聲表產(chǎn)品生產(chǎn)制作工藝介紹演示文稿當(dāng)前1頁，總共60頁。聲表產(chǎn)品生產(chǎn)制作工藝介紹當(dāng)前2頁，總共60頁。一.聲表面波器件的用途當(dāng)前3頁，總共60頁。濾波器:電子通訊移動(dòng)設(shè)備無線寬帶廣播電視-------------------------------諧振器:移動(dòng)設(shè)備無匙安全系統(tǒng)當(dāng)前4頁，總共60頁。射頻識(shí)別：鑒別：身份識(shí)別，物體識(shí)別，運(yùn)輸方式跟蹤-----------------------------------------傳感器：感知：壓力,溫度液體，氣體生物傳感-----------------------------------------特殊應(yīng)用：特殊壓電材料，改變物理特性當(dāng)前5頁，總共60頁。二.聲表面波器件工作原理當(dāng)前6頁，總共60頁。聲表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就是在壓電基片材料表面產(chǎn)生和傳播、且振幅隨深入基片材料的深度增加而迅速減少的彈性波。SAW濾波器的基本結(jié)構(gòu)是在具有壓電特性的基片材料拋光面上制作兩個(gè)聲電換能器——叉指換能器（IDT）。它采用半導(dǎo)體集成電路的平面工藝，在壓電基片表面蒸鍍一定厚度的鋁膜，把設(shè)計(jì)好的兩個(gè)IDT的掩膜圖案，利用光刻方法沉積在基片表面，分別作為輸入換能器和輸出換能器。

當(dāng)前7頁，總共60頁。電轉(zhuǎn)換為聲（逆壓電效應(yīng)）聲轉(zhuǎn)換為電（正壓電效應(yīng)）

工作原理是輸入換能器將電信號(hào)變成聲信號(hào)，沿晶體表面?zhèn)鞑?，輸出換能器再將接收到的聲信號(hào)變成電信號(hào)輸出。當(dāng)前8頁，總共60頁。當(dāng)前9頁，總共60頁。換能器空間圖形對(duì)應(yīng)脈沖響應(yīng)圖形

通過指條位置和重迭長(zhǎng)度的設(shè)計(jì)即可控制換能器的脈沖響應(yīng)，從而也就控制了換能器的頻率響應(yīng)

當(dāng)前10頁，總共60頁。SAW濾波器構(gòu)成及頻響

壓電基片+IDT（半導(dǎo)體工藝）

電--聲（SAW）--電

Hfilter(f)=HIDT1(f)*HIDT2(f)當(dāng)前11頁，總共60頁。當(dāng)前12頁，總共60頁。三.主要聲表面波器件用晶片材料當(dāng)前13頁，總共60頁。LT、LN主要功能壓電效應(yīng)---表面波器件熱釋電效應(yīng)----紅外探測(cè)電光效應(yīng)---光開關(guān)、光調(diào)制光折變效應(yīng)-----全息存儲(chǔ)非線性光學(xué)效應(yīng)-----激光倍頻

從上面可以看出LN、LT是一種多功能晶體，我們?cè)趯?shí)踐中注意各種性能對(duì)使用和生產(chǎn)相互影響。比如熱釋電產(chǎn)生靜電吸塵、靜電擊裂晶片影響．當(dāng)前14頁，總共60頁。常用表面波切型簡(jiǎn)稱主面及傳播方向簡(jiǎn)稱主面及傳播方向128°Y-XLN128°

