晶體硅太陽能電池生產(chǎn)工藝晶體硅太陽能電池生產(chǎn)工藝/晶體硅太陽能電池生產(chǎn)工藝一、硅片檢測硅片是太陽能電池片的載體，硅片質(zhì)量的利害直接決定了太陽能電池片變換效率的高低，因此需要對來料硅片進(jìn)行檢測。該工序主要用來對硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線測量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平展度、少子壽命（>10us）、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測模塊。其中，光伏硅片檢測儀對硅片表面不平展度進(jìn)行檢測,同時(shí)檢測硅片的尺寸和對角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測模塊用來檢測硅片的內(nèi)部微裂紋；別的還有兩個(gè)檢測模組，其中一個(gè)在線測試模組主要測試硅片體電阻率和硅片種類，另一個(gè)模塊用于檢測硅片的少子壽命。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測從前，需要先對硅片的對角線、微裂紋進(jìn)行檢測，并自動(dòng)剔除破壞硅片。硅片檢測設(shè)施能夠自動(dòng)裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ǖ刂罚瑥亩岣邫z測精度和效率。二、表面制絨單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐化，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個(gè)四周方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸取，提高了電池的短路電流和變換效率。硅的各向異性腐化液平時(shí)用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價(jià)的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐化溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應(yīng)在溶液中酌量增加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑，以加快硅的腐化。制備絨眼前，硅片須先進(jìn)行初步表面腐化，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐化絨面后，進(jìn)行一般的化學(xué)沖刷。經(jīng)過表面準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應(yīng)趕忙擴(kuò)散制結(jié)。三、擴(kuò)散制結(jié)太陽能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的變換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽能電池PN結(jié)的專用設(shè)施。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分平和柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在850900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，?jīng)過三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，獲得磷原子。經(jīng)過一準(zhǔn)時(shí)間，磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層，并且經(jīng)過硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部浸透擴(kuò)散，形成了N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的交界面，也就是PN結(jié)。這種方法制出的PN結(jié)均勻性好,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結(jié)是太陽電池生產(chǎn)最基本也是最要點(diǎn)的工序。由于正是PN結(jié)的形成，才使電子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導(dǎo)線將電流引出，就是直流電。四、去磷硅玻璃該工藝用于太陽能電池片生產(chǎn)制造過程中，經(jīng)過化學(xué)腐化法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸，以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴(kuò)散過程中，POCL3與O2反應(yīng)生成P2O5淀積在硅片表面。P2O5與Si反應(yīng)又生成SiO2和磷原子，這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱之為磷硅玻璃。去磷硅玻璃的設(shè)施一般由本體、沖刷槽、伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、機(jī)械臂、電氣控制系統(tǒng)和自動(dòng)配酸系統(tǒng)等部分組成，主要?jiǎng)恿υ从袣浞?、氮?dú)?、壓縮空氣、純水，熱排風(fēng)和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是由于氫氟酸與二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。若氫氟酸過分，反應(yīng)生成的四氟化硅會進(jìn)一步與氫氟酸反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸。五、等離子刻蝕由于在擴(kuò)散過程中，即使采用背靠背擴(kuò)散，硅片的所有表面包括邊緣都將不能防備地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴(kuò)散有磷的地域流到PN結(jié)的反面，而造成短路。因此，必定對太陽能電池周邊的混淆硅進(jìn)行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結(jié)。平時(shí)采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能夠吸取能量并形成大量的活性基團(tuán)?；钚苑磻?yīng)基團(tuán)由于擴(kuò)散也許在電場作用下到達(dá)SiO2表面，在那處與被刻蝕資料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物走開被刻蝕物質(zhì)表面，被真空系統(tǒng)抽出腔體。六、鍍減反射膜拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的變換效率,需要聚積一層氮化硅減反射膜?，F(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)施制備減反射膜。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相聚積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，爾后通入適合的反應(yīng)氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相聚積的方法聚積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜擁有光學(xué)的功能性。利用薄膜干涉原理，能夠使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當(dāng)?shù)奶岣?。七、絲網(wǎng)印刷太陽電池經(jīng)過制絨、擴(kuò)散及PECVD等工序后，已經(jīng)制成PN結(jié)，能夠在光照下產(chǎn)生電流，為了將產(chǎn)生的電流導(dǎo)出，需要在電池表面上制作正、負(fù)兩個(gè)電極。制造電極的方法很多，而絲網(wǎng)印刷是目前制作太陽電池電極最寬泛的一種生產(chǎn)工藝。絲網(wǎng)印刷是采用壓印的方式將預(yù)定的圖形印刷在基板上，該設(shè)施由電池反面銀鋁漿印刷、電池反面鋁漿印刷和電池正面銀漿印刷三部分組成。其工作原理為：利用絲網(wǎng)圖形部分網(wǎng)孔透過漿料，用刮刀在絲網(wǎng)的漿料部位施加必然壓力，同時(shí)朝絲網(wǎng)另一端搬動(dòng)。油墨在搬動(dòng)中被刮刀從圖形部分的網(wǎng)孔中擠壓到基片上。由于漿料的粘性作用使印跡固著在必然范圍內(nèi)，印刷中刮板向來與絲網(wǎng)印版和基片呈線性接觸，接觸線隨刮刀搬動(dòng)而搬動(dòng)，從而完成印刷行程。八、快速燒結(jié)經(jīng)過絲網(wǎng)印刷后的硅片，不能夠直接使用，需經(jīng)燒結(jié)爐快速燒結(jié)，將有機(jī)樹脂粘合劑燃燒掉，剩下幾乎純粹的、由于玻璃質(zhì)作用而密合在硅片上的銀電極。當(dāng)銀電極和晶體硅在溫度達(dá)到共晶溫度時(shí)，晶體硅原子以必然的比率融入到熔融的銀電極資料中去，從而形成上下電極的歐姆接觸，提高電池片的開路電壓和填充因子兩個(gè)要點(diǎn)參數(shù)，使其擁有電阻特點(diǎn)，以提高電池片的變換效率。燒結(jié)爐分為預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。預(yù)燒結(jié)階段目的是使?jié){料中的高分子粘合劑分解、燃燒掉，此階段溫度慢慢上升；燒結(jié)階段中燒結(jié)體內(nèi)完成各種物理化學(xué)反應(yīng)，形成電阻膜結(jié)構(gòu)，使其真切擁有電阻特點(diǎn)，該階段溫度達(dá)到峰值；降溫冷卻階段，玻璃冷卻硬化并凝固，使電阻膜結(jié)構(gòu)固定地粘附于基片上。九、外面設(shè)施在電池片生產(chǎn)過程中，還需要供電、動(dòng)力、給水、排水、暖通、真空、特汽等外面設(shè)施。消防和環(huán)保設(shè)施對于保證安全和連續(xù)發(fā)展也顯得特別重要。一條年產(chǎn)50MW能力的太陽能電池片生產(chǎn)線，僅工藝和動(dòng)力設(shè)施用電功率就在1800KW左右。工藝純水的用量在每小時(shí)15噸左右，水質(zhì)要求達(dá)到中國電子級水GB/T11446.1-1997中EW-1級技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。工藝?yán)鋮s水用量也