專題14物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

糾錯1不清楚基態(tài)與激發(fā)態(tài)的關(guān)系

【例1】下列各項敘述中正確的是（）

A.電子層序數(shù)越大，s原子軌道的形狀相同，半徑越大

B.在同一電子層上運動的電子，其自旋方向肯定不同

C.鎂原子由Is22s22P63s2Tls22s22P63P2時，釋放能量，由基態(tài)轉(zhuǎn)化成激發(fā)態(tài)

D.雜化軌道可用于形成c鍵、兀鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對

【錯因分析】忽視不同電子層的同種能級的電子云或原子軌道形狀相同，但半徑不一樣，漏選A；本

題的易錯點為B,要注意在一個軌道中電子的自旋方向肯定不同，但在同一能級不同軌道中電子的自旋方向

是可以相同。

【學(xué)霸解題】A項，s能級原子軌道都是球形的，且能層序數(shù)越大，半徑也越大，故A正確；B項，在

一個軌道中電子的自旋方向肯定不同，但在同一能層中電子的自旋方向是可以相同，如N原子的2P軌道中

的3個電子的自旋方向相同，故B錯誤；C項，Mg原子3s2能級上的2個電子吸收能量躍遷為3P2能級上,

由基態(tài)轉(zhuǎn)化成激發(fā)態(tài)，故C錯誤；D項，雜化軌道只用于形成。鍵或用于容納未參與成鍵的孤對電子，沒

有雜化的p軌道形成兀鍵，故D錯誤；答案選A。

【參考答案】A

【秒殺技巧】根據(jù)原子軌道的形狀及原子結(jié)構(gòu)的遞變性，A項符合題意。

原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個原子的能量處于最低狀態(tài)，簡稱能量最低原理。處于最低能量

的原子叫做基態(tài)原子。當(dāng)基態(tài)原子的電子吸收能量后，電子會躍遷到較高能級，變成激發(fā)態(tài)原子。但處于

激發(fā)態(tài)的原子不穩(wěn)定，當(dāng)電子從激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時，將釋放能量，通常以光（輻射）

的形式釋放出來。

1.電子在原子軌道上的填充順序——構(gòu)造原理

ooo

oo

o

①圖中每個小圓圈表示一個能級,每一行對應(yīng)一個能層。各圓圈間連接線的方向表示隨核電荷數(shù)遞增

而增加的電子填入能級的順序。

②構(gòu)造原理揭示了原子核外電子的能級分布，從圖中可以看出，不同能層的能級有交錯現(xiàn)象，如E(3d)

>￡(4s),E(4d)>E(5s)、E(5d)>E(6s)、E(6d)>E(7s)、￡(4f)>￡(5p),E(4f)>E(6s)等。

③原子的核外電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個原子的能量處于最低狀態(tài)，構(gòu)造原理是書寫基態(tài)原子電

子排布式的依據(jù)，也是繪制基態(tài)原子電子排布圖的主要依據(jù)之一。但需注意洪特規(guī)則特例。

2.基態(tài)原子核外電子排布的表示方法(以S為例)

表示方法舉例

原子結(jié)構(gòu)示意圖

電子式-S-

電子排布式1s22s22P63s23P4或[Ne]3s23P4

電子排布圖IflllHlIHIHIIIIIHIIHIfHI

Is2s2p3s3p

【變式訓(xùn)練】下列電子排布圖所表示的元素原子中，能量處于最低狀態(tài)的是()

A.六應(yīng)一產(chǎn)I±B.&曲一|力已亡］

c?曲曲rrrhn亡］D.度度±

【答案】C

【解析】A項，2s能級的能量比2P能量低，電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道，不符合能量最低原理，

原子處于能量較高的激發(fā)態(tài)，故A錯誤；B項，違反了洪特規(guī)則，2P能級的3個簡并軌道(能級相同的軌道)

只有優(yōu)先單獨占據(jù)一個原子軌道，且自旋狀態(tài)相同，才能容納第二個電子，不符合能量最低原理，原子處

于能量較高的激發(fā)態(tài)，故B錯誤；C項，能級能量由低到高的順序為：Is、2s、2p；每個軌道最多只能容納

兩個電子，且自旋相反，簡并軌道(能級相同的軌道)中電子優(yōu)先單獨占據(jù)1個軌道，且自旋方向相同，能量

最低，故C正確；D項，2P能級的能量比3s能量低，電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道，不符合能量最低原

