證券研究報(bào)告|行業(yè)深度報(bào)告2023年02月17日【

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快打造極致專業(yè)與效率1HJT有望成為下一代電池片主流技術(shù)2

銅電鍍降本增效優(yōu)勢明顯，或?yàn)镠JT產(chǎn)業(yè)化的必經(jīng)之路目錄CONTENTS3銅電鍍制備工藝與市場規(guī)模：圖形化設(shè)備為核心設(shè)備4核心標(biāo)的：芯碁微裝、蘇大維格、羅博特科2HJT優(yōu)勢明顯，有望成為下一代電池片主流技術(shù)HJT優(yōu)勢眾多，潛力大。?

HJT優(yōu)勢一：避免LID光致衰減和PID電位誘導(dǎo)衰減。光伏組件的衰減越少，發(fā)電效率越高，能夠高效使用更長時間。?

HJT優(yōu)勢二：低溫度系數(shù)、輸出效率穩(wěn)定。HJT電池溫度系數(shù)優(yōu)于PERC、TOPCon，輸出功率相比較起來更加穩(wěn)定?，F(xiàn)階段，PERC電池溫度系數(shù)通常為-0.45%~-0.35%/℃，TOPCon電池溫度系數(shù)通常為-0.29%~-0.28%/℃，而HJT電池溫度系數(shù)一般為-0.25%~-0.2%/℃，意味著在大于25℃的條件下，環(huán)境溫度每升高1℃，HJT組件的輸出功率降低基準(zhǔn)值的0.25%~0.2%，在高溫運(yùn)行中比PERC電池和TOPCon電池的輸出功率更穩(wěn)定。?

HJT優(yōu)勢三：轉(zhuǎn)換效率高。HJT轉(zhuǎn)換效率高，不論是實(shí)驗(yàn)室效率還是量產(chǎn)效率，均已高于相應(yīng)產(chǎn)線上PERC和TOPCon的最高轉(zhuǎn)換效率。?

HJT優(yōu)勢四：結(jié)構(gòu)對稱、雙面率高、低溫工藝，適合薄片化發(fā)展。HJT電池在單晶硅片兩面分別沉積氫化本征非晶硅薄膜、摻雜層、TCO與電極，具有雙面對稱性，使得制備過程中的機(jī)械應(yīng)力減小，硅片的碎片率更低；同時，HJT電池雙面率更高，可達(dá)90%以上，相較于雙面率為70%-80%左右的PERC和TOPCon，具有天然的發(fā)電優(yōu)勢；此外，由于HJT采用200°C以下的低溫制備工藝，能夠減少高溫帶來的硅片的熱形變，使得薄片化電池的良品率更高，因此更適合薄片化發(fā)展。圖表1：國內(nèi)光伏企業(yè)PERC、TOPCon、HJT電池片、組件的效率最高產(chǎn)品圖表2：不同類型電池片的比較分類電池片/組件技術(shù)路徑公司名稱橫店東磁晶科能源效率PERC+SETOPConHJTPERC電池片TOPCon電池片24.01%25.00%硅片類型轉(zhuǎn)換效率P型N型N型電池片效率量產(chǎn)24%左右實(shí)驗(yàn)室最高24.5%（天合光能）量產(chǎn)24-25%實(shí)驗(yàn)室最高26.1%（晶科能源）量產(chǎn)24-25.05%實(shí)驗(yàn)室最高26.81%（隆基綠能）HJT電池片PERC組件邁為股份隆基綠能晶澳科技25.05%22.38%22.40%量產(chǎn)線4步，低溫工藝（200℃）組件效率電池片效率組件效率TOPCon組件工序數(shù)量及溫度組件衰減10步，高溫工藝11步，高溫工藝HJT組件華晟新能源天合光能23.00%24.50%存在LID、PID、LETID衰減，首年衰減2%,10年后剩余80％左右LID、PID及LETID為零，首年衰減1%,10年后剩余90%左右LID、PID及LETID為零，首年衰減1-2%,10年后剩余90%左右PERC電池片TOPCon電池片晶科能源26.10%HJT電池片PERC組件TOPCon組件HJT組件隆基綠能天合光能天合光能金石能源26.81%23.03%24.24%24.46%實(shí)驗(yàn)室雙面率已達(dá)82.15%（隆基）

已達(dá)85%已達(dá)95%設(shè)

備

投

資

（

億

元/GW）1.2-1.51.5-1.84-4.5資料

：浙江新聞，美通社，金融界，光伏見聞，國際太陽能光伏網(wǎng)，索比光伏網(wǎng)，北極星太陽能光伏網(wǎng)，全國能源信息平臺，公司公眾號，國盛證券研究所資料能源網(wǎng)，國盛證券研究所：數(shù)碼器材庫，中證報(bào)，全球光伏，光伏家，國際太陽能光伏，界面新聞，享迎，全網(wǎng)綜合能源，集邦新3HJT優(yōu)勢明顯，有望成為下一代電池片主流技術(shù)HJT與鈣鈦礦疊層電池或?qū)⒊蔀楣夥姵仄K極技術(shù)，而HJT是走向終極技術(shù)的必經(jīng)之路。?

HJT與鈣鈦礦疊層電池轉(zhuǎn)化效率更高，理論最高轉(zhuǎn)換效率有望超過40%。?

HJT與鈣鈦礦均為低溫工藝，二者工藝更加適配。鈣鈦礦需要低溫工藝，制備過程不得超過150-200℃，溫度過高會對電池造成損傷，TOPcon采用高溫銀漿是高溫工藝，溫度至少在500℃以上，而HJT采用200℃以下的低溫制備工藝，與鈣鈦礦更加適配。?

HJT疊層鈣鈦礦是加分項(xiàng)，TOPcon疊層鈣鈦礦是加分項(xiàng)的同時也是減分項(xiàng)。HJT的上表面為TCO層，是良好的導(dǎo)電材料，疊層鈣鈦礦時可以在HJT的TCO層上直接疊加，將HJT與鈣鈦礦導(dǎo)通，設(shè)備端甚至可以集成，工藝路線高度相融；而TOPcon電池的上表面為氮化硅材料，氮化硅導(dǎo)電性能弱，如果疊加鈣鈦礦，需要避免使用氮化硅，這將大幅更改工藝路線，提升制備的難度，同時氮化硅能夠提升TOPcon的光吸收率，如果將TOPcon的氮化硅去掉，將降低TOPcon的轉(zhuǎn)換效率。圖表3：TOPCon電池基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)示意圖圖表4：HJT電池基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)示意圖TCOTCOp-α-Si:H(p型氫化非晶硅層)N-單晶硅片i-α-Si:H

