第一章習題1.設晶格常數(shù)為1.設晶格常數(shù)為a的一維晶格，導帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量Ev(k)分別為:h2kh2k2Ec兇二而h2(k K)2,巳(k)也mo 6m)3h2k2

mo(1)禁帶寬度；導帶底電子有效質(zhì)量；價帶頂電子有效質(zhì)量；價帶頂電子躍遷到導帶底時準動量的變化解:(1)2.晶格常數(shù)為0.25nm的一維品格,當外加10導帶底電子有效質(zhì)量；價帶頂電子有效質(zhì)量；價帶頂電子躍遷到導帶底時準動量的變化解:(1)2.晶格常數(shù)為0.25nm的一維品格,當外加102V/m,107V/m的電場時，試分別計算電子自能帶底運動到能帶頂所需的時間。解：根據(jù)：fqEh—k得補充題1分別計算Si(100),(110),(111)面每平方厘米內(nèi)的原子個數(shù)，即原子面密度(提示：先畫出各晶面內(nèi)原子的位置和分布圖)Si在(100),(110)和(111)面上的原子分布如圖1所示：

(a)(100)晶面(b)(110)晶面(c)(111)晶面補充題227 1一維晶體的電子能市可與為E(k)——2-(-coska-cos2ka),

ma8 8式中a為晶格常數(shù)，試求(1)布里淵區(qū)邊界；(2)能帶寬度；(3)電子在波矢k狀態(tài)時的速度；(4)能帶底部電子的有效質(zhì)量m；；,、、、-一、.*

(5)能市頂部仝穴的有效質(zhì)重mp解：(1)由dE?0得k—dk a(n=0,?1,?2…)進一步分析k進一步分析k(2n1)一,E(k)有極大值,ak2n一時，E(k)有極小值a所以布里淵區(qū)邊界為k(2n1)—a⑵能帶寬度為E(k)⑵能帶寬度為E(k)MAxE(k)MN2ma所以能帶頂部空穴的有效質(zhì)量m所以能帶頂部空穴的有效質(zhì)量m2m31dE 1(3)電子在波矢k狀態(tài)的速度v (sinka—sin2ka)dk ma 4(4)電子的有效質(zhì)量能帶底部k2n-所以m；2m

a(5)能帶頂部k(2n1),a半導體物理第2章習題.實際半導體與理想半導體間的主要區(qū)別是什么?答：(1)理想半導體：假設品格原子嚴格按周期性排列并靜止在格點位置上，實際半導體中原子不是靜止的，而是在其平衡位置附近振動。(2)理想半導體是純凈不含雜質(zhì)的，實際半導體含有若干雜質(zhì)。(3)理想半導體的品格結(jié)構(gòu)是完整的，實際半導體中存在點缺陷，線缺陷和面缺陷等。.以As摻入Ge中為例，說明什么是施主雜質(zhì)、施主雜質(zhì)電離過程和 n型半導體。As有5個價電子，其中的四個價電子與周圍的四個 Ge原子形成共價鍵，還剩余一個電子，同時As原子所在處也多余一個正電荷，稱為正離子中心，所以，一個As原子取代一個Ge原子，其效果是形成一個正電中心和一個多余的電子 .多余的電子束縛在正電中心，但這種束縛很弱，很小的能量就可使電子擺脫束縛，成為在晶格中導電的自由電子，而As原子形成一個不能移動的正電中心。這個過程叫做施主雜質(zhì)的電離過程。能夠施放電子而在導帶中產(chǎn)生電子并形成正電中心，稱為施主雜質(zhì)或 N型雜質(zhì)，摻有施主雜質(zhì)的半導體叫N型半導體。.以Ga摻入Ge中為例，說明什么是受主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)電離過程和 p型半導體。Ga有3個價電子，它與周圍的四個Ge原子形成共價鍵，還缺少一個電子，于是在Ge晶體的共價鍵中產(chǎn)生了一個空穴，而Ga原子接受一個電子后所在處形成一個負離子中心，所以，一個Ga原子取代一個Ge原子，其效果是形成一個負電中心和一個空穴，空穴束縛在Ga原子附近，但這種束縛很弱，很小的能量就可使空穴擺脫束縛，成為在晶格中自由運動的導電空穴，而Ga原子形成一個不能移動的負電中心。這個過程叫做受主雜質(zhì)的電離過程，能夠接受電子而在價帶中產(chǎn)生空穴，并形成負電中心的雜質(zhì)，稱為受主雜質(zhì)，摻有受主型雜質(zhì)的半導體叫P型半導體。.