理，原子處于能量較高的激發(fā)態(tài)，故D錯誤。故選C。

糾錯2核外電子的運動狀態(tài)判斷出錯

【例2】下列敘述不正確的是()

A.在多電子原子里，核外電子的能量不同

B.原子核外的電子按其能量不同分層排布

C.電子的能量越低，運動區(qū)域離核越遠

D.M層電子的能量大于L層電子的能量

【錯因分析】對原子核外電子運動規(guī)律不明確，則無法解題。

【學(xué)霸解題】A項，在多電子原子中，核外電子的能量不同，A正確；B項，電子的能量不同，按照能

量的高低在核外排布，分層運動，B正確；C項，原子核外能量區(qū)域能量不同，離核越近能量越低，離核越

遠能量越高，選項C不正確；D項，M層電子的能量大于L層電子的能量，選項D正確；故選C。

【參考答案】C

【秒殺技巧】依據(jù)“能量最低原理”，c項符合題意。

/Bi

-易錯快攻究錯必備

基態(tài)原子的核外電子排布排布規(guī)律

(1)能量最低原理。原子核外電子優(yōu)先占據(jù)能量較低的軌道，然后依次進入能量較高的軌道，這樣使整

個原子處于能量最低的狀態(tài)。所有電子排布規(guī)則都需滿足能量最低原理。

(2)泡利原理。每個原子軌道里最多只能容納2個電子，且自旋狀態(tài)相反。

(3)洪特規(guī)則。當(dāng)電子排布在同一能級的不同軌道時，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨占據(jù)一個軌道，

且自旋狀態(tài)相同。

【變式訓(xùn)練】下列是關(guān)于多電子原子核外電子運動規(guī)律的敘述，其中敘述正確的是()

A.核外電子是分層運動的B.所有電子在同一區(qū)域里運動

C.能量高的電子在離核近的區(qū)域運動D.同一能層的電子能量相同

【答案】A

【解析】根據(jù)多電子的原子，核外電子是分層運動的，不在在同一區(qū)域里運動，能量高的電子在離核

遠的區(qū)域里運動，能量低的電子在離核近的區(qū)域里運動，在同一能層在，又根據(jù)電子能量的高低分成不同

的能級，因此同一能層的電子能量不相同。故合理選項是A。

糾錯3電子排布式書寫錯誤

【例3】主族元素原子失去最外層電子形成陽離子，主族元素的原子得到電子填充在最外層形成陰離子。

下列各原子或離子的電子排布式錯誤的是()

A.Ca2+：Is22s22P63s23P$B.O2-：Is22s22P4

C.Cl-：[Ne]3s23P6D.Ar：Is22s22P63s23P6

【錯因分析】本題易錯點是誤以為氧離子核外有8個電子而錯選Bo

【學(xué)霸解題】A項，鈣原子失去2個電子變成鈣離子，使次外層變成最外層，所以鈣離子核外有18個

電子，排布式正確，故A正確；B項，氧原子核外有8個電子，氧原子得2個電子變成氧離子，最外層電

子數(shù)由6個變成8個，所以氧離子核外有10個電子，排布式應(yīng)該是Is22s22P6,故B錯誤；C項，氯原子核

外有17個電子，氯原子得一個電子變成氯離子，最外層由7個電子變成8個電子，所以氯離子核外有18

個電子，排布式正確，故C正確；D項，氨是18號元素，原子核外有18個電子，排布式正確，故D正確。

【參考答案】B

【秒殺技巧】根據(jù)核外電子排布規(guī)律，逐一分析；一最外層應(yīng)有8個電子，B項符合題意。

易錯快攻究錯必備

2.基態(tài)原子電子排布式的書寫方法

(1)由原子序數(shù)書寫核外電子排布式

①常根據(jù)構(gòu)造原理(Is、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p)、各能級最多容納的電子數(shù)，依次由低能級向高

能級排列,如31號元素錢，首先排滿ls2,依次填充2s2、2P6、3s2、3P6、4s2、3dQ最后填充4pi；

②也可以用31—18=13,然后再填充13個電子，$n[Ar]3d104s24p'.

