界面結(jié)構(gòu)與運(yùn)動學(xué)理論_第1頁
界面結(jié)構(gòu)與運(yùn)動學(xué)理論_第2頁
界面結(jié)構(gòu)與運(yùn)動學(xué)理論_第3頁
界面結(jié)構(gòu)與運(yùn)動學(xué)理論_第4頁
界面結(jié)構(gòu)與運(yùn)動學(xué)理論_第5頁
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界面結(jié)構(gòu)與運(yùn)動學(xué)理論第1頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一人工晶體基礎(chǔ)研究的重要內(nèi)容:晶體生長機(jī)制的研究界面的微觀結(jié)構(gòu)決定了晶體的生長機(jī)制晶體的生長機(jī)制決定了它所遵循的動力學(xué)規(guī)律界面的熱力學(xué)性質(zhì)及其結(jié)構(gòu)第2頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一界面:是指在熱力學(xué)系統(tǒng)中共存各相的分界面;它應(yīng)包括:固-液界面、固-氣界面、固-固界面、液-氣界面和液-液界面等;與晶體生長有關(guān)的界面:晶體-流體(蒸氣、溶液、熔體)界面;向流體中不斷推移的過程;產(chǎn)生:在流體的亞穩(wěn)相中一旦有新相出現(xiàn),必然同時伴有界面產(chǎn)生;而晶體的生長過程是和界面的性質(zhì)緊密相關(guān)的;晶體的生長過程實(shí)質(zhì)上就是生長基元從流體相中,不斷通過界面而進(jìn)入晶格座位的過程;第3頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一問題:生長基元以何種方式以及如何通過界面而進(jìn)入晶格座位的;在進(jìn)入晶格座位的過程中又如何受界面結(jié)構(gòu)的制約。界面的微觀理論研究:提出了各種各樣的理論和模型;很難找到一種對各種晶體、各種生長環(huán)境相均適用的統(tǒng)一的理論模型;劃分界面類型的標(biāo)準(zhǔn)有許多種:界面是突變的,還是漸變的;是光滑的,還是粗糙的;是完整的,還是非完整的;是存在有吸附層,還是不存在有吸附層等等。第4頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一7.1界面的平衡形態(tài)第5頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一1微觀粗糙界面7.1.1固一液界面的微觀結(jié)構(gòu)微觀-原子尺度;

粗糙-厚度為幾個原子間距的過渡層的固液界面;

排列-過渡層中固相液相原子交錯排列;

連續(xù)長大-處處等效,液相原子容易落座,晶體長大容易,晶體連續(xù)生長,稱之為“連續(xù)長大”;

不顯示特定晶面-界面形貌隨溫度與溶質(zhì)濃度分布而定;

宏觀光滑-微觀粗糙,非小平面生長。第6頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一2微觀光滑界面微觀-原子尺度;

光滑-界面兩側(cè)的固液兩相是截然分開;

排列-界面基本上為完整原子密排晶面;

側(cè)面長大-靠原子沉積在臺階邊緣側(cè)面擴(kuò)展長大;臺階-二維晶核,螺型位錯,孿晶面;

特定晶面-小平面都是密排晶面;

宏觀粗糙-微觀光滑,小平面生長,呈曲折的臺階狀。第7頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一第8頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一第9頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一7.1.2晶體表面的結(jié)構(gòu)1界面反應(yīng):晶體生長,不論是單組分體系還是多組分體系,生長過程中一個重要的階段是界面反應(yīng);這一反應(yīng)可以作為若干亞反應(yīng)發(fā)生。面心立方結(jié)構(gòu)的晶體的表面構(gòu)造:2晶體表面:第10頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一晶面上原子密度的差別,導(dǎo)致不同結(jié)晶面吸附性、生長、溶解度及反應(yīng)活性不同。第11頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一(1)每一立方塊代表一個原子;原子是相同的并且緊密排列;(2)晶體內(nèi)部的每個原子有:

6個第一近鄰,面接觸;

12個第二近鄰,棱邊接觸;

8個第三近鄰,頂角相接觸。(3)成鍵時釋放能量:位置(1):3個最近鄰鍵+6個第二近鄰鍵+…

位置(2):2個最近鄰鍵+6個第二近鄰鍵+…

位置(3):1個最近鄰鍵+4個第二近鄰鍵+…

位置(4):1個最近鄰鍵+3個第二近鄰鍵+…

位置(5):1個最近鄰鍵+2個第二近鄰鍵+…原于添加的容易程度3原子級光滑理想表面模型:第12頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一(4)鍵合力(鍵合力反比于立方體中心距離的平方)第一近鄰1/b

第二近鄰1/(2b)

第三近鄰1/(3b)其中,b為立方體的邊長。(5)A+B-表面上的添加A+A+將與第一近鄰B能量按1/b比例增加;與第二近鄰A+原子將按(-)n/2b比例排斥,n是第二近鄰的數(shù)目;與第三近鄰B-原子,按m/3b成比例吸引,m為第三近鄰的數(shù)目。如果不考慮遠(yuǎn)于第三近鄰原子的作用,它所釋放出的能量為:式中為比例常數(shù)。第13頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一原子(3)、(4)和(5):原子(3)或(5)上添加原子要比在原于(4)上添加有利。第14頁,共15頁,2023年,2月20日,星期一(6)考塞爾假設(shè)假設(shè)原子間力比原子間距離的平方減小得快:因此:對于極性晶體,原子在開始進(jìn)入新的原子層時,原子(5)是最有利的位置。問題:

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