2023技術洞察白皮書 技術突破在即后端應用在望）｜發(fā)布機構牙國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州以下簡稱國創(chuàng)中心）圍繞落實國家科技動能，加快我國第三代半導體產業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。國創(chuàng)中心于2021年3月獲科國創(chuàng)中心目前由郝躍院士擔任首任主任，擁有核心團隊80余人；建有研發(fā)和產業(yè)化場地2.1萬平米，建成材料生長創(chuàng)新平臺、測試分析與服役評價平臺等公共服務蘇省、科技部重點研發(fā)任務。國創(chuàng)中心成立規(guī)模3億元科技專項基金，支持中心項向知識產權人群提供包括專利數據庫、知識產權管理系統(tǒng)在內的知識產權信牙01Micro-LED技術概覽02Micro-LED產業(yè)&競爭環(huán)境介紹03Micro-LED重點技術解析04Micro-LED典型企業(yè)技術布局Micro-LED技術概覽技術介紹主要應用場景&市場規(guī)模技術發(fā)展史技術創(chuàng)新概況壽命，高對比度，可實現高分辨率，響應速度快，Micro-LED促使顯示屏向輕薄化、小型化、低功耗、高亮度方向發(fā)展壽命，高對比度，可實現高分辨率，響應速度快，Micro-LED促使顯示屏向輕薄化、小型化、低功耗、高亮度方向發(fā)展OMicro-LED：芯片高集成、高密度和微小尺寸化，將成為LED未來的發(fā)展方向MicroMicro-LED：在一個芯片上集成高密度微小尺寸的LED陣列Micro-LED：與LCD和OLED相比具有低功耗性能優(yōu)勢優(yōu)勢1：低功耗優(yōu)勢1：低功耗程中需要借助背光源到偏光片再到彩色濾光片，該顯LCD、OLED和Micro-LED功耗比OMicro-LED：與LCD和OLED相比具有高亮度優(yōu)勢優(yōu)勢2：高亮度優(yōu)勢2：高亮度LCD、OLED和Micro-LED資料來源：LED微顯示技術[J],太平洋證優(yōu)勢3：高分辨率夠自發(fā)光的像素（Pixel同時單個Micr優(yōu)勢3：高分辨率夠自發(fā)光的像素（Pixel同時單個Micr而LCD和OLED屏幕PPI約在800PPMicro-LED：與LCD和OLED相比具有高分辨率5.55.5寸micro-LED屏幕PPI估算facebookNUOfacebookNUOMicro-LED:應用場景覆蓋顯示、穿戴設備、智能終端等場景xdispleysnMSUNG2021年2022年2024年2025年2027年>目前Micro-LED芯片已在眼鏡、電視等顯示場景實現產品化OMicro-LED顯示應用場景預計率先實現較大規(guī)?；袌鲈鲩L2023-2026年Micro-LEDAR眼鏡顯示器芯片產值預測Micro-LED顯示產品應用舉例5052>>在較多的Micro-LED顯示應用中，微型顯示器應用場景（例如VR穿>預計在2026年Micro-LEDAR眼鏡顯示器芯片產值高達41百萬美元OMicro-LED顯示器及其芯片等零配件行業(yè)受下游應用市場影響，增幅潛力大2022-2026年全球Micro-LED顯示器芯片產值預測全球Micro-LED顯示器出貨量預測0>>2022年Micro-LED大型顯示器芯片產值將達到5400萬美元，至2026年有望升至45億美元，年復合增長率為204%，戰(zhàn)略投資技術合作戰(zhàn)略投資技術合作OMicro-LED企業(yè)之間主要通過投融資和技術合作方式形成各自技術供應鏈snMSUNGFoxconnGoogleyanosyssnMSUNGsnMSUNGsnMSUNGyanosys田KOPINsnMSUNGMicro-LED各大主流廠商合作和供應鏈關系主流廠商合作和供應關系BE以三星為中心的合作&供應鏈蘋果供應鏈snMSUNGe“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”各國出臺專項扶持政策，國內政策支持持續(xù