③能層低的能級要寫在左邊，不能按填充順序?qū)?，如Fe的電子排布式：Is22s22P63s23P63d64s2正確，而

Is22s22P63s23P64s23d6錯誤。

(2)由元素在周期表中的位置書寫核外電子排布式

如第四周期中各元素基態(tài)原子的電子排布式有如下規(guī)律：

①f立于s區(qū)的第IA、第HA分別為[Ar]4s\[Ar]4s2；

②（立于p區(qū)的主族元素為[Ar]3d">4s24P旗序數(shù)二①族元素除外）；

③位于d區(qū)的副族元素為[Ar]3d"，4s"（機+〃=族序數(shù)，第W族元素除外）；

④（立于ds區(qū)的副族元素為[Ar]3diO4s〃5=族序數(shù)）。

（3）由元素名稱書寫核外電子排布式

①前三周期主族元素可以根據(jù)最外層電子數(shù)書寫，如S的最外層電子數(shù)為6,其核外電子排布式為

[Ne]3s23P%

②第四周期從K開始數(shù)，數(shù)到人就可以寫成“[Ar]+〃個電子”。如Fe,從K開始數(shù)到Fe為8,其核外

電子排布式為[Ar]3d64s2；Se,從K開始數(shù)到Se為16,其核外電子排布式為[ArJ3d“4s24P、

書寫電子排布式時，要注意兩點：

【變式訓(xùn)練】下列各組表述中，兩個微粒一定不屬于同種元素原子的是（）

A.3p能級有一個空軌道的基態(tài)原子和核外電子排布為Is22s22P63s23P2的原子

B.M層全充滿而N層為4s2的原子和核外電子排布為Is22s22P63s23P63d64s2的原子

C.最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的女的原子和價電子排布為4s24P5的原子

D.2P能級有一個未成對電子的基態(tài)原子和原子的價電子排布為2s22P5的原子

【答案】B

【解析】A項，3p能級有一個空軌道，說明3p上填2個電子，因填1個電子有2個空軌道，填3個電

子或3個以上電子無空軌道，則3p上有2個電子，3s上肯定已填滿，價電子排布為3s23P工因此A中兩微

粒相同。M層全充滿而N層為4s2,M層上有d軌道，即：3s23P63d?顯然是鋅元素，3d64s2是鐵元素，B

選項符合題意0C中價電子排布為4s24P5,則3d上已排滿10個電子，核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s24p5；

最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)!的原子，可按下述方法討論：若最外層電子數(shù)為1,核外電子總數(shù)為5不可

能，最外層電子數(shù)為2,核外電子總數(shù)為10不可能，同理，可討論，只有最外層電子數(shù)為7,核外電子總

數(shù)為35時合理，其電子排布式也是Is22s22P63s23PNWS24P5,二者是同種元素的原子。D中2P能級有一個

未成對電子，可以是2pl也可以是2P5,因此二者不一定屬于同種元素的原子，D選項不符合題意。

糾錯4忽視第一電離能“反?！?/p>

【例4】下列關(guān)于元素第一電離能的說法不正確的是（）

A.鉀元素的第一電離能小于鈉元素的第一電離能，故鉀的活潑性強于鈉

B.因同周期元素的原子半徑從左到右逐漸減小，故第一電離能必依次增大

C.最外層電子排布為“s2〃p6（當(dāng)只有K層時為Is?）的原子，第一電離能較大

D.對于同一元素而言，原子的電離能<…

【錯因分析】解本題最容易犯的錯誤是依據(jù)第一電離能的變化規(guī)律（同周期從左到右八呈增大趨勢），而

發(fā)生錯誤。注意第IIA族元素大于第IHA族元素，第VA族元素大于第VIA族元素。

【學(xué)霸解題】A項，鉀元素的第一電離能小于鈉元素的第一電離能，說明鉀失電子能力比鈉強，所以

鉀的活潑性強于鈉，故A正確；B項，同一周期元素原子半徑隨著原子序數(shù)的增大而減小，第一電離能隨

著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢，但第IIA族元素大于第II1A族元素，第VA族元素大于第VIA族元素，

故B錯誤；C項，最外層電子排布為〃s2”p6(若只有K層時為Is?)的原子達到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，再失去電子較難，

所以其第一電離能較大，故C正確；D項，對于同一元素來說，原子失去電子個數(shù)越多，其失電子能力越

弱，所以原子的電離能隨著原子失去電子個數(shù)的增多而增大，故D正確；故選B。

【參考答案】B

【秒殺技巧】第一電離能的特例：第UA族元素大于第IIIA族元素，第VA族元素大于第VIA族元素。

V

易錯快攻究錯必備

第一電離能A大小的比較：同周期元素從左到右第一電離能呈增大的趨勢，但要注意第IIA族和第mA

族的反常，如I\(Be)>I\(B),Z1(Mg)>1\(A1)：第VA族和第VIA族的反常,如h(N)>/,(O),/,(P)>h(S)?

