——#-in2550 75 100Time/minO50驚5054055新2520]5*x一區(qū)(=xv圖3電解時間對過一硫酸的生成和氧化效果的影響2.3髙電壓電解對As(III)氧化效果的影響試驗條件：電解電壓選取6.0V,采納20%硫酸(228.38g/L),加入0.5g/L的硫氟酸鉉，加入2g/L亞碑酸鈉，溫度掌握在10°C,鈦鍍鉗為陽極，石墨為陰極，反應時間為120min,每隔25min取20mL陽極液檢驗三價碑和五價碑的濃度，討論在髙電壓電解狀況下As(III)的氧化效果，試驗結果見圖4。圖4高電壓電解對As(111)M化率的影響依據圖4可知，隨著電解時間的延長，三價碑的氧化率不斷增大，當電解120min以后，整個過程中碑的氧化速率漸漸減小，最終趨于穩(wěn)定，主要是由于隨著反應的進行，溶液中的As(V)與As(III)濃度比漸漸增大，三價碑的氧化電位漸漸上升，從而降低了碑的氧化速率。2.4髙電壓電解氧化和過一硫酸直接氧化效果對比在相同的試驗條件下進行兩組試驗，一組電解硫酸產生過一硫酸，每隔25niin取樣本加2g/L亞石申酸鈉進行氧化并檢測氧化率，另一組直接在電解過程中加入2g/L亞石申酸鈉，每隔25min取樣本檢測氧化率。在相同條件下電解相同時間，兩組體系中產生的過一硫酸的量是相同的，又由于在前面討論中發(fā)覺，加入的三價碑是過量的,能夠完全將產生過一硫酸用完，因此在無其他氧化方式介入的前提下兩組試驗的差異就應當是電化學氧化效果的體現。則將兩組試驗結果對比見表4。表4電解氧化和過一硫酸氧化效果對比Table4ComparisonofelectrolyticoxidationandCaro'sacidoxidationTime/min255075100120Coro會arid !6,8415.9324.2230.7835.34Electrolvtiewudalionrate/%26.4139.6452.5360.05(SO.84acid財id康onrafe/%29.5J38-0541.7150.：8453.33由表4可知，隨著電解時間的不斷增加，溶液中產生的過一硫酸濃度漸漸增大，電解氧化和過一硫酸氧化的氧化率也都不斷上升,單純的氧化劑（過一硫酸）氧化三價碑的效果要低于髙電壓下電解氧化過程，當電解120niin,髙電壓電解氧化的氧化率相較于單一過一硫酸的氧化率要髙7.51%,這主要是由于在利用髙電壓電解氧化的過程中，不僅由于其陽極電位髙于三價碑氧化電位，發(fā)生了電化學氧化過程，同時由于在髙電壓電解時，會進行硫酸的電解，從而生成強氧化劑過一硫酸，過一硫酸能夠將三價碑氧化至五價，所以髙電壓電解氧化三價碑的氧化率要髙于單純的過一硫酸氧化率，即可得出結論,髙電壓電解氧化碑的過程其實電化學氧化以及過一硫酸氧化協同反應的結果。3、結論從As-H20系的E-pH圖得出，三價碑的氧化電位髙于0.3V,且低于氧氣析出電位，電解時，掌握氧化電位在0.3?1.0V,可以抑制氧氣析出副反應的發(fā)生，提髙電流效率，提髙溶液的pH值，三價砷的氧化電位降低可以促進三價砷向五價砷的轉變。當試驗中電解電壓設置為6V,在電解過程中添加硫氰酸銨抑制析氧副反應發(fā)生，用該電壓下產生的過一硫酸氧化三價砷，相對于同等電壓條件下直接電解氧化三價砷的效果有肯定差距。