīng)良好的接地，或燒熱電烙鐵后切斷電源再焊?！駵y(cè)試MOS場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)先接好線路再去除電極之間的短接，測(cè)試結(jié)束后應(yīng)先短接各電極。2）有些場(chǎng)效應(yīng)管將襯底引出，故有4個(gè)管腳，這種管子漏極與源極可互換使用。但有些場(chǎng)效應(yīng)管在內(nèi)部已將襯底與源極接在一起，只引出3個(gè)電極，這種管子的漏極與源極不能互換。2.使用MOS管的注意事項(xiàng)1）MOS管柵源之間的電阻很

4.1.3場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較

（1）場(chǎng)效應(yīng)管用柵-源電壓控制漏極電流，柵極基本不取電流。而晶體管工作時(shí)基極總要索取一定的電流。因此，要求輸入電阻高的電路應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而若信號(hào)源可以提供一定的電流，則可選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管幾乎只有多子參與導(dǎo)電。晶體管內(nèi)既有多子又有少子參與導(dǎo)電，而少子數(shù)目受溫度、輻射等因素影響較大，因而場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)。所以在環(huán)境條件變化很大的情況下應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。

（3）場(chǎng)效應(yīng)管噪聲系數(shù)很小，所以低噪聲放大器的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。當(dāng)然也可選用特制的低噪聲晶體管。

4.1.3場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管用柵-（4）場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與源極可以互換使用，互換后特性變化不大。而晶體管的發(fā)射極與集電極互換后特性差異很大，因此只在特殊需要時(shí)才互換。（5）場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管的種類多，特別是耗盡型MOS管，柵-源電壓可正、可負(fù)、可零，均能控制漏極電流；因而在組成電路時(shí)比晶體管有更大的靈活性。（6）場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管均可用于放大電路和開(kāi)關(guān)電路，它們構(gòu)成了品種繁多的集成電路。但由于場(chǎng)效應(yīng)管集成工藝更簡(jiǎn)單，且具有耗電省、工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，因此更加廣泛地應(yīng)用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路之中。

4.1.3場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（續(xù)）

（4）場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與源極可以互換使用，互換后特性變化不大。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題4.2場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路三種基本放大電路：共源極、共漏極和共柵極電路。必須設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，以保證在信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi)，場(chǎng)效應(yīng)管均工作于放大區(qū)。4.2.1場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，因此它沒(méi)有偏流，關(guān)鍵是要有合適的柵偏壓。常用的偏置電路有兩種4.2場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路三種基本放大電路：共源極、共漏1.自給偏壓

當(dāng)耗盡型管的柵源回路接通時(shí)，在漏極電源作用下，就有電流通過(guò)，并在源極電阻上產(chǎn)生靜態(tài)負(fù)柵偏壓，通常稱為自偏壓，其值為適當(dāng)調(diào)整源極電阻，可以得到合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，通過(guò)下列關(guān)系式可求得工作點(diǎn)上的有關(guān)電流和電壓：

此電路不適用于增強(qiáng)MOS管，因?yàn)殪o態(tài)時(shí)該電路不能使管子開(kāi)啟，即。圖4-9

1.自給偏壓當(dāng)耗盡型管的柵源回路接通時(shí)，在漏極電源作用下2.分壓式偏置電路

適當(dāng)選擇或值，就可獲得正、負(fù)及零三種偏壓。圖中阻值很大，用以隔離、對(duì)信號(hào)的分流作用，以保持高的輸入電阻。

靜態(tài)分析也可以采用公式估算法，并在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，用RP來(lái)微調(diào)可聯(lián)立求解：

圖4-10

2.分壓式偏置電路適當(dāng)選擇或4.2.2場(chǎng)效應(yīng)管的交流等效模型

場(chǎng)效應(yīng)管也是非線性器件，在輸入信號(hào)電壓很小的條件下，也可將用小信號(hào)模型等效。與建立晶體管小信號(hào)模型相似，將場(chǎng)效應(yīng)管也看成一個(gè)兩端口網(wǎng)絡(luò)，以結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例，柵極與源極之間為輸入端口，漏極與源極之間為輸出端口。無(wú)論是哪種類型的場(chǎng)效應(yīng)管，均可以認(rèn)為柵極電流為零，輸入端視為開(kāi)路，柵-源極間只有電壓存在。在輸出端口，漏極電流是和的函數(shù)。圖4-11

4.2.2場(chǎng)效應(yīng)管的交流等效模型4.2.3共源放大電路的動(dòng)態(tài)分析

應(yīng)用微變等效電路法來(lái)分析計(jì)算場(chǎng)效應(yīng)管放大的電壓放大倍數(shù)和輸入電阻、輸出電阻，其步驟與分析三極管放大電路相同。圖為共源極放大電路和微變等效電路。圖4-12

4.2.3共源放大電路的動(dòng)態(tài)分析應(yīng)用微變等效1.求電壓放大倍數(shù)

2.求輸入電阻通常，為了減小、對(duì)輸入信號(hào)的分流作用，常選擇，3.求輸出電阻

1.求電壓放大倍數(shù)2.求輸入電阻通常，4.2.4共漏放大電路的動(dòng)態(tài)分析

圖是由耗盡型NMOS管構(gòu)成的共漏極放大電路，由交流通路可見(jiàn)，漏極是輸入、輸出信號(hào)的公共端。由于信號(hào)是從源極輸出，故也稱源極輸出器。圖4-13

4.2.4共漏放大電路的動(dòng)態(tài)分析1.求電壓放大倍數(shù)2.求輸入電阻當(dāng)時(shí)，。

1.求電壓放大倍數(shù)2.求輸入電阻當(dāng)3.求輸出電阻

用“加壓求流法”求源極輸出器的輸出電阻的電路如下圖由于柵極電流，故，所以則圖4-14

3.求輸出電阻用“加壓求流法”求源極輸出例4-2

在所示電路中，已知靜態(tài)工作點(diǎn)合適，，，，，，場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)啟電壓，。試求解、、。解：例4-2在所示電路中，已知靜態(tài)工作點(diǎn)合適，4.3絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

圖4-15IGBT的符號(hào)

圖4-16IGBT的等效電路

4.3絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)圖4-15IGBT與MOSFET的對(duì)比

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大；缺點(diǎn)：擊穿電壓低低，工作電流小。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶體管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。主要特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。IGBT與MOSFET的對(duì)比4.3

應(yīng)用電路介紹

圖是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管用作可調(diào)輸出電流大小的恒流源電路。由結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性可知，當(dāng)大于某一數(shù)值（如3V以上）時(shí)，JFET脫離變阻區(qū)進(jìn)入恒流區(qū)，不隨變化，具有恒流特性。

應(yīng)用一：可調(diào)恒流源與的關(guān)系可以從轉(zhuǎn)移特性曲線中查出。實(shí)際應(yīng)用時(shí)可調(diào)節(jié)RP來(lái)改變。4.3應(yīng)用電路介紹