同主族元素從上到下第一電離能逐漸減小。

【變式訓(xùn)練】下列關(guān)于元素第一電離能的說法不正確的是()

A.鉀元素的第一電離能小于鈉元素的第一電離能，故鉀的活潑性強于鈉

B.因同周期元素的原子半徑從左到右逐漸減小，故第一電離能必依次增大

C.最外層電子排布為“s2叩6(若只有K層時為A2)的原子，第一電離能較大

D.對于同一元素而言，原子的電離能<…

【答案】B

【解析】A項，同一主族，從上到下元素的第一電離能越來越小，活潑性越來越強；B項，同周期的第

IIA與第HIA族，第VA與第VIA族，第一電離能出現(xiàn)了反常；C項，〃s2〃p6的原子為稀有氣體原子，第

一電離能較大；D項，同一元素的原子，

糾錯5混淆分子的VSEPR模型和立體構(gòu)型

【例5】關(guān)于如圖結(jié)構(gòu)的說法不正確的是()

Oil

I1OJ^-CII;CII=CIICll3Clk

A.分子中既有G鍵又有兀鍵

B.碳原子有sp、sp2、sp3三種雜化方式

C.0-H鍵的極性強于C-H鍵的極性

D.羥基中氧原子采取sp3雜化，VSEPR模型為四面體形

【錯因分析】本題最容易犯的錯誤是混淆分子VSEPR模型和立體構(gòu)型，誤將分子的立體構(gòu)型當(dāng)作

VSEPR模型而錯選。

【學(xué)霸解題】A項，◎鍵構(gòu)成共價單鍵，。鍵和兀鍵構(gòu)成共價雙鍵或三鍵，該有機物中含共價單鍵和碳

碳雙鍵，A項正確；B項，以4個單鍵相連的C原子采用sp3雜化方式，苯環(huán)和碳碳雙鍵的中心C原子采

用sp?雜化，無sp雜化的中心C原子，B項錯誤；C項，電負(fù)性：0>C,則O-H鍵的極性強于C-H鍵的極

性，C項正確；D項，羥基中氧原子成鍵電子對為2,孤電子對為2,則采取sp3雜化，其VSEPR模型為四

面體形，D項正確；故選B。

【參考答案】B

【秒殺技巧】價層電子對互斥模型說明的是價層電子對的立體構(gòu)型，而分子的立體構(gòu)型指的是成鍵電

子對的立體構(gòu)型，不包括孤電子對。①當(dāng)中心原子無孤電子對時，兩者的構(gòu)型一致；②當(dāng)中心原子有孤電

子對時，兩者的構(gòu)型不一致：價層電子對互斥模型能預(yù)測分子的兒何構(gòu)型，但不能解釋分子的成鍵情況，

雜化軌道理論能解釋分子的成鍵情況，但不能預(yù)測分子的幾何構(gòu)型。兩者相結(jié)合，具有一定的互補性，可

達到處理問題簡便、迅速、全面的效果。

(1)三原子分子——直線形和V形

化學(xué)式立體構(gòu)型結(jié)構(gòu)式鍵角比例模型球棍模型

直線形o=c=o9

co2180°

0

HOV形/\105°

2HH

(2)四原子分子——平面三角形和三角錐形

化學(xué)式立體構(gòu)型結(jié)構(gòu)式鍵角比例模型球棍模型

H

/

CHO平面三角形0-C120°

2\

H

N

NH三角錐形/|\107°

3HHH舟

（3）五原子分子

化學(xué)式立體構(gòu)型結(jié)構(gòu)式鍵角比例模型球棍模型

H

正四面體形

CH4H卷H109028,

H

（4）常見多原子分子的立體構(gòu)型

多原子分子的立體構(gòu)型形形色色，異彩紛呈。如白磷（P4,正四面體）、PC15（三角雙錐）、SF“正八面體）、PQ6、

P4O10>C60（“足球”狀分子，由平面正五邊形和正六邊形組成）、C6H12（環(huán)己烷）、GoHI6（金剛烷）、S8、B|2（硼

單質(zhì)）等的立體構(gòu)型如圖所示：

SF6（正八面體）

B12

2.分子立體構(gòu)型的確定

價層電子對

利用VSEPR理論預(yù)測分子立體構(gòu)型的思路：a鍵電子對數(shù)+孤電子對數(shù)=價層電子對數(shù)

