第3章內(nèi)存3.1內(nèi)存的基本知識計算機(jī)的主存儲器（MainMemory），又稱為內(nèi)部存儲器，簡稱為內(nèi)存。內(nèi)存實質(zhì)上是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路。內(nèi)存的主要作用是用來存放計算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行時所需要的數(shù)據(jù)，存放各種輸入、輸出數(shù)據(jù)和中間計算結(jié)果，以及與外部存儲器交換信息時作為緩沖用。由于CPU只能直接處理內(nèi)存中的數(shù)據(jù)，所以內(nèi)存是計算機(jī)系統(tǒng)中不可缺少的部件。內(nèi)存的品質(zhì)直接關(guān)系到計算機(jī)系統(tǒng)的速度、穩(wěn)定性和兼容性。3.1.1內(nèi)存的分類（2）隨機(jī)存儲器（RAM）RAM表示隨機(jī)存儲器（RandomAccessMemory），我們既可以從RAM中讀取數(shù)據(jù)，也可以寫入數(shù)據(jù)。當(dāng)機(jī)器電源關(guān)閉時，RAM中的數(shù)據(jù)就會丟失。我們通常購買或升級的內(nèi)存條就是將RAM集成塊集中在一起的一塊小電路板。它插在主板的內(nèi)存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間，目前市場上常見內(nèi)存條有128MB、256MB，512MB、1GB、2GB。（3）高速緩沖存儲器（Cache）

Cache位于CPU中，是一個讀寫速度比內(nèi)存更快的存儲器。當(dāng)CPU向內(nèi)存中寫入或讀取數(shù)據(jù)的時候，這些數(shù)據(jù)也會被存儲進(jìn)高速緩存中，當(dāng)CPU再次需要這些數(shù)據(jù)的時候，CPU就從高速緩存中讀取數(shù)據(jù)，而不會訪問內(nèi)存，這樣就會提高速度。3.1.2內(nèi)存條的結(jié)構(gòu)內(nèi)存條由內(nèi)存芯片、SPD（系列參數(shù)預(yù)置檢測）芯片、少量電阻等輔助元件以及印刷電路板（PCB）組裝而成。（2）芯片類型芯片類型取決于內(nèi)存芯片的工作方式，常用的內(nèi)存芯片類型有以下幾種第一類、是EDODRAM（數(shù)據(jù)擴(kuò)展輸出DRAM）芯片，用此類芯片組裝的內(nèi)存條使用5V工作電壓，存取速度也比較慢。它們一般應(yīng)用在486以及型號較老的586或服務(wù)器電腦中，現(xiàn)在生產(chǎn)的電腦主板已經(jīng)不再使用了。第二類、是SDRAM（同步DRAM）芯片，使用3.3V的工作電壓。特點是工作時鐘與CPU外頻同步,因此數(shù)據(jù)存取速度較快。早期的電腦中使用最多的就是SDRAM內(nèi)存條。第三類、是RDRAM（RambusDRAM，使用2.5V工作電壓）和VCM（虛擬通道模式DRAM），這兩類內(nèi)存芯片雖然存取速度比較快，但由于價格偏高、支持的主板少等原因一直沒有得到廣泛應(yīng)用。第四類、是目前主流的DDRSDRAM芯片，使用2.5V的工作電壓。其特點是利用工作時鐘脈沖的上、下沿同時傳送數(shù)據(jù)，因此將傳輸速率在SDRAM芯片的基礎(chǔ)上提高了一倍。但在現(xiàn)階段的系統(tǒng)條件下,DDR內(nèi)存通常比SDR內(nèi)存快5％，而在一些與內(nèi)存帶寬密切相關(guān)的軟件應(yīng)用中DDR才能夠發(fā)揮自己的作用，增加的效能可能達(dá)到30％之多。（3）SPD（系列參數(shù)預(yù)置檢測）芯片系列參數(shù)預(yù)置檢測SPD（SerialPresenceDetect）芯片是伴隨SDRAM內(nèi)存出現(xiàn)的，它的出現(xiàn)應(yīng)該說是內(nèi)存技術(shù)的又一次進(jìn)步。正是由于SPD芯片的存在，才使得現(xiàn)在的計算機(jī)能管理、控制內(nèi)存的性能，實現(xiàn)所謂的內(nèi)存“超頻”。SPD芯片一般位于內(nèi)存正面的右側(cè)，是一塊面積大約為4mm×3mm的8個管腳的SOIC封裝芯片，它實際是一個容量為256B的電可擦寫可編程只讀存儲器EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableRom），在SPD芯片中保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CASLatency參數(shù)、SPD版本等基本信息，這些信息是內(nèi)存生產(chǎn)廠家預(yù)先寫入的。（4）印刷電路板

