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CMOS模擬集成電路設(shè)計放大器的頻率特性10/6/20231概述-密勒效應(yīng)CMOS模擬集成電路設(shè)計放大器的頻率特性10/6/20231提綱1、概述2、共源級的頻率特性3、源跟隨器的頻率特性4、共柵級的頻率特性5、共源共柵級的頻率特性6、差動對的頻率特性10/6/20232提綱提綱1、概述10/6/20232提綱1、概述1.1密勒效應(yīng)密勒定理:如果圖(a)電路可以轉(zhuǎn)換成圖(b)的電路,則Z1=Z/(1-Av),Z2=Z/(1-Av-1),其中Av=VY/VX。10/6/20233概述-密勒效應(yīng)1、概述1.1密勒效應(yīng)10/6/20233概述-密勒效應(yīng)證明:通過阻抗Z由X流向Y的電流等于(VX-VY)/Z,由于這兩個電路等效,必定有相等的電流流過Z1,于是
即,同理,10/6/20234概述-密勒效應(yīng)證明:即,同理,10/6/20234概述-密勒效應(yīng)例1
如圖(a)所示的電路,其中電壓放大器的增益為-A,該放大器的其它參數(shù)是理想的。請計算這個電路的輸入電容。
從Vin抽取電荷解:運(yùn)用密勒定理,把電路轉(zhuǎn)換成圖(b)的形式,由于Z=1/(CFs),則Z1=[1/(CFs)]/(1+A),因此輸入電容等于CF(1+A)。10/6/20235概述-密勒效應(yīng)例1從Vin抽取電荷解:運(yùn)用密勒定理,把電路轉(zhuǎn)換成圖(b)的關(guān)于密勒定理的說明密勒定理沒有規(guī)定電路轉(zhuǎn)換成立的條件。若電路不能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,則密勒定理的結(jié)果是不成立的。?如果阻抗Z在X點(diǎn)和Y點(diǎn)之間只有一個信號通路,則這種轉(zhuǎn)換往往是不成立的。在阻抗Z與信號主通路并聯(lián)的多數(shù)情況下,密勒定理被證明是有用的。10/6/20236概述-密勒效應(yīng)關(guān)于密勒定理的說明?如果阻抗Z在X點(diǎn)和Y點(diǎn)之間只有一個信號通關(guān)于密勒定理的說明(續(xù))嚴(yán)格地說,密勒定理中的Av=VY/VX的值必須在所關(guān)心的頻率下計算。然而采用低頻下Av值的近似計算有助于了解電路的特性。如果用密勒定理來獲得輸入輸出的傳輸函數(shù),則不能同時用該定理來計算輸出阻抗。10/6/20237概述-密勒效應(yīng)關(guān)于密勒定理的說明(續(xù))如果用密勒定理來獲得輸入輸出的傳輸函1.2極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián)A1和A2是理想電壓放大器,R1和R2模擬每級的輸出電阻,Cin和CN表示每級的輸入電容,CP表示負(fù)載電容,則該電路的傳輸函數(shù)為可以把每一個極點(diǎn)和電路的一個結(jié)點(diǎn)聯(lián)系起來,即ωj=τj-1,τj-1是從結(jié)點(diǎn)j到地“看到”的電容和電阻的乘積,即“電路中的每一個結(jié)點(diǎn)對傳輸函數(shù)貢獻(xiàn)一個極點(diǎn)”。10/6/20238概述-極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián)1.2極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián)可以把每一個極點(diǎn)和電路的一個結(jié)點(diǎn)聯(lián)系說明通常電路很難等效成上述簡化電路的形式,很計算電路的極點(diǎn)。例如下面的電路同密勒效應(yīng)一起對電路簡化時,常常丟掉傳輸函數(shù)的零點(diǎn)。但極點(diǎn)與結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián)(及密勒定理)為估算傳輸函數(shù)提供了一種直觀的方法。10/6/20239概述-極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián)說明同密勒效應(yīng)一起對電路簡化時,常常丟掉傳輸函數(shù)的零點(diǎn)。但極2、共源級的頻率特性傳輸函數(shù)的估算