互斥理論

VSEPR模型略去孤電子對分子的立體構(gòu)型。其中正確地確定"鍵數(shù)和。、X、。的值是計算價電子對數(shù)的

關(guān)鍵，也是判斷、預(yù)測VSEPR模型和立體構(gòu)型的關(guān)鍵。一些常見的分子、離子的價層電子對數(shù)和立體構(gòu)

型如下表。

。鍵電中心原子上的孤電子對數(shù)價層電

分子或離子立體構(gòu)型

子對數(shù)aXb—(a-xh)子對數(shù)

2

直線形

C02242202

BeCh222102直線形

SO2262213V形

分子SO3363203平面三角形

NH3353114三角錐形

H20262124V形

正四面體形

CH4(CC14)444104

H3O+36-1=53114三角錐形

CO；'34+2=63203平面三角形

離子

SO；-46+2=84204正四面體形

CIO；37+1=83214三角錐形

注意：當(dāng)中心原子無孤電子對時，VSEPR模型與分子的立體構(gòu)型一致；當(dāng)中心原子有孤電子對時,

VSEPR模型與分子的立體構(gòu)型不一致。

3.分子或離子立體構(gòu)型的判斷方法

分

離

子1

略去中心原彳立

子

}的

上的孤電子品'

體

型

構(gòu)

(1)6鍵電子對數(shù)的確定

由分子式確定◎鍵電子對數(shù)。例如，H?0的中心原子為0,0有2對。鍵電子對；NH3的中心原子為N,

N有3對◎鍵電子對。

(2)中心原子上的孤電子對數(shù)的確定

中心原子上的孤電子對數(shù)3—xb)。式中。為中心原子的價電子數(shù)，對于主族元素來說，價電子數(shù)

等于原子的最外層電子數(shù)；x為與中心原子結(jié)合的原子數(shù)；匕為與中心原子結(jié)合的原子最多能接受的電子數(shù)

（氫為1,其他原子為“8—該原子的價電子數(shù)”）。例如，S02的中心原子為S,S的價電子數(shù)為6（即S的最外

層電子數(shù)為6）,則。=6；與中心原子S結(jié)合的。的個數(shù)為2,則x=2；與中心原子結(jié)合的0最多能接受的

電子數(shù)為2,則6=2。所以，S02的中心原子S上的孤電子對數(shù)=；'（6—2乂2）=1。

【變式訓(xùn)練】對于短周期元素形成的各分子，下表所述的對應(yīng)關(guān)系錯誤的是（）

選項ABCD

分子式

CH4NH3C02SC12

VSEPR模型正四面體形四面體形直線形四面體形

分子的立體構(gòu)型正四面體形平面三角形直線形V形

【答案】B

【解析】A項，C原子形成了4個o鍵，孤電子對數(shù)為0,VSEPR模型及分子的立體構(gòu)型均是正四面

體形，A項正確；B項，N原子有1對孤電子對且形成了3個◎鍵，VSEPR模型為四面體形，分子的立體

構(gòu)型為三角錐形，B項錯誤；C項，C原子的價層電子對數(shù)為2+；（4-2x2）=2,VSEPR模型為直線形，分子

的立體構(gòu)型也為直線形，C項正確；D項，S原子有2對孤電子對且形成了2個。鍵，VSEPR模型為四面

體形，分子的立體構(gòu)型為V形，D項正確。故選B。

糾錯6片面認(rèn)識酸的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)

