功率半導體：電能轉換的載體功率半導體：功率分立器件與電源管理IC的集合功半導體以電能換為核的半導器件，過對電與電壓行調控現(xiàn)電在系統(tǒng)的形式換與傳分配，作用近于人體血液循系統(tǒng)，調整的電能送到對的用電端，為統(tǒng)運行供基礎障。在電供能基礎，傳感將外界、聲音壓力和度等物量轉換電信號通過模信號芯片將信號轉為數(shù)字號給數(shù)芯片進計算處并指導部分芯進功實。圖半導體分類及市場規(guī)模（22E）OiY理功率半導體包含分立器件及電源管理芯片且細分種類繁多，預計2022年總市場規(guī)模約為543億美元。功率半導體由分立功率器件與電源管理芯片組成；根據(jù)OMDA與Yole據(jù)2022全功半功器及源理片場模為543美元半體場9中分立功器件281億美電源管理芯片262億美元。盡管功率半導體市場規(guī)模遠小于數(shù)字芯片市場規(guī)模，但作電系底能流核，率導是子統(tǒng)常行基礎。功率器件：快速的電子“開關”功率器是快速的電“開關通過切“開與關狀態(tài)配其驅動電路實現(xiàn)電流與電壓狀態(tài)的改變。開內(nèi)部功能聯(lián)及交影響定開關的特，最終實現(xiàn)直流-直\交-交電壓高、電流率及電方向整流\變的變并用穩(wěn)器變器逆器整器及DCDC源。圖功率半導體-快速的電力電子“開關”待優(yōu)化OiY理功率器包括二極管晶閘管晶體管等品其中晶管包括雙極（BJ、場效應如MOSFET及絕緣型如IGBT等器。體按控性動式載子型維進分。表分立功率器件的分類及性能特點分方式類別器件性特點可性可型極管實單導，控功能控型閘管能現(xiàn)啟無自關，動路復雜控型體如ET實電開與斷驅電簡單驅方式流動型T極體管電驅器，要驅電、續(xù)動率壓動型ETT電驅器，動壓對流動，動率小載子類型極型ETD關度，作率，壓力差大流導損大極性T、D作率，態(tài)流、通關斷耗小合型T作率中耐能較，電區(qū)向性異理二極管極是由PN或特結(屬-導)成元件備向特即流向不（向決施電的向實交流整的能據(jù)應電范及構分整二管恢二管、TVS極及特二管。晶閘管：由PNPN四層半導體組成；當晶閘管接入正向電壓并產(chǎn)生足夠大的電時閘就導通于旦通門失而半型件于沒導和斷間放區(qū)此態(tài)阻小熱少受電流力強耐壓可接于制流。圖功率分立器件的分類理晶體管三端組的件通控三的流電實器的導通或關斷，包括雙極型（BJT）、場效應型如MOSET及絕緣柵型如IGT等器：BJ（BipolarTransistor）雙晶管具電放的能可將信轉成信號小（I基流發(fā)極×h（流流增益電從電流發(fā)極BJTs兩類型NPN和PNP型,NN包括耐電到耐電產(chǎn)；PNP主為受壓為400V以的品。MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）金屬-化半體效晶管過制極源極源之的壓可使電子在件中形成溝道”，現(xiàn)器件導通；過調節(jié)壓的大可以控制通電流小，最實現(xiàn)“開與“關”的換。由其為單型器件開關能，用低流度大約10kHz開電。IGB（InsulatedGateBipolarTransistor）絕柵極晶管作為MOSET和BJT組成復合功率導體器件其工作原與MOFET類似既具了MOSET入抗制率動路單關度的勢具備了BJT通態(tài)流大、電壓低損耗小等點,解決了MOSET高壓況下電流能大問，用高流度和20Hz下交驅條下作。以電為量來源的下應用均需用功率器件方面能應增加網(wǎng)、伏風、能新源車需到率件集于高率，件以IGBT、SiC器件及大功率晶閘管為主，對器件可靠性與熱管理要求較高。另一方面業(yè)動機UP據(jù)心場對電率升要催了中功率段功率器件如IGBT、中高壓MOSET的應用，對器件集成度、可靠性及熱管理均出了要。此外在消費子、電等低功應用中硅基和GaN基功率件有用該應對件緊性集度出較要。圖功率器件的應用場景及價值量區(qū)間OiY理功率器制造流程包硅晶圓-外延-芯片制造-封：(1底通區(qū)（C）法和直拉（FZ）法得到單晶硅，并通過切割拋光后獲得器件襯底（晶圓）；(2)據(jù)件構行延膜積刻蝕離注入-散多工獲得芯晶圓(3露芯需封進個殼并充緣料把片電極到外部成完整功率器產(chǎn)品，外中有一芯片的單管產(chǎn)，有多顆芯電氣互并包含熱通道連接接和絕緣護等單的為模產(chǎn)品，封裝式根據(jù)用工況同而有區(qū)別；后，再封裝好單管或塊等器產(chǎn)應到變等源統(tǒng)。