旋轉(zhuǎn)Y切X向傳播鈮酸鋰36°Y-XLT36°

旋轉(zhuǎn)Y切X向傳播鉭酸鋰64°Y-XLN64°

旋轉(zhuǎn)Y切X向傳播鈮酸鋰42°Y-XLT42°

旋轉(zhuǎn)Y切X向傳播鉭酸鋰Y-ZLNY切Z向傳播鈮酸鋰45°X-ZLBO45°

旋轉(zhuǎn)X切Z向傳播四硼酸鋰X-112.2°YLTX切112.2°旋轉(zhuǎn)Y向傳播鉭酸鋰ST-XQUARTZST切X向傳播α-石英當(dāng)前15頁，總共60頁。晶片背面的加工粗糙度碳化硅規(guī)格號(hào)100#120#180#240#W28W141000#2000#W3.5粒度尺寸范圍160125806328-2014-1015.58.53.5-2.5晶片粗糙度>7≥5≥31-30.50.5-0.70.15-0.3金勝3--51.5—2.20.8-1.50.5-1.0水晶:0.5-1.0其他0.8-1.5DQ備注晶片背面粗糙度數(shù)值為L(zhǎng)N晶片實(shí)測(cè)典型值。晶片材料不同其加工粗糙度值略有差別。當(dāng)前16頁，總共60頁。四.聲表面波器件制作工藝流程當(dāng)前17頁，總共60頁。1.前工序基片清洗鍍金屬膜涂膠曝光顯影腐蝕探針測(cè)試涂膠曝光顯影鍍金屬膜剝離鍍保護(hù)膜后工序當(dāng)前18頁，總共60頁。濕法工藝當(dāng)前19頁，總共60頁。①.鍍膜鋁晶片當(dāng)前20頁，總共60頁。鋁晶片光刻膠②.涂光刻膠當(dāng)前21頁，總共60頁。③.曝光UV光光刻膠鋁晶片當(dāng)前22頁，總共60頁。④.顯影鋁晶片光刻膠當(dāng)前23頁，總共60頁。⑤.刻蝕光刻膠鋁晶片當(dāng)前24頁，總共60頁。⑥.去膠鋁晶片當(dāng)前25頁，總共60頁。B、剝離工藝當(dāng)前26頁，總共60頁。①.涂光刻膠光刻膠晶片當(dāng)前27頁，總共60頁。②.曝光光刻膠晶片UV光當(dāng)前28頁，總共60頁。③.顯影光刻膠晶片當(dāng)前29頁，總共60頁。④.鍍膜光刻膠晶片鋁當(dāng)前30頁，總共60頁。⑤.去膠鋁晶片當(dāng)前31頁，總共60頁。制作完成圖形當(dāng)前32頁，總共60頁。主要工藝－清洗全自動(dòng)清洗機(jī)當(dāng)前33頁，總共60頁。STANGL精清洗系統(tǒng)

系統(tǒng)精清洗部分由以下構(gòu)成：RBS1槽、RBS2槽、溢流清洗槽、QDR1槽、QDR2槽、兆聲清洗槽、甩干機(jī)。

STANGL精清洗采用的是濕法批量式清洗，所用的工藝為RBS洗液超聲清洗結(jié)合SC1洗液兆聲清洗的方式，因該清洗系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)未考慮酸洗槽，有些晶片在清洗前得預(yù)先經(jīng)過一次酸浸泡處理工藝。該系統(tǒng)專用于Φ3″和Φ4″標(biāo)準(zhǔn)晶圓片的清洗，日產(chǎn)量為300-400片/班（8小時(shí)）。主要工藝－清洗當(dāng)前34頁，總共60頁。主要工藝—鍍膜

設(shè)備名稱:BAK-SAW電子束鍍膜機(jī)

主要技術(shù)指標(biāo)

均勻性單片：±1%

片與片：±2%

批與批：±2%鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI、CU

產(chǎn)量3英寸36片/爐

4英寸18片/爐

適用工藝

剝離工藝和濕法工藝單層和多層鍍膜當(dāng)前35頁，總共60頁。主要工藝—鍍膜

設(shè)備名稱:KDF磁控濺射鍍膜機(jī)

主要技術(shù)指標(biāo)

均勻性單片±2%〔AL)±2～3%(sio2)

片與片±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

批與批±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI

產(chǎn)量

3英寸16片/爐、4英寸9片/爐適用工藝

濕法工藝

單層金屬膜和SIO2保護(hù)膜當(dāng)前36頁，總共60頁。主要工藝—鍍膜

設(shè)備名稱:LEYBOLD(萊寶)電子束鍍膜機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)

均勻性單片±1.5%

片與片：±2.5%

批與批：±2.5%鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI

產(chǎn)量3英寸36片/爐4英寸18片/爐

適用工藝剝離剝離和濕法工藝

單層和多層金屬膜當(dāng)前37頁，總共60頁。主要工藝—鍍膜膜厚測(cè)試:FRT表面輪廓儀

ALPHA-STEP臺(tái)階儀當(dāng)前38頁，總共60頁。主要工藝－光刻分布重復(fù)式投影曝光主要技術(shù)指標(biāo):

