標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 15909-1995 電子工業(yè)用氣體 硅烷(SiH4)》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了電子工業(yè)中所使用的硅烷(SiH4)氣體的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求,旨在確保硅烷氣體的質(zhì)量滿足電子工業(yè)生產(chǎn)過程中的特定需求。以下是對(duì)該標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的展開說明:
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范圍:明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用于以硅烷為主要成分,用于電子器件制造過程中的高純度硅烷氣體。規(guī)定了其適用的純度等級(jí)、雜質(zhì)含量限制及其它關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo)。
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規(guī)范性引用文件:列出了執(zhí)行本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)需要參考的其他相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范文件,這些文件對(duì)于理解及實(shí)施具體測試和評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)至關(guān)重要。
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術(shù)語和定義:對(duì)硅烷及其相關(guān)專業(yè)術(shù)語進(jìn)行定義,幫助讀者準(zhǔn)確理解標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。
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要求:
- 純度:規(guī)定了硅烷氣體的最低純度要求,通常要求極高純度以避免雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體器件性能的影響。
- 雜質(zhì)含量:詳細(xì)列出了可能存在的雜質(zhì)元素(如氧、氮、碳?xì)浠衔锏龋┘捌渥畲笤试S含量,確保這些雜質(zhì)不會(huì)對(duì)最終產(chǎn)品的性能造成不良影響。
- 物理性質(zhì):雖不直接作為質(zhì)量控制指標(biāo),但可能提供了關(guān)于氣體存儲(chǔ)和運(yùn)輸條件的信息。
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試驗(yàn)方法:描述了如何通過化學(xué)分析、氣相色譜法等手段來測定硅烷的純度及雜質(zhì)含量,確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。
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檢驗(yàn)規(guī)則:包括了產(chǎn)品出廠前的檢驗(yàn)項(xiàng)目、抽樣方法、合格判定準(zhǔn)則等,確保每批次硅烷氣體均符合標(biāo)準(zhǔn)要求。
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包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和儲(chǔ)存:
- 包裝:規(guī)定了硅烷氣體應(yīng)采用的容器材質(zhì)、密封要求,以防止氣體泄漏和外界污染。
- 標(biāo)志:要求在包裝上明確標(biāo)注產(chǎn)品名稱、批號(hào)、純度等級(jí)、生產(chǎn)日期、有效期及安全警示等信息。
- 運(yùn)輸:提供了運(yùn)輸過程中應(yīng)遵循的安全措施和注意事項(xiàng),以防止事故和保持氣體品質(zhì)。
- 儲(chǔ)存:指明了硅烷氣體的理想儲(chǔ)存條件,如溫度、壓力、避光及遠(yuǎn)離火源等,以維持其穩(wěn)定性和純度。
該標(biāo)準(zhǔn)為電子工業(yè)領(lǐng)域內(nèi)硅烷氣體的生產(chǎn)、檢測、銷售及使用提供了一套全面而嚴(yán)格的質(zhì)量控制框架,保障了半導(dǎo)體制造業(yè)原材料的質(zhì)量安全與可靠性。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 15909-2009
- 1995-12-20 頒布
- 1996-08-01 實(shí)施
文檔簡介
1CS71.100.20G86中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)CB/T15909一1995電子工業(yè)用氣體硅烷(SiH4)Gasforelectronicindustry-Silane1995-12-20發(fā)布1996-08-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)cB/T15909-1995電子工業(yè)用氣體硅烷(SiHI)Gasforelectronicindustry-Silane1主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子工業(yè)用硅烷氣體的技術(shù)要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸、財(cái)存和安全要求等。本標(biāo)準(zhǔn)主要用于電子工業(yè)中多品硅和單品硅外延淀積、二氧化硅的低溫化學(xué)汽相淀積、非品硅薄膜淀積等。分子式:SiH相對(duì)分子質(zhì)量:32.117(按1991年國際相對(duì)原子質(zhì)量)。101.3kPa下的沸點(diǎn):一112C。20℃和101.3kPa下氣體密度:1.342kg/m2。-185C下液體密度:711kg/m2。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB190危險(xiǎn)貨物包裝標(biāo)志!無機(jī)化工產(chǎn)品中氯化物含量測定的通用方法GB/T3051量法GB/T5274體分析枚準(zhǔn)用混和氣體的制備·稱量法GB/T5832.1氣體中微量水分的測定電解法GB7144氣瓶顏色標(biāo)記3技術(shù)要求3.1質(zhì)量指標(biāo)硅烷的質(zhì)量應(yīng)符合下表的要求。對(duì)硅燒中重金屬和顆粒的要求由供方與用戶商定。純度:10-一氧化碳和二氧化碳(CO+CO.),10°氯化物總量(包括氯硅燒.HCI等可離子化的氯化物),10-100烴(C~C,),10-氫(H.),10-。9001復(fù)(N.),10-氧(0.),10-水(H.O)
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