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文檔簡介
Array工藝原理與工程檢查-檢查第一頁,共27頁。內(nèi)容:Array檢查流程檢查項目及使用裝置TN的G檢TN的D檢TN的A檢TN的顯影后檢查
2第二頁,共27頁。ARRAY檢查流程3第三頁,共27頁。日文名中文名英文名アレイテスタ裝置陳列檢測設(shè)備裝置ARRAYTESTERMACHINE自動外観検査裝置光學(xué)自動外觀檢查裝置AUTOMATICOPTICALINSPECTIONMACHINE特性測定裝置特性測試設(shè)備TEGProberEquipmentレーザリペア裝置激光修補(bǔ)儀LaserRepairMachineレーザCVDリペア裝置激光化學(xué)氣相沉積修補(bǔ)設(shè)備
LaserCVDRepairMachineO/Sチェッカー斷路或短路檢驗(yàn)裝置FLATPANELO/STESTOFMACHINEMacro/Micro検査裝置微觀/宏觀檢查裝置MACRO/MICROCHECKOFMACHINEMacro検査裝置宏觀檢查裝置MACROCHECKOFMACHINEAutoMacro検査裝置自動宏觀檢查裝置AUTOMACROCHECKOFMACHINE檢查設(shè)備一覽表4第四頁,共27頁。ARRAY檢查流程TN:4MaskProcessG工程O/S檢查AOI檢查LaserRepairD/I工程G檢AOI檢查LaserRepairLaserCVDD檢C工程PI工程特性檢查ArrayTestLaserRepairMMO最終檢查GPR顯影后檢查DPR顯影后檢查CPR顯影后檢查PIPR顯影后檢查5第五頁,共27頁。Array檢查項目TN的G檢TN的D檢TN的A檢TN的顯影后檢查
6第六頁,共27頁。TN的G檢使用設(shè)備:O/S檢查、自動外觀檢查、激光切斷檢查目的:通過對ARRAY工程中像素電氣特性的比較檢查,對于檢出的短路可以進(jìn)行修復(fù)對應(yīng)措施:layer缺陷修復(fù)GateGate、Com短路激光切斷Gate、Com斷路激光修復(fù)7第七頁,共27頁。TN的D檢查檢查目的通過對ARRAY工程中畫素圖案的比較檢查、可以檢出圖形缺陷、工程不良和異物付著等缺陷。對于檢出的短路和斷路不良之后可以進(jìn)行修復(fù)使用設(shè)備自動外觀檢查裝置(ORBOTECH)LaserRepair裝置(NEC)LaserCVD裝置(NEC)檢出缺陷Layer缺陷修復(fù)GateGate、Come短路激光切斷Gate、Com斷路激光修復(fù)圖形不良根據(jù)缺陷判斷是否修復(fù)IslandSi殘留根據(jù)缺陷判斷是否修復(fù)DrainDrain短路激光切斷Drain斷路激光CVD圖形不良根據(jù)缺陷判斷是否修復(fù)8第八頁,共27頁。TN的D檢查流程Drain刻蝕剝離完成自動外觀檢查激光切斷激光
CVD短路斷路對于D工程的完成品,使用自動外觀檢查裝置進(jìn)行抽檢,檢出的短路不良,使用激光切斷進(jìn)行修復(fù),檢出的可修復(fù)的斷路不良,使用激光CVD進(jìn)行修復(fù)。Ok9第九頁,共27頁。Drain刻蝕剝離完成檢查結(jié)果例:
欠陥1X:420.115
Y:223.765
Size:5
ZONE:1自動外觀檢查裝置(TN、SFT全數(shù))Drain刻蝕完成后,對外觀上的缺陷進(jìn)行檢出自動外觀檢查激光切斷(短路)激光
CVD(斷路)D-D短路D斷路點(diǎn)缺陷??D斷路D斷路點(diǎn)缺陷(D-PI)D-D短路10第十頁,共27頁。Drain刻蝕剝離完成自動外觀檢查激光切斷(短路)激光
CVD(斷路)激光切斷根據(jù)座標(biāo)數(shù)據(jù)對短路的部分進(jìn)行激光切斷D-D短路點(diǎn)缺陷(將來)激光
