技 基本知磁硬 硬 器磁頭及盤片結(jié)硬 技下一代硬 技 技熱輔助 技 基本知 OberlinSmith, ：相當(dāng)于讀寫 C：相當(dāng)于記錄介研制的人類第一臺(tái)鋼絲機(jī)，因?yàn)楫?dāng)ValdemarPoulsen, 1928年，F(xiàn)ritzPfleumer請(qǐng)了磁 專FritzPfleumer,

America Philipsof (HAMR+Pattern)orSolidstateor

ArealArealdensity

技術(shù)的發(fā)

(HAMR

1956IBM5MB,50

Patternmagnetic

Heatassistantmagnetic195519601965197019751980198519901995200020052010DownsizingofRecordingBitinHDD 的特記錄密度高 容量大信息的寫入和輸出速度快，可以立即重放和再磁記錄介質(zhì)可以多次重復(fù)的信息穩(wěn)定性 伺服機(jī)械裝置的精密度要磁學(xué)基礎(chǔ)磁場(chǎng)是物質(zhì)的一種特殊形磁場(chǎng)的存在表現(xiàn)為對(duì)磁體或運(yùn)動(dòng)的電荷具有作磁場(chǎng)強(qiáng)度的單位有A/m(安/米)或(Oe)。＝1＋H

鐵磁性化合物：－Fe2O3、CrO2、CoCr、CoPt、FePt、SmCo5與FeCoNi合金等。磁疇結(jié)漸增大，此現(xiàn)象包括疇壁移動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)兩個(gè)過(guò)程技術(shù)磁化磁化（1）M隨H呈線性地緩慢（2）M隨H急劇增長(zhǎng)，不可 （3）M的增長(zhǎng)趨于緩慢。磁磁化過(guò)程四階段：（4） 磁性材料的技術(shù)磁參化學(xué)成 MS:飽和磁化強(qiáng)度磁滯現(xiàn)象和磁滯磁滯現(xiàn) （ 磁滯回化，也容易退磁（磁頭材料(a)硬磁材料(b)軟磁材料的磁滯磁各向單晶體的易磁化和難磁化磁各向異性的磁晶各向異性退磁效鐵磁體內(nèi)部的總磁場(chǎng)Hi應(yīng)當(dāng)是外磁場(chǎng)H和退磁場(chǎng)Hd的矢量螺旋管電變化的磁場(chǎng)可以 原磁是利用表面磁介質(zhì)作為記錄信息的，以磁介質(zhì)的 信息寫信息的從而完成了信號(hào)的過(guò)程。信息的擦信號(hào)在記錄介質(zhì)過(guò)程中，不允許外加的雜散磁場(chǎng)超 系統(tǒng)的基本結(jié)磁頭（傳統(tǒng)的感應(yīng)磁頭按功能可分原理：電磁感記錄過(guò) 讀出過(guò)感應(yīng)磁頭的磁頭磁芯：軟磁材特性：高磁導(dǎo)率、高飽和磁化強(qiáng)度、高硬度記錄磁頭和消磁磁頭具有高飽和磁化強(qiáng)度和低矯頑力重放磁頭對(duì)于磁頭靜止的場(chǎng)合，如用磁帶記錄的設(shè)備，往對(duì)于磁頭移動(dòng)的場(chǎng)合，如磁盤機(jī)或螺旋式掃描電和提高數(shù)據(jù)速率，因此由一個(gè)磁頭完成讀寫及消薄膜磁體積小、頻響寬、分辨率高、慣量小(a)垂直(b)水平磁記錄介性能要求磁矯頑力適當(dāng)高，以有效信息，抵抗環(huán)境干擾，減小自退磁效應(yīng)，提高信息密度電消抹電路：向消抹磁頭線圈提供高頻振蕩電流以產(chǎn)生伺服機(jī)作用：自 包括：工作要求：穩(wěn)定、準(zhǔn)確和可靠磁 的特磁 介質(zhì)穩(wěn)定性數(shù) 磁 系統(tǒng)示意圖磁 系統(tǒng)示意圖磁組成信號(hào)信噪比磁性材料：磁信號(hào)信噪比磁磁性粉末顆粒越＋帶對(duì)帶基材料性能要霉。溫度伸縮度系數(shù)低于0.01醋酸纖維聚氯乙烯聚酯(PET)薄粘結(jié)劑和添加特性要耐腐蝕，使用溫度范圍磁帶生產(chǎn)磁帶生產(chǎn)工序示意磁 的發(fā)展方數(shù)據(jù)備份的主要磁帶備份 桌面?zhèn)浞葜屑?jí)備份企業(yè)級(jí)1、桌面?zhèn)浞莘桨福篞IC磁帶系面向單機(jī)數(shù)據(jù)備份和冗 的系統(tǒng)磁帶備 4mmDAT磁帶備份系統(tǒng)：?jiǎn)螏萘?mmDAT磁帶備份系統(tǒng)：?jiǎn)螏萘?、企業(yè)級(jí)備份方案：IBM34803490磁帶備份系統(tǒng)磁帶支持的備份 Example:InsidetheHardHard-