以Si在GaAs中的行為為例，說明IV族雜質(zhì)在III-V族化合物中可能出現(xiàn)的雙性行為。Si取代GaAs中的Ga原子則起施主作用；Si取代GaAs中的As原子則起受主作用。導帶中電子濃度隨硅雜質(zhì)濃度的增加而增加，當硅雜質(zhì)濃度增加到一定程度時趨于飽和。硅先取代Ga原子起施主作用，隨著硅濃度的增加，硅取代 As原子起受主作用。5.舉例說明雜質(zhì)補償作用。當半導體中同時存在施主和受主雜質(zhì)時，若（1）ND>>NA因為受主能級低于施主能級，所以施主雜質(zhì)的電子首先躍遷到 NA個受主能級上，還有nd-Na個電子在施主能級上，雜質(zhì)全部電離時，躍遷到導帶中的導電電子的濃度為n=N—NA。即則有效受主濃度為NAef^N-NA2）NA>>ND施主能級上的全部電子躍遷到受主能級上，受主能級上還有 N-Nd個空穴，它們可接受價帶上的N-ND個電子，在價帶中形成的空穴濃度p=N-Nd,即有效受主濃度為NU^N-NDN?ND時，不能向?qū)Ш蛢r帶提供電子和空穴，稱為雜質(zhì)的高度補償,說明類氫模型的優(yōu)點和不足。優(yōu)點：基本上能夠解釋淺能級雜質(zhì)電離能的小的差異，計算簡單缺點：只有電子軌道半徑較大時，該模型才較適用，如Ge.相反，對電子軌道半徑較小的，如Si，簡單的庫侖勢場不能計入引入雜質(zhì)中心帶來的全部影響。.睇化鈿的禁帶寬度Eg=0.18eV,相對介電常數(shù)？=二17,電子的有效質(zhì)量mn=0.015m）,m0為電子的慣性質(zhì)量，求①施王雜質(zhì)的電離能，②施王的弱束縛電子基態(tài)軌道半徑。8.磷化錢的禁帶寬度Eg=2.26eV,相對介電常數(shù)？r=11.1,空穴的有效質(zhì)量mp=0.86m3,m。為電子的慣性質(zhì)量，求①受主雜質(zhì)電離能；②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。第三章習題和答案2.計算能量在E=E到EEc嗎=之間單位體積中的量子態(tài)數(shù)。2mnL2解.試證明實際硅、錯中導帶底附近狀態(tài)密度公式為式（3-6）。.當E-Ef為1.5koT,4koT,10koT時，分別用費米分布函數(shù)和玻耳茲曼分布函數(shù)計算電子占據(jù)各該能級的概率。費米能級費米函數(shù)玻小茲曼分布函數(shù)1.5koT0.1820.2234koT0.0180.018310k0T.畫出-78°G室溫(27°C)、500oC三個溫度下的費米分布函數(shù)曲線，并進行比較。.利用表3-2中的min,m*p數(shù)值，計算硅、錯、神化錢在室溫下的NCN以及本征載流子的濃度。.計算硅在-78°C,270G300oC時的本征費米能級，假定它在禁帶中間合理嗎？Si的本征費米能級， Si:mn1.08m0,mp0.59m0EcEv3kT1mp所虛假設本林費米能窕在禁帶中憫喬ln,m利是溫度不太高的情況下。3kT0.59m0當T1 195K時，kT1 0.016eV, ln 0.0072eV 4 1.08m0.①在室溫下，錯的有效態(tài)密度 N=1.05?10kfm,a=3.9?10cm,試求錯的載流子有效當T2 300K時，kT2 0.026eV, ln 0.012eV一一， 4一. 1.08 一. .、、一.質(zhì)量n*nm*po計算77K時的K和N/O已知300K時，E=R.67eV。77k時E=0.76eV。求這兩個當T2 573K時，kT3 0.0497eV,3kTln 0.022eV4 .1.08溫度時錯的本征載流子濃度。②77K時，錯的電子濃度為1017cm3,假定受主濃度為零，而7.(1)根據(jù)Nc-E202TmV「2求錯中施主濃度Ed為多少?k°Tmp3Nvmnmp2( 2—)■Nvmnmp2 8.利用題7所給的N和N/數(shù)值及Eg=0.67eV,求溫度為300K和500K時，含施主濃度22 N=5?501rmm3,5.140MkgN=2?1C9cm3的錯中電子及空穴濃度為多少？k°T 22 2' 1 2V9｝算施用89300K&怖3領留)二￥0%13年盛3/娜3在室溫下的費米能級，并假定雜k°T 2 1券質(zhì)是全需磴9再用算帳Nv熱褥戰(zhàn)核病"015，斯貿(mào)定是否在每一種情況下都成根據(jù)電中性條件：立。計算和的6市解N〃導曲底忑的面的0.05eVo22 n：叫(叫Na)n"0n°p。niTOC\o"1-5"\h\zNdNa/NdNa、2 2；2n0 2—( 2—) niNAND/NaNd222p ( )n