圖功率半導體的制造流程Y理功率器件行業(yè)特點與競爭要素制造為先，IDM為長遠發(fā)展趨勢前道工是功率器件片性能的決性因素集電中擬片晶管、電和電容元件的機組合邏輯芯是晶體的堆疊排列，芯片功差主來于IC計此括片構I令集計程設軟工具在的設環(huán)是片附值核心與集成電路不，功率器件的功能實現(xiàn)及差化來源于不的器件結構而器件構需通過前制造工藝實的制造工藝壞直接決定芯片的電子輸?shù)刃阅鼙憩F(xiàn)因此為掌握心工藝環(huán)，全球功器件龍頭制商多以IDM模式為。圖功率器件與集成電路的產(chǎn)品附加值比較理后道封裝是證器件可靠性的關鍵節(jié)。功半體件電系工的鍵，因產(chǎn)品可性是核參數(shù)。常功率件要據(jù)應用實際工對芯片行定化裝保其使中可性別在業(yè)車對品壓溫、耐擊等可性要求高的應領域，品形式模塊為，廠商對模塊行管理磁EM方進合設以證個片機合行能現(xiàn)，此高靠性IGBT塊，裝節(jié)本比超30。環(huán)節(jié) 關環(huán)節(jié) 關工作 對品性能影響 成影響因素計 構計優(yōu)化 構化提芯效率 片積小本低片應動工匹配據(jù)片應動工匹配據(jù)用求行數(shù)設調整定本毛率升率產(chǎn)批穩(wěn)性低定本毛率升率產(chǎn)批穩(wěn)性低本提毛率造據(jù)用行管、性等計仿真 定品定環(huán)耐等靠性裝 制設原料本附值同裝料化 低裝本提可性理單管拉開芯片差距，模塊建立客戶粘性應用場定義器件類型，件性能定義芯參數(shù)。應端個化求要對芯特性及塊的電結構、撲結構外形和口控制的設計求。以車逆器例功主動常要到個片聯(lián)使單多并聯(lián)，管間電流流和平、同時斷等難大，且口較多通過芯互連配保護件具備好一致及穩(wěn)定的功率塊成為流選擇而模塊據(jù)汽車況對高溫、腐蝕、氧化及械振動要求進定制化計，據(jù)再對芯的態(tài)能結等面出求并過造藝行現(xiàn)。圖功率半導體應用思路Y理單管依芯片技術拉差距模塊依定制化設計立客戶黏性管品裝形標準化以規(guī)模生產(chǎn)為，產(chǎn)品爭力來于芯片構優(yōu)化性能提以及片面積小帶來成本降。模塊品是基應用的制化產(chǎn)，而應系電拓及間計均于塊電能管與部寸參數(shù)此，模是與客建立長合作關的橋梁在此過中，器廠商不需要芯設計隊還需培養(yǎng)強的應用隊，能速、準地理解戶的個化需求并這需轉成品求行塊發(fā)反到片進對的計發(fā)。圖單管與模塊的核心要素理表單管與模塊各個環(huán)節(jié)的特點與側重點對比與發(fā)展關鍵單管模塊應特點低場，格準產(chǎn)，型直適用壓電場據(jù)業(yè)車場對態(tài)能要不同行制設計芯環(huán)節(jié)片計仿能決成與品能配塊用求設與真力封環(huán)節(jié)準化制，現(xiàn)應的解關要素端品規(guī)化渠能，端品芯性能可性產(chǎn)能力理差異化vs.標準化、高性能與可靠性：器件制造商與集成商的差異化考量功率產(chǎn)生命周期長迭代慢差異化件產(chǎn)品鑄就片制造商核競爭力功率件迭代級的驅力來源下游用量的提及低功的應用求，可耐用的用要求定了其品生命期長，此自20世紀50年代率二極、功率極管面至今功器件迭速度較。每代品源于用的新要求，各類器件非對替代系，而各有分工和部競爭的系。在過程中功率器制造商通過器結構設提升產(chǎn)性能，小芯片積降低造成本模定化造異，終現(xiàn)潤間行壁的升。圖器件制造商與集成商的考量結可靠性先“標準化產(chǎn)品是統(tǒng)集成商降供應鏈成本需求。慮統(tǒng)故障來的售成本，統(tǒng)集成將產(chǎn)品靠性作首要考。以高應用為，在分系統(tǒng)計時會低單個片性能求，優(yōu)考慮選結構簡面積較的平型器件保證芯的耐壓量及散水平。時，為低成本開發(fā)時，集商會采用“平”方開(如車)，功率器產(chǎn)品需集成商部有一定用性且多家可換的供商。在背景下功率器廠商傾于爭取第供商領塊數(shù)器設“準成就城于進者，選對標供”能以升價作主發(fā)點贏更市份。