PVD鍍膜工藝簡介PVD鍍膜工藝簡介一、PVD的定義及分類二、真空蒸發(fā)鍍膜三、真空濺射鍍膜四、真空離子鍍膜1一、PVD的定義及分類二、真空蒸發(fā)鍍膜三、真空濺射鍍膜四、真一、PVD的定義及分類2一、PVD的定義及分類21.PVD的定義物理氣相沉積是一種物理氣相反應(yīng)生長法。沉積過程是在真空或低氣壓氣體放電條件下，即在低溫等離子體中進(jìn)行的。涂層的物質(zhì)源是固態(tài)物質(zhì)，經(jīng)過“蒸發(fā)或濺射”后，在零件表面生成與基材性能完全不同的新的固體物質(zhì)涂層。31.PVD的定義物理氣相沉積是一種物理氣相反應(yīng)生長法。沉積過2.PVD的基本過程?從原料中發(fā)射粒子（經(jīng)過蒸發(fā)、升華、濺射和分解等過程）；?粒子輸運到基片（粒子之間發(fā)生碰撞，產(chǎn)生離化、復(fù)合、反應(yīng)，能量的交換和運動方向的變化）；?粒子在基片上凝結(jié)、成核、長大和成膜。42.PVD的基本過程?從原料中發(fā)射粒子（經(jīng)過蒸發(fā)、升華、濺射3.PVD的分類真空蒸發(fā)鍍膜真空濺射鍍膜真空離子鍍膜53.PVD的分類真空蒸發(fā)鍍膜真空濺射鍍膜真空離子鍍膜5二、真空蒸發(fā)鍍膜6二、真空蒸發(fā)鍍膜61.真空的定義泛指低于一個大氣壓的氣體狀態(tài)。與普通大氣壓狀態(tài)相比，分子密度較為稀薄，從而氣體分子和氣體分子、氣體分子和器壁之間的碰撞幾率要低一些。2.真空蒸發(fā)鍍膜的定義真空蒸發(fā)鍍膜是在真空條件下，用蒸發(fā)器加熱蒸發(fā)物質(zhì)使之汽化，蒸發(fā)粒子流直接射向基片并在基片上沉積形成固態(tài)薄膜的技術(shù)。括熱蒸發(fā)和EB蒸發(fā)（電子束蒸發(fā)）71.真空的定義泛指低于一個大氣壓的氣體狀態(tài)。與普通大氣壓狀態(tài)88994.熱蒸發(fā)原理及特點??熱蒸發(fā)是在真空狀況下，將所要蒸鍍的材料利用電阻加熱達(dá)到熔化溫度，使原子蒸發(fā)，到達(dá)并附著在基板表面上的一種鍍膜技術(shù)。特點：裝置便宜、操作簡單廣泛用于Au、Ag、Cu、Ni、In、Cr等導(dǎo)體材料。104.熱蒸發(fā)原理及特點??熱蒸發(fā)是在真空狀況下，將所要蒸鍍的材5.E-Beam蒸發(fā)原理熱電子由燈絲發(fā)射后，被加速陽極加速，獲得動能轟擊到處于陽極的蒸發(fā)材料上，使蒸發(fā)材料加熱氣化，而實現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。特點：多用于要求純度極高的膜、絕緣物的蒸鍍和高熔點物質(zhì)的蒸鍍115.E-Beam蒸發(fā)原理熱電子由燈絲發(fā)射后，被加速陽極加速，1212二、真空濺射鍍膜13二、真空濺射鍍膜131.真空濺射鍍膜的定義給靶材施加高電壓（形成等離子狀態(tài)），使正荷電氣體離子撞擊靶材、金屬原子飛彈，而在樣品表面形成金屬皮膜的方法。141.真空濺射鍍膜的定義給靶材施加高電壓（形成等離子狀態(tài)），使15152.磁控濺射鍍膜的定義電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片，氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。162.磁控濺射鍍膜的定義電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中3.輝光放電的定義輝光放電是指在稀薄氣體中，兩個電極之間加上電壓時產(chǎn)生的一種氣體放電現(xiàn)象。173.輝光放電的定義輝光放電是指在稀薄氣體中，兩個電極之間加上直流濺射：適用于金屬材料射頻濺射：是適用于各種金屬和非金屬材料的一種濺射沉積方法18直流濺射：適用于金屬材料射頻濺射：是適用于各種金屬和非金屬材4.真空濺射鍍膜的優(yōu)缺點194.真空濺射鍍膜的優(yōu)缺點19三、真空離子鍍膜20三、真空離子鍍膜201.真空離子鍍膜的定義在真空條件下，利用氣體放電使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時，把蒸發(fā)物或其反應(yīng)物蒸鍍在基片上。離子鍍把輝光放電、等離子體技術(shù)與真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)結(jié)合在一起211.真空離子鍍膜的定義在真空條件下，利用氣體放電使氣體或蒸發(fā)22222.真空離子鍍膜的原理232.真空離子鍍膜的原理233.真空離子