)利好Micro-LED技術性能優(yōu)市場潛力大技術創(chuàng)新趨勢Micro-LED技術性能優(yōu)市場潛力大技術創(chuàng)新趨勢政策環(huán)境好政策環(huán)境好OMicro-LED技術發(fā)展史：近幾年陸續(xù)有顯示產品面市，國內研究熱度較高彩色被動模塊彩色被動模塊；利結合Micro-結合Micro-集成Micro-片權列列機FHD分辨率，微型LED術Wall”O(jiān)Micro-LED技術全球創(chuàng)新概況：全球技術創(chuàng)新熱度進入高漲期Micro-LED技術全球專利法律狀態(tài)和專利類型統(tǒng)計Micro-LED技術全球專利近10年申請趨勢Micro-LED技術主要來源國統(tǒng)計Micro-LED技術主要布局區(qū)域統(tǒng)計OMicro-LED全球&中國主要創(chuàng)新主體中國專利申請量Top10創(chuàng)新主體全球專利申請量中國專利申請量Top10創(chuàng)新主體三星京東方華星光電蘋果META/facebook群創(chuàng)光電華為天馬微電子友達光電日本顯示器康佳光電LUMILEDS首爾偉傲世半導體能源研究所0100020003000400050006000京東方華星光電群創(chuàng)光電華為天馬微電子友達光電康佳光電PLAYNITRIDE辰顯光電OPPOMicro-LED產業(yè)&競爭環(huán)境介紹產業(yè)鏈介紹產業(yè)鏈企業(yè)圖譜國內代表性企業(yè)分布OMicro-LED產業(yè)鏈和關鍵技術介紹芯片制造&巨量轉移面板制造整機應用備顯示）外延&芯片結構外延&芯片結構巨量轉移全彩顯示顯示驅動影響Micro-LED產業(yè)化成本&應用可靠性技術發(fā)展4大關鍵技術顯示驅動全彩顯示巨量轉移snMSUNG顯示驅動全彩顯示巨量轉移snMSUNG全球Micro-LED產業(yè)鏈企業(yè)圖譜芯片結構&外延芯片結構&外延廣東省廣東省0中國Micro-LED代表性企業(yè)分布北京市江蘇省臺灣省Micro-LED重點技術解析外延&芯片制造巨量轉移全彩顯示顯示驅動Micro-LED——外延&芯片制造技術介紹技術創(chuàng)新概況主要創(chuàng)新主體主要技術挑戰(zhàn)專利洞察改進側壁損傷臺階刻蝕外延電極制備利用MOCVD進行氣相外延，臺階刻蝕外延電極制備利用MOCVD進行氣相外延，0外延&芯片結構技術介紹芯片工藝流程導電層制備0外延&芯片結構全球創(chuàng)新概況專利總量：3500件+有效專利量：1300件+>在外延&芯片結構技術領域，目前全球專利布局總量超過3500件，該技術方外延&芯片結構2010年之后專利申請趨勢圖>2015年之后該技術總體創(chuàng)新熱度提升，可能受近幾年Micro-LED領域整體0外延&芯片結構技術來源國和主要市場分布外延&芯片結構技術主要專利布局區(qū)域分布外延外延&芯片結構技術主要專利布局區(qū)域分布0外延&芯片結構全球&中國創(chuàng)新主體競爭格局全球專利申請量Top15創(chuàng)新主體中國專利申請量Top10創(chuàng)新主體>>在外延&芯片結構方向，全球TOP15企業(yè)中0外延&芯片結構目前主要技術挑戰(zhàn)：聚焦量子效率問題 技術挑戰(zhàn)波長均勻性波長均勻性低缺陷量子效率量子效率效率急劇降低，這主要是由于制造過程中等離子專利視角洞察業(yè)內如何改進側壁損傷有電流調控結構的區(qū)域，避免側壁漏電。示例專利示例專利US11101405B2于限定LED內部的電流遠離US11101405B2于限定LED內部的電流遠離US9865772B2OMetaOSRAMOApple/Luxvue：改進側壁損傷主要通過限制電流遠離側壁US9768345B2US9450147B2CN107408603BUS9484492B2CN114520280A改善干蝕刻造成的側壁懸浮鍵。CN113782654A2021202020222017CN114520280A改善干蝕刻造成的側壁懸浮鍵。