［例6］下列敘述正確的是（）

A.能電離出H+的化合物除水外都是酸，分子中含有幾個氫原子它就是幾元酸

B.無機含氧酸分子中含有幾個羥基，它就屬于幾元酸

C.同一元素的含氧酸，該元素的化合價越高，其酸性越強，氧化性也越強

D.H3PCU和H2co3分子中非羥基氧的個數(shù)均為1,但它們的酸性不相近，H3P04是中強酸而H2co3是

弱酸

【錯因分析】由于只考慮到了HN03、H2s。4、H3P04等個例，而忽略了酸式鹽、CH38OH、H3BO3

等例外，錯選A或B項；由于只考慮到了HN03與HN02、H2sCU與H2s。3的酸性與氧化性符合酸性強的氧

化性也強，而忽略了HC10與HC1CU等例外，錯選C項。

【學(xué)霸解題】由NaHSOcCH38OH、H3BO3等示例可判斷A、B均錯誤；由HC10的酸性很弱而氧

化性很強可判斷C錯誤；D項中H3P04和H2cCh的非羥基氧原子數(shù)均為1，但H2c03的酸性比H3P04弱很

多。

【參考答案】D

【秒殺技巧】依據(jù)常識，H3P04是中強酸而H2c03是弱酸，結(jié)合結(jié)構(gòu)，D項符合題意。

易錯快攻究錯必備

1.由HNCh、H2s04、H3Po4的相關(guān)知識而誤認(rèn)為有幾個H或幾個羥基的酸就屬于幾元酸；由氧化性:

HNO3>HNO2>H2s04>H2s03而混淆酸的酸性與氧化性，誤認(rèn)為酸性越強的酸其氧化性也越強。

2.誤認(rèn)為羥基數(shù)就是含氧酸的元數(shù)。如磷元素的幾種含氧酸的名稱、分子式、結(jié)構(gòu)式、磷的化合價、

酸的元數(shù)如下表：

名稱正磷酸偏磷酸亞磷酸次磷酸

分子式H3Po4HPO3H3P03H3P。2

O0o

t0tt

結(jié)構(gòu)式HO—P—OHHO—P—OHH—P—OH

1HO—P-O1

OHH

磷的化合價+5+5+3+1

酸的元數(shù)三元一元二元一元

3.同種元素的含氧酸，中心原子的價態(tài)越高，含氧酸的氧化性不一定越強。如酸性：HC1O4>HC1O3>HC1O,

氧化性：HC1O4<HC1O3<HC1O?

【變式訓(xùn)練】判斷無機含氧酸酸性強弱的一條規(guī)律:在無機含氧酸分子中非羥基氧原子數(shù)越多，酸性越

強。例如：

含氧酸的化學(xué)式非羥基氧原子數(shù)酸性

HC100弱酸

H3PO41中強酸

HNO32強酸

HCIO43超強酸

若已知H3Po3（亞磷酸）為中強酸，H3ASO3（亞神酸）為弱酸，試寫出H3Po3和H3ASO3的結(jié)構(gòu)簡式。

O

II

HO—P-OHHO—As—0H

II

【答案】HOH

【解析】H3P03為中強酸，H3ASO3為弱酸，結(jié)合信息可知，H3P03分子中有1個非羥基氧原子，H,ASO3

中有0個非羥基氧原子。據(jù)此來寫出結(jié)構(gòu)簡式。

糾錯7氫鍵及其對物質(zhì)性質(zhì)影響認(rèn)識不全

【例7】下列關(guān)于氫鍵的說法中，正確的是()