(氫化非晶硅層)n-α-Si:H(n型氫化非晶硅層)資料：智匯光伏，全球光伏，國盛證券研究所412HJT有望成為下一代電池片主流技術(shù)銅電鍍降本增效優(yōu)勢明顯，或?yàn)镠JT產(chǎn)業(yè)化的必經(jīng)之路目錄CONTENTS34銅電鍍制備工藝與市場規(guī)模：圖形化設(shè)備為核心設(shè)備核心標(biāo)的：芯碁微裝、蘇大維格、羅博特科5高成本是限制HJT大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)的主要因素HJT投資成本高于TOPcon，而HJT的轉(zhuǎn)換效率與TOPcon差距不大，這是目前限制HJT大范圍量產(chǎn)的主要原因。?建設(shè)HJT產(chǎn)線的成本較高，單GW產(chǎn)線設(shè)備投資額為3.5-4億元。HJT產(chǎn)線與現(xiàn)有PERC產(chǎn)線不兼容，只能新建生產(chǎn)線，目前單GW的HJT產(chǎn)線設(shè)備投資額約3.5-4億元，達(dá)PERC的3倍以上，PERC單GW設(shè)備投資額為1.2-1.5億元，TOPcon單GW設(shè)備投資額為1.5-1.8億元。?目前HJT轉(zhuǎn)換效率與TOPcon差距不大。從實(shí)驗(yàn)室效率來看，HJT最高轉(zhuǎn)換效率為26.81%

（隆基）

，TOPcon為26.10%

（晶科），

從量產(chǎn)線轉(zhuǎn)換效率來看，

HJT最高轉(zhuǎn)換效率為25.05%

（邁為）

，TOPcon為25.00%

（晶科），二者差異不大。低溫銀漿為HJT降本關(guān)鍵。HJT非硅成本占比達(dá)51%，PERC僅為42%，HJT電池非硅成本中，銀漿成本占比高達(dá)59%。?

低溫銀漿價(jià)格較貴。PERC與TOPCon電池制備均采用高溫銀漿，而HJT使用低溫銀漿且為雙面結(jié)構(gòu)，正反面均需銀漿，低溫銀漿相較于高溫銀漿，國產(chǎn)化率低，價(jià)格偏高，HJT電池使用的低溫銀漿較高溫銀漿溢價(jià)為2000元/千克，目前低溫銀漿均價(jià)在6000元/千克以上。?

低溫銀漿電阻率較高。由于現(xiàn)有異質(zhì)結(jié)生產(chǎn)工藝中使用的并非是純銀，而是由銀粉與有機(jī)載體形成的混合物銀漿，電阻率高于純銀，且其中含有的不導(dǎo)電的有機(jī)物固化后附著在電池片表面會進(jìn)一步提高電阻率，使得銀漿的電阻率在5-10Ω/m。?

低溫銀漿的柵線線寬不夠細(xì)。銀漿的流動性會使柵線向兩邊塌陷，使得傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷銀柵線的線寬被限制在30-40μm。?

低溫銀漿的柵線平整度不夠。由于銀柵線采用印刷工藝，難以避免柵線表面形成的凹凸坑洼以及擴(kuò)散現(xiàn)象。圖表5：不同類型電池投資成本圖表6：不同類型電池銀漿耗量投資成本(億元/GW)銀漿耗量（mg/片）4.51801601401201008043.532.52601.5140200.500HJTPERCTOPconHJTPERCTOPCon資料：PVInfoLink，國盛證券研究所資料：索比光伏網(wǎng)，國盛證券研究所6銅電鍍降本增效優(yōu)勢明顯，或?yàn)镠JT產(chǎn)業(yè)化的必經(jīng)之路?

提效方面：純銅柵線保證高導(dǎo)電性，低線寬減少功率損耗。轉(zhuǎn)換效率方面，采用銅柵線工藝的電池電阻率更低、柵線線寬小，且柵線平整度高，整體的電池轉(zhuǎn)換效率比原有銀柵線提高約0.3%~0.5%，具有效率優(yōu)勢：1）純銅電阻率低于銀漿：由于現(xiàn)有異質(zhì)結(jié)生產(chǎn)工藝中使用的并非是純銀，而是由銀粉與有機(jī)載體形成的混合物銀漿，電阻率高于純銀，且其中含有的不導(dǎo)電的有機(jī)物固化后附著在電池片表面會進(jìn)一步提高電阻率，使得銀漿的電阻率在5-10Ω/m。而電鍍銅工藝中使用的銅柵線為純銅，純銅的導(dǎo)電率僅次于純銀，且遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其它所有金屬，制成銅柵線后電阻率為1.7Ω/m，導(dǎo)電性優(yōu)于銀漿柵線。2）銅電鍍線寬更?。恒y漿的流動性會使柵線向兩邊塌陷，使得傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷銀柵線的線寬被限制在30-40μm。電鍍銅工藝中，在銅進(jìn)行沉積時，會有研磨形成的圖形來緊緊限制銅的寬度，可以使銅柵線保持良好形貌，線寬可以做到15-20μm（精度高的甚至達(dá)到5-10微米）。銅柵線的最小線寬減小，使柵線密度提高，可以較大程度地減少橫向電流功率損耗和細(xì)柵線遮光功率損耗，從而減少電極引起的總功率損耗，入射光利用率提高。3）銅電鍍平整度更高：由于銀柵線采用印刷工藝，難以避免柵線表面形成的凹凸坑洼以及擴(kuò)散現(xiàn)象。銅柵線為沉積形成，平整度顯著提高，且避免了擴(kuò)散，對電池性能影響較小。圖表7：低溫銀漿絲網(wǎng)印刷與銅電鍍對比圖表8：銅柵線和銀柵線形貌低溫銀漿+絲網(wǎng)印刷銅電鍍主柵正面銀漿5797.00元/千克主要原材料成本

細(xì)柵正面銀漿6499.00元/千克（截至2022.12.09）電解銅66.95元/千克（截至2022.12.09）數(shù)控電阻率線寬銀漿5-10Ω/m銅柵線1.7Ω/m≤20um銅柵30-40um-效率提升0.3-0.5%資料：SPIC，國盛證券研究所資料：世紀(jì)新能源網(wǎng)，產(chǎn)業(yè)調(diào)研，上海有色網(wǎng)，全球光伏公眾號，騰訊新聞，國盛證券研究所銅電鍍降本增效優(yōu)勢明顯，或?yàn)镠JT產(chǎn)業(yè)化的必經(jīng)之路?

降本方面：電鍍銅技術(shù)使用金屬銅代替全部的金屬銀，銅材料價(jià)格低廉，并且雙面金屬化可以同時完成，電鍍銅技術(shù)的應(yīng)用可以在銀包銅技術(shù)路徑的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步降低異質(zhì)結(jié)電池成本。傳統(tǒng)HJT絲網(wǎng)印刷工藝的成本為0.271元/瓦，而HJT銅電鍍工藝的成本為0.135元/瓦，HJT銅電鍍單瓦成本相比較于傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷工藝降低50%左右。圖表9：HJT電鍍銅工藝降本測算傳統(tǒng)HJT絲網(wǎng)印刷成本理想狀態(tài)下HJT銅電鍍成本效率25%25.2%功率（瓦）5.515.56物料成本（元/瓦）漿料0.21600.00000.01100.00000.00000.00000.02000.00200.01800.0450PVD銅網(wǎng)版藥液掩膜（濕膜印刷）直接人工與制造費(fèi)用（元/瓦）人工能耗0.00280.02200.01900.27100.00280.01100.03600.1350折舊綜合成本8資料：產(chǎn)業(yè)調(diào)研，國盛證券研究所測算12HJT有望成為下一代電池片主流技術(shù)HJT銅電鍍降本增效優(yōu)勢明顯，或?yàn)?/p>

產(chǎn)業(yè)化的必經(jīng)之路目錄CONTENTS34銅電鍍制備工藝與市場規(guī)模：圖形化設(shè)備為核心設(shè)備核心標(biāo)的：芯碁微裝、蘇大維格、羅博特科9銅電鍍的制作工藝與流程?