發(fā)展趨勢：高效率、高可靠性、低成本與新材料芯片向高效率、低本的器件結發(fā)展功率器件是電能傳輸效率的關鍵產(chǎn)品向著高轉換效率高功率密度即小體積方向發(fā)展相應地芯片向著結構優(yōu)化以提升傳輸效率減小芯片面積以降低成本的方向不進以英飛凌IGT產(chǎn)品為例7代產(chǎn)品圍繞器件的電場分布結溫短路能力等參數(shù)進行結構的設計優(yōu)化，其中3//7代器件實現(xiàn)了變革性的技術突破：IBT3通過背面注入了一個摻雜濃度略高于N-襯底的N緩沖層，使得電場強度可迅速降低，整體電場呈梯形且漂移區(qū)厚度減小，實現(xiàn)了器件關斷時拖尾電流及損耗（低導通壓降）的降低。IBT4則通過薄晶圓及優(yōu)化背面結構，進一步降低了開關損耗，提升了器件輸出電流的能力。IGT7則是增加了多種形式溝槽，綜合各溝槽形式的優(yōu)點，使得器件性能顯著提升此外溝槽結構使得芯片面積不斷減小在功率密度提升的同時降低了芯片成本。圖英飛凌IBT產(chǎn)品理表英飛凌IBT產(chǎn)品參數(shù)IBT技特點芯面積（對值）關時間（秒）工結溫℃） 斷電壓） 出時間1面透（)055082進平穿型T）6310003槽（h）050024穿型T）155075場止（）面銅795016槽電截型Th）455037溝柵截（F）22507理封裝形向著高可靠和高集成度向發(fā)展單管封向小體積方發(fā)展，模塊裝向高可靠性展在車工等度變化、振動動態(tài)工復雜的景中，塊是保系統(tǒng)穩(wěn)運行的鍵。為升可性，未模塊將著優(yōu)化合裝配連接技、提高溫度和載變化可靠、改善熱效果通過改外殼和注材料配方來高抗氣變化的應性優(yōu)化內(nèi)連接和部配件線、提功率模的集成以降低統(tǒng)成本方發(fā)。圖功率器件封裝技術演進理制造工向12英寸拓展功率器應用場景逐豐富12英寸產(chǎn)可用于生產(chǎn)的需較大的低壓器件以提升單位產(chǎn)量。圓面增加單位晶產(chǎn)芯片量升，片成降低，此，功率器件龍頭廠商均布局了12英寸產(chǎn)線，將用量較大的中低壓功率器件放于12英寸線上生產(chǎn)。此外，由于12英寸硅片僅能用直拉法（CZ）生產(chǎn)，因此需要區(qū)熔法（FZ）硅片中高功率器還是以8英寸及下產(chǎn)線為主。圖12英寸工藝適用產(chǎn)品及應用Y理比8寸線12寸設更購且備本勢片量倍道本降低20-30右條12寸設經(jīng)廠房設備裝驗證，投后還需進洗線，簡工藝平到復雜藝平臺行調試達到穩(wěn)生產(chǎn)態(tài)需要2以的間。圖12英寸線建設過程及成本優(yōu)勢Y理大功率用向寬禁帶導體器件發(fā)展隨終端應電子架復雜程提升，基器件理極限法滿足分高壓高溫高頻及功耗的用要求具備熱率高、界擊穿強高、子飽和移率等點碳Si件為率件料的術代品現(xiàn)應用新能源車、光等領域在電力子設備實現(xiàn)對能的高管理。逆器例化模代硅基IGBT后變輸功可至基統(tǒng)的2.5，積小1.5，率度原有3.6，終現(xiàn)統(tǒng)本體低。圖不同半導體材料對應的應用領域理全球格局漸穩(wěn)，新能源觸發(fā)新一輪變革歷經(jīng)整合洗牌，行業(yè)格局漸清晰回顧功半導體行業(yè)史市場需驅動力來源用電場景的化從消費電子外延至高鐵變頻白電、工控及新能源。我以飛、安美意半導三功器廠營增及公年為考行增動進剖析203年前，功率器件需求來源集中在消費電子、傳統(tǒng)汽車、照明等領域，2013年-205隨洲伏施建鐵速展中壓率件如IGT來應場景需求后2016后于工用效提及電耗低要求頻化為此段率導的增能IPM模產(chǎn)大開應自2020年始，新源發(fā)電與新源汽從點、推向需求動階段變用場景幅加，功率半體進入景氣周期。圖20-02年功率半導體代表公司營收增長動因復盤（增速，）Boe223為Boeg理市場集中度不高，第一大廠商市占率不到20。從CR5的集中度及各廠商市占率，2014前率導市集度低各市率近在歷201-203的行期后201-206業(yè)入購合期業(yè)中度幅升2015英凌成國際流公司(IR并購國業(yè)LSPowrSemtech所股、購注駕輔系的PCB造商ScweierEletroicandTTTch的股權，NXPfrescae合并，安森半導體(OnSemconuctr)宣布并仙半體(Farchld)行重后頭應顯CR5定局成。