CVD根據(jù)座標(biāo)數(shù)據(jù)對斷路的部分進(jìn)行激光CVD修復(fù)D斷路11第十一頁,共27頁。SystemcontrollerKeyboardMouseJoystickMainwindowReviewwindowCommunicationstatuswindowSystemmonitorImagecomputer8bitADConverterMachinecontroller自動外觀檢查裝置示意圖12第十二頁,共27頁。檢查方法概略①取得畫像②畫像處理
(比較)例)例)LotNo
PanelNo
缺陷No
X座標(biāo)Y座標(biāo)
SizeMode等例)重復(fù)比較相鄰畫素圖案對Array基板全面掃描使用Sensor進(jìn)行取像(430、150)area3Origin③獲得缺陷情報13第十三頁,共27頁。缺陷檢出方式Realtimebuffer
ABCDDelayedbuffer
ABCDefectdetectionComparisonDifferenceNoDifferenceDifferenceComparisonComparison14第十四頁,共27頁。實(shí)時缺陷信息●Coordinates,The#ofInspectionarea(430、150)area3Origin●Size,dx,dy,length,widthdy:5dx:6width:2length:5size:18●GrayLevel(Range:0~255)-----DefectGL,ReferenceGLAnalogImageDigitalImageAtoDFrequencyMinMaxPeak1Peak215第十五頁,共27頁。D工程后象素圖形16第十六頁,共27頁。D工程后短路缺陷17第十七頁,共27頁。TN的Array檢查流程檢查目的檢查TN型產(chǎn)品畫素圖形是否良好測定方式是根據(jù)TFT的正負(fù)電壓的變換而產(chǎn)生的二次電子量進(jìn)行檢出之后可以對檢出的短路不良進(jìn)行修復(fù)使用設(shè)備Array檢查裝置(島津)激光切斷裝置(NEC)檢出缺陷短路畫素短路激光切斷G-G短路激光切斷D-D短路激光切斷其他點(diǎn)缺陷等根據(jù)缺陷判斷是否修復(fù)18第十八頁,共27頁。TN的Array檢查流程Array基板完成品Array檢查激光切斷短路PI工程完成后,使用Array檢查裝置對基板進(jìn)行電氣特性檢查。對于短路不良,之后可以用激光切斷裝置進(jìn)行修復(fù)19第十九頁,共27頁。TN的Array檢查流程Array檢查裝置激光切斷(短路)Array檢查裝置激光切斷(短路)?檢查結(jié)果例SheetNo10PanelNo7G321、D1820
PanelNo13
G25、D1966Array檢查裝置(TN全數(shù))對Array基板的完成品進(jìn)行缺陷檢出點(diǎn)缺陷?激光切斷根據(jù)座標(biāo)數(shù)據(jù)對短路的部分進(jìn)行激光切斷點(diǎn)缺陷20第二十頁,共27頁。檢查的基本原理DataSignalGateSignalSignalinnormalTFTitselfSESignalinnormalTFTTimeGateLineITOTFT二次電子ee入射電子高能量電子束打在TFT基板上給TFT基板加電壓二次電子從ITO上出射測量ITO電極上的二次電子信號非正常電壓為基板上有缺陷21第二十一頁,共27頁。裝置的外觀圖22第二十二頁,共27頁。電子槍的外觀圖E-GUN外観※S1ライン用には、7つの電子銃を搭載23第二十三頁,共27頁。Array工程完成品象素圖形24第二十四頁,共27頁。特性檢查裝置?Sheet內(nèi)的點(diǎn)(TEG像素)測量TFT像素特性的測定裝置???測定Point??????[A][V]0
Vg1E-101E-7Gate端子ProbeDrain
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