HJT銅電鍍制作工藝主要為圖形化與金屬化兩大環(huán)節(jié)，分為五大主要步驟。?

第一步，沉積種子層。若鍍層直接與TCO接觸，附著性較弱，銅電極容易脫落，會影響后續(xù)的組件焊接的可靠性，因此需要一層種子層來增加結(jié)合力。?

第二步，圖形化。在種子層上制作電極的形貌。噴涂感光膠，并通過LDI曝光機(jī)、顯影機(jī)進(jìn)行曝光顯影。?

第三步，銅電鍍。按照曝光顯影后的圖形，進(jìn)行雙面電鍍銅。即在種子層上面電鍍銅+電鍍錫、或者電鍍銅+化學(xué)錫、或者電鍍銅+化學(xué)銀等等。電鍍的銅主要起導(dǎo)電作用，錫和銀主要起焊接和保護(hù)作用，因?yàn)椋?）銅很容易被氧化，需要錫或者銀保護(hù)；（2）銅本身不能焊接，需要用錫和銀起焊接作用。?

第四步，去除感光膠。第二步為了圖形化，噴涂了感光膠，需要將剩余的感光膠去除。因此需要在退膜機(jī)中清洗感光膠后漏出種子層。?

第五步，蝕刻種子層。需要將第一步剩余的種子層去除。因此使用蝕刻機(jī)刻蝕種子層，進(jìn)而得到完整的銅電極。圖表10：HJT太陽電池電鍍銅電極結(jié)構(gòu)圖表11：HJT太陽電池電鍍銅電極工藝n型單晶硅片n型單晶硅片n型單晶硅片電鍍電極基底12：圖形化：雙面沉積種子層p型摻雜非晶硅透明導(dǎo)電薄膜本征非晶硅層n型單晶硅片n型摻雜非晶硅電鍍種子層電鍍粘合層電鍍傳導(dǎo)層電鍍焊接層n型單晶硅片n型單晶硅片n型單晶硅片3：雙面銅電鍍4：去除感光膠5：刻蝕種子層資料：《硅異質(zhì)結(jié)太陽電池接觸特性及銅金屬化研究》，國盛證券研究所資料：《硅異質(zhì)結(jié)太陽電池接觸特性及銅金屬化研究》，國盛證券研究所10銅電鍍的制作工藝與流程——第一步：沉積種子層第一步：沉積種子層。若鍍層直接與TCO接觸，附著性較弱，銅電極容易脫落，會影響后續(xù)的組件焊接的可靠性。因此，需要在整個TCO上制備一層種子層（100nm）以改善銅柵線的附著性，種子層制備工藝主要包括PVD（物理氣相沉積）與RPD（離子反應(yīng)鍍膜）等技術(shù)。?

有種子層電鍍方案優(yōu)勢1）改善電鍍金屬與TCO膜之間的附著性能：若無種子層，金屬直接鍍在TCO膜上，附著性較差，易造成電極脫落，而鍍完TCO膜后再鍍種子層，可以改善電極的附著性能。2）種子層制備工藝已相對成熟：目前市面上流行的種子層制備方法主要包括物理方法沉積（PVD）、

RPD（離子反應(yīng)鍍膜）等技術(shù)，現(xiàn)在最主流的方法則是PVD（物理氣相沉積），該方法門檻低且工藝成熟。3）種子層能夠起到阻隔作用：銅電鍍的一大困難在于銅電極向硅內(nèi)部擴(kuò)散速度很快，將導(dǎo)致電池的轉(zhuǎn)換效率降低，而種子層的材料一般是選用金屬鎳，金屬鎳具有良好的導(dǎo)電性，同時能夠有效阻止電鍍銅金屬向硅內(nèi)部擴(kuò)散。?

有種子層電鍍方案劣勢增加了沉積種子層環(huán)節(jié)，后續(xù)需要蝕刻種子層，使得電鍍銅的技術(shù)工藝更復(fù)雜，成本與良率均受到負(fù)面影響。種子層制備方式：PVD磁控濺射為目前主流工藝。PVD具有成本較低、鍍膜工藝成熟、設(shè)備供應(yīng)商較多、可滿足規(guī)?；枨蟮葍?yōu)勢。圖表13：PVD磁控濺射工藝與RPD工藝部分特性對比圖表12：磁控濺射（左）與RPD（右）技術(shù)原理圖項(xiàng)目薄膜生長速率成膜質(zhì)量電學(xué)性能靶材成本設(shè)備廠商PVD磁控濺射RPD離子反應(yīng)鍍膜較慢正常一般低較快較好較好高較多僅日本住友及獲專利授權(quán)企業(yè)資料：《硅異質(zhì)結(jié)太陽電池接觸特性及銅金屬化研究》、2020年中國光伏技術(shù)發(fā)展報(bào)告——晶體硅太陽電池研究進(jìn)展(6)、51電子網(wǎng)、《PECVD法原位滲氮表面改性鈦雙極板的性能》、公司公告，國盛證券研究所11銅電鍍的制作工藝與流程——第一步：沉積種子層無種子層路線：邁為股份與SunDrive自2021年起合作研發(fā)高效HJT電池，其采用無種子層制備技術(shù)，邁為提供藍(lán)膜片全部工藝制程，在其自主研制的異質(zhì)結(jié)高效電池量產(chǎn)設(shè)備（包括清洗制絨、PECVD、PVD等）上完成，電池片電極由SunDrive在其無種子層電鍍設(shè)備上完成。通過不到一年的技術(shù)迭代及工藝優(yōu)化，雙方聯(lián)合開發(fā)的無銀異質(zhì)結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率屢次獲ISFH認(rèn)證，從25.54%迅速攀升到26.41%。?

無種子層方案優(yōu)勢1）可減少銅電鍍的工藝環(huán)節(jié)，節(jié)約制備種子層的成本。?

無種子層電鍍方案劣勢1）銅電極在TCO膜上附著性能差，易出現(xiàn)脫柵問題。圖表15：邁為股份/SunDrive合作HJT電池效率提升曲線圖表14：邁為股份種子層制備PVD設(shè)備資料：《硅異質(zhì)結(jié)太陽電池接觸特性及銅金屬化研究》、邁為股份公眾號，國盛證券研究所資料：邁為股份公眾號，國盛證券研究所12銅電鍍的制作工藝與流程——第二步：圖形化第二步，圖形化。主流技術(shù)路線為曝光顯影方式，其他方式有激光開槽、噴墨打印等。?

曝光顯影：通過曝光顯影在種子層上顯現(xiàn)電極形貌完成圖形轉(zhuǎn)移。根據(jù)是否使用掩膜，光刻可分為掩膜光刻與直寫光刻。光源發(fā)出的光束，經(jīng)掩膜版在感光材料上成像，稱為掩膜光刻。通過計(jì)算機(jī)控制高精度光束，進(jìn)而聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面上，無需掩膜直接進(jìn)行掃描曝光的技術(shù)，即為直寫光刻。?

