02340#線性電子電路試題第頁（共12頁）絕密★考試結(jié)束前浙江省2013年7月高等教育自學(xué)考試線性電子電路試題課程代碼：02340本試卷分A、B卷，使用1999年版本教材的考生請做A卷，并將答題紙上卷別“A”涂黑；使用2010年版本教材的考生請做B卷，并將答題紙上卷別“B”涂黑。不涂或全涂，均以B卷記分。請考生按規(guī)定用筆將所有試題的答案涂、寫在答題紙上。A卷選擇題部分注意事項：1.答題前，考生務(wù)必將自己的考試課程名稱、姓名、準(zhǔn)考證號用黑色字跡的簽字筆或鋼筆填寫在答題紙規(guī)定的位置上。2.每小題選出答案后，用2B鉛筆把答題紙上對應(yīng)題目的答案標(biāo)號涂黑。如需改動，用橡皮擦干凈后，再選涂其他答案標(biāo)號。不能答在試題卷上。一、單項選擇題(本大題共15小題，每小題2分，共30分)在每小題列出的四個備選項中只有一個是符合題目要求的，請將其選出并將“答題紙”的相應(yīng)代碼涂黑。錯涂、多涂或未涂均無分。1．利用二極管的單向?qū)щ娞匦钥蓪崿F(xiàn)______功能。A.電壓放大 B.電流放大C.穩(wěn)壓 D.整流2．在題2圖所示的各種元器件中，______是無源器件。題2圖3．晶體三極管中的α是描述______控制作用的參數(shù)。A.發(fā)射極電流ie對集電極電流ic B.基極電流ib對發(fā)射極電流ieC.發(fā)射極電流ie對基極電流ib D.基極電流ib對集電極電流ic4．晶體三極管的頻率參數(shù)ωβ是β（ω）下降到______時所對應(yīng)的角頻率。A.0.1β B.0.5βC.0.707β D.0.9β5．晶體三極管組成的共發(fā)放大電路，當(dāng)輸入信號Vi增加到足夠大時，可能引起的非線性失真為A.頻率失真 B.幅度失真C.相位失真 D.截止和飽和雙向失真6．某硅晶體三極管的直流電位如題6圖所示，則三極管的工作狀態(tài)為A.放大狀態(tài) B.截止?fàn)顟B(tài) C.擊穿狀態(tài) D.飽和狀態(tài)題6圖7．集成運放偏置電路主要為各組成級提供穩(wěn)定的工作點，一般采用______電路。A.差分 B.恒流源C.共集電極 D.共發(fā)射極8．差動放大電路，已知輸入信號Vi1=30mV，Vi2=10mV，則共模信號Vic和差模信號Vid分別為A.Vic=20mVVid=20mV B.Vic=40mVVid=20mVC.Vic=20mVVid=40mV D.Vic=40mVVid=40mV9．N溝道和P溝道MOS場效應(yīng)管的區(qū)別在于A.襯底材料前者為硅，后者為鍺B.襯底材料前者為N型，后者為P型C.導(dǎo)電溝道中載流子前者為電子，后者為空穴D.導(dǎo)電溝道中載流子前者為空穴，后者為電子10．晶體三極管工作在放大狀態(tài)時，ic與vbe之間近似為______關(guān)系。A.對數(shù)律 B.指數(shù)律C.線性 D.平方律11．電路如題11圖所示，其中______是基本MOS管鏡像電流源電路。題11圖12．負(fù)反饋放大器中，在滿足深度負(fù)反饋條件下，存在虛短路和虛開路，即A.x′i≈0 B.xi≈0C.x0≈0 D.xf≈013．設(shè)計一負(fù)反饋放大器，實現(xiàn)電流——電壓的變換，應(yīng)引入A.電壓串聯(lián)負(fù)反饋 B.電壓并聯(lián)負(fù)反饋C.電流串聯(lián)負(fù)反饋 D.電流并聯(lián)負(fù)反饋14．當(dāng)輸入信號為階躍電壓時，設(shè)計一運算電路實現(xiàn)延時，可選用______實現(xiàn)。A.同相放大電路 B.反相放大電路C.積分電路 D.微分電路15．在題15圖所示電路中，兩個二極管的工作狀態(tài)是A.D1導(dǎo)通，D2截止 B.D1截止，D2導(dǎo)通 C.D1和D2都截止 D.D1和D2都導(dǎo)通題15圖非選擇題部分注意事項：用黑色字跡的簽字筆或鋼筆將答案寫在答題紙上，不能答在試題卷上。二、填空題(本大題共10小題，每空1分，共10分)16．半導(dǎo)體中的載流子由于濃度差而產(chǎn)生的定向運動稱為______運動。17．當(dāng)外電源正極接N區(qū)，負(fù)極接P區(qū)時，稱反偏，此時PN結(jié)的結(jié)電阻通常非常______。18．集成運放組成的比例運算電路中，______比例放大電路的放大倍數(shù)大于1。19．直接耦合放大電路的通頻帶為100kHz，說明其上限截止頻率為______。