CN113782654A2021202020222017多種手段改進側壁損傷錼創(chuàng)(PlayNitride）：多種手段改進側壁損傷錼創(chuàng)(CN109244204BTWI756884B少載流子往側壁的移動。TWI741854BUS11393946B2錼創(chuàng)改進側壁損傷方案較錼創(chuàng)改進側壁損傷方案較多,例如通過改變芯片結構方式：例如在P/N半導體層何電極之間設置電流調技術介紹全球創(chuàng)新概況主要創(chuàng)新主體主要技術流派代表企業(yè)技術發(fā)展路線>將Micro-LED移動到驅動電路基板的準確度，>將Micro-LED移動到驅動電路基板的準確度，三大轉移難題萬片，還包括是否需要多次維修、重新定位、或>顯示產品對于像素錯誤的容忍度極低，如果要制造少于5個像素壞點的全彩1920*1080顯示屏，0巨量轉移技術介紹需要轉移步驟將制作好的Micro-LED晶粒轉移到驅動電0巨量轉移全球創(chuàng)新概況：技術儲備豐富，總體創(chuàng)新趨勢趨于平穩(wěn)發(fā)展專利總量：專利總量：3300件+有效專利量：1400件+巨量轉移2010年之后專利申請趨勢圖巨量轉移技術來源國和主要市場分布巨量轉移技術主要技術來源國分布巨量轉移技術主要技術來源國分布巨量轉移技術主要專利布局區(qū)域分布巨量轉移技術主要專利布局區(qū)域分布0巨量轉移全球&中國主要創(chuàng)新主體全球專利申請量Top15創(chuàng)新主體中國專利申請量Top10創(chuàng)新主體2500501001502000250050100150200APPLEAPPLEXDC康佳京東方 三星普因特TCL華星光電辰顯光電歌爾股份華星光電三安光電VUEREAMIKROMESA南京中電京東方TCL華星光電辰顯光電歌爾股份華星光電三安光電南京中電廣東工業(yè)大學友達光電X-Celeprint/XDC蘋果（Luxvue）巨量轉移PlayNitrideX-Celeprint/XDC蘋果（Luxvue）巨量轉移PlayNitride、ITRIQMAT、UniqartaeLUX、SelfArray0巨量轉移技術流派及代表企業(yè)技術流派專利數量代表企業(yè)分子作用力靜電磁力轉移激光轉印接收基板轉接頭US20220135400A1（審中）高效轉移的工具和方法：拾取載體基板上不同區(qū)樞軸CN107195558B轉移頭微拾取陣列的支座：包括樞軸和橫梁等US9217541B2載體基板結構：微器件與載體基板僅通過剪切釋放柱CN106794984B支座：樞轉平臺的次彈簧臂剛度較低，提供放大的應變接收基板轉接頭US20220135400A1（審中）高效轉移的工具和方法：拾取載體基板上不同區(qū)樞軸CN107195558B轉移頭微拾取陣列的支座：包括樞軸和橫梁等US9217541B2載體基板結構：微器件與載體基板僅通過剪切釋放柱CN106794984B支座：樞轉平臺的次彈簧臂剛度較低，提供放大的應變到應變感測元件。US10814496B2轉移頭微拾取陣列的支座：樞軸平臺正面設加熱元件和電極，背1234US8415768B1US8415767B1基底設有空腔，補償包括金屬電極的轉移頭結構。US9425151B2基底上進一步設置彈簧支撐層。US10276419B1叉指型電極，臺面結構的電壓極臺面結構US9034754B2形成硅互連和硅電極，每個硅電極包括突出于轉移頭電極OLUXVUE、蘋果技術發(fā)展路線：聚焦轉移頭組件US8349116B1靜電轉移頭結構：基底、臺面結構、電極、介熱量傳遞到鍵合層使其熔化。US61561706P0US61597109P0US61597658P0US8573469B2US8789573B2US8794501B2US8809875B2US8646505B2US9620478B2US8333860B1法US9463613B2US9831383B2US8552436B2US8558243B2USUS61561706P0US61597109P0US61597658P0US8573469B2US8789573B2US8794501B2US8809875B2US8646505B2US9620478B2US8333860B1法US9463613B2US9831383B2US8552436B2US8558243B2US10121864B2OMetasnMSUNG US10607961B2蘋果/LuxVue核心專利家族解讀：圍繞轉移技術全面專利保護2011年11月18日2012年02月03日2012年02月09日US61594919P0USUS8349116B1USUS10297712B2 微轉印的方法：微轉印的方法：彈性印章：激光輔助轉?。