.以施主雜質(zhì)電離90%乍為強電離的標準，求摻種的n型錯在300K時，以雜質(zhì)電離為主的飽和區(qū)摻雜質(zhì)的濃度范圍。.若錯中施主雜質(zhì)電離能？G=0.01eV,施主雜質(zhì)濃度分別為ND=1014cm3j及1017cm3。計算①99%t離；②90%t離；③50%fe離時溫度各為多少？.若硅中施主雜質(zhì)電離能？Eo=0.04eV,施主雜質(zhì)濃度分別為1015cm3,1018cm3。計算①99%電離；②90%fe離；③50%fe離時溫度各為多少？TOC\o"1-5"\h\z.有一塊摻磷的n型硅，N=1015cm3,分別計算溫度為①77K;②300K;③500K;④800K時導帶中電子濃度（本征載流子濃度數(shù)值查圖 3-7）.計算含有施主雜質(zhì)濃度為N=9?1015cm3,及受主雜質(zhì)濃度為1.1?1016cm3,的硅在33K時的電子和空穴濃度以及費米能級的位置。.摻有濃度為每立方米為1022硼原子的硅材料，分別計算①300K;②600K時費米能級的位置及多子和少子濃度（本征載流子濃度數(shù)值查圖 3-7）。.摻有濃度為每立方米為1.5?1023種原子和立方米5?1022鈿的錯材料，分別計算①300K;②600K時費米能級的位置及多子和少子濃度（本征載流子濃度數(shù)值查圖 3-7）。.施主濃度為1013cmi的n型硅，計算400K時本征載流子濃度、多子濃度、少子濃度和費米能級的位置。13 3 13 3ND10/cm,400K時，ni110/cm（查表）8di。已17D硅AN型度12-8di。已17D硅AN型度12-'(34.OL:匕匕質(zhì)雜溫室唬1?Va￡14半電離時費米能級的EF Ei k0Tln—0.035ln1.6210 0.017eVni 110.求室溫下?lián)巾膎型硅，使Ef=(Ec+E)/2時睇的濃度。已知睇的電離能為0.039eV.制造晶體管一般是在高雜質(zhì)濃度的n型襯底上外延一層n型外延層，再在外延層中擴散硼、磷而成的。(1)設n型硅單晶襯底是摻睇的，睇的電離能為0.039eV,300K時的Ef位于導帶下面0.026eV處，計算睇的濃度和導帶中電子濃度。(2)設n型外延層雜質(zhì)均勻分布，雜質(zhì)濃度為4.6?1015cm3,計算300K時Ef的位置及電子和空穴濃度。(3)在外延層中擴散硼后，硼的濃度分布隨樣品深度變化。設擴散層某一深度處硼濃度為5.2?1015cm3,計算300K時Ef的位置及電子和空穴濃度。(4)如溫度升到500K,計算③中電子和空穴的濃度(本征載流子濃度數(shù)值查圖 3-7)。.試計算摻磷的硅、錯在室溫下開始發(fā)生弱簡并時的雜質(zhì)濃度為多少？.利用上題結(jié)果，計算摻磷的硅、錯的室溫下開始發(fā)生弱簡并時有多少施主發(fā)生電離？導帶中電子濃度為多少?第四章習題及答案1.300K時，Ge的本征電阻率為47?cm，如電子和空穴遷移率分別為3900cm/(V.S)和1900cm/(V.S)。試求Ge的載流子濃度。解：在本征情況下，np^,解：在本征情況下，np^,由 1/nqun pqup cq(Un——知up).試計算本征Si在室溫時的電導率，設電子和空穴遷移率分別為 1350cm/(V.S)和解：300K時,un1350cm2/(V解：300K時,un1350cm2/(VS),up500cm2/(VS),查表3-2或圖3-7可知，室溫下Si的本征載流子濃度約為ni1.01010cm3本征情況下,1 1 . …一…金鋼石結(jié)構(gòu)一個原胞內(nèi)的等效原子個數(shù)為816148個，查看附錄B知Si的晶格金鋼石結(jié)構(gòu)一個原胞內(nèi)的等效原子個數(shù)為8 2常數(shù)為0.543102nm,則其原子密度為常數(shù)為0.543102nm,則其原子密度為 8(0.543102107)322 3510cm。