目 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)2013入學(xué)考試材料學(xué)/材料物理與化學(xué)專業(yè)復(fù)筆試試題（簡(jiǎn) 一 必做題（40個(gè)選擇，每個(gè)2分，涉及多個(gè)學(xué)科 二．簡(jiǎn)答（10題選6個(gè)，5分一個(gè)，如果都做，只計(jì)所做的前6個(gè) 三．問(wèn)答（10題選6個(gè)，5分一個(gè)，如果都做，只計(jì)所做的前6個(gè) 四．翻 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)2012入學(xué)考試材料學(xué)/材料物理與化學(xué)專業(yè)復(fù)筆試試題（簡(jiǎn) 問(wèn)答題（15選10題作答，多做按得分少的記，每題五分共計(jì)50分 選擇題（時(shí)間有限僅抄了題干 自己復(fù)習(xí)不如我給你講解，需要，請(qǐng)聯(lián)系作2013做了一個(gè)點(diǎn)評(píng)，沒(méi)有組織答案，這個(gè)沒(méi)有2012中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)2013入學(xué)考試材料學(xué)/材料物理（點(diǎn)缺陷定義：在點(diǎn)陣上有物質(zhì)種類(lèi)，位置，環(huán)境，電荷不同(擴(kuò)散定義：物質(zhì)粒子，驅(qū)動(dòng)力，定向長(zhǎng)程遷移)3（介觀結(jié)構(gòu)與性能：缺陷存在的普遍性（材料物理性能：能量轉(zhuǎn)換（物理經(jīng)典實(shí)驗(yàn)、理論：參考普通物理（擴(kuò)散理論擴(kuò)展——電導(dǎo)模型：電子在外場(chǎng)（電場(chǎng)）驅(qū)動(dòng)下運(yùn)動(dòng)（晶體學(xué)基本問(wèn)題：各種密堆積的參數(shù)（經(jīng)典理論闡述：三種能帶結(jié)構(gòu)（影響擴(kuò)散的諸多因素分析（普通物理常用數(shù)量及量綱（無(wú)機(jī)及分析化學(xué)基本問(wèn)題：化學(xué)式配平反應(yīng)〖(_1^)H〗^2+〖(_1^)H〗^3=〖(_2^)He〗^4+〖(_0^)n〗^1是什么 （普通物理之核反應(yīng)基本方程E=mc2Mg，cm/sE（普通物理之量綱推到轉(zhuǎn)化 （無(wú)機(jī)及分析化學(xué)之質(zhì)子酸堿理論（電化學(xué)基本反應(yīng)方程（原子結(jié)構(gòu)元素周期表下面那個(gè)不能用加速（普通物理之問(wèn)題1s22s22p63s23p1（原子結(jié)構(gòu)元素周期表（化學(xué)鍵理論和溶質(zhì)溶劑理論（常見(jiàn)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和組成下面哪種金屬可以用氫氣（無(wú)機(jī)化學(xué)之常見(jiàn)氣體（經(jīng)典化學(xué)反應(yīng)推理（經(jīng)典物理效應(yīng)和物理性能測(cè)量(擴(kuò)散定義：物質(zhì)粒子，驅(qū)動(dòng)力，定向長(zhǎng)程遷移)26銅自由生長(zhǎng)的單晶，外觀是什么樣子（常見(jiàn)晶體結(jié)構(gòu)，晶胞與宏觀晶體關(guān)系納米金的比普通金（納米材料性能，材料工藝學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)（物理性能測(cè)量之晶體（材料基礎(chǔ)知識(shí)（物理化學(xué)基礎(chǔ)概念（自由能1（電導(dǎo)與物質(zhì)結(jié)構(gòu)，缺陷34石，石墨，碳六十，碳納米管，結(jié)構(gòu)（新型材料，材料基礎(chǔ)（新型材料，材料基礎(chǔ)ABO3型，ABO（晶體結(jié)構(gòu)模型，晶體學(xué)基礎(chǔ)N（晶體結(jié)構(gòu)模型，晶體學(xué)基礎(chǔ)298.2K100000Pa1CCl4，I0.2mlI2,II0.4mlI2,（物理化學(xué)之化學(xué)勢(shì)同溫同壓下，AB（物理化學(xué)之化學(xué)勢(shì)半導(dǎo)體的載流子濃度怎么變化？電導(dǎo)率怎么變化？Eg（材料物理性能，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，測(cè)量，性質(zhì)（106個(gè)，56個(gè)伽常熟 普適氣體常數(shù)8.314常數(shù) （33）×10^（-34） 光 法拉第常（普通物理常用數(shù)量及量綱（材料缺陷學(xué)基礎(chǔ)，缺陷種類(lèi)與解釋論述（測(cè)試技術(shù)之電測(cè)試——電子與物質(zhì)作用基本理論（經(jīng)典物理效應(yīng)與應(yīng)用，材料性能的測(cè)量1（普通物理之的波（材料物理性能：電性能之壓電效應(yīng)，逆壓電效應(yīng)，熱釋電效應(yīng)（相變與相圖基礎(chǔ)知識(shí)紅外線力如何？為什（材料物理性能：光性能和光與材料作用（物理化學(xué)之熱二（106個(gè)，56個(gè)2真空的方法，真空怎么表（測(cè)試技術(shù)和普通物理及日常實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)：如何制得真空，這個(gè)可以NaClCuSO4（物質(zhì)的光效應(yīng)之顯色問(wèn)題，基礎(chǔ)化學(xué)知識(shí)描述一種薄膜的方法及原（綜合知識(shí)論述一種常用/常見(jiàn)問(wèn)題，可以擴(kuò)展——粉末，晶體涉及學(xué)科前沿，測(cè)試技術(shù)，實(shí)驗(yàn)?zāi)芰?，表達(dá)能力四引測(cè)電阻的原理及過(guò)程和優(yōu)缺點(diǎn)（測(cè)試技術(shù)之基礎(chǔ)理論，經(jīng)典實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)理論（無(wú)機(jī)化學(xué)之元素周期表問(wèn)題在指定壓力下,相律變?yōu)椋篺=K-Φ+1=2-Φ+1=3-Φ,時(shí),Φ=3,因此,Na2CO3（相平衡，相率，相的問(wèn)題理想氣體的標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)和函數(shù)式什（物理化學(xué)之熱力學(xué)與理想氣體，基礎(chǔ)知識(shí)說(shuō)一種功能材料，說(shuō)出方PZT1200度高溫下燒結(jié)而成的多晶（綜合知識(shí)論述一種常用/常見(jiàn)問(wèn)題，可以指定或者自由論述……（物理化學(xué)之化學(xué)勢(shì)計(jì)算20中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)2012入學(xué)考試材料學(xué)/材料物理50分簡(jiǎn)述一種TiO2粉末的化學(xué)合成途簡(jiǎn)述一種薄膜的方法并簡(jiǎn)述其原熒光，顯得格外艷麗。玻璃至半光澤。硬度9，密度為了精確測(cè)量極小電阻，請(qǐng)使用 端子測(cè)量法4端子測(cè)量（2），是由供給額定電流的電流源端口，和檢測(cè)電壓2（考的相率任意介紹一種功能材料，并給出其方S24點(diǎn)缺 B。線缺 C。面缺 D。色利用霍爾效應(yīng)可以測(cè)定半導(dǎo)體材料的？（載流子的種類(lèi)與密度1.金屬。23.絕緣體。4.P2O5H3PO4B。 C。3 D。納米銀與銀相比，其是比）越大,比表面能就越大,于是就會(huì)越低.BN、Si3N4、SiN、ZnO2