標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 8359-1987 高速鋼中碳化物相的定量分析 X射線衍射儀法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，旨在通過(guò)X射線衍射技術(shù)對(duì)高速鋼中的碳化物相進(jìn)行定量化分析。該標(biāo)準(zhǔn)適用于各種類型的高速鋼材料，特別是那些含有復(fù)雜碳化物結(jié)構(gòu)的鋼材。其主要目的是為了提供一種科學(xué)、準(zhǔn)確的方法來(lái)測(cè)定這些材料中不同類型碳化物的比例，這對(duì)于評(píng)估材料性能以及指導(dǎo)生產(chǎn)過(guò)程具有重要意義。

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，首先需要準(zhǔn)備樣品，并確保樣品表面平整光滑以減少實(shí)驗(yàn)誤差。接著使用X射線衍射儀對(duì)樣品進(jìn)行掃描，獲取衍射圖譜。通過(guò)對(duì)所得圖譜上特定峰位強(qiáng)度的測(cè)量與分析，可以計(jì)算出各碳化物相相對(duì)于某一參考物質(zhì)（如α-Fe）的比例。這里涉及到的關(guān)鍵步驟包括選擇合適的衍射條件（如波長(zhǎng)、角度范圍等）、正確識(shí)別不同碳化物相產(chǎn)生的特征峰位置及強(qiáng)度、以及采用適當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)處理方法來(lái)進(jìn)行量化分析。

在實(shí)際操作過(guò)程中，還應(yīng)注意控制實(shí)驗(yàn)環(huán)境條件，比如溫度和濕度等因素，以保證測(cè)試結(jié)果的一致性和可靠性。此外，對(duì)于某些特殊情況下可能出現(xiàn)的干擾信號(hào)或非預(yù)期結(jié)果，也需要有相應(yīng)的解決策略和技術(shù)手段加以排除或修正。

此標(biāo)準(zhǔn)為研究者們提供了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化的操作流程，有助于提高不同實(shí)驗(yàn)室之間數(shù)據(jù)比較的一致性，同時(shí)也為企業(yè)提供了更加精確的質(zhì)量控制工具。


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  • 本標(biāo)準(zhǔn)已被廢除、停止使用，轉(zhuǎn)為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
  • 1987-12-07 頒布
  • 1989-01-01 實(shí)施
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UDC669.14.018.25：620.183.6H21中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB8359—87高速鋼中碳化物相的定量分析X射線衍射儀法Carbidesinhighspeedsteel-QuantitativephaseanalysisMethodofX-raydiffractometer1987-12-07發(fā)布1989-01-01實(shí)施家標(biāo)準(zhǔn)局國(guó)發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)UDC669.14.018·25：620.183高速鋼中碳化物相的定量分析GB8359—87X射線專衍射儀法Carbidesinhighspeedsteel-Quantitativephaseanalysis-MethodofX-raydiffractomcter本標(biāo)準(zhǔn)適用于渾火、退火、回火態(tài)的鴿系、鴿鉬系高速鋼中碳化物相MC、M23C6、MeC的X射線衍射定量分析。原理及計(jì)算公式當(dāng)高速鋼中的碳化物僅含有MC、M23C6、MeC三相時(shí),它們的含量與X射線衍射線累積強(qiáng)度之間有如下關(guān)系：·（1）式中：XMc、XMacu、Xwic-分別為MC、M23C6、MeC在碳化物總量中所占的重量分?jǐn)?shù);-分別為各碳化物相在特定品面上的衍射線累積強(qiáng)度；K湖、K-分別為MC和M23C6對(duì)M6C的衍射線強(qiáng)度比例常數(shù)，即K值（含義見(jiàn)GB5225-85《金屬材料定量相分析X射線衍射K值法》)。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定各碳化物相進(jìn)行測(cè)定的特定品面為：MC(1J1)M23C6(511)M6C(422)品面。本標(biāo)準(zhǔn)給出在CoK。輻射(后暨石墨單色器)條件下的K值為：K器一1.877、K器·一1.226-MC、M23C6、M6C在鋼中所占的重量百分含量由下式給出：Wvc二XMe·G分分別為MC、M23C6、M6C在鋼中所占的重量百分含量;表示MC、M23C6、M6C三種碳化物相的總量在鋼中所占的重量百分含量G采用電解萃取稱重法測(cè)定（見(jiàn)附錄A）。2試樣2.1制樣2.1.1把沿（111)晶面切割的單晶硅片鑲嵌在中空試樣框架內(nèi)，使晶片平面與平板試樣框架表面-致作為試樣載體22.1.2將電解萃取的陽(yáng)極沉淀物置于瑪瑙乳缽中，輕輕研散后，倒于單晶

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