20．場效應(yīng)管常用跨導(dǎo)gm表示柵源電壓vGS對______的控制能力。21．隨著溫度升高，晶體管的穿透電流ICEO將______，使共發(fā)射極輸出特性曲線上移。22．負(fù)反饋放大電路的開環(huán)放大倍數(shù)為1000，而閉環(huán)放大倍數(shù)為50，則該電路的反饋深度為______。23．差分放大電路中常用KCMR來表示抑制共模信號的能力，希望它越______越好。24．根據(jù)vGS=0時，導(dǎo)電溝道是否已存在，將場效應(yīng)管分為增強型和______型。25．晶體三極管的三種基本組態(tài)放大器中，有電流增益，但無電壓增益的是______電路。三、簡答題（本大題共3小題，每小題5分，共15分）26．電路如題26(a)圖所示，設(shè)二極管D為理想的，當(dāng)輸入電壓為題26（b）所示的波形時，試用二極管的理想模型畫出電壓傳輸特性（VO~Vi）和輸出電壓波形(VO~t)。題26圖27．題27圖所示電流源電路，已知各晶體管特性相同，VBE（on）=0.7V，試求IR、Ic2和Ic3。題27圖題28圖28．題28圖所示電路，設(shè)A為理想運算放大器，最大輸出電壓為±12V。畫出電壓傳輸特性（VO~Vi），并標(biāo)出各電壓值。四、分析計算題（本大題共5小題，每小題9分，共45分）29.如題29圖所示放大電路，設(shè)所有電容對交流均視為短路，β=80，VBE(on)=0.7V，rce可忽略不計。（1）要求IEQ=1.5mA，VCEQ=6V，Rb1+Rb2=120kΩ，確定電阻Rb1、Rb2、Rc；（2）求電壓放大倍數(shù)Av，輸入電阻Ri，源電壓放大倍數(shù)Avs。題29圖題30圖30．題30圖所示差分放大電路，設(shè)場效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)為gm=1mS，rds可忽略不計，電流源I0的交流內(nèi)阻r0=100kΩ。（1）求差模放大倍數(shù)Avd2、共模放大倍數(shù)Avc2、共模抑制比KCMR2、輸出電阻Ro；（2）單端輸入時，當(dāng)vi=10mV，求輸出電壓vo。31．題31圖所示放大電路，所有電容對交流均視為短路。（1）指出級間反饋元件，判斷反饋的類型，并說明對輸入、輸出電阻的影響；（2）滿足深度負(fù)反饋條件下，求反饋系數(shù)kf，源電壓增益Avfs。題31圖32．題32圖所示電路，設(shè)集成運放均為理想的。（1）說明A1、A2組成何種基本運算電路；（2）寫出Vo1、Vo的表達(dá)式；（3）設(shè)t=0時，電容的初始電壓為0，若要求t=10ms時輸出電壓Vo=5V，求R5。題32圖33．題33圖所示電路，已知穩(wěn)壓管的VZ=5.3V，VD（on）=0.7V，運放的最大輸出電壓為±12V。（1）要求上門限電壓VIH=5V，試確定參考電壓VREF的值，并求出下門限電壓VIL；（2）畫出電壓比較特性（vo~vi）；題33圖B卷選擇題部分注意事項：1.答題前，考生務(wù)必將自己的考試課程名稱、姓名、準(zhǔn)考證號用黑色字跡的簽字筆或鋼筆填寫在答題紙規(guī)定的位置上。2.每小題選出答案后，用2B鉛筆把答題紙上對應(yīng)題目的答案標(biāo)號涂黑。如需改動，用橡皮擦干凈后，再選涂其他答案標(biāo)號。不能答在試題卷上。一、單項選擇題(本大題共15小題，每小題2分，共30分)在每小題列出的四個備選項中只有一個是符合題目要求的，請將其選出并將“答題紙”的相應(yīng)代碼涂黑。錯涂、多涂或未涂均無分。1．晶體三極管的發(fā)射極電流是另外兩個電極電流（基極和集電極）的A.差 B.和C.積 D.積分2．晶體三極管的β是描述______控制作用的參數(shù)。A.基極電流ib對集電極電流ic B.基極電流ib對發(fā)射極電流ieC.發(fā)射極電流ie對基極電流ib D.發(fā)射極電流ie對集電極電流ic3．放大電路進(jìn)行信號放大時，其基本前提是A.不失真 B.電壓放大C.電流放大 D.接入直流電源4．集成運放的輸出級一般采用互補推挽的共集電路，是為了A.提高電壓增益 B.減小輸出電流 C.提高帶載能力 D.增大輸出電阻5．測得晶體三極管三個極的直流電位為-9V，-6V，-6.3V，則該三極管是A.NPN型硅管 B.PNP型硅管 C.NPN型鍺管 D.PNP型鍺管6．電流并聯(lián)負(fù)反饋放大電路對輸入、輸出電阻的影響是A.