激光開槽：適用于PERC和TOPCon，因?yàn)槠渌{(lán)膜材料為絕緣的氧化硅或氮化硅，只需用激光對其開槽，打掉氮化硅即可進(jìn)行后續(xù)的電鍍。但是將激光開槽應(yīng)用于HJT銅電鍍路線，有兩個問題，第一，HJT很薄，激光開槽對電池?fù)p傷較大；第二，激光開槽會影響銅電極的形貌，銅會生長成蘑菇型，蘑菇型會導(dǎo)致藏污納垢及一些酸堿殘留，這樣會影響轉(zhuǎn)換效率，同時，寬度過大也會影響電流，此外，蘑菇型的力學(xué)結(jié)構(gòu)也較差，容易脫落。?

噴墨打?。壕仍礁咝枰卧叫?，墨滴越小需要打印的次數(shù)越多，同時墨滴小了容易堵住噴口，因此效率不高，在銅電鍍工藝上實(shí)現(xiàn)10-20μm的高精度時，由于需要控制墨滴大小，造成產(chǎn)能速度較慢，目前不適用銅電鍍量產(chǎn)。圖表16：電鍍銅圖形化環(huán)節(jié)主要技術(shù)路徑光學(xué)投影掩膜光刻光刻普通掩膜光刻圖形化環(huán)節(jié)激光直寫光刻激光開槽噴墨打印資料：芯碁微裝招股書，國盛證券研究所13銅電鍍的制作工藝與流程——第二步：圖形化曝光顯影路線中，直寫光刻和掩膜光刻均是可行路線，目前直寫光刻路線進(jìn)展更快。曝光顯影路線包括光學(xué)投影掩膜光刻、普通掩膜光刻、直寫光刻。最終何種方案勝出，取決于中試線的生產(chǎn)數(shù)據(jù)，綜合考量設(shè)備成本、生產(chǎn)速度、曝光精度等指標(biāo)后進(jìn)行選擇。目前走得較快的是直寫光刻技術(shù)路線。?普通掩膜光刻：如接觸式光刻和接近式光刻等，精度能達(dá)到銅電鍍要求，有可能得到應(yīng)用。1）優(yōu)勢：在于產(chǎn)能速度有望比直寫光刻更快。曝光時，掩膜光刻用一個板對準(zhǔn)曝光即可，直寫光刻方案需要掃描，用激光把圖形畫上去需要一定的時間，因此在高分辨率情況下，直寫的掃描所需時間比掩膜版對準(zhǔn)整體曝光的時間長。2）劣勢：掩模版容易被污染，是耗材屬性，成本較高。此外，精度不夠，目前普通掩膜光刻技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)最高精度一般在50μm左右，主要原因是受限于底片的圖形解析能力，且光線經(jīng)過底片透射后發(fā)生角度變化、底片與基板貼合的平整度等因素均會影響精度。??直寫光刻(LDI)：1）優(yōu)勢：直寫光刻優(yōu)勢在于沒有掩膜版的消耗。普通掩膜光刻曝光時需要掩模版，掩模版是耗材，隨著曝光次數(shù)的增多消耗較快，因此直寫光刻更符合大產(chǎn)能的需求。2）劣勢：生產(chǎn)速度慢于普通掩膜光刻；供應(yīng)鏈不穩(wěn)定（LDI里面的核心部件DMD（數(shù)字微鏡器件）是TI（德州儀器）獨(dú)供的，美國制裁我國光伏的背景下，供應(yīng)鏈不穩(wěn)定）。芯碁是LDI設(shè)備的龍頭廠商，其將部分股權(quán)融資用于LDI設(shè)備的升級迭代,有望快速形成產(chǎn)能。投影式掩膜光刻：源自半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)，主要應(yīng)用在芯片、泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，精度極高(納米級或1μm級)，精度越高、成本越高。蘇大維格使用投影式掩膜光刻，因?yàn)橄旅嬗型哥R，掩模版距離底部電池片距離較遠(yuǎn)，不會被污染，此外掩模版是金屬掩模版，不會因?yàn)殚L時間光照而損害，因此掩模版不是耗材，能夠降低使用成本。圖表17：直寫光刻、接近/接觸式光刻以及投影式光刻示意圖圖表18：蘇大維格-投影式掩膜光刻曝光顯影路線的生產(chǎn)流程：1）噴涂感光膠。在光照之下，光刻膠的屬性將發(fā)生改變，若無光照，光刻膠的屬性不變，以此為后續(xù)的曝光顯影打下基礎(chǔ)。光刻膠行業(yè)被日美高度壟斷，我國相關(guān)廠商包括晶瑞股份、南大光電等。2）曝光。在完成電池片正背兩面噴涂感光油墨并烘干后，用直寫光刻或掩膜光刻進(jìn)行曝光。3）顯影。在顯影機(jī)中清洗感光材料，進(jìn)而在暴露出的部分進(jìn)行銅電鍍。資料：芯碁微裝招股書，國盛證券研究所資料：產(chǎn)業(yè)調(diào)研，國盛證券研究所14銅電鍍的制作工藝與流程——第二步：圖形化?

圖形化環(huán)節(jié)核心設(shè)備為曝光機(jī)，目前主要布局公司包括芯碁微裝、蘇大維格、太陽井、捷得寶等。?

芯碁微裝憑借在泛半導(dǎo)體、PCB領(lǐng)域直寫光刻技術(shù)積淀，正積極切入HJT銅電鍍環(huán)節(jié)，提供LDI設(shè)備，蘇大維格布局投影式掩膜光刻設(shè)備。此外，太陽井、捷得寶等為客戶提供整線或相關(guān)設(shè)備。圖表19：電鍍銅圖形化環(huán)節(jié)主要公司公司公司簡介在光伏行業(yè)的進(jìn)展公司為國內(nèi)直寫光刻領(lǐng)軍企業(yè)，2015年成立，目前自主研發(fā)生產(chǎn)的直寫光刻設(shè)備已經(jīng)應(yīng)用

光伏行業(yè)要求解析度15±μm，對位精度要求10μm，2021年公司發(fā)出用于改造于泛半導(dǎo)體和PCB領(lǐng)域，產(chǎn)品在在光刻精度、對位精度、良品率、生產(chǎn)成本等方面具備優(yōu)勢。公司的直寫光刻設(shè)備已經(jīng)可以和國外領(lǐng)先企業(yè)進(jìn)行競爭，正在積極布局光伏HJT電鍍銅領(lǐng)域的直寫光刻設(shè)備。的半導(dǎo)體設(shè)備能做到5-6μm。公司于2022年12月公告定增項(xiàng)目，繼續(xù)建設(shè)直寫光刻設(shè)備產(chǎn)能，在現(xiàn)有業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上拓展其在新能源光伏等新領(lǐng)域中的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，并與下游知名電池片廠商進(jìn)行了技術(shù)探討。芯碁微裝通威股份持股20.8%，公司已經(jīng)成功開發(fā)出HJT銅電鍍技術(shù)，正在開發(fā)量產(chǎn)級HJT銅電鍍整線解決方案。2021年底交付低成本異質(zhì)結(jié)銅互聯(lián)大試線，次年在客戶端成功出片；后續(xù)技術(shù)不斷優(yōu)化，2022年底啟用量產(chǎn)制造車間。太陽井捷得寶主要給海源復(fù)材開發(fā)HJT銅電鍍相關(guān)設(shè)備，其水平電鍍已經(jīng)達(dá)到每小時7000片以上。電鍍銅設(shè)備整線供應(yīng)商，開發(fā)工藝包括油墨掩膜和水平電鍍等。自主研發(fā)三維光刻設(shè)備，面向信息光子和新型顯示領(lǐng)域。公司的激光直寫光刻機(jī)目前應(yīng)用在柔性電子、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))、特定領(lǐng)域半導(dǎo)體(如半導(dǎo)體功率芯片)等產(chǎn)品的研發(fā)制造。