印刷電路板PCB（PrintedCircuitBoard）是構(gòu)成內(nèi)存條的基礎(chǔ)，承載著內(nèi)存的基本元件。由于是長條形的外觀，這也是內(nèi)存被稱作內(nèi)存“條”的直接原因。由于制作內(nèi)存條時需要大量的連接導(dǎo)線，單層的印刷電路板無法滿足接線的需要，因此在制造內(nèi)存條時常常將六層或更多層的印刷電路板壓合在一起，形成了我們平時所說的多層印刷電路板。作為連接內(nèi)存顆粒的物理載體，印刷電路板的質(zhì)量直接影響到內(nèi)存工作的穩(wěn)定性。3.1.3內(nèi)存引腳與接口內(nèi)存條下面的引腳是內(nèi)存和外部進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌?。?nèi)存和插槽兩者之間的接觸是否良好，對內(nèi)存能否穩(wěn)定工作起著很大的作用，現(xiàn)在優(yōu)質(zhì)內(nèi)存條的引腳通常使用鍍金鐵方法來保證內(nèi)存條和與內(nèi)存插槽兩者之間的良好的接觸，所以我們有時將內(nèi)存的引腳稱為“金手指”。內(nèi)存引腳的數(shù)目也就是我們通常所說的內(nèi)存的“線”數(shù)，引腳的數(shù)目是由內(nèi)存架構(gòu)來決定的?，F(xiàn)在內(nèi)存條常用接口有如下兩種：（2）RIMM（RambusInterfaceMemoryModule）Rambus內(nèi)存模塊接口。這種類型接口主要是供Rambus公司生產(chǎn)的RDRAM內(nèi)存使用的。其結(jié)構(gòu)和DIMM類似，這種類型的內(nèi)存條兩邊也都有引腳。目前有兩種，一種是16位，另一種是32位。對16位內(nèi)存來說，每面92線，雙面184線。對32位內(nèi)存來說，每面116線，雙面為232線。同樣對應(yīng)RIMM接口的插槽也稱為RIMM插槽。3.1.4內(nèi)存的性能指標(biāo)（1）時鐘頻率

它代表內(nèi)存所能穩(wěn)定運行的最大頻率，也就是平時講的PC－100、PC－133、PC－150等，它們分別表示可在100MHz、133MHz、150MHz的時鐘頻率下穩(wěn)定運行。而每時鐘數(shù)據(jù)段數(shù)量若是SDRAM內(nèi)存的話就是1，若是DDRSDRAM（包括DDR－IISDRAM）內(nèi)存的話就是2。（2）存取時間存取時間代表讀取數(shù)據(jù)所延遲的時間（可以理解為傳輸數(shù)據(jù)所延遲的時間）。目前市面上的內(nèi)存存取時間分別為7ns和6ns。存取時間和時鐘頻率不一樣，越小則越好。（3）CAS的延遲時間CASLatency(ColumnAddressStrobeLatency)參數(shù)簡稱CL參數(shù)是指縱向地址脈沖的響應(yīng)時間（可以理解為查找數(shù)據(jù)所延遲的時間），用時鐘周期來表示。顯然CASLatency時鐘周期數(shù)越少越好，這個數(shù)值一般是2或者3。CL為2時的內(nèi)存芯片在同等工作頻率下比CL是3的內(nèi)存芯片速度更快，性能更好。(內(nèi)存的一個系統(tǒng)時鐘周期為10ns)3.2內(nèi)存的幾大品牌HYUNDAI（現(xiàn)代）、Kingston（