第四章半導體的導電性300K時，Ge的本征電阻率為47Ω·cm，如電子遷移率和空穴遷移率分別為3800cm2/(V·s)和1800cm2/(V·s)，試求本征Ge的載流子濃度。試計算本征Si在室溫時的電導率，設電子遷移率和空穴遷移率分別為1450cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)。在摻入百萬分之一的As后，設雜質全部電離，試計算其電導率，比本征Si的電導率增大了多少倍?倍對電阻率為10Ω·cm的p型Si樣品，試計算室溫時的多數(shù)載流子濃度和少數(shù)載流子濃度。0.1kg的Ge單晶摻有3.2×10-9kg的Sb，設雜質全部電離，試求該材料的電阻率[設μn=0.38m2/(V·s)，Ge單晶的密度為5.32g/cm3，Sb原子量為121.8]。1.9Ω·cm500g的Si單晶摻有4.5×10-5kg的B，設雜質全部電離，試求該材料的電阻率[設μp=0.38m2/(V·s)，硅單晶的密度為2.33g/cm3，B原子量為10.8]。1.1Ω·cm設電子遷移率為0.1m2/(V·s)，Si的電導有效質量me=0.26m0，加以強度為104V/m的電場，試求平均自由時間和平均自由程。長為2cm的具有矩形截面的Ge樣品，截面線度分別為1mm和2mm，摻有1022m-3受主，試求室溫時樣品的電導率和電阻。再摻人5×1022m-3施主后，求室溫時樣品的電導率和電阻。電導率為2.4Ω·cm電阻為5.2Ω截面積為0.001cm2的圓柱形純Si樣品長1mm，接于10V的電源上，室溫下希望通過0.1A的電流，問:①樣品的電阻是多少?②樣品的電導率應是多少?③應該摻人濃度為多少的施主?電阻為100Ω電阻率為1Ω·cm濃度為試從圖4-14(a)計算[9]：①本征硅的電阻率；②非補償?shù)膎型硅雜質濃度為1017cm-3時的電阻率(設雜質全部電離)；③非補償?shù)腜型硅雜質濃度為1017cm-3時的電阻率(設雜質全部電離)。試求本征Si在473K時的電阻率。12.5Ω·cm截面積為10-3cm2、摻有濃度為1013cm-3的p型Si樣品，樣品內(nèi)部加有強度為103V/cm的電場，求:①室溫時樣品的電導率及流過樣品的電流密度和電流；②400K時樣品的電導率及流過樣品的電流密度和電流。①電流密度為0.5A/cm2電流強度為②電流密度為0.8A/cm2電流強度為試從圖4-14(a)求室溫時雜質濃度分別為1015cm-3、1018cm-3、1017cm-3的p型和n型Si樣品的多子空穴和電子遷移率，并分別計算它們的電阻率。再從圖4-15(b)分別求它們的電阻率。摻有1.1×1016cm-3硼原子和9×1015cm-3磷原子的Si樣品，試計算室溫時多數(shù)載流子和少數(shù)載流子濃度及樣品的電阻率。多數(shù)載流子濃度為少數(shù)載流子濃度為電阻率為7.8Ω·cm截面積為0.6cm2、長為1cm的n型GaAs樣品，設μn=8000cm2/(V·s)，n=1015cm-3，試求樣品的電阻。1.3Ω施主濃度分別為1014cm-3和1017cm-3的兩個Ge樣品，設雜質全部電離。①分別計算室溫時的電導率；②若為兩個GaAs樣品，則分別計算室溫時的電導率。①0.77S/cm；48.1S/cm；②0.128S/cm；83.3S/cm分別計算摻有下列雜質的Si在室溫時的載流子濃度、遷移率和電阻率:①硼原子3×1015cm-3；②硼原子1.3×1016cm-3＋磷原子1.0×1016cm-3；③磷原子1.3×1016cm-3＋硼原子1.0×1016cm-3④磷原子3×1015cm-3＋鎵原子1×1017cm-3＋砷原子1×1017cm-3濃度：；遷移率：；電阻率：4.3Ω·cm濃度：；遷移率：；電阻率：5.9Ω·cm濃度：；遷移率：；電阻率：2.1Ω·cm濃度：；遷移率：；電阻率：4.2Ω·cm①證明當且電子濃度，，時，材料的電導率最小，并求σmin的表達式。②試求300K時Ge和Si樣品的最小電導率的數(shù)值，并和本征電導率相比較。①②；InSb的電子遷移率為7.5m2/(V·s)，空穴遷移率為0.075m2/(V·s)，室溫時本征載流子濃度為1.6×1016cm-3，試分別計算本征電導率、電阻率和最小電導率、最大電阻率。什么導電類型的材料電阻率可達最大?；0.052Ω·cm；；最大電阻率為0.026Ω·cm假設Si中電子的平均動能為3k0T/2，試求室溫時電子熱運動的均方根速度。如將Si置于10V/cm的電場中，證明電子的平均漂移速度小于熱運動速度，設電子遷移率