QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介_第1頁(yè)
QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介_第2頁(yè)
QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介_第3頁(yè)
QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介_第4頁(yè)
QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩34頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

QFNPACKAGING封裝技術(shù)簡(jiǎn)介QUADFLATNO-LEADPACKAGEQFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介IC封裝趨勢(shì)QFN&BGA封裝外觀尺寸QFN&BGA封裝流程IC封裝材料三種封裝代表性工藝介紹QFN封裝的可靠度結(jié)論

目錄QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介根據(jù)摩爾第一定律,芯片的集成度每18個(gè)月提高一倍,而價(jià)格下降

50%,產(chǎn)品的生命周期僅2.53年這就決定了集成電路行業(yè)需要大量的資金和研發(fā)投入,半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)已經(jīng)邁入所謂成熟期。根據(jù)天下雜誌2002的100大企業(yè)調(diào)查,企業(yè)平均獲利水準(zhǔn)約在1.3%,創(chuàng)下十七年來(lái)的最低,正式宣告微利化時(shí)代的來(lái)臨。一般在開始規(guī)模約在50部銲線機(jī),其投資額約在十億左右(含廠房與設(shè)施)。產(chǎn)品從雙排腳到平面四面腳/膠帶線/球陣列/影像感應(yīng)/薄膜晶體,因大部份同質(zhì)性均高,造成價(jià)格互相之間的排擠效應(yīng)。而數(shù)個(gè)集團(tuán)如安可、日月光、矽品,亦夾其大公司、資本雄厚的優(yōu)勢(shì),試圖合併其他較小的公司,以利其價(jià)格之主宰。同時(shí)大公司亦佔(zhàn)有〝量大〞的優(yōu)勢(shì),故與廠商的議價(jià)能力相當(dāng)高,如日月光可依據(jù)價(jià)格自由選擇廠商或更換廠商。而與購(gòu)買者議價(jià)能力,則受幾家大廠的殺價(jià)狀況所影響,致使購(gòu)買者的轉(zhuǎn)換成本加大。而未來(lái)低腳數(shù)球陣列產(chǎn)品亦漸漸被QFN產(chǎn)品所取代。QFN封裝趨勢(shì)QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介摩爾定律

摩爾定律是指:IC上可容納的電晶體數(shù)目,約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍。摩爾定律是由英特爾(Intel)名譽(yù)董事長(zhǎng)摩爾經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期觀察發(fā)現(xiàn)得之。摩爾定律是指一個(gè)尺寸相同的晶片上,所容納的電晶體數(shù)量,因製程技術(shù)的提升,每十八個(gè)月會(huì)加倍,但售價(jià)相同;晶片的容量是以電晶體(Transistor)的數(shù)量多寡來(lái)計(jì)算,電晶體愈多則晶片執(zhí)行運(yùn)算的速度愈快,當(dāng)然,所需要的生產(chǎn)技術(shù)愈高明。若在相同面積的晶圓下生產(chǎn)同樣規(guī)格的IC,隨著製程技術(shù)的進(jìn)步,每隔一年半,IC產(chǎn)出量就可增加一倍,換算為成本,即每隔一年半成本可降低五成,平均每年成本可降低三成多。就摩爾定律延伸,IC技術(shù)每隔一年半推進(jìn)一個(gè)世代。摩爾定律是簡(jiǎn)單評(píng)估半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展的經(jīng)驗(yàn)法則,其重要的意義在於長(zhǎng)期而,IC製程技術(shù)是以一直線的方式向前推展,使得IC產(chǎn)品能持續(xù)降低成本,提升性能,增加功能。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀先生曾表示,摩爾定律在過(guò)去30年相當(dāng)有效,未來(lái)10~15年應(yīng)依然適用。QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介Trendof