摻入百萬分之一的As,摻入百萬分之一的As,雜質(zhì)的濃度為Nd5102251016cm3,雜質(zhì)全部電離1000000后，Nd q,這種情況下，查圖4-14(a)可知其多子的遷移率為800cm2/(V.S)比本征情況下增大了一一64T2.1106倍310.電阻率為10?.m的p型Si樣品，試計算室溫時多數(shù)載流子和少數(shù)載流子濃度。解：查表4-15(b)可知，室溫下，10?.m的p型Si樣品的摻雜濃度NA約為1.51015cm3查表3-2或圖3-7可知，室溫下Si的本征載流子濃度約為ni1.01010cm3,Nan.0.1kg的Ge單晶，摻有3.2?10-9kg的Sb,設雜質(zhì)全部電離，試求該材料的電阻率？?n=0.38m/(V.S),Ge的單晶密度為5.32g/cm3,Sb原子量為121.8?。5.32解：該Ge單晶的體積為：V0.1100018.8cm3;5.329Sb摻雜的濃度為：ND 6.0251023/18.88,421014cm3121.8查圖3-7可知，室溫下Ge的本征載流子濃度ni21013cm3,屬于過渡區(qū).500g的Si單晶，摻有4,5?10-5g的B,設雜質(zhì)全部電離，試求該材料的電阻率？?p=500cm/(V.S),硅單晶密度為2.33g/cm3,B原子量為10.8?。解：該Si單晶的體積為：V-500214.6cm3;2.335B摻雜的濃度為：NA 6.0251023/214.61,171016cm310.8查表3-2或圖3-7可知，室溫下Si的本征載流子濃度約為ni1.01010cm3。因為Nani,屬于強電離區(qū)， pNa1.121016cm36,設電子遷移率0.1m2/(V?S),Si的電導有效質(zhì)量m=0.26m3,加以強度為104V/m的電場,試求平均自由時間和平均自由程。解：由nq」知平均自由時間為mcc由于電子做熱運動，則其平均漂移速度為平均自由程為7,長為2cm的具有矩形截面的G樣品，截面線度分別為1mn#口2mm摻有1022m3受主，試求室溫時樣品的電導率和電阻。再摻入 5?1022m3施主后，求室溫時樣品的電導率和電阻。解：Na101022m31.01016cm3,查圖4-14(b)可知，這個摻雜濃度下，Ge的遷移率up為1500cm2/(V.S),又查圖3-7可知，室溫下Ge的本征載流子濃度q21013cm3,NaQ,屬強電離區(qū)，所以電導率為電阻為摻入5?1022m3施主后總的雜質(zhì)總和NiNdNa6.01016cm3,查圖4-14(b)可知，這個濃度下，Ge的遷移率Un為3000cm2/(V.S),電阻為8.截面積為0.001cm2圓柱形純Si樣品，長1mm接于10V的電源上，室溫下希望通過0.1A的電流，問：①樣品的電阻是多少？②樣品的電阻率應是多少？③應該摻入濃度為多少的施主？解：①樣品電阻為RV共100I0.1/qA.XV：口rhIZlzfAT,Rs1000.001②樣品電阻率為 - 1cml0.1③查表4-15(b)知，室溫下，電阻率1cm的n型Si摻雜的濃度應該為51015cm3。9.試從圖4-13求雜質(zhì)濃度為1016cm3和1018cm3的Si,當溫度分別為-50OC和+150OC時的電子和空穴遷移率。解：電子和空穴的遷移率如下表，遷移率單位cm/(V.S)濃度1016cm31018cm3溫度-50OC+150OC-50七+150OC電子2500750400350空穴800600200100.試求本征Si在473K時的電阻率。解：查看圖3-7,可知，在473K時，Si的本征載流子濃度ni5.01014cm3,在這個濃度下，查圖4-13可知道un600cm2/(Vs),up400cm2/(Vs).截面積為10-3cn2,摻有濃度為1013cm3的p型Si樣品，樣品內(nèi)部加有強度為103V/cm的電場，求；①室溫時樣品的電導率及流過樣品的電流密度和電流強度。