光通訊基礎(chǔ)知識講座第1頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月內(nèi)容提要：1.通訊光纖2.半導(dǎo)體激光器3.半導(dǎo)體探測器4.半導(dǎo)體器件的安全使用發(fā)射機接收機LDPDFIBERFIBEREDFA第2頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月武漢*光谷創(chuàng)造的十個國內(nèi)第一：1.第一米光纖2.第一根光纜3.第一只實用化半導(dǎo)體激光器3.第一只實用化半導(dǎo)體探測器4.第一臺光端機6.第一條光通訊實驗系統(tǒng)（8M）7.第一條多模長距離光通訊系統(tǒng)（34M）8.第一條單模長距離光通訊系統(tǒng)（155M）9.第一只半導(dǎo)體放大器10.第一只AlGaInAsBHLD第3頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月光纖*激光器*探測器（dB/Km)光存儲光醫(yī)療光放大光通訊第4頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

光纖分類光纖多模（50/125；0.2)單模(9/125;0.11)第5頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

光纖基本參數(shù)1.數(shù)值孔徑:NA2.傳輸損耗:=吸+散+L3.傳輸色散:D=DM+DW第6頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器的優(yōu)點：1.光電轉(zhuǎn)換效率高2.波長覆蓋范圍寬3.工作壽命長4.體積小，重量輕第7頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

LDFPDFBRWGBHRWGBHInGaAsP/InPAlGaInAs/InPInGaAsP/InPInGaAsP/InP/AlInAsInGaAsP/InPAlGaInAs/InPAlGaInAs/InPInGaAsP/InP/AlInAsInGaAsP/InP激光器分類1310nm1550nm第8頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月兩種結(jié)構(gòu)的剖析EORWGDC-PBH第9頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月半導(dǎo)體激光器的基本特性(縱模)DFB-LDFP-LD第10頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

DFBLD的光柵第11頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月半導(dǎo)體激光器的基本特性(P-I-V-T)P-I-VP-I-T第12頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月DFB激光器的基本特性(-I)第13頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

老化時間編號Ith（mA）Po(mW)編號Ith（mA）Po(mW)Po(mW)Ith+20mAIth+20mA25mA0h14.85.74255.545.542h55.945.25.825.7718h5.25.775.45.475.3884h5.25.745.45.475.37108h5.45.815.45.455.36132h5.25.785.45.55.41174h5.25.825.45.555.45240h5.25.85.45.525.42288h5.25.855.45.555.46332h5.25.765.45.485.39421h5.25.935.45.615.51

器件性能(老化特性）第14頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月探測器的種類PD可見光長波長平面臺面InGaAs/InPPIN光電二極管第15頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

PD的內(nèi)部結(jié)構(gòu)OE第16頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

PD的主要光電參數(shù)1.響應(yīng)度:R~/hυ對于設(shè)計良好的光電二極管效率可達100%。響應(yīng)度與波長成正比。第17頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

PD的主要光電參數(shù)2.響應(yīng)時間：光電二極管的響應(yīng)時間與載流子渡越速度和擴散速度有關(guān)。由于帶寬參數(shù)要求很薄的耗盡區(qū)，同時響應(yīng)度又意味著耗盡區(qū)要足夠?qū)捯员阄兆疃嗟墓饽?，因此同時優(yōu)化響應(yīng)度和響應(yīng)速度時，會經(jīng)常出現(xiàn)沖突。第18頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

PD的主要光電參數(shù)3.線性度在寬功率和頻率范圍，保持良好的線性，是模擬通信：CATV和CDMA對探測器的基本要求。4.靈敏度—信噪比靈敏度用來衡量探測器檢測小功率信號能力的參數(shù)。靈敏度與信噪比有關(guān)，而信噪比又受響應(yīng)度和電路噪聲的影響。第19頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

半導(dǎo)體器件加工設(shè)備MOCVD第20頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

半導(dǎo)體器件加工設(shè)備光刻機第21頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

半導(dǎo)體器件加工設(shè)備RIE/PECVD第22頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

半導(dǎo)體器件加工設(shè)備濺射機第23頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月

半導(dǎo)體器件加工設(shè)備封帽機第24頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月LDTO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)第25頁，課件共28頁，創(chuàng)作于2023年2月LD工藝流程（BH-DFB）

1MOCVD光柵2MOCVD1光刻3MOCVD1RIEPECVD2腐蝕4MOCVD2光刻3腐蝕PECVD3光刻4腐蝕4光刻1濺射LIFT/OFF減薄2濺射1檢測劃片鍍膜2檢測劃片貼片金絲焊3檢測4老化封帽5檢測LD-TO-CAN檢測第26頁，課件共2