本科畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)）任務(wù)書學(xué)生信息姓名學(xué)號(hào)專業(yè)電子信息科學(xué)與技術(shù)班級(jí)教師信息姓名職稱任務(wù)書發(fā)出時(shí)間20年12月2日論文（設(shè)計(jì)）題目磁控濺射中輝光放電特性的模擬研究論文（設(shè)計(jì)）起止時(shí)間20年12月20日——20年5月11日共需周數(shù)21主要內(nèi)容:1、介紹磁控濺射輝光放電的研究現(xiàn)狀、基本理論及其在工業(yè)生產(chǎn)中的應(yīng)用。2、介紹磁控濺射中輝光放電的模型和模擬方法3、分別運(yùn)用OOPIC軟件、ANSYS軟件和SRIM軟件綜合模擬了粒子在電磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)特性、磁控濺射中放電空間的磁場(chǎng)分布和靶材的濺射特性4、論文的總結(jié)主要要求:1、必須獨(dú)立完成畢業(yè)論文設(shè)計(jì)工作，嚴(yán)禁抄襲他人成果或請(qǐng)人代替完成。2、論文要求中心突出，內(nèi)容充實(shí)，論據(jù)充分，論證有力，層次分明，文字流暢。3、論文字?jǐn)?shù)不少于1.5萬字。4、參考文獻(xiàn)不得少于10篇。6、請(qǐng)認(rèn)真按照論文的安排計(jì)劃，按時(shí)完成各個(gè)階段的任務(wù)，做好周進(jìn)展情況記錄，20年5月5日前定稿。并做好貴州大學(xué)科技學(xué)院本科畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)）指導(dǎo)情況登記表和貴州大學(xué)科技學(xué)院本科畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)）開題報(bào)告。預(yù)期目標(biāo):1．使學(xué)生進(jìn)一步鞏固、加深對(duì)所學(xué)的基礎(chǔ)理論、基本技能和專業(yè)知識(shí)的掌握，使之系統(tǒng)化、綜合化。2．使學(xué)生獲得從事科研工作的初步訓(xùn)練，培養(yǎng)學(xué)生的獨(dú)立工作、獨(dú)立思考和綜合運(yùn)用已學(xué)知識(shí)解決實(shí)際問題的能力，尤其注重培養(yǎng)學(xué)生獨(dú)立獲取新知識(shí)的能力。3．使學(xué)生樹立具有符合國(guó)情和生產(chǎn)實(shí)際的正確思想和觀點(diǎn)；樹立嚴(yán)謹(jǐn)、負(fù)責(zé)、實(shí)事求是、刻苦鉆研、勇于探索、具有創(chuàng)新意識(shí)、善于與他人合作的工作作風(fēng)。計(jì)劃進(jìn)程:1、20年11月1日—20年11月19日確定選題并上交題目及提綱。查找資料，并結(jié)合自身實(shí)踐。完成論文開題報(bào)告，并上交給指導(dǎo)老師。2、20年12月20日—20年12月31日，完成論文任務(wù)書，并上交給指導(dǎo)老師。3、20年1月1日—20年5月8日前按《畢業(yè)論文指導(dǎo)書》要求的格式寫好論文，并上交跟指導(dǎo)老師。并根據(jù)指導(dǎo)老師的指導(dǎo)及相關(guān)內(nèi)容對(duì)論文進(jìn)行修改。4、20年5月10日前提交畢業(yè)論文定稿。經(jīng)指導(dǎo)老師確認(rèn)后打印論文并上交。主要參考文獻(xiàn):[1]袁忠才，時(shí)家明，黃勇，等.低溫等離子體數(shù)值模擬方法的分析比較[J].核聚變與等離子體物理，2008，28（3）：278~284.[2]宮文英.直流輝光放電電離特性的三維PIC/MCC模擬[D].成都：電子科技大學(xué)，2006.[3]徐學(xué)基.氣體放電物理[M].上海：復(fù)旦大學(xué)出版社，1996，1~49.[4]達(dá)道安.真空設(shè)計(jì)手冊(cè)[M].第3版,北京：國(guó)防工業(yè)出版社，2004，850~854.[5]唐偉忠.薄膜材料制備原理、技術(shù)及應(yīng)用[M].第2版,北京：冶金工業(yè)出版社，2005，48~51.[6]盧志瓊.直流輝光放電的三維PIC/MCC模擬[D].成都：電子科技大學(xué)，2005.[7]王久麗.氮?dú)庵绷鬏x光放電空間等離子體粒子運(yùn)動(dòng)行為研究[D].河北：河北大學(xué)，2001.[8]張連珠.+2N離子在氮直流輝光放電中碰撞離解的作用[J].物理學(xué)報(bào),2003，52(4)：0920~0924.[9]高峰.氬氣輝光放電陰極鞘層區(qū)域微觀特性研究[D].成都：電子科技大學(xué)，2002.[10]金曉林，楊中海.電子回旋共振放電的電離特性PIC/MCC模擬(I)———物理模型與理論方法[J].物理學(xué)報(bào)，2007，55（11）：5930~5934.[11]邵福球.等離子體粒子模擬[M].北京：科學(xué)出版社，2002，11~29.[12]邱清泉，勵(lì)慶孚，蘇靜靜.平面直流磁控濺射放電等離子體模擬研究進(jìn)展[J].真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)，2007，27（6）：493~499.[13]趙華玉.PIC/MCC模擬直流平面磁控濺射[D].遼寧：大連理工大學(xué)，2007.[14]趙新民,狄國(guó)慶,朱炎,等.外加磁場(chǎng)對(duì)磁控濺射靶利用率的影響[J].真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào),2003,(23):104~106.[15]關(guān)奎之，李云奇.圓形平面磁控濺射靶的設(shè)計(jì)[J].真空，1986(3)：36~44.[16]J.DallaTorre.Microstructureofthintantalumfilmssputteredontoinclinedsubstrates:Experimentsandatomisticsimulations[J].JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS.2003,1(94):263~270.[17]KuwaharaK,FujiyamaH.ApplicationoftheChild-Langmuirlawtomagnetrondischargeplasmas[J].IEEETransactionsonPlasmaScienc