②400K時樣品的電導率及流過樣品的電流密度和電流強度。解:①查表4-15(b)知室溫下，濃度為1013cm3的p型Si樣品的電阻率為 2000cm,則電導率為1/ 5104S/cm。電流密度為J E51041030.5A/cm2電流強度為IJs0.51035104A②400K時，查圖4-13可知濃度為1013cm3的p型Si的遷移率約為uD500cm2/(Vs),則p電導率為 pquD10131.60210195008104S/cmp電流密度為J E81041030.8A/cm2電流強度為IJs0.81038104A.試從圖4-14求室溫時雜質(zhì)濃度分別為10：1016,1017cm3的p型和n型Si樣品的空穴和電子遷移率，并分別計算他們的電阻率。再從圖 4-15分別求他們的電阻率。濃度(cm3)）八1510）八1610）八1710N型P型N型P型N型P型遷移率（cm2/（V.S））（圖4-14）13005001200420690240電阻率p（Q.cm）4.812.50.521.50.090.26電阻率p（Q.cm）（圖4-15）4.5140.541.60.0850.21硅的雜質(zhì)濃度在1015-1017cm3范圍內(nèi)，室溫下全部電離，屬強電離區(qū)，nND或pNA1 1電阻率計算用到公式為 或'pqup nqun.摻有1.1?1016硼原子cm3和9?1015磷原子cm3的Si樣品，試計算室溫時多數(shù)載流子和少數(shù)載流子濃度及樣品的電阻率。解：室溫下，Si的本征載流子濃度ni1.01010/cm3有效雜質(zhì)濃度為：NaNd1.110169101521015/cm3 Q,屬強電離區(qū)多數(shù)載流子濃度pNaNd21015/cm32 20少數(shù)載流子濃度n叱110155104/cm3P0 21015總的雜質(zhì)濃度NiNaNd21016/cm3,查圖4-14(a)知，up多子400cm2/Vs,Un少子1200cm2/Vs電阻率為14.截面積為0.6cm2、長為1cm的n型GaAs羊品，設Un=8000cm2/(V?S),n=1015cm-3,試求樣品的電阻。? 1 1解： 招行 0.78.cmnqun1.60210- 110 8000電阻為R-0.781/0.61.3s15.施主濃度分別為1014和1017cm3的兩個Ge樣品，設雜質(zhì)全部電離:

①分別計算室溫時的電導率;②若于兩個GaA+羊品，分別計算室溫的電導率解：查圖4-14(b)知遷移率為施土濃度樣品1014cm-31017cm3Ge48003000GaAs80005200Ge材料,濃度為1014cm3nqun1.60210-19101448000.077S/cm濃度為1014cm3nqun1.60210-19101448000.077S/cm濃度為1017cm3nqun1.60210-191017300048.1S/cmGaAsGaAs材料,濃度為1014cm3nqun1.60210-19101480000.128S/cm濃度為1014cm3nqun1.60210-19101480000.128S/cm濃度為1017cm3nqun1.60210-191017520083.3S/cm16.分別計算摻有下列雜質(zhì)的Si,16.分別計算摻有下列雜質(zhì)的Si,在室溫時的載流子濃度、遷移率和電阻率:①硼原子3?1015cm3;②硼原子1.3?1016cm3+磷原子1.0?1016cm3③磷原子1.3?1016cm3+硼原子1.0?1016cm④磷原子3?1015cm3+錢原子1?1017cm3+種原子1?1017cm3。解：室溫下，Si的本征載流子濃度ni1.01010/cm3②硼原子1.3?1016cm3+磷原子1.0?1016cm3③磷原子1.3?1016cm3+硼原子1.0?1016cm④磷原子3?1015cm3+錢原子1?1017cm3+種原子1?1017cm3。解：室溫下，Si的本征載流子濃度ni1.01010/cm3硅的雜質(zhì)濃度在1015-1017cm3范圍內(nèi),室溫下全部電離，屬強電離區(qū)。①硼原子3?1015cm3查圖4-14(a)知，p480cm2/Vs②硼原子1.3?1016cm3+磷原子1.0?1016cm3PNaNd(1.31.0)1016/cm331015/3cm,n2nip11020310153.3104/cm3NiNaNd2.31016/cm3,查圖4-14(a)知,d350cm2/Vp③磷原子1.3?1016cm3+硼原子1.0?1016cmnNd16 3 15 3Na(1.31.0)10/cm310/cm,pni211020