投影式掩膜光刻路線，主要潛在客戶為邁為與愛康。正積極拓展光刻機(jī)設(shè)備在光伏電池銅電鍍方案圖形化方面的應(yīng)用，主要路線為蘇大維格邁為股份面向光伏、顯示、半導(dǎo)體行業(yè)，主要產(chǎn)品包括全自動太陽能電池絲網(wǎng)印刷產(chǎn)線、異質(zhì)結(jié)電池制造整體解決方案、OLED柔性屏激光切割設(shè)備、Mini/MicroLED晶圓設(shè)備、半導(dǎo)體晶圓封裝設(shè)備等。提供異質(zhì)結(jié)電池整體解決方案，公司對銅電鍍和銀包銅持中立態(tài)度，樂觀預(yù)計(jì)2023年上半年會有銅電鍍中試線在客戶端運(yùn)行。愛康科技天準(zhǔn)科技從事異質(zhì)結(jié)電池發(fā)展。正在進(jìn)行電鍍銅的工藝整合。面向消費(fèi)電子、半導(dǎo)體、PCB、光伏、新汽車等行業(yè)，提供視覺測量、檢測、制程等高端裝備產(chǎn)品目前LDI設(shè)備僅用于剛性版領(lǐng)域的雙面板、多層板、HDI板領(lǐng)域及FPC、IC載板的影像轉(zhuǎn)移。公司正密切關(guān)注電鍍銅方向的LDI應(yīng)用資料：公司公告，公司官網(wǎng)，產(chǎn)業(yè)調(diào)研，國盛證券研究所銅電鍍的制作工藝與流程——第三步：電鍍銅?

第三步，電鍍銅。浸泡在相應(yīng)的溶液（一般為硫酸銅）中，通過電解制得銅電極，電鍍方式可分為垂直電鍍、水平電鍍與花籃式電鍍。1）垂直電鍍：PCB垂直電鍍目前應(yīng)用較廣，但其難以完全移植至光伏領(lǐng)域。主要代表企業(yè)為東威科技、太陽井。??優(yōu)勢：從PCB行業(yè)改造而來，技術(shù)較成熟，工藝較簡單，應(yīng)用便捷。劣勢：垂直電鍍需要用夾具夾住電池片，這種情況下，第一，在薄片化趨勢下，電池片很容易碎（PCB板較厚，幾乎沒有碎片率的問題），也較難實(shí)現(xiàn)自動化；第二，需要預(yù)留裝夾子的位置，此位置也難以電鍍，因此實(shí)用面積降低；第三，電鍍的過程中，電池片與夾具需要全面浸入電鍍液中，夾子是金屬的，因此使用頻次增加以后，會被鍍上很厚的銅，影響整體性能，需要多加一道褪鍍的過程，對設(shè)備的稼動率有較大影響，比如設(shè)備需要經(jīng)常停機(jī)更換夾具。2）水平電鍍：效率高，但是氣泡難以排出。主要代表企業(yè)為捷得寶。?優(yōu)勢：相比較于垂直電鍍，水平電鍍的電池片與鍍液面平行，水平電鍍無需夾具、無需裝掛、無需空留裝夾位置，因此碎片率、良品率、自動化、實(shí)用面積等方面更優(yōu)秀，此外，導(dǎo)電滾輪作為陰極的同時傳送電池片，陰極與預(yù)鍍表面的接觸面積更大，電流密度更高，使得水平電鍍的速度更快。劣勢：工藝難度較大，存在質(zhì)量問題，如電鍍過程中將產(chǎn)生氫氣，因?yàn)殡姵仄瞧椒诺?，所以電池片下面的電鍍液產(chǎn)生的氣泡無法排出，導(dǎo)致表面有空洞現(xiàn)象，銅與銅之間產(chǎn)生間隙，導(dǎo)致電鍍的柵線抓合力不夠。此外，陰極還是會接觸到電鍍液，一旦接觸，電極上面就會被鍍上銅，因此仍然面臨技術(shù)難點(diǎn)—如何在電極不接觸或小范圍接觸電鍍液的情況下完成電鍍。?圖表20：電鍍銅技術(shù)路線對比圖表22：水平電鍍設(shè)備結(jié)構(gòu)與水平電鍍原理示意圖圖表21：垂直電鍍原理示意圖垂直電鍍水平電鍍需用電鍍夾爪夾住陰電極，薄片化趨勢下，易被夾碎，良率低良率產(chǎn)能無需夾具，良率相對較高通過性好，電流密度大，電鍍速率快，適合量產(chǎn)電鍍速率慢，產(chǎn)能較低裝夾占據(jù)部分空間，減少實(shí)用面積實(shí)用面積技術(shù)難度無需留有裝夾位置，增加實(shí)用面積獨(dú)特的電機(jī)設(shè)計(jì)難度較大，技術(shù)瓶頸需要時間攻克相對較低較為成熟，已在PCB行業(yè)廣泛應(yīng)用，技術(shù)改良后已開始用于光伏，可單、雙面鍍銅不成熟，仍存在未解決的質(zhì)量問題，產(chǎn)品仍在研發(fā)或驗(yàn)證階段技術(shù)成熟度資料：愛旭股份專利CN114335257A，國盛證券研究所

資料：愛旭股份專利CN114335257A，國盛證券研究所資料：PCB信息網(wǎng)，全球光伏，京城投資家，騰訊網(wǎng)，知乎，專家紀(jì)要，國盛證券研究所16銅電鍍的制作工藝與流程——第三步：電鍍銅?

第三步，電鍍銅。浸泡在相應(yīng)的溶液（一般為硫酸銅）中，通過電解制得銅電極，電鍍方式可分為垂直電鍍、水平電鍍與花籃式電鍍。3）花籃式電鍍：根據(jù)羅博特科公布的專利CN115613106A——【一種插片式太陽能電池片銅電極電鍍裝置及方法】，羅博特科的電鍍方式實(shí)現(xiàn)了雙面電鍍，單線可做到14000整片/小時，破片率＜0.02%，提高裝置產(chǎn)能，降低了不良率，提高了電鍍質(zhì)量，結(jié)構(gòu)新穎合理，占地面積小。?