進入2019年各家開始新一輪并購，CR5格局至今保持穩(wěn)定：Dides宣布收購德儀晶制廠GFA飛收賽拉提汽半體占姆布收松下半體的二管和三管業(yè)務以充汽車工業(yè)市份額，森美半導體宣布以4.3億美元收購格芯位于美國紐約州的300m晶圓廠獲取格芯先進的CMO、MOSET和IGT造力瑞以67美收購ID。圖21-00功率半導體行業(yè)集中度變化情況Boe理碳化硅引領行業(yè)增速，汽車、新能源與工控驅動行業(yè)增長2021-2025年全球功率器件市場將由259億美元增至357億美元，年復合增速約為8.4中禁半體碳硅化市增最均超40合Omda、Yole據(jù)我測算25全碳硅件場達43美（占12；IGT最要件益汽能等增用場模從21年9.7美元快速增至136億美元（占38），年復合增速約為128；MOSET消費類應用等量場降汽車能等增用長場本持定25市規(guī)約為104美（占29）。圖22-05全球功率器件市場規(guī)模及增速（按器件類型分，億美元，）OiY算2025年汽車工控將成為率器件最主市場占比達41和30合Omda、Yole據(jù)們算205全汽新源車率件場增至142億美元(占41)，21-5年復合增速最快為18，工控市場將增至107億美元(占3021-5復增為13能發(fā)市將至20美元占62125年復合增速達13；此外，電網(wǎng)市場將增至8億美元(占2)，21-5年復合增速達19.圖22-05全球功率器件市場空間及增速（按應用分，億美元，）Oi算新能源車中電能取燃油成為汽驅動的能量來源每次電電壓的變換需用到功率器件?！叭到y(tǒng)”即池、機及控系取代油發(fā)機、箱或變速；同時配套新增DCDC模塊電機控系統(tǒng)、池管理統(tǒng)及高電路等統(tǒng)以完電能在車中的配與管。以純動汽車例，在動端，流依次經(jīng)外部充電設備、車載充電機OBC（輸入為交流電流時使用）、電池、逆變器電機電、減速及車輪同時通電池管系統(tǒng)進能量管；在車及助統(tǒng)，流電處出經(jīng)過DCDC換、壓池輔系。圖汽車電動化框架理汽車電化加速功率器單車價值量多將增至700美金以據(jù)飛汽事部據(jù)車動和能芯市未五將別以22和21復合速速長21純動車率件車值約450元中逆器占70，車載充電器（OBC）、BMS及DCDC電源等系統(tǒng)占30。隨著自動駕駛、車率升化及化加滲25純動車率件車值量約700元。圖2-7年汽車半導體單車價值量變化及市場情況理工業(yè)電機及其控制系統(tǒng)的用電量將增至全球耗電量的一半，其中通用變頻器占60。據(jù)英飛數(shù)據(jù)，計到200年業(yè)電機統(tǒng)中電耗電量占60。全球工驅動市高壓電變頻器（>1V）占9；中電壓驅（<1kV）占91，其中約三分之二為通用型占60，包括風機、泵類和空氣壓縮機及升降、起重電和舶動領域三之為服動括作器人流器等。協(xié)機人例單半體值達350元中率件約200元。圖全球工業(yè)驅動市場情況與應用理新能源電帶來電網(wǎng)構變革光伏風電儲能及型電網(wǎng)均為率器件應用增量。隨光伏、電及能等新直流裝將接配電網(wǎng)配電的整體構之生化流備入流網(wǎng)以流交的式配儲設中，每電能變均需用功率器。根據(jù)飛凌數(shù)，光伏風電與能的逆器配裝單位MW功器價量別在200-350200-500250-300歐左右。外，由配電網(wǎng)受的擾類型會顯增加電網(wǎng)中有越來多的如中高壓大容量AC-C換流器、DC-C直流變壓器以及直流斷路器等裝置，對地IGBT中壓率件量大增。圖新能源發(fā)電帶來的電網(wǎng)變革 圖新能源發(fā)電功率半導體單位價值量與每年發(fā)電量理 :理家電變化帶來半導單機價值量升白電IPM模塊國化空間大據(jù)飛凌據(jù)，隨家用空、商用調、冰、洗衣和熱泵變頻化變速電的應用使得半導體單機價值量由0.7歐元提升至9.5歐元。其中，IPM模塊、IGT功半體量用變白中實電頻的化據(jù)業(yè)線計，盡管中國已成為全球最大的白色家電生產(chǎn)基地，其中空調占全球80的產(chǎn)能，冰和衣亦超50然家電IPM塊產(chǎn)例小于15國化間大。圖家電變頻化半導體單機價值量提升 圖217年-01年我國白電IM模塊國產(chǎn)化率 :理 :理碳化硅為增速最快的功率器件21-25年CAGR42，預計25年全球碳化硅器件市場將超43億美元。