薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分選機(jī)市場(chǎng)空間分選機(jī)市場(chǎng)空間較大，探針臺(tái)由日本企業(yè)壟斷。不同于測(cè)試機(jī)，全球分選機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)格局相對(duì)分散，2020年前五大分選機(jī)廠商分別為科休、Xcerra、愛德萬、中國臺(tái)灣鴻勁、長川科技，市占率分別為21%、16%、12%、8%、2%。其中大陸企業(yè)只有長川科技并且市占率僅為2%，未來的空間廣闊。而探針臺(tái)市場(chǎng)幾乎由日本東京電子和東京精密兩家占據(jù)，2020年兩家企業(yè)在全球范圍市占率分別為46%和42%，具有極高的進(jìn)入壁壘。半導(dǎo)體設(shè)備定義及產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體專用設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié)。在整個(gè)芯片制造和封測(cè)過程中，會(huì)經(jīng)過上千道加工工序，細(xì)分又可以劃分出百種不同的機(jī)臺(tái)，占比較大市場(chǎng)份額的主要有：光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、離子注入機(jī)、測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)等。半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈中，上游為零部件和系統(tǒng)軟件；中游為半導(dǎo)體設(shè)備，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、涂膠顯影設(shè)備、氧化爐、CMP/CVD/PVD設(shè)備、質(zhì)檢及電學(xué)檢測(cè)設(shè)備等；下游為半導(dǎo)體產(chǎn)品，主要包括分立器件、光電子器件、傳感器和集成電路。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展政策半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)和技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占有重要地位。為推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競(jìng)爭(zhēng)力，我國近年來從戰(zhàn)略地位、人才、資金、技術(shù)、稅收、市場(chǎng)等各方面出臺(tái)了一系列支持性政策?？涛g機(jī)：微觀世界雕刻師作為半導(dǎo)體制造過程中三大核心工藝之一，刻蝕可以簡(jiǎn)單理解為用化學(xué)或物理化學(xué)方法有選擇地在硅片表面去除不需要的材料的過程，可以分為干法刻蝕和濕法刻蝕，目前市場(chǎng)主流的刻蝕方法均為干法刻蝕，可將其分為CCP刻蝕和ICP刻蝕。CCP刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)；而ICP刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的或較薄的材料。三星宣布將成為全球首家采用GAA工藝進(jìn)行3nm制程的生產(chǎn)，相較于FinFET工藝，GAA被譽(yù)為突破3nm制程的有力手段。每一代芯片新技術(shù)的突破，晶體管體積都會(huì)不斷縮小，同時(shí)性能不斷提升。從平面MOSFET結(jié)構(gòu)到FinFET晶體管架構(gòu)，再到后面的GAA結(jié)構(gòu)甚至MBCFET結(jié)構(gòu)，晶體管的復(fù)雜度不斷提升，對(duì)刻蝕和薄膜沉積等核心技術(shù)提出了更高的要求。隨著芯片制程的提升，受到光刻機(jī)波長的限制，往往需要采用多次曝光，才能得到要求的線寬，實(shí)現(xiàn)更小的尺寸。這對(duì)刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比、深寬比、均勻性、殘留物、等離子體引起的敏感器件損傷、顆粒沾污等指標(biāo)上對(duì)刻蝕設(shè)備都提出了更高的要求。我國因無法購買EUV光刻機(jī)而無法進(jìn)行更先進(jìn)制程的產(chǎn)線建設(shè)，如果想要用28nm產(chǎn)線生產(chǎn)14nm線寬的芯片，只能通過多次刻蝕才有可能實(shí)現(xiàn)，這使得對(duì)刻蝕的需求進(jìn)一步提升。從全球范圍來看，刻蝕設(shè)備主要由美國泛林半導(dǎo)體、日本東京電子以及美國應(yīng)用材料三家占據(jù)領(lǐng)先地位，2020年三家市場(chǎng)份額合計(jì)占比近9成。目前國內(nèi)有中微公司和北方華創(chuàng)兩家刻蝕設(shè)備供應(yīng)商，從營收端來看，2020年和2021年中微公司和北方華創(chuàng)刻蝕設(shè)備營收占國內(nèi)總刻蝕市場(chǎng)規(guī)模的9．19%和10．48%左右，隨著公司的訂單逐步釋放，國產(chǎn)化率有望明顯提升。半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況（一）薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長根據(jù)MaximizeMarketResearch數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模從2017年的125億美元擴(kuò)大至2020年的172億美元，年復(fù)合增長率為11．