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文檔簡介
數(shù)字電路施密特觸發(fā)器第一頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三8.2施密特觸發(fā)器8.2.1用門電路組成的施密特觸發(fā)器8.2.2集成施密特觸發(fā)器8.2.3
施密特觸發(fā)器的應(yīng)用第二頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三8.2施密特觸發(fā)器1、施密特觸發(fā)器電壓傳輸特性及工作特點:①施密特觸發(fā)器屬于電平觸發(fā)器件,當(dāng)輸入信號達(dá)到某一定電壓值時,輸出電壓會發(fā)生突變。②電路有兩個閾值電壓。輸入信號增加和減少時,電路的閾值電壓分別是正向閾值電壓(VT+)和負(fù)閾值電壓(VT-)。同相輸出施密特觸發(fā)器反相輸出施密特觸發(fā)器
oVT+
vO
VOH
VOL
VT-
vI
第三頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三1、電路組成2、工作原理I18.2.1用門電路組成的施密特觸發(fā)器R1<R2I為三角波假定:第四頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三
108
6
4
2
0
vI/V
2
4
6
8
10
VOH≈VDD
vO/V
B
vI1001(1)I上升當(dāng)vI1=0,=0VvO正向閾值電壓(VT+):I值在增加過程中,使輸出電壓產(chǎn)生跳變時所對應(yīng)I的值。只要
I1
<VTH,則保持=0V
OVTHυI1υo(2)當(dāng)=VTH,電路發(fā)生正反饋:υI1第五頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三vI1(3)
υI1VTH電路,維持不變υO(shè)=VOH
,只要υI1>VTH,υI1(4)當(dāng)υI下降,
也下降則保持=VOHυo當(dāng)=VTH,電路產(chǎn)生如下正反饋:
υI1第六頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三vI1vovI第七頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三I1例8.2.1電源電壓VDD=10V,G1、G2負(fù)載電流最大允許值IOHmax=1.3mA,閾值電壓VTH=1/2VDD=5V,且R1/R2=0.5(1)求VT+、VT-和ΔVT(2)試選擇R1、R2值第八頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三8.2.3
施密特觸發(fā)器的應(yīng)用
VT+VT_vT+vT-1.波形變換第九頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三2.
波形的整形第十頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三vovI合理選擇回差電壓,可消除干擾信號。3.消除干擾信號第十一頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三oυI4.
幅度鑒別第十二頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三第十三頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三8.3多諧振蕩器8.3.1由門電路組成的多諧振蕩器8.3.2由門電路組成的多諧振蕩器8.3.3用施密特觸發(fā)器構(gòu)成波形產(chǎn)生電路第十四頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三開關(guān)電路
RC延時環(huán)節(jié)多諧振蕩器的基本組成:開關(guān)器件:產(chǎn)生高、低電平反饋延遲環(huán)節(jié)(RC電路):利用RC電路的充放電特性實現(xiàn)延時,輸出電壓經(jīng)延時后,反饋到開關(guān)器件輸入端,改變電路的輸出狀態(tài),以獲得所脈沖波形輸出。概述8.3多諧振蕩器第十五頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三8.3.1由CMOS門電路組成的多諧振蕩器
1.電路組成
vID1
D2
TP
TN
vO1
R
C
D4
D3
TP
TN
vOG1
G2
+VDD
VC組成的多諧振蕩器.υo1=1,υo=0時,電容充電,υI增加;υo1=0,υo=1時,電容放電,υI下降;υo1與υo2反相,電容接在υo與υI之間:第十六頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三
2.工作原理假定電路初態(tài):=1vO1=0vOvC=0V電容充電vCvIvI當(dāng)=VTH時,迅速使G1導(dǎo)通、G2截止電路進(jìn)入第二暫態(tài)vO=1vO1=0=0vO
1=1vO(1)第一暫穩(wěn)態(tài)(初態(tài))電容充電,電路自動翻轉(zhuǎn)到第二暫穩(wěn)態(tài)vIvO1vOvIVDDVTH0ttvOVDD0第十七頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三(2)第二暫穩(wěn)態(tài)電容放電,電路自動翻轉(zhuǎn)到第一暫穩(wěn)態(tài)電容放電vCvIvI當(dāng)=VTH時,迅速使得G1截止、G2導(dǎo)通電路返回第一暫穩(wěn)態(tài)υO(shè)2=0υ
O1=1
2.工作原理vIvO1vO第十八頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三
T=RC1n4≈1.4RC
由門電路組成的多諧振蕩器的振蕩周期T取決于R、C電路和VTH,頻率穩(wěn)定性較差。3.振蕩周期的計算vI(0+)0;vC()
VDD=RC,t=t2-t1T1:vI(0+)
VDD;vC()0
=RC,t=t3-t2T2:第十九頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三vovIVT+VT_VOLVOHT1T20t0tCvovIR18.3.2用施密特觸發(fā)器構(gòu)成波形產(chǎn)生電路第二十頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三CvovIR1例8.3.1R=10kΩ,C=0.022μF,VDD=5V,VOH=5V,VOL=0V,VT+=2.75V,VT-=1.67V,試計算輸出波形的高電平持續(xù)時間tpH、低電平持續(xù)時間tpL和占空比qvovIVT+VT_VOLVOHT1T20t0t第二十一頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三CG2G1G3G41111RRs5000pFvo1400Ω100Ωvo2vRvo3vo8.3.2分析RC環(huán)形多諧振蕩電路,畫出各點波形第二十二頁,共二十五頁,編輯于2023年,星期三8.3.3石英晶體振蕩器1、石英晶體電路符號和選頻特性電路符號阻抗特性fXf0電感性電容性電容性當(dāng)f=f0時,電抗X=
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