估算誤差:沒有考慮電路零點(diǎn)AV采用低頻增益從X到地“看到的”總電容為輸入極點(diǎn)(主極點(diǎn))的值為從輸出到地“看到的”總電容為輸出極點(diǎn)推斷傳輸函數(shù)為10/6/202310共源級的頻率特性2、共源級的頻率特性傳輸函數(shù)的估算估算誤差:從X到地“看到的傳輸函數(shù)精確計算根據(jù)高頻小信號等效電路由上述兩個公式,得到其中[*]10/6/202311共源級的頻率特性傳輸函數(shù)精確計算由上述兩個公式,得到其中[*]10/6/20關(guān)于傳輸函數(shù)的討論根據(jù)公式[*](教材中的公式6.23)
分母寫成如下形式
和估算方法得到的結(jié)果對比,可見分母多出RD(CGD+GDB)項,此項通??梢院雎浴H绻豴2比ωp1離原點(diǎn)遠(yuǎn)得多,,則第一極點(diǎn)[*]10/6/202312共源級的頻率特性關(guān)于傳輸函數(shù)的討論和估算方法得到的結(jié)果對比,可見分母多出R關(guān)于傳輸函數(shù)的討論(續(xù))根據(jù)公式[*](教材中的公式6.23)可以計算得到第二個極點(diǎn)
和估算方法得到的結(jié)果相同如果,則[*]10/6/202313共源級的頻率特性關(guān)于傳輸函數(shù)的討論(續(xù))和估算方法得到的結(jié)果相同如果關(guān)于傳輸函數(shù)的討論(續(xù))根據(jù)公式[*](教材中的公式6.23)可以計算得到零點(diǎn)
[*]10/6/202314共源級的頻率特性關(guān)于傳輸函數(shù)的討論(續(xù))[*]10/6/202314共源級的VxIx||[1/(CGSs)]Zin=輸入電阻的計算估算方法(一級近似)高頻下,考慮輸出結(jié)點(diǎn)的影響10/6/202315共源級的頻率特性VxIx||[1/(CGSs)]Zin=輸入電阻的計算高頻下3、源跟隨器的頻率特性傳輸函數(shù)由于X點(diǎn)和Y點(diǎn)通過CGS有很強(qiáng)的相互作用,很難把一個極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)進(jìn)行關(guān)聯(lián)。根據(jù)高頻小信號等效電路(忽略體效應(yīng))得到又由得到10/6/202316源跟隨器的頻率特性3、源跟隨器的頻率特性傳輸函數(shù)得到又由得到10/6/2023關(guān)于傳輸函數(shù)的討論同樣,假設(shè)兩個極點(diǎn)相距較遠(yuǎn),則第一極點(diǎn)的值為傳輸函數(shù)包含一個零點(diǎn)ωz=-gm/CGS。10/6/202317源跟隨器的頻率特性關(guān)于傳輸函數(shù)的討論傳輸函數(shù)包含一個零點(diǎn)ωz=-gm/CGS。輸入阻抗CGD與輸入并聯(lián),計算中先忽略。VxIx有,當(dāng)頻率較低時,gmb>>|CLs|,上式變成當(dāng)頻率較高時,gmb<<|CLs|,上式變成說明等效電容等于CGSgmb/(gm+gmb),該結(jié)果可以從密勒近似中得到。10/6/202318源跟隨器的頻率特性輸入阻抗VxIx有,當(dāng)頻率較低時,gmb>>|CLs|,上式輸出阻抗體效應(yīng)和CSB與輸出并聯(lián),計算中先忽略,并忽略CGD。