A.氨鍵比分子間作用力強，所以它屬于化學(xué)鍵

B.因為液態(tài)水中存在氫鍵，所以水比硫化氫穩(wěn)定

C.氨溶于水后氨分子與水分子之間形成氫鍵

D.鄰羥基苯甲醛的熔點比對羥基苯甲醛的熔點高

【錯因分析】氫鍵不屬于化學(xué)鍵，鍵能較小，只影響物質(zhì)的物理性質(zhì)；特別注意當(dāng)形成分子內(nèi)氫鍵時，

物質(zhì)的熔、沸點將下降。

【學(xué)霸解題】A項，氫鍵屬于分子間作用力，不屬于化學(xué)鍵；B項，穩(wěn)定性：H2O>H2S,是因為鍵能H-O

>H—S；C項，由于N、O兩元素的電負(fù)性很大，故NH3溶于水后與水分子之間形成氫鍵；D項，鄰羥基

苯甲醛存在分子內(nèi)氫鍵，對羥基苯甲醛存在分子間氫鍵，由于對物質(zhì)性質(zhì)的影響分子間氫鍵強于分子內(nèi)氫

鍵，故熔點：對羥基苯甲醛大于鄰羥基苯甲醛。

【參考答案】C

【秒殺技巧】氨氣極易溶于水，原因在于兩者形成氫鍵，故選C。

易錯快攻究錯必備

1.氫鍵對物質(zhì)性質(zhì)的影響

⑴當(dāng)形成分子間氫鍵時，物質(zhì)的熔、沸點將升高。

(2)當(dāng)形成分子內(nèi)氫鍵時，物質(zhì)的熔、沸點將下降。

(3)氫鍵也影響物質(zhì)的電離、溶解等過程。

2.范德華力、氫鍵、共價鍵的比較

作用力范德華力氫鍵共價鍵

由已經(jīng)與電負(fù)性很大

的原子形成共價鍵的原子間通過共

物質(zhì)分子之間普遍存在的

概念氫原子與另一個分子用電子對所形

一種相互作用力

中電負(fù)性很大的原子成的相互作用

之間的作用力

分子內(nèi)氫鍵、分子間氫極性共價鍵、非

分類

鍵極性共價鍵

有方向性、有飽

特征無方向性、無飽和性有方向性、有飽和性

和性

強度比較共價鍵》氫鍵〉范德華力

①隨著分子極性和相對分

對于X—H...Y,X、Y成鍵原子半徑

子質(zhì)量的增大而增大；②

的電負(fù)性越大，X、Y越小，鍵長越

影響強度的因素組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，

原子的半徑越小，鍵能短，鍵能越大，

相對分子質(zhì)量越大，分子

越大共價鍵越穩(wěn)定

間作用力越大

分子間氫鍵的存在，使①影響分子的

影響物質(zhì)的熔、沸點及溶

物質(zhì)的熔、沸點升高，穩(wěn)定性

解度等物理性質(zhì)；如熔、

對物質(zhì)性質(zhì)的影響在水中的溶解度增大，②共價鍵鍵能

沸點F2<C12<Br2<I

2>越大，分子穩(wěn)定

如熔、沸點:H2O>H2S,

CF4<CCL<CBr4

性越強

HF>HC1,NH3>PH3

【變式訓(xùn)練】已知各種硝基苯酚的性質(zhì)如下表:

25℃,水中熔點沸點

名稱結(jié)構(gòu)式

溶解度/g/℃/℃

0

co

令硝基苯酚0.245100

N

1

0

II0

A

間-硝基苯酚1.496194

XT。

il0

對-硝基苯酚1.7114295

0

下列關(guān)于各種硝基苯酚的敘述不正確的是（）

A.鄰-硝基苯酚分子內(nèi)形成氫鍵，使其熔沸點低于另兩種硝基苯酚

B.間-硝基苯酚不僅分子間能形成氫鍵，也能與水分子形成氫鍵

C.對-硝基苯酚分子間能形成氫鍵，使其熔沸點較高

D.三種硝基苯酚都不能與水分子形成氫鍵，所以在水中溶解度小

【答案】D

【解析】當(dāng)分子形成分子內(nèi)氫鍵時，就難再形成分子間氫鍵，故其熔沸點低，A正確；間-硝基苯酚中

與N原子相連的O原子易與水分子中的H原子形成氫鍵，B正確、D錯誤；形成分子間氫鍵后，使物質(zhì)的

熔沸點升高，C正確。

糾錯8常見共價晶體結(jié)構(gòu)判斷錯誤

【例8】關(guān)于SiCh晶體的敘述中，正確的是（）

A.通常狀況下，60gsiCh晶體中含有的分子數(shù)為NA（NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值）