輸入電阻減小、輸出電阻增大 B.輸入電阻減小、輸出電阻減小C.輸入電阻增大、輸出電阻減小 D.輸入電阻增大、輸出電阻增大7．當(dāng)高內(nèi)阻的信號源與低負(fù)載相連接時，為降低負(fù)載的影響，可在信號源和負(fù)載間接入______電路。A.共射 B.共基C.共集電極 D.共射-共基8．NPN管組成的共射放大電路的輸出電壓波形出現(xiàn)下半周失真時為A.頻率失真 B.飽和失真 C.截止失真 D.交越失真9．如題9圖所示，其中______是光敏二極管的電路符號。題9圖10．與遲滯電壓比較器相比，單門限電壓比較器A.靈敏度高，抗干擾能力差 B.靈敏度低，抗干擾能力差C.靈敏度高，抗干擾能力強 D.靈敏度低，抗干擾能力強11．放大電路交流輸出功率是由______提供的。A.偏置電阻 B.交流輸入信號viC.直流電壓源VCC D.晶體三極管BJT12．差分放大電路的差模放大倍數(shù)的大小取決于A.差模輸入信號的大小 B.信號的輸入方式是單端或雙端C.共模輸入信號的大小 D.信號的輸出方式是單端或雙端13．場效應(yīng)管工作在飽和區(qū)時，可等效為A.電阻 B.電壓源C.電流源 D.受控電流原14．如題14圖所示，增強型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線是題14圖15．負(fù)反饋放大電路中，反饋信號僅與______有關(guān)。A.輸入信號 B.輸出信號C.電壓增益 D.電流增益非選擇題部分注意事項：用黑色字跡的簽字筆或鋼筆將答案寫在答題紙上，不能答在試題卷上。二、填空題(本大題共10小題，每空1分，共10分)16．當(dāng)集成運放線性工作時，i+=i－→0，稱______。17．晶體管工作在截止?fàn)顟B(tài)時，集電極和發(fā)射極間的阻抗，可等效為______路。18．場效應(yīng)管僅利用______數(shù)載流子導(dǎo)電，故可將其視為單極性器件。19．當(dāng)差分放大電路空載時，單端輸出差模電壓增益為雙端輸出時的______。20．晶體管放大電路進(jìn)行交流小信號分析時，電路中的大電容可等效為______路。21．輸入信號不變時，若反饋使凈輸入信號比無反饋時減小了，稱為______反饋。22．某電壓放大器，當(dāng)V1=0.1V時，VO=10V,則該放大器的AV=______dB。23．晶體三極管的三個極對地電位分別為VA=2V，VB=2.7V，VC=6V，則該管工作狀態(tài)是______狀態(tài)。24．低頻時場效應(yīng)管的ig=0，所以共源和共漏放大器的輸入電阻和電流增益均趨于______。25．放大器級聯(lián)時的總分貝增益，是各級電路分貝增益的______。三、簡答題（本大題共3小題，每小題5分，共15分）26．題26圖所示為二極管電路的電壓傳輸特性，設(shè)二極管為理想的。試畫出該電路，并求出電路中的各參數(shù)。題26圖題27圖27．題27圖所示為MOS場效應(yīng)管放大電路，已知場效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)為gm=1.0mS，rds很大，可忽略不計。試求電壓放大倍數(shù)Av、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。28．電路如題28(a)圖所示，其幅頻特性如題28(b)圖所示，試求電壓增益Av1，帶寬BW0.7；當(dāng)帶寬變?yōu)?50kHz時，電壓增益Av2變?yōu)槎嗌?，?dāng)其它參數(shù)不變時，求電阻Rf的值。題28（a）圖題28（b）圖四、分析計算題（本大題共5小題，每小題9分，共45分）29.如題29圖所示放大電路，設(shè)所有電容對交流均視為短路，β=100，VBE(on)=0.7V，rce可忽略不計。（1）估算靜態(tài)工作點Q（ICQ、VCEQ）；（2）求源電壓放大倍數(shù)Avs；（3）若旁路電容Ce不小心開路，則工作點Q、電壓放大倍數(shù)Av和輸入電阻Ri如何變化？題29圖題30圖30．如題30圖所示放大電路，設(shè)晶體管的特性相同，β=100，VBE(on)=0.7V。場效應(yīng)管的跨導(dǎo)gm=1.0mS。（1）求IC1、IC2、VRc2；（2）設(shè)差分放大電路的共模抑制比KCMR足夠大，當(dāng)vi=10mV時，求輸出電壓vo。31．如題31圖所示放大電路，各電容對交流均視為短路。（1）指出級間反饋元件，判斷反