ConnectionVent

Arms&

Multiple&

High-linear硬

硬盤記錄系Datarate~硬盤記錄系統(tǒng)的尺寸微硬盤記錄系統(tǒng)-磁頭飛硬盤頭盤間磁電阻（magneto-resistivity－MR）效應(yīng)1988年，在FeCr FeCr多層膜系統(tǒng)在42K溫度時(shí)的二流體模1936年,Mott將二流體模型擴(kuò)展到鐵磁性金屬。認(rèn)為T<<Tc時(shí),自似地，總電阻是獨(dú)立的兩種自旋電子流的電阻值。ρ＝（ρ↑×ρ↓）/（ρ↑＋ρ↓）。鐵磁金屬的Fermi面附近，s-與d-電子共存。磁層磁化強(qiáng)度矢量反向排列時(shí),電子 自旋方向與鐵磁層磁化強(qiáng)度矢量平行排列時(shí),電子受到散射作用很弱。納米磁性多層膜中巨磁阻效應(yīng) 高的室溫MR,即由外加磁場(chǎng)引起的室溫電阻變化率高低的工作磁場(chǎng),即在較低的外加磁場(chǎng)強(qiáng)度下得到高高的穩(wěn)定性,即對(duì)環(huán)境條件(溫度、濕度、振動(dòng)等)化時(shí),MR 硬盤盤片及其生產(chǎn)工硬盤盤片概硬盤盤片膜層結(jié)硬盤盤片磁性層特硬盤盤片生產(chǎn)工硬盤 數(shù)據(jù)的介質(zhì)（載體）硬盤盤片膜層 1、磁性Hc矯頑場(chǎng)較Ms:飽和磁化強(qiáng)度較Mr:剩余磁化強(qiáng)度Mrδ剩磁厚度積δ薄膜厚)S:剩磁矩形比(Mr/Ms)要大SFD：開(kāi)關(guān)場(chǎng)分布要 ：?jiǎn)屋S磁各向異性能磁晶晶向特性晶粒具有一致的取向生非磁性元素，具有較硬盤盤片的生產(chǎn)Cr(Ru)UnderCr(Ru)Under

②濺 ③DLC

潤(rùn)盤片

潤(rùn)滑CCCCCCCCMMMMMMMM

Dip生產(chǎn)線上的硬盤工藝環(huán)節(jié)：濺射原理電子捕磁控濺本底真空

磁控濺射工藝參本底真空度是指充入濺射氣體之前濺射腔內(nèi)所達(dá)到的真空度濺射氣濺射功(4靶基2m。（5)濺射時(shí)加。(6)基片溫基片溫度是決定薄膜結(jié)構(gòu)的重要因素。時(shí)采用較高的基片加熱溫度就相當(dāng)于薄膜在形成