B.60gsi。2晶體中，含有2必個Si—O鍵

C.最小環(huán)上Si和O原子數(shù)之比為1：1

D.SiCh晶體中含有1個硅原子和2個氧原子

【錯因分析】SiO2晶體為共價晶體，不存在分子，易錯選A項；根據(jù)SiO2晶體的化學(xué)式，易錯誤得出

SiCh晶體中含有1個硅原子和2個氧原子，實際上石英晶體中有許多Si,O原子，Si原子與O原子的原子

個數(shù)比為1：2錯選D項。

【學(xué)霸解題】60gSiO2晶體即1molSiCh，晶體中含有Si-0鍵為4mol（每個硅原子、氧原子分別含有

4個、2個未成對電子，各拿出一個單電子形成Si—0共價鍵），含4必個Si—0鍵，A、B錯誤；C項，最

小的環(huán)上，有6個Si原子和6個0原子，所以最小的環(huán)上硅氧原子數(shù)之比為1：1,C正確；D項，SiO2

晶體中含有無數(shù)的硅原子和氧原子，只是硅、氧原子個數(shù)比為1：2,D錯誤；故選C。

【參考答案】C

【秒殺技巧】根據(jù)SiCh的晶體結(jié)構(gòu)，最小的環(huán)上，有6個Si原子和6個0原子，C項正確。

易錯快攻究錯必備

1.金剛石、晶體硅、碳化硅、二氧化硅等共價晶體中的成鍵數(shù)目。

⑴金剛石（或晶體硅）中，1molC（或Si）形成2molC—C（或Si—Si）鍵。

（2）SiC晶體中，1molC或1molSi均形成4molC—Si鍵。

（3）1molSiCh晶體中，共有4moiSi—O鍵。

2.金剛石、晶體硅、碳化硅、二氧化碳中最小環(huán)上的原子數(shù)。

（1）金剛石、晶體硅、SiC晶體中最小環(huán)上的原子數(shù)分別為6個C、6個Si、3個Si和3個C。

（2）SiO2晶體中最小環(huán)上有12個原子（6個Si和6個O）。

3.金剛石、晶體硅的一個晶胞中，分別含有碳原子數(shù)為8、硅原子數(shù)為8。

【變式訓(xùn)練】下列有關(guān)共價晶體的敘述不正確的是（）

A.金剛石和二氧化硅晶體的最小結(jié)構(gòu)單元都是正四面體

B.Imol金剛石中的C—C鍵數(shù)目是2NA，ImolSiCh晶體中的Si—0鍵數(shù)目是4心

C.水晶和干冰在熔化時，晶體中的共價鍵都會斷裂

D.SiCh晶體是共價晶體，所以晶體中不存在分子，SiCh不是它的分子式

【答案】C

【解析】金剛石和二氧化硅晶體的基本結(jié)構(gòu)單元都是正四面體，A正確；金剛石中，1個C原子與另外

4個C原子形成C-C鍵，這個C原子對每個單鍵的貢獻只有工，所以1molC原子形成的C-C鍵為4x，

22

=2mol,而二氧化硅晶體中1個Si原子分別與4個O原子形成4個Si—O鍵，則1molSiO2晶體中Si—O

鍵為4mol,B正確；水晶是共價晶體，在熔化時，共價鍵斷裂形成自由移動的Si、O原子，而分子晶體干

冰熔化時，分子間力被大大削弱，形成自由移動的CO2分子，而C=0鍵不會斷裂，所以C錯誤；根據(jù)共價

晶體的結(jié)構(gòu)特點可知D正確。

糾錯9晶體的化學(xué)式確定

【例9】如圖所示為一種由鈦原子和碳原子構(gòu)成的氣態(tài)團簇分子的結(jié)構(gòu)模型，則它的化學(xué)式為（）

A.Ti4c4B.TiCC.Ti14cl3D.Ti2c

【錯因分析】本題易錯之處是把氣態(tài)團簇分子當(dāng)作晶胞處理，而錯選A或B。

【學(xué)霸解題】由于該結(jié)構(gòu)為氣態(tài)團簇分子的結(jié)構(gòu)，給出的結(jié)構(gòu)就是一個完整的分子，因此結(jié)構(gòu)中的每

個原子都是構(gòu)成分子的一部分。因該氣態(tài)團簇分子結(jié)構(gòu)中含有14個Ti原子和13個C原子，故該物質(zhì)的化

學(xué)式為Tii4c3。

【參考答案】C

【秒殺技巧】審清題意“氣態(tài)團簇分子“，無需用“均攤法”即可求解。

\二易錯快攻究錯必備

1.晶胞中微粒數(shù)目的計算方法——均攤法

晶胞只是晶體微觀空間里的一個基本單元。在它的上下左右前后“無隙并置”地排列著無數(shù)晶胞，而且晶

胞的形狀及其內(nèi)部的原子種類、個數(shù)及幾何排列均完全相同。如某個粒子為〃個晶胞所共有，則該粒子有,

屬于這個晶胞。

同為2個晶胞所共有，

位于面上該粒子的十屬于該晶胞

叫A該粒子的g屬于該晶胞

位于內(nèi)磁）f整個粒子都屬于該晶胞

6一1"--、同為4個晶胞所共有，

衽年多?該粒子的十屬于該晶胞

2.熟記幾種常見的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞含有的粒子數(shù)目

A.NaCl（含4個Na卡,4個C「）B.干冰（含4個CCh）

C.CaF2（含4個Ca2+,8個F-）D.金剛石（含8個C）

E.體心立方（含2個原子）F.面心立方（含4個原子）

【變式訓(xùn)練】磁光存儲的研究是Williams等在1957年使Mn和Bi形成的晶體薄膜磁化并用光讀取之

后開始的。如圖是Mn和B