低頻下,Zout≈1/gm;高頻下Zout≈Rs;由于作為緩沖器工作,應(yīng)有1/gm<Rs10/6/202319源跟隨器的頻率特性輸出阻抗低頻下,Zout≈1/gm;高頻下Zout≈Rs;1輸出阻抗(續(xù))源跟隨器的輸出阻抗表現(xiàn)出電感特性,R1因此,用一個無源網(wǎng)絡(luò)來等效Zout(=Z1)當(dāng)ω=0時,Z1=R2=1/gm;當(dāng)ω=∞時,Z1=R1+R2=Rs則R1與L并聯(lián)的表達(dá)式為10/6/202320源跟隨器的頻率特性輸出阻抗(續(xù))R1因此,用一個無源網(wǎng)絡(luò)來等效Zout(=Z14、共柵級的頻率特性傳輸函數(shù)忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)輸入極點(diǎn)輸出極點(diǎn)沒有電容的密勒乘積項,可達(dá)到寬帶。根據(jù)極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián)10/6/202321共柵級的頻率特性4、共柵級的頻率特性傳輸函數(shù)輸入極點(diǎn)輸出極點(diǎn)沒有電容的密勒乘5、共源共柵級的頻率特性極點(diǎn)分析忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)從X點(diǎn)向上看的電阻,即共柵級的輸入電阻為:(RD+rO2)/[1+(gm2+gmb2)rO2]當(dāng)RD較小時,約為1/(gm2+gmb2),則A點(diǎn)到X的增益為-gm1/(gm2+gmb2)Rx
1/(gm2+gmb2)極點(diǎn):10/6/202322共源共柵級的頻率特性5、共源共柵級的頻率特性極點(diǎn)分析從X點(diǎn)向上看的電阻,即共柵級6、差動對的頻率特性差動信號的頻率響應(yīng)半邊等效對差動信號的響應(yīng),與共源級的相同,表現(xiàn)為CGD的密勒乘積項。(采用共源級的頻率特性的分析方法)由于差動對的每一邊具有相同的傳輸函數(shù),因此傳輸函數(shù)中的極點(diǎn)數(shù)應(yīng)是一條通路的極點(diǎn)數(shù),而不是兩條通路中極點(diǎn)數(shù)之和。10/6/202323差動對的頻率特性6、差動對的頻率特性差動信號的頻率響應(yīng)半邊等效對差動信號的響共模信號的頻率響應(yīng)考慮M1和M2失配,根據(jù)低頻差動對共模響應(yīng)(第四章4.43公式),共模輸入等效電路以rO3||[1/(CPs)代替rO3,以RD||[1/(CLs)代替RD,這里,RSS=rO3此電路存在電壓余度與共模抑制比的折中問題,欲高頻時的共模抑制比,要求CP,即M3尺寸,但M3消耗的電壓余度,導(dǎo)致電壓余度
10/6/202324差動對的頻率特性共模信號的頻率響應(yīng)考慮M1和M2失配,根據(jù)低頻差動對共模響應(yīng)高阻抗負(fù)載差動對的頻率響應(yīng)考慮高阻抗輸出負(fù)載的差動對,并考慮負(fù)載電容CL(包括PMOS的漏結(jié)電容和柵漏交疊電容)rO1||rO3的值很大,因此輸出極點(diǎn)[(rO1||rO3)CL]-1成為主極點(diǎn)G點(diǎn)為交流地10/6/202325差動對的頻率特性高阻抗負(fù)載差動對的頻率響應(yīng)考慮高阻抗輸出負(fù)載的差動對,并考慮有源電流鏡為負(fù)載的差動對的頻率特性(optional)電流鏡引入一個極點(diǎn)——鏡像極點(diǎn)。由M3和M4組成的通路包含結(jié)點(diǎn)E對應(yīng)的一個極點(diǎn)。CE包括CGS3,CGS4,CDB3,CDB1,以及CGD1和CGD4的密勒效應(yīng)。鏡像極點(diǎn)輸出極點(diǎn)戴維南等效假定1/gmP<<rOP,整理,則增益為10/6/202326差動對的頻率特性有源電流鏡為負(fù)載的差動對的頻率特性(optional)電流鏡有源電流鏡為負(fù)載
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