Dng621.315.6133L90中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T3352-94人造石英晶體Syntheticguartzcrystal1994-12-31發(fā)布1995-08-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T3352-94造石英代替GB3352-82Syntheticguartzcrystal本標(biāo)準(zhǔn)等效采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC758（1993）人造石英品體》主題內(nèi)客與適用范圍1.1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了人造石英晶體的術(shù)語(yǔ)和定義，技術(shù)要求，檢驗(yàn)方法，檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、心1.2本標(biāo)準(zhǔn)適用于供制作頻率控制和選擇用壓電元件的人造石英品體。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB2828逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)SJ/Z9152.1頻率控制與選擇用石英晶體元件中第一部分：標(biāo)準(zhǔn)值和試驗(yàn)條件3術(shù)語(yǔ)和定義3.1水熱法晶體生長(zhǎng)hydrothermalcrystalgrowth人造石英晶體的生長(zhǎng)是在裝有堿性溶液的高壓條中在高溫(330℃～400℃)和壓力（80MPa～200MPa)下進(jìn)行的.高壓經(jīng)分為兩個(gè)區(qū)域：在較高溫度的溶解區(qū)裝有原料石英碎塊，較低溫度的生長(zhǎng)區(qū)裝有切好的籽晶。3.2人造石英晶體syntheticquartzcrystal用水熱法生長(zhǎng)的石英晶體,既可以是左旋的晶體，也可以是右旋的晶體。3.3籽晶seed用作晶體生長(zhǎng)的晶核，其截面為矩形的晶片或晶條。3.4生長(zhǎng)區(qū)城growthzones沿不同結(jié)晶方向生長(zhǎng)的人造石英晶體的區(qū)域,見(jiàn)圖1。3.5S人造石英品體取向orientationofasyntheticquartzcrystal按第3.6條所規(guī)定直角坐標(biāo)的籽品的取向。3.6石英晶體的直角坐標(biāo)系和品面definitionoftheorthnalaxialsystemofaquartzerystal石英晶體的直角坐標(biāo)系和品面見(jiàn)圖2所示。注：Z切籽品可以取向在與丫軸的夾角小于20°,在此情況下，坐標(biāo)體系為X,Y,乙"。3.7尺寸dimensions生長(zhǎng)在與Y軸夾角小于20°的乙切籽品上的品體尺寸。3.7.1總的尺寸grossdimensions沿X,Y或”及乙軸測(cè)量的最大品體尺寸