特點(diǎn)：因?yàn)殡姵仄且黄宓酵饷差愃朴凇暗拱俗帧苯Y(jié)構(gòu)的設(shè)備中，電池片都是被隔開的，側(cè)面和底部能夠托起電池片，同時，因?yàn)殇忼X是斜面的，它不會接觸到電池片的正面和背面，只會接觸底面和側(cè)面，因此不會遮擋電池片的正背面，能夠?qū)崿F(xiàn)正背面全面電鍍。相比垂直電鍍而言，不會被夾具夾碎，也不會有遮擋。相比水平電鍍而言，不會存在氣泡導(dǎo)致抓合力不夠。圖表23：羅博特科-插片式太陽能電池片銅電極電鍍裝置圖表24：花籃式電鍍固定電池片示意圖圖表25：花籃式電鍍所用的鋸齒狀固定夾具資料：羅博特科專利CN115613106A，國盛證券研究所資料：羅博特科專利CN115613106A，國盛證券研究所資料：羅博特科專利CN115613106A，國盛證券研究所17銅電鍍的制作工藝與流程——第三步：電鍍銅圖表26：電鍍銅金屬化環(huán)節(jié)設(shè)備廠商?

垂直電鍍技術(shù)從PCB領(lǐng)域移植到光伏領(lǐng)域需技術(shù)路線

公司名稱研發(fā)進(jìn)展重要指標(biāo)主要客戶要克服的碎片率高、產(chǎn)能低等問題已取得重大進(jìn)展，目前東威科技第二代光伏鍍銅設(shè)備已經(jīng)驗(yàn)證通過，各項(xiàng)指標(biāo)表現(xiàn)合格。第二代光伏垂直電鍍設(shè)備已通過客戶驗(yàn)證，

第二代光伏鍍銅設(shè)第三代光伏鍍銅設(shè)備還在制造中，預(yù)計(jì)2023年上半年發(fā)送至客戶處驗(yàn)證東威科技備產(chǎn)能為7000片/小時國家電投等垂直電鍍?

水平電鍍技術(shù)起步較晚，技術(shù)難度較大，雖可以顛覆性地解決垂直電鍍技術(shù)無法自動化帶來的產(chǎn)能和性能束縛，但技術(shù)闖關(guān)仍需時日，目前設(shè)備仍存在尚未攻克的質(zhì)量問題。主要布局水平電鍍技術(shù)的設(shè)備廠商有捷得寶、無錫昆盛、寶馨科技等企業(yè)。太陽井捷得寶2022年11月HJT設(shè)備新產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動暫未披露-捷得寶是電鍍銅整線設(shè)備的提供商，2021年底，國內(nèi)外有12家客戶在做電鍍銅設(shè)備的驗(yàn)證（8家HJT,4家TOPCon)海源復(fù)材（600兆瓦）等-?

羅博特科首創(chuàng)開發(fā)了具有產(chǎn)能大、柔性強(qiáng)、易維護(hù)的優(yōu)勢的VDI電鍍方案，目前已經(jīng)完成銅電鍍設(shè)備的內(nèi)部測試，各項(xiàng)指標(biāo)基本達(dá)到預(yù)期，目前正在進(jìn)一步測試，發(fā)展前景有待觀察。水平電鍍電視設(shè)備領(lǐng)域銅電鍍龍頭，將電視領(lǐng)域使用的銅電鍍技術(shù)改進(jìn)后應(yīng)用于光伏領(lǐng)域，設(shè)備正在研發(fā)和驗(yàn)證階段無錫昆盛寶馨科技暫未披露暫未披露暫未披露已研制出單道水平電鍍中試線，目前正推進(jìn)整線設(shè)備整合、工藝開發(fā)和量產(chǎn)化研究，預(yù)計(jì)2023年底可達(dá)到量產(chǎn)化設(shè)備水平-羅博特科首創(chuàng)開發(fā)了VDI電鍍方案，2022年12月交付設(shè)備，目前已經(jīng)完成銅電鍍設(shè)備的內(nèi)部測試，各項(xiàng)指標(biāo)基本達(dá)到預(yù)期，目前正在進(jìn)一步測試，具有產(chǎn)能大、柔性強(qiáng)、易維護(hù)的優(yōu)勢單線可做到14000整片/小時，破片率<0.02%VDI羅博特科國家電投等資料：公司公告，公司公眾號，界面新聞，證券之星，同花順財(cái)經(jīng)，搜狐，京城投資家，國盛證券研究所銅電鍍的制作工藝與流程——第三步：電鍍銅圖表27：電鍍銅金屬化環(huán)節(jié)電池廠商?

垂直電鍍的技術(shù)相對比較成熟，各大電池廠商參與到垂直電鍍的布局中。PCB電鍍設(shè)備龍頭東威科技為光伏電池廠商布局垂直電鍍提供了設(shè)備支持。國家電投采購了東威科技的設(shè)備。同時，隆基綠能等電池廠商自己也在著手研究電鍍銅技術(shù)。邁為股份和寶馨科技還就銅電鍍的關(guān)鍵領(lǐng)域展開了深度合作。技術(shù)路線公司名稱布局進(jìn)展太陽井提供異質(zhì)結(jié)的銅金屬化整線解決方案，通威擁有太陽井20.87%股權(quán)。通威股份隆基自己組裝或者外購電鍍設(shè)備，驗(yàn)證電鍍銅路線，同時也在研究背接觸電池。隆基綠能國家電投垂直電鍍?

水平電鍍技術(shù)作為起步較晚的電鍍銅技術(shù)，相比垂直電鍍技術(shù)具備很多方面的優(yōu)勢。愛旭股份主要研發(fā)ABC電池，想要采用水平電鍍的技術(shù)做背接觸電池，并開發(fā)了水平電鍍設(shè)備，并且不斷優(yōu)化。海源復(fù)材與捷得寶開展協(xié)同合作，技術(shù)趨于成熟，有望成為行業(yè)內(nèi)首家應(yīng)用銅電鍍技術(shù)的企業(yè)。23年1月30日，國家電投與東威科技就銅柵線異質(zhì)結(jié)電池垂直連續(xù)電鍍解決方案開發(fā)及后續(xù)業(yè)務(wù)合作事宜簽訂了協(xié)議，東威科技將于23年7月向國家電投和國家電投新能源提供一臺樣機(jī)銅電鍍設(shè)備用于驗(yàn)證測試。努力攻克銅電鍍路徑的技術(shù)難點(diǎn)，從其他公司采購設(shè)備，聯(lián)合澳大利亞電鍍技術(shù)初創(chuàng)公司SunDrive，提升電池轉(zhuǎn)化率。22年9月25日，與寶馨科技達(dá)成在銅電鍍關(guān)鍵領(lǐng)域開展深度合作。邁為股份海源復(fù)材與捷得寶在技術(shù)研發(fā)、市場應(yīng)用等方面協(xié)同合作，2021年11月簽署《設(shè)備買賣框架合同》。水平電鍍中試的情況顯示出海源復(fù)材電鍍銅技術(shù)已趨于成熟，降本增效明顯，有望成為行業(yè)內(nèi)首家應(yīng)用電鍍銅技術(shù)的企業(yè)，23年具備產(chǎn)業(yè)化，24年開始形成規(guī)模化產(chǎn)能。?