最小分辨率：0.5um最大視場(chǎng)：15×19mm

掩膜版尺寸：5英寸晶片尺寸：3英寸光源波長(zhǎng)：I線（365nm）縮影倍率：5：1

曝光工作臺(tái)定位精度：100nm適用工藝：剝離工藝和濕法工藝當(dāng)前39頁，總共60頁。主要工藝－光刻3＂和4＂標(biāo)準(zhǔn)圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影，滿足特征尺寸CD≤0.35μm聲表面波器件的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影工藝制作要求涂敷光刻膠均勻性和一致性：4＂片內(nèi)為±2%，片與片之間達(dá)到±2%；GAMMA涂膠顯影機(jī)當(dāng)前40頁，總共60頁。M2000涂膠顯影機(jī)3“、4”標(biāo)準(zhǔn)圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影，滿足特征尺寸CD≥0.5μm聲表面波器件的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影工藝制作要求；涂敷光刻膠均勻性和一致性：3＂片內(nèi)為±2%，片與片之間達(dá)到±2%；顯影均勻性和一致性：當(dāng)以CD=0.5um作為測(cè)試線寬時(shí)，3＂片內(nèi)為±6%，片與片之間達(dá)到±6%；涂膠產(chǎn)能達(dá)40片/小時(shí)，顯影產(chǎn)能達(dá)40片/小時(shí)；主要工藝－光刻當(dāng)前41頁，總共60頁。半自動(dòng)探針測(cè)試主要工藝－探針測(cè)試當(dāng)前42頁，總共60頁。2.后工序工藝流程點(diǎn)焊入庫終測(cè)標(biāo)記儲(chǔ)能封帽篩選試驗(yàn)絲網(wǎng)涂膠劃片光刻檢驗(yàn)粘片前工序點(diǎn)焊檢驗(yàn)初測(cè)預(yù)焊平行封帽編帶當(dāng)前43頁，總共60頁。主要工藝－絲網(wǎng)涂膠（吸聲膠）絲網(wǎng)涂膠當(dāng)前44頁，總共60頁。SAW濾波器凃膠的重要性當(dāng)前45頁，總共60頁。主要工藝－絲網(wǎng)涂膠吸聲膠將吸聲膠涂到器件兩端，以消除反射回來的聲波對(duì)器件性能的干擾當(dāng)前46頁，總共60頁。主要工藝－劃片半自動(dòng)砂輪劃片機(jī)利用高速旋轉(zhuǎn)的樹脂刀片將晶圓分割成一個(gè)個(gè)小芯片。當(dāng)前47頁，總共60頁。主要工藝－劃片當(dāng)前48頁，總共60頁。主要工藝－粘片（自動(dòng)SMD）將芯片通過粘片膠粘貼固定到外殼底座上當(dāng)前49頁，總共60頁。主要工藝－粘片自動(dòng)粘片當(dāng)前50頁，總共60頁。主要工藝－點(diǎn)焊（自動(dòng)鋁絲鍵合）降到第一焊點(diǎn)加超聲能量鍵合上升到線弧高度當(dāng)前51頁，總共60頁。降到第二焊點(diǎn)加超聲形成第二個(gè)焊點(diǎn)斷線主要工藝－點(diǎn)焊（自動(dòng)鋁絲鍵合）當(dāng)前52頁，總共60頁。主要工藝－點(diǎn)焊6400型自動(dòng)點(diǎn)焊機(jī)當(dāng)前53頁，總共60頁。主要工藝－點(diǎn)焊線拉力和芯片剪切力測(cè)試當(dāng)前54頁，總共60頁。主要工藝－預(yù)焊

預(yù)焊工序用于將表貼器件的蓋板與基座固定起來。當(dāng)前55頁，總共60頁。主要工藝－平行封焊封焊工序?qū)㈩A(yù)焊后的器件焊接完畢。當(dāng)前56頁，總共60頁。主要工藝－平行焊接現(xiàn)有