與Si相比，SiC擊穿場強是Si的10倍，這意味著同樣電壓等級SiCMOSET外延厚度只要Si的十之一，應漂移區(qū)抗大大低；且SiC帶度是Si的3，電力強同，SiC導及點常，是Si的2-3；SiC子和度是Si的2-3，夠現(xiàn)10的作率；此與IGT比SiC件關耗多可少74。圖碳化硅應用優(yōu)勢及市場空間（億美元）:OiY理合Yole據(jù)們計SiC件場從2021年10.9美增至205年43億美元以上，復合增速達42。其中，新能源汽車將從201年6.7億增至2025年34億美，復合速51，占個市場80。除車外，伏、風及儲能等新能市場將從201年1.54億美增加至205年5.14億美，此外，電設施道通電驅等域將速加。存量替代與增量滲透驅動中國企業(yè)快速成長中國企業(yè)份額提升迅速，產(chǎn)品結構不斷升級2021年亞太區(qū)占全球功半導體市場的74.3其中中廠商成長迅根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，亞太地區(qū)在全球功率半導體市場的占比由2020年71.增加到201的74.中企在細市成迅：2021全球IGBT分立器市場，蘭市率3.5(列八)智能功模塊IPM(IteligetPowrModle)域蘭市率2.2(列八)微子占率1.0(列十在IGBT塊域斯半市率3.0(列六)時電市率2.列十)；在MOSFET分立器件領域，華潤微市占率4.0(位列第八)，安世半導體市占率3.7(列九)士微占率3.0(列十)。圖全球功率半導體主要參與者及各細分領域市占率情況:YOi理我國的率半導體以門檻細分應為起點逐步向術實現(xiàn)較難應用領域發(fā)展，并隨能源頭部廠商出海步走向國際化隨各司術界拓寬產(chǎn)品式逐步單品替階段向決方案展；在業(yè)缺貨加新能領域滲加速催化下從部分價值量技術門較低的費、家及低端控如焊等領逐步向證壁壘高的高工控、伏及新源汽車端模塊領域進突破此外，供應鏈境多變背景下國內(nèi)下應用廠國產(chǎn)化愿增強光、能新源車新領國化大提。圖中國功率半導體發(fā)展的產(chǎn)品層次:理以新能源汽車為例，作為增量市場，乘用車功率IGBT模塊國產(chǎn)化率已迅速提升至50以上。據(jù)NE代據(jù)我國22前季新源險用主驅IGT案國供商計比54中亞半體載約69.9占23，達導約543占18代氣約41.1占13計產(chǎn)化將各產(chǎn)釋環(huán)提。圖22年19月我國新能源上險乘用車主驅IBT模塊供應商情況(萬只)NE理IDMorFabless？存量與增量的博弈我國功率半導體仍處于單品替代階段，代工平臺工藝仍領先，IDM優(yōu)勢體現(xiàn)尚需時日。我功率半體發(fā)展處于早階段IGB、結MOS等高端器國產(chǎn)率較低單替階20下年業(yè)貨能加滲以國際環(huán)變化等因素催下，汽、光伏新能源用為國功率廠提供驗機會國產(chǎn)化提升迅；而工、光伏塊等存或高技門檻領國產(chǎn)化仍較低，IDM多品類規(guī)?；瘍?yōu)勢仍不明顯。此外，由于我國特色工藝代工平臺如華虹等術積累厚，國內(nèi)IDM廠商藝仍處追趕階，技術代優(yōu)勢在更長時維內(nèi)能現(xiàn)。圖中國功率半導體代工與IM的產(chǎn)能擴張與中短期格局:理特色工藝代工廠擴產(chǎn)持續(xù)，F(xiàn)abless與IDM界限漸模糊。與全球功率半導體IM為的產(chǎn)能局不同我國特工藝代廠在政及市場重驅動迅速成。通過國內(nèi)可用生產(chǎn)MOSET\GBT的主代工廠及表性IDM廠商能增量進行梳，我們計21-5年我特色工代工產(chǎn)增速將高于IDM的產(chǎn)增速，以虹、積半導體中芯集為代表代工平在產(chǎn)能工藝成度上均備競爭力，頭部設計公司近幾年內(nèi)產(chǎn)能相對充裕且工藝平臺較成熟，短期內(nèi)與IM界將步糊、異競尚顯。22年前三季度功率半導體整體保持加速增長回顧22年前三季度，我國主要功率半導體上市公司合計營收同比增長20.至373.13億元合計歸凈利潤同增加2至69.37億元Q22率導塊計收比升16.0比長1.8至1331元計母利同比增加1比降0.4至247元率導整景持續(xù)自2Q2分公司現(xiàn)業(yè)績化，主系：1)手、家電消費終產(chǎn)品需受到疫、通脹等素制；2能汽、伏儲等能需持增。