Assembly

封裝趨勢(shì)圖CSP&QFNQFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介產(chǎn)品演進(jìn)圖片TSOPQFNBGATSOPQFNBGAQFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介QFN封裝外觀尺寸QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介DieSubstrate(BTlaminate)SolderballABCDEminiBGACrosssection小型BGA截面圖FminiBGA(BallGridArray球閘陣列封裝)QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介Curing(forepoxy)DieBondDieSawWireBondDieCoating(Optional)O/STest(Optional)FormingDe-taping(Optional)Grinding(Optional)Taping(Optional)WaferMountUVcuring(Optional)Curing(forink)BackMarking(Optional)MoldingTrimmingPLATEPostMoldCuringLeadframeTypeStandardCycleTime:3.5daysQFN封裝流程Packing&DeliveryQFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介WaferGrindingWaferMountDieSawDieBond1stPlasmaCleanWireBondMolding2ndPlasmaCleanPostMoldCureMarkingBallMountPackageSawFinalVisualInspectionPackingPackageMountPick&PlaceminiBGAStandardCycleTime:5daysminiBGA封裝流程QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介MoldingcompoundGoldwireEpoxy(Silverpaste)GoldSnEpoxycompoundLeadframeCopper/AlloyIC封裝材料SubstrateSolderballsBTResinSolderAlloyQFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介ChipSubstrateChipSubstrateChipSubstrateUnderfillEncapsulant(a)Systemwithoutunderfill(b)Systemunderfill(c)SystemencapsulatedSolderflipchipinterconnectsystems晶片錫球PCB載板QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介SiliconChipFilledEpoxyEncapsulantFR-4CarrierSolderflipchipinterconnectsystemsQFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介Conventional–LeadframeType(PDIP,SOP,TSOP,QFP)傳統(tǒng)封裝(導(dǎo)綫架型)Advanced–SubstrateType(BGA)高級(jí)-基片型封裝Moldingcompound膠體Leadframe導(dǎo)綫架Goldwire金綫Die晶片Epoxy(Silverpaste)環(huán)氧樹脂(銀膠)Dieattachpad貼Die墊Moldingcompound模壓膠體Epoxy(Silverpaste)銀膠Die晶片Goldwire金綫Solderball錫球BTresin樹脂基片Throughhole貫穿孔Die晶片Goldwire金綫LOCtapeLOC膠帶LeadframewithDown-set導(dǎo)綫架下置LOC(Lead-on-chip)導(dǎo)綫架上置PackageTypesandApplications封裝類型及應(yīng)用QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介StackedwiringMulti-layer1stbondWireBondingExamples焊綫視圖QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介L(zhǎng)eadbondingonchip引腳焊在晶片上Solderbondsonchip錫球植在晶片上ConnectionExamples接綫舉例QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介Epoxycompound

流動(dòng)模擬圖1QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介Epoxycompound

流動(dòng)模擬圖2QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介Epoxycompound

流動(dòng)模擬圖3QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介Epoxycompound

流動(dòng)模擬圖4QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介Waferback-sidegrindingDiesawingEpoxypasteDieattachWirebondingMolding傳統(tǒng)ICPACKAGE工藝一QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介Back-sideMarking(Laser/ink)ABCWorldLeadingWaferFABTrimmingSolderplatingForming傳統(tǒng)ICPACKAGE工藝二QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介MarkingABCWorldLeadingWaferFABABCWorldLeadingWaferFABABCWorldLeadingWaferFABABCWorldLeadingWaferFABFluxPrintingVacuumBallAttachReflowBGAPACKAGE工藝一QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介SingulationSawSingulationRouterABC27DecABC27DecABC27DecABC27DecPunchBGAPACKAGE工藝二QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介Back-sideMarking(Laser/ink)QFNPACKAGE工藝ABCWorldLeadingWaferFABSolderplatingFormingQFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介

MountingMethodswiththePCB與PCB的銜接方式

1.Pin-through-hole(SIP,DIP)

2.SurfaceMountTechnology(TSOP,

插件方式 QFP,BGA)貼片方式

LeadDistributions引腳分佈

1.Single(SIP)

2.Dual(TSOP)

3.Quad(QFP)

4.BGA

單列雙列四列矩陣PackageLeadPCBMountingMethodswiththePCB與PCB的銜接方式QFNQFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介QFN封裝品質(zhì)的可靠度ASMJEDECMO-220QFNPackageJEDEC是電子工業(yè)聯(lián)盟的半導(dǎo)體工程標(biāo)準(zhǔn)化組織QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介QFN封裝品質(zhì)的可靠度QFN封裝技術(shù)簡(jiǎn)介

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論