2%。（二）薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化率低我國半導(dǎo)體設(shè)備經(jīng)過最近幾年快速發(fā)展，在部分領(lǐng)域已有一定的進(jìn)步，但整體國產(chǎn)設(shè)備特別在核心設(shè)備化上的國產(chǎn)化率仍然較低。半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備行業(yè)基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等國際巨頭壟斷。近年來隨著國家對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)投入及部分民營企業(yè)的興起，我國半導(dǎo)體制造體系和產(chǎn)業(yè)生態(tài)得以建立和完善。半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的國產(chǎn)化率雖然由2016年的5%提升至2020年的8%，但總體占比尤其是中高端產(chǎn)品占比較低。（三）各類薄膜沉積設(shè)備發(fā)展態(tài)勢(shì)從半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的細(xì)分市場(chǎng)上來看，根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)，2019年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備中PECVD、PVD、ALD設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模占比分別為33%、23%和11%；2020年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備中PECVD、PVD、ALD設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模占比分別為34%、21%和12．8%。在半導(dǎo)體制程進(jìn)入28nm后，由于器件結(jié)構(gòu)不斷縮小且更為3D立體化，生產(chǎn)過程中需要實(shí)現(xiàn)厚度更薄的膜層，以及在更為立體的器件表面均勻鍍膜。在此背景下，ALD技術(shù)憑借優(yōu)異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點(diǎn)，技術(shù)優(yōu)勢(shì)愈加明顯，在半導(dǎo)體薄膜沉積環(huán)節(jié)的市場(chǎng)占有率也將持續(xù)提高。光伏行業(yè)概覽（一）光伏產(chǎn)業(yè)鏈情況光伏產(chǎn)業(yè)鏈從上到下依次為：晶體硅料的生產(chǎn)和硅棒、硅錠、硅片的加工制作；光伏電池片的生產(chǎn)加工；光伏電池組件的制作；光伏應(yīng)用。行業(yè)產(chǎn)品主要用于光伏產(chǎn)業(yè)鏈的中游環(huán)節(jié)，為太陽能電池片廠商提供鍍膜設(shè)備，用于在電池片正面或背面鍍Al2O3和SiNX，是光伏電池片生產(chǎn)環(huán)節(jié)的關(guān)鍵工藝設(shè)備。（二）光伏行業(yè)發(fā)展概況2010年以來，全球太陽能光伏產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了高速發(fā)展期，太陽能光伏年裝機(jī)容量快速增長，上游相關(guān)行業(yè)也得到迅速發(fā)展。2011年至2021年間，全球年度光伏新增裝機(jī)容量和累計(jì)裝機(jī)容量大幅增長，其中，新增裝機(jī)容量由2011年的32．2GW增加至2021年的170GW，增長超過5倍。IRENA根據(jù)《巴黎協(xié)定》制定的目標(biāo)進(jìn)行測(cè)算，從現(xiàn)在起至2050年，與能源有關(guān)的二氧化碳排放量需要每年減少3．5%左右，并在此后持續(xù)減少。因此，全球能源格局的深刻變革對(duì)于實(shí)現(xiàn)該協(xié)定的氣候目標(biāo)至關(guān)重要。隨著清潔能源的使用和迅速發(fā)展，太陽能和風(fēng)能將引領(lǐng)全球電力行業(yè)的轉(zhuǎn)型，取代傳統(tǒng)的化石燃料發(fā)電將成為可能。根據(jù)IRENA的預(yù)測(cè)，未來，風(fēng)力發(fā)電將占總電力需求的三分之一以上，而太陽能光伏發(fā)電將緊隨其后，占總電力需求的25%，這意味著在未來十年內(nèi)，太陽能光伏發(fā)電的全球總?cè)萘繉?018年的480?GW，到2030年達(dá)到2，840?GW，到2050年達(dá)到8，519?GW。按年增長率計(jì)算，到2030年，太陽能光伏發(fā)電的年新增容量較2018年水平需要增加近3倍，達(dá)到270?GW/年，到2050年，需要增加4倍，達(dá)到372?GW/年。到2050年，太陽能光伏將有助于減少4．9Gt的二氧化碳年排放量，占實(shí)現(xiàn)巴黎氣候目標(biāo)所需能源部門總減排量的21%。我國太陽能光伏產(chǎn)業(yè)起步相對(duì)國外較晚，但受惠于全球光伏行業(yè)的高速發(fā)展，憑借國家政策的大力支持與人力資源、成本優(yōu)勢(shì)，發(fā)展極為迅速。截至2021年底，我國光伏發(fā)電裝機(jī)量達(dá)307GW，同比增長21%，連續(xù)7年位居全球首位；2021年新增光伏發(fā)電裝機(jī)54