圖功率半導體行業(yè)公司營業(yè)收入 圖功率半導體行業(yè)公司單季度營業(yè)收入 W理 Wd理圖功率半導體行業(yè)公司歸母凈利潤 圖功率半導體行業(yè)公司單季度歸母凈利潤 W理 Wd理3Q22功率半體板利潤率比環(huán)比回存貨周天數(shù)應收賬周轉天數(shù)環(huán)比小幅下率導板塊3Q22利同降3.2pc比降2.1ct至30.，其中除斯達半導、東微半導外均同環(huán)比回落；3Q22凈利率同比下降3.1pct、環(huán)下降2.3ct至16.。3Q22功率導體板塊貨周轉天數(shù)同比增加1336天、環(huán)比下降1.7天至11716天；應收賬款周轉天數(shù)同比減少2.2、比降2.19至86.2。圖功率半導體行業(yè)公司毛利率、凈利率 圖功率半導體行業(yè)公司存貨、應收賬款周轉天數(shù)W理 Wd理據(jù)ICinsghts據(jù)預計22全功率立件銷額同增長11，達到245億美，實現(xiàn)續(xù)六年長，創(chuàng)歷新。在汽及工業(yè)拉動下分器件均售格幅十新22同增達11預計23年隨全球經(jīng)濟增長放緩以及缺貨情況緩解，預計收入將下降2至240億美元，從24年開始進入另一個長周期。圖全球功率器件銷售情況（單位：十億美元）:ICiit理中國主要功率半導體公司分析斯達半導斯達半導是國IGBT的龍頭企業(yè)2021年全球IGBT模塊市場市占排名第（市占率3.0），國內(nèi)IGBT模塊市場份額第一。公司產(chǎn)品主要應用于工業(yè)控制、新源白變家等域。207-201公營收年復增率40.；扣非歸母凈利潤年均復合增長率65.；在產(chǎn)品技術升級及應用結構優(yōu)化的驅動，司利從2017的30.0升至1H22的40.9盈能持增。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年分產(chǎn)品營收結構（） i理 Wd理端由7年至2的2車T過0CT始計3，司TT和計3。圖公司未來布局及產(chǎn)能規(guī)劃:理公司在Fabless模式基上，通過自產(chǎn)線補充產(chǎn)類型，拓寬未增長空間。司低壓IGT芯一與內(nèi)術先代平長合進產(chǎn)技術的迭代升級；在此基礎上，公司自建6英寸高壓功率芯片產(chǎn)線將IGT產(chǎn)品向330V以上的電網(wǎng)、軌交和風電等應用拓展，碳化硅芯片產(chǎn)線作為從模塊到芯片品步展銜為來化行加期好能的備。士蘭微士蘭微是內(nèi)最早的IDM廠商之從國內(nèi)條5/6英寸線8英寸線到12英寸特色工藝線，司始終保持行業(yè)領先，成包括合半體在，外延、片計制到裝垂整模式司品蓋率導、擬片及LED等領域。近5年公司快速成長，201-201年公司營業(yè)收入年均復合增長率27.；非母利年復增率73.。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年分產(chǎn)品營收結構（） i理 W理公司在率器件業(yè)務持領先IGBTMOSFET分立器及IPM模塊均全球前十。21司T達T達名M達司T要司1產(chǎn)驅T調T和1司3。表公司產(chǎn)能布局情況（截至222年6月）業(yè)務產(chǎn)能進展士集成6寸2片/月1總產(chǎn)出、6寸片44片同增加4士集

8寸 6片月 1總產(chǎn)出8寸片3片2起設期3，投入9元募集0規(guī)劃BT率片22寸3片月士集科 期：4片（21建）

片/、OT率片2片/和MET率片2片年（營）2

期：2片（2建）

1年2寸片0片，22能達5片，際出達7片/月士明（營

4寸 N和S端D片2片/月品要于間顯、iD示、外耦安監(jiān)、用D6寸 C率件片2片月 2年起建設周期3年，總投入5億元(擬募集5億)，規(guī)劃CET芯片2片/、CD片4片年集科技

能率塊 3只/率件 0只年S感器 2只年