國家電投新能源與羅伯特科簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》，就銅柵線異質(zhì)結(jié)電池VDI電鍍解決方案建立全方位戰(zhàn)略合作。VDI電鍍方案具有產(chǎn)能大、柔性強(qiáng)、易維護(hù)的優(yōu)勢，目前正在進(jìn)一步測試，發(fā)展前景有待觀察。23年1月29日，國家電投新能源與羅伯特科簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》，就銅柵線異質(zhì)結(jié)電池VDI電鍍解決方案建立全方位戰(zhàn)略合作，包括現(xiàn)有技術(shù)或工藝的驗(yàn)證及量產(chǎn)化應(yīng)用、新技術(shù)及工藝的合作開發(fā)以及銅電鍍相關(guān)工藝和設(shè)備的開發(fā)應(yīng)用。VDI國家電投資料：新浪財(cái)經(jīng)，證券時報(bào)，東方財(cái)富網(wǎng)，國盛證券研究所銅電鍍產(chǎn)業(yè)鏈有望催生超百億設(shè)備市場空間2025年，中性預(yù)測下銅電鍍設(shè)備市場空間合計(jì)接近162億元，其中PVD為34億元，曝光顯影設(shè)備為54億元，電鍍設(shè)備為41億元。關(guān)鍵假設(shè)：?

HJT新增產(chǎn)能：HJT與鈣鈦礦疊層電池或?qū)⒊蔀楣夥姵仄K極技術(shù)，而HJT是走向終極技術(shù)的必經(jīng)之路，因此我們對HJT

2025年的新增產(chǎn)能預(yù)計(jì)為：悲觀、中性、樂觀預(yù)測分別為100、150、200GW。?

銅電鍍工藝滲透率：銅電鍍降本增效優(yōu)勢明顯，或?yàn)镠JT產(chǎn)業(yè)化的必經(jīng)之路，2025年HJT銅電鍍悲觀、中性、樂觀預(yù)測分別為80%、90%、100%。?

設(shè)備單GW價(jià)值量：中性預(yù)測下，2025年P(guān)VD、曝光顯影設(shè)備、電鍍設(shè)備、其他設(shè)備（清洗設(shè)備、刻蝕設(shè)備等）分別為2500、4000、3000、2500萬元/GW。圖表28：HJT銅電鍍設(shè)備市場空間測算2025年市場空間預(yù)測悲觀預(yù)測100中性預(yù)測150樂觀預(yù)測200100%200HJT新增產(chǎn)能GW%GW銅電鍍滲透率80%8090%135電鍍銅擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模設(shè)備單GW價(jià)值量PVD設(shè)備曝光顯影設(shè)備電鍍設(shè)備億元/GW億元/GW億元/GW0.20.30.250.250.40.30.30.50.35其他設(shè)備億元/GW0.20.250.3（清洗設(shè)備、刻蝕設(shè)備、環(huán)保設(shè)備等）設(shè)備市場空間0.95162420161.2345441341.45601007060290PVD設(shè)備市場空間億元億元億元億元億元曝光顯影設(shè)備市場空間電鍍設(shè)備市場空間其他設(shè)備（市場空間）總設(shè)備空間76162資料：騰訊網(wǎng)，產(chǎn)業(yè)調(diào)研，國盛證券研究所測算2012HJT有望成為下一代電池片主流技術(shù)HJT銅電鍍降本增效優(yōu)勢明顯，或?yàn)?/p>

產(chǎn)業(yè)化的必經(jīng)之路目錄CONTENTS34銅電鍍制備工藝與市場規(guī)模：圖形化設(shè)備為核心設(shè)備核心標(biāo)的：芯碁微裝、蘇大維格、羅博特科21芯碁微裝：國內(nèi)LDI設(shè)備龍頭，光伏銅電鍍打開成長天花板公司為國內(nèi)直寫光刻設(shè)備龍頭。公司于2015年6月成立，自半導(dǎo)體領(lǐng)域起家，2016年推出首款半導(dǎo)體直寫光刻設(shè)備。同時，公司依托直接成像設(shè)備逐步替代傳統(tǒng)曝光設(shè)備的發(fā)展機(jī)遇，進(jìn)入市場需求廣闊的PCB領(lǐng)域。2021年4月，公司登陸上市。目前，公司以微納直寫光刻技術(shù)為核心，主要業(yè)務(wù)包括PCB直接成像設(shè)備、泛半導(dǎo)體直寫光刻設(shè)備，并積極布局光伏HJT電鍍銅領(lǐng)域的曝光顯影設(shè)備，產(chǎn)品功能涵蓋微米到納米的多領(lǐng)域光刻環(huán)節(jié)，2021年公司實(shí)現(xiàn)營收4.92億元（同比+58.74%），歸母凈利潤1.06億元（同比+49.44%）。圖表29：芯碁微裝發(fā)展沿革資料：公司公告，國盛證券研究所芯碁微裝：國內(nèi)LDI設(shè)備龍頭，光伏銅電鍍打開成長天花板產(chǎn)品矩陣多元，產(chǎn)品性能優(yōu)異。公司構(gòu)建了比較完善的研發(fā)體系，產(chǎn)品線不斷豐富，主要涉及產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)镻CB及泛半導(dǎo)體，應(yīng)用產(chǎn)品的最小線寬依次遞減，對產(chǎn)品精度要求依次遞增。最小線寬、套刻精度、產(chǎn)能效率等指標(biāo)為行業(yè)通行的評價(jià)指標(biāo)，公司持續(xù)研發(fā)新產(chǎn)品，推出的產(chǎn)品在各項(xiàng)指標(biāo)上對標(biāo)海外知名廠商Orbotech（以色列）、ORC（日本）、ADTEC（日本）等。圖表30：芯碁微裝產(chǎn)品發(fā)展圖PCB領(lǐng)域：公司主要產(chǎn)品為激光直接成像（LDI）設(shè)備、紫

外

LED

直

接

成

像（UVLEDDI）設(shè)備、直接成像聯(lián)機(jī)自動線系統(tǒng)。最小線寬8μm-75μm泛半導(dǎo)體領(lǐng)域：公司主要產(chǎn)品為IC掩膜版制版、IC制造直寫光刻設(shè)備、OLED直寫光刻設(shè)備自動線系統(tǒng)。最小線寬500nm-3μm資料：公司公告，國盛證券研究所（備注：2022年公司半年報(bào)對部分泛半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行了重新命名，涉及的產(chǎn)品LDW-X6、LDW-X9、LDW-D1、MLL-C900、MLL-C500、WLP-8名稱分別更改為LDW500、LDW350、LDW700、MLC600、MLC900、WLP2000）23蘇大維格：基于微納光學(xué)制造拓展業(yè)務(wù)領(lǐng)域?