n310153.3104/cm3NiNaNd2.31016/cm3,查圖4-14(a)知,n1000cm2/Vs④磷原子nNdiNaNd231015/cm3,p止11015 3.3104/cm3A n31015NiNAND1ND22.031017/cm3,查圖4-14(a)知，n500cm2/Vs17.①證明當Un?Up且電子濃度n=n(up/un,pni?Un『Up時，材料的電導率最小，并求？min的表達式。2解：pqupnqun，qupnqunnd 2令一0 (Tupun)0nni.up/un,pQ.Uu/Updn n因此，nni，Up/Un為最小點的取值②試求300K時GeW口Si樣品的最小電導率的數(shù)值，并和本征電導率相比較。查表4-1,可知室溫下硅和錯較純樣品的遷移率Si:min 2qni uuup- 21.60210191 1010 .14505002.73107S/cmGe:min 2qni uuup- 21.60210191 1010 380018008.38106S/cm18.InSB的電子遷移率為7.5m2/(V?S),空穴遷移率為0.075m2/(V?S),室溫時本征載流子濃度為1.6?1016cm3,試分別計算本征電導率、電阻率和最小電導率、最大電導率。什么導電類型的材料電阻率可達最大。解：iqni(upun)1.60210191.61016(75000750)194.2S/cm借用17題結(jié)果當nni^'Up/Un,pRJ./Up時,電阻率可達最大，這時nnJ750/75000pnJ75000/750,這時為P型半導體。.假設S?i中電子的平均動能為3公丁/2,試求室溫時電子熱運動的均方根速度。如將Si置于10V/cm的電場中，證明電子的平均漂移速度小于熱運動速度，設電子遷移率為15000cm/(V?S).如仍設遷移率為上述數(shù)值，計算電場為 104V/cm時的平均漂移速度，并與熱運動速度作一比較，。這時電子的實際平均漂移速度和遷移率應為多少？.試證G的電導有效質(zhì)量也為第五章習題.在一個n型半導體樣品中，過?？昭舛葹?013cm3,空穴的壽命為100us。計算空穴的復合率。.用強光照射n型樣品，假定光被均勻地吸收，產(chǎn)生過剩載流子，產(chǎn)生率為 ，空穴壽命為？(1)寫出光照下過剩載流子所滿足的方程；(2)求出光照下達到穩(wěn)定狀態(tài)時的過載流子濃度。.有一塊n型硅樣品，壽命是1us,無光照時電阻率是10??cm今用光照射該樣品，光被半導體均勻的吸收，電子-空穴對的產(chǎn)生率是1022cm3?s-1,試計算光照下樣品的電阻率，并求電導中少數(shù)在流子的貢獻占多大比例？.一塊半導體材料的壽命？=10us,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，試求光照突然停止20us后，其中非平衡載流子將衰減到原來的百分之幾?.n型硅中，摻雜濃度N=1016cm3,光注入的非平衡載流子濃度？n=?p=1014cm3。計算無光照和有光照的電導率。.畫出p型半導體在光照（小注入）前后的能帶圖，標出原來的的費米能級和光照時的準費米能級。EcEEfEv光照前EcEFnEfpE光照后7.EcEEfEv光照前EcEFnEfpE光照后7.摻施主濃度N=1015cm3的n型硅，由于光的照射產(chǎn)生了非平衡載流子？n=?p=104cm3。試計算這種情況下的準費米能級位置，并和原來的費米能級作比較EFnEik0T1nn.

?.在一塊p型半導體中，有一種復合-產(chǎn)生中心，小注入時，被這堂中心