2實年智功模M3只產(chǎn)業(yè)和車功模）0萬只、年產(chǎn)功率器件0億只、年產(chǎn)S傳感器2億只、年產(chǎn)光電器件00電件 0只年只封能力業(yè)入4元利潤4元業(yè)和車功率塊0只/年成士蘭 裝 車功模塊 0只/年2起設期3投入0募集1元產(chǎn)預新年售入68元新年潤額9元。理2線至2放2能5達7計2達6產(chǎn)6片2司25年12英寸線總產(chǎn)能將達9萬片/月公劃CT片2CD片4，2產(chǎn)0產(chǎn)0計2年2到3年4現(xiàn)。時代電氣時代電氣以軌道通為起點，新能源、工等新興領域形了“同心多化”的業(yè)務布局。中時代氣是國中車下股制企，經(jīng)多年耕細，公司軌道交等領域為了掌核心器技術的備制造頭。依于在軌交裝領的心術資優(yōu)勢司拓率導器件業(yè)流品、新源汽車驅系統(tǒng)傳感器件海裝備等興裝備務產(chǎn)沿產(chǎn)鏈自上下電子件零件系鋪。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年分產(chǎn)品營收結構（）i理 W理新能源發(fā)電與車驅動公新興裝備業(yè)務加成長。光、電儲及能源汽帶來電架構升，帶來從逆變、電驅等整機功率器、傳感的量價升。公司22年前季度新興備整體實現(xiàn)收35.3(Yo+13.0)；其中，工業(yè)變流營收8.5億元（YoY+19.8)，海工裝備營收2.91億元(Yo+9159，新能源汽電驅系統(tǒng)營收8.35億元(Yo+19.8)，功率半導體收12.2元(oY+778)感件收2.6元(Yo+12.3司光伏逆器22年7-9月（7.0-920）國累計中標5.6GW，其中7、8月市占位第一新源車IGT塊列內(nèi)五電動統(tǒng)列內(nèi)十。表公司功率器件產(chǎn)能情況產(chǎn)項目設產(chǎn)能投情況產(chǎn)定位期8寸2片/年定出壓件主聚軌交、網(wǎng)高風等T件期8寸4片/年計2滿產(chǎn)低器為，焦車新源電等T件興6片，計4投產(chǎn) 焦能汽領中壓件材低功器項目 8寸拓至2片年洲6片，計4投產(chǎn) 焦能發(fā)及控家領低組基材拓至2片年化芯產(chǎn)線 6寸5片年 計4投產(chǎn) 現(xiàn)有4寸C片提到6寸現(xiàn)有4產(chǎn)能1片年理硅基與碳化基功率器件產(chǎn)能同步升級。公司8英芯產(chǎn)一期穩(wěn)產(chǎn)，二已逐步近設計能24萬片年在此基上，公布局了低壓功器件業(yè)項目興項聚新源車域能36片/（拓至72片/年洲項聚新源電工電域能36片/（拓至72片年外司現(xiàn)有4寸化產(chǎn)線(1片/月升至6寸(2.5萬片/月以現(xiàn)芯工及能的升。于新能汽車、風儲、網(wǎng)及軌交國外戶累機的務展司率件務成來要長點。BYD半導(未上市)比亞迪導體是是國內(nèi)先的汽車半體供應平臺一作比迪公，主從功半體能制I能感及電導產(chǎn)品發(fā)產(chǎn)及銷售公以車規(guī)半導體核心，步推動業(yè)、家、新能源和消電子等域半體用由亞汽領的累前司量產(chǎn)IGBSiC器件、IP、MCUCMOS圖像感器、磁傳感、LED光源顯示等品，應于汽電機驅控制系、整車管理系、車身制系統(tǒng)電池管系統(tǒng)、車載影像系統(tǒng)及照明系統(tǒng)等重要領域。201-201年公司營業(yè)收入年均復合增長率33.；非母利年復增率1233。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年分產(chǎn)品營收結構（）i理 W理整車拉汽車半導體速增長，產(chǎn)能布拓寬公司成空間公比迪車銷持續(xù)保國內(nèi)領，疊加能源汽行業(yè)增驅動，亞迪半體在汽國功半體保第一據(jù)NE代據(jù)1-9我新源險用比亞迪半體配套約724萬(占21.)，僅于英飛凌占25.）。未來隨著南導逐滿產(chǎn)沙導產(chǎn)逐釋司功及能IC務進步速長。表公司產(chǎn)能布局情況產(chǎn)項目設產(chǎn)能投情況產(chǎn)定位率塊- 0只定出規(guī)、業(yè)功半體塊南導體 8寸6片/年 計3滿產(chǎn) 計2年12可到2片年出0（計增入5元）3年3滿產(chǎn)可套能汽約0輛波導體6寸6片/年定出率導晶，配新源車約0輛未部轉碳硅沙導體8寸2片年計5達產(chǎn)率導和能制C圓預可套能汽約0輛理東微半導公司國內(nèi)高壓級結MOSET的領企業(yè)，產(chǎn)包括高超級結MOSET及中低屏柵MOSET超硅MOFET及TGBT等裝標化功單器為，因公司以產(chǎn)品性明顯好競品鑄了在細領域的先地位產(chǎn)品平售價顯高于行；以司高壓級結產(chǎn)為例，性能達了與國龍頭可水平部小率變中司結MOS片現(xiàn)替換IGBT片實系效的幅高208-201公營收年復增率723非母利年復增率95.。