基于微納光學(xué)制造技術(shù)，不斷拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域。蘇大維格是國內(nèi)領(lǐng)先的微納光學(xué)制造和技術(shù)服務(wù)商，產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子顯示器件、交通運(yùn)輸標(biāo)識、消費(fèi)品包裝、證件防偽等。微納光學(xué)制造的加工精度達(dá)亞微米級，屬于超細(xì)微加工。公司創(chuàng)立于2001年，成立伊始致力于微納光學(xué)制造技術(shù)研究和生產(chǎn)設(shè)備的研制，2004年成功開發(fā)身份證視讀防偽技術(shù)，應(yīng)用于第二代身份證，進(jìn)入公共安全防偽領(lǐng)域。2005年生產(chǎn)鐳射膜，切入鐳射包裝材料市場。2007年成立子公司維旺科技，開發(fā)導(dǎo)光膜等顯示膜，進(jìn)入新型顯示與照明領(lǐng)域。2008年公司研發(fā)的DMD技術(shù)與雙通道光變色膜應(yīng)用于新版機(jī)動車駕駛證、行駛證，促進(jìn)利潤大幅增長。蘇大維格于2012年在深交所創(chuàng)業(yè)板上市，同年投資成立維業(yè)達(dá)觸控，致力于大尺寸投射式電容觸摸屏的研發(fā)制造。2016年收購華日升，導(dǎo)入反光材料事業(yè)群，進(jìn)入交通反光材料市場。2018年投資成立蘇州邁塔光電，生產(chǎn)應(yīng)用于手機(jī)背板的微結(jié)構(gòu)材料。公司已發(fā)展成為業(yè)內(nèi)少數(shù)擁有微納光學(xué)制造完整產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)之一，涵蓋裝備制造、微納結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、

原版開發(fā)、規(guī)?；a(chǎn)四大環(huán)節(jié)，并憑借技術(shù)實(shí)力構(gòu)建起產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢。除傳統(tǒng)貢獻(xiàn)營收的業(yè)務(wù)外，公司未來有望在光伏銅電鍍和光波導(dǎo)（HUD）領(lǐng)域打開全新成長空間。2021年公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入17.37億元（同比+25%），歸母凈利潤-3.50億元。圖表31：蘇大維格發(fā)展沿革規(guī)劃建設(shè)15萬平米卓越創(chuàng)新中心微納光學(xué)新材料項(xiàng)目及公司光電產(chǎn)業(yè)園落地鹽城高性能柔性觸控屏及模組和研發(fā)中心項(xiàng)目落地南通深交所創(chuàng)業(yè)板上市。投資成立蘇州邁塔光電，生產(chǎn)應(yīng)用于手機(jī)背板的材料國家并購常州華日升，導(dǎo)入反光材料事業(yè)群成立子公司維旺科技，進(jìn)入新型顯示與照明領(lǐng)域生產(chǎn)鐳射膜，切入鐳射包裝材料市場國家地方聯(lián)合

成立維業(yè)達(dá)觸工程研究中心數(shù)碼激光成像

尺寸電容觸摸與顯示

屏制造光場3D顯示獲“十四五”國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃立項(xiàng)打造信息光電子技術(shù)創(chuàng)新國家級平臺控，致力于大蘇大維格成立2001

20022004200520072008

2010

2011

201220152016201720182019202020212022數(shù)碼激光

開發(fā)身份證視讀全息制版

防偽技術(shù)，應(yīng)用導(dǎo)光膜

北京奧運(yùn)會郵票。DMD雙通道光變色膜應(yīng)用于駕駛證AR納米波導(dǎo)鏡片批量化生產(chǎn)技術(shù)超薄導(dǎo)光板

微棱鏡反光材料大尺寸電容觸控屏3D光學(xué)印材光致精印技術(shù)產(chǎn)品產(chǎn)線系統(tǒng)于第二代身份證中國首條“定位鐳射轉(zhuǎn)移材料生產(chǎn)線”3D光學(xué)轉(zhuǎn)印材料高性能

吋電75容觸控屏量產(chǎn)UV納米壓印光學(xué)雙面超薄導(dǎo)光板增材制造

大尺寸柔性觸控屏微棱鏡反光材料衍射光學(xué)產(chǎn)線通過IOS9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證獲十八屆中國專利優(yōu)秀獎子公司獲得VESTEL供應(yīng)商資格國家科技進(jìn)步獎二等獎二獲國家科技進(jìn)步獎二等獎三獲國家科技進(jìn)步二等獎所獲獎項(xiàng)/資質(zhì)/認(rèn)證資料：蘇大維格公司公告，公司官網(wǎng)，公司公眾號，第一財(cái)經(jīng)，同花順財(cái)經(jīng)，國盛證券研究所24蘇大維格：基于微納光學(xué)制造拓展業(yè)務(wù)領(lǐng)域?

公司擁有公共安全和新型印材、消費(fèi)電子新材料、反光材料、高端智能裝備四大事業(yè)群，公司主要產(chǎn)品和事業(yè)群相對應(yīng)。公司的產(chǎn)品和裝備均基于自身的微納光學(xué)制造技術(shù)，微納光學(xué)的研究尺度在微米至納米量級，當(dāng)材料的特征尺寸達(dá)到該量級，會表現(xiàn)出許多宏觀條件下所沒有的特性。微納光學(xué)制造業(yè)就是利用精細(xì)加工的技術(shù)能力，制造出滿足特定光學(xué)功能的產(chǎn)品或設(shè)備。?

公共安全和新型印材事業(yè)群：公共安全防偽領(lǐng)域，公司是我國公安部駕駛證、行駛證防偽膜唯一指定供應(yīng)商，獨(dú)家向公安部批量供應(yīng)產(chǎn)品。新型印材領(lǐng)域，公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于煙酒及化妝品、日化用品等消費(fèi)品包裝，具有美觀、防偽的特點(diǎn)。?

消費(fèi)電子新材料事業(yè)群：導(dǎo)光材料領(lǐng)域，產(chǎn)品應(yīng)用于電腦、平板等液晶顯示背光模組。導(dǎo)電材料領(lǐng)域，產(chǎn)品應(yīng)用于會議平板、商顯、觸控電視等中大尺寸智能終端設(shè)備。納米紋理裝飾膜領(lǐng)域，產(chǎn)品應(yīng)用于中高端智能手機(jī)背板。?

反光材料事業(yè)群：產(chǎn)品包括車牌膜、反光膜、反光標(biāo)識、發(fā)光膜等，應(yīng)用于機(jī)動車號牌、道路交通標(biāo)識、廣告牌、消防標(biāo)志牌等。?

高端智能裝備事業(yè)群：專注于平臺型技術(shù)研究與開發(fā)，為公司產(chǎn)品生產(chǎn)提供技術(shù)基礎(chǔ)。公司光刻設(shè)備對外銷售對象主要為高校及科研院所，2021年開始向企業(yè)拓展，并成功實(shí)現(xiàn)了對半導(dǎo)體企業(yè)的銷售。圖表32：蘇大維格事業(yè)群事業(yè)群所屬類別產(chǎn)品產(chǎn)品用途客戶公共安全防偽材料蘇大維格是我國公安部駕駛證、行駛證防偽膜唯一指定供應(yīng)商公共安全防偽膜行駛證、駕駛證的光學(xué)視讀防偽公共安全和新型印材鐳射膜、鐳射紙、3D轉(zhuǎn)移材料高檔煙酒包裝、化妝品包裝、體育鞋服、卡牌盲盒等煙標(biāo)、酒標(biāo)、化妝品、日化用品等包裝以及體育鞋服、卡牌盲盒等領(lǐng)域廠商新型印材新型顯示光學(xué)材料液晶平板顯示背光組件、LED平板

消費(fèi)電子企業(yè)（京東方、三星電子、LGDisplay、友達(dá)光電、導(dǎo)光板