當(dāng)前全球進(jìn)入信息時(shí)代，電子信息技術(shù)飛速發(fā)展，上個(gè)世紀(jì)90年代中期先進(jìn)工業(yè)國(guó)家的集成電路夸人高密度封裝時(shí)代，是人們將整機(jī)性能的提高更多地轉(zhuǎn)向產(chǎn)品的封裝技術(shù)。隨著IC芯片技術(shù)的發(fā)展，其性能的提高促進(jìn)了電子封裝產(chǎn)業(yè)的急速發(fā)展。通孔插裝時(shí)代以TO型封裝和雙列直插封裝為代表，表面貼裝時(shí)代的代表是小外形封裝（SOP）和四邊引腳扁平封裝（QFP）。3D封裝是指在不改變封裝體尺寸的前提下，在同一封裝體內(nèi)垂直方向疊放兩個(gè)以上芯片。半導(dǎo)體封裝技術(shù)的提高主要體現(xiàn)在它的封裝形式通過(guò)工藝的不斷改進(jìn)而發(fā)展，但其工藝手段則通過(guò)工藝設(shè)備來(lái)實(shí)施。自電子封裝問(wèn)世后的約50年中，先后經(jīng)過(guò)三次重大的技術(shù)轉(zhuǎn)變，1：表面貼裝代替針腳插入2；球柵陣列BGA性封裝的出現(xiàn)3；多芯片系統(tǒng)SIP的出現(xiàn)由于CSP封裝和積層式多層板的出引入，IC產(chǎn)業(yè)邁入高密度封裝時(shí)代，目前主要特征及發(fā)展趨勢(shì)如下；1）晶圓級(jí)封裝：基于在芯片周邊焊區(qū)的再布線技術(shù)形成的凸點(diǎn)與焊球技術(shù)。2）疊層封裝技術(shù)：在一個(gè)芯腔/基板上將多個(gè)芯片垂直堆疊起來(lái)。3）系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)：：一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件（或無(wú)源元件）集成在一個(gè)工業(yè)界標(biāo)半導(dǎo)體封裝內(nèi)。4）3D系統(tǒng)集成：直接穿過(guò)有源電路的多層互連結(jié)構(gòu)，顯著提高系統(tǒng)性能。5）片式元件：小型化、高性能晶圓減薄機(jī)關(guān)鍵零部件?⑴承片臺(tái)：多空陶瓷材料，接觸面積減小，解決了污染顆粒影響晶片平面度?⑵分度工作臺(tái)：多套承片臺(tái)均勻分布在360°的分度工作臺(tái)圓周上。?⑶空氣靜壓電主軸：主軸剛度是磨削順利進(jìn)行并形成高表面質(zhì)量的條件。?⑷磨輪進(jìn)給系統(tǒng)：低速進(jìn)給速度的能力和平穩(wěn)性是關(guān)鍵技術(shù)。?⑸折臂機(jī)械手：具有四個(gè)自由度，定位精度為0?01mm芯片鍵合技術(shù)?共晶鍵合：在芯片底部或封裝基底預(yù)先涂敷共晶鍵合材料。然后將芯片放置在封裝基底相應(yīng)的位置上。然后加熱、加壓，并驅(qū)動(dòng)芯片往復(fù)摩擦。共晶鍵合材料均為導(dǎo)電材料，在完成芯片機(jī)械固定的同時(shí)也在芯片和封裝之間形成電氣連接。黏合劑鍵合：在封裝基板上涂布黏合劑，讓后放置芯片，對(duì)芯片施壓，最后黏合劑在烘箱中加熱固化，形成鍵合界面。常用材料：普通環(huán)氧樹(shù)脂（絕緣）和銀微粒填充的環(huán)氧樹(shù)脂（導(dǎo)電）。芯片鍵合設(shè)備：主要組成部分：?①承片臺(tái)：承載著芯片的藍(lán)膜框架，驅(qū)動(dòng)其在XY兩個(gè)方向運(yùn)動(dòng)以便取芯。?②點(diǎn)膠系統(tǒng)：涂覆黏合劑，分點(diǎn)蘸式和噴涂式。?③鍵合頭：完成芯片的拾取和放置，分?jǐn)[臂式和直線式。?④視覺(jué)系統(tǒng)：由光路、照明和攝像頭組成。用于芯片自動(dòng)定位。?⑤物料傳輸系統(tǒng)：