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年分產(chǎn)品營收結構（）i理 W理新能源公司行業(yè)務主要驅動力1H22公汽車及業(yè)級應用占已超過70。其收主要來于新能汽車車充電機光伏與能逆變器和充樁與工電源等領域并已覆蓋各領域的頭部客戶。在光儲領域，公司客戶包含客戶A、昱能科、禾邁份、愛惟、日元等光逆變廠，洛侖、寧德代和圖電氣儲能廠；在新源汽車直流充樁領域戶涵蓋亞迪、搏爾、城科、英威、欣銳技和威斯等車充電器整車廠，英可、英飛、銳、聯(lián)技盛股、優(yōu)能客戶A充樁商。圖公司基本布局理宏微科技司深耕IGTFRD器及塊品國代廠之一品要用于伏變器工領，來車IGBT塊品逐放。司在IGBT及FRD域累年公司于12寸IGT臺微槽術望22完證，F(xiàn)RED涉及的軟恢復結構和非均勻少子壽命控制技術等芯片設計與制造技術已成熟207-221公營收年復增率27.非母利年復合長率877。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年分產(chǎn)品營收結構（） i理 W理工控IGBT產(chǎn)品夯基礎新能源用占比提1-Q22司控入比約53，伏入比由21約10至29電收占約為4規(guī)品比全年有望實現(xiàn)15以上；未來光伏和汽車業(yè)務占比將逐年提升。目前公司工控客戶涵臺達集、匯川術、英騰和合新能等家變頻頭部企，松下佳士技、奧集團和上滬工等家電焊知名企。新能汽車客涵蓋比亞迪匯川技術和臻科技；充樁客戶括英飛、英可、優(yōu)優(yōu)能和特來電公司，伏客戶括A公、陽光源、固威和格瓦特等家龍頭預計23光與能汽模的量拉公業(yè)快增。表公司產(chǎn)能布局情況（截至222年6月）業(yè)務設產(chǎn)能 進展山區(qū) 0只年 定出竹

期0只/可展） 入用期0只/車級） 設期：3（5）總資：6元理揚杰科技揚杰技是國最早的率半導體IDM廠商一，公具備功率導體硅、芯及件造裝試綜制能品括單硅棒片延片、56及8等類力子件片MOSETIGBSiC列品功率塊、小號二三管、功二極管及整橋等，品廣泛用于汽電子、新能源、5G通訊、電力電子、安防、工業(yè)及消費類電子等諸多領域。207-201公營收年復增率31.非母利年復增率34.。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖近10年公司收入結構（按地區(qū)分） i理 W理“雙品牌戰(zhàn)略形國內(nèi)外正循環(huán)司歐市主MCC微科牌。司在2015就購該牌品作北半體名牌與DII-KY、Futre團及Arrw團全性子器代商終國客長合，對安森美國際第梯隊品，產(chǎn)品格優(yōu)且利較高，收后公司外業(yè)務入年升止22前季度司外務售入比倍長入占比達30以上。此外，在中國地區(qū)及亞太市場，公司主推“YJ”品牌；整體以“品”錨形了內(nèi)業(yè)的向環(huán)。圖公司基本布局理產(chǎn)品結構持升級，產(chǎn)能布局逐步善。公產(chǎn)獲多海外著汽零部企認可批供超30022前季汽電業(yè)同增超50，司規(guī)封產(chǎn)已現(xiàn)5以增外司MOSETIGT及SiC新產(chǎn)品22年前季度公銷售收同比增長超過100，IGBT在光應用已得批訂單SiCSBD得光逆器戶可批出。在MOSE、IGT產(chǎn)端發(fā)力的時，司收購了湖楚微半體將在來補齊8英晶圓制能力目前，微半導一期已一條月產(chǎn)1萬的8英線，二將建設1條月產(chǎn)3片的8寸基片線和1月產(chǎn)0.5片的6寸化基片線，為司來品構化供產(chǎn)保。新潔能新潔能是國內(nèi)MOSET品類最齊全且產(chǎn)品技術領先的設計公司，主要產(chǎn)品包括以IGB蔽柵MOSE（SGTMOSE結MOFE（SJMOSE槽型MOSET（TrechMOSET大藝臺基的片功器件SiCMOSEGaNHET、功率模塊及智能功率IC等新產(chǎn)品。公司整體產(chǎn)品型號超160款，電壓覆蓋12V170V全