阂肙XDC技術發(fā)展路線：持續(xù)改進系鏈錨點以弱化器件與原生襯底的連接改進系鏈錨點適于微轉印的器件結構：適于微轉印的器件制造方法：微器件結構：彈性印章：微器件結構：選擇性去除壞點的轉印方法：件，利用光源照射移除壞點器件，EPISTAROSRAMOMetafacebooksnMSUNGMicro-LED——全彩顯示技術介紹全球創(chuàng)新概況主要創(chuàng)新主體主流全彩顯示技術發(fā)展路線色Micro-LED和藍色Micro-l藍光/紫外Micro-LED作為激發(fā)光照射到量子紫外Micro-LED、紅光量子點、綠光量子點lGaN與不同含量的In/Al合金化時，其發(fā)光范圍可覆蓋RGB光譜，生長InGaN/GaN納米線像素，調節(jié)納米線直徑以及對納米線LED中的In含量進行精確控制來調節(jié)光譜，l技術挑戰(zhàn)：In含量難精確控制,難配置驅動0全彩顯示技術介紹：以RGB三色LED、波長轉換和3D納米線法為主全彩顯示創(chuàng)新概況：未來創(chuàng)新熱度將進一步提升，潛在專利障礙大專利總量：2000件+有效專利量：650件+>全彩顯示技術目前全球專利布局總量超過2000件，該技術方向目前專利儲備巨量轉移2010年之后專利申請趨勢圖材料的可靠性以及波長一致性不高、納米線中In含量難精確>2017年開始該技術創(chuàng)新熱度明顯提升，潛在原因在于全球龍頭三星，國內頭部企業(yè)京東方、華星光電等近幾年在該方向創(chuàng)新熱全彩顯示技術來源國和主要市場分布全彩顯示技術主要技術來源國分布全彩顯示技術主要專利布局區(qū)域分布0全彩顯示技術全球&中國主要創(chuàng)新主體華星光電京東方三星群創(chuàng)光電英特爾V-TECHLUMENS應用材料康佳光電LUMILEDS全球專利申請量Top10新主體020406080100120中國專利申請量Top10創(chuàng)新主體020406080100120華星光電京東方群創(chuàng)光電康佳光電辰顯光電天馬微電子深圳撲浪福州大學思坦科技南方科技大學0全彩顯示技術創(chuàng)新概況：目前技術創(chuàng)新以波長轉換方法為主換方法研究最多，并且研究熱度也遠遠高于RGB>三個主流方法各個創(chuàng)新代表企業(yè)中，京東方、群創(chuàng)光電和三星在波長轉換方法專利申請較多，另外在RGB自發(fā)光和3D納米線技術方向專利儲備較企業(yè)分別為：山海顯耀顯示、LUMENS和英特爾、>從三個主流方向的專利申請趨勢來看，仍以波長（應用材料）US11295972B2（韓國科學技術院）（應用材料）US11295972B2（韓國科學技術院）微真空模塊的Mava模塊定位在芯片型微LED陣列上，將在母基板或臨時基板上的紅色、藍色和綠色的微發(fā)光二極管利用真空吸力從母基板或臨時基板分離,然后轉印到目標基板。CN110970458B(中國科學院）紅色像素單元位于藍綠像素陣列陰極和共用陽極的下方，通過銦錫合金層與下方的紅色像素陣列陰極互連，紅綠像素單元和紅藍像素單元為上下疊加式排布。0RGB三色LED法技術路線：重點關注巨量轉移&像素與驅動電路鍵合技術（華中科技大學）可控微反射鏡陣列后被分為三束圖案化激光，并分別照射于三種微型發(fā)光二極管所連接的激光釋放層上，使三種顏色的微型發(fā)光二極管選擇性地轉移至目標基板上。年年CN110249429B(香港北大青鳥）LED依次由接合接觸116-216連接到對應驅US9484504B2（蘋果）每個波長轉換層包括分散在其中的US9484504B2（蘋果）每個波長轉換層包括分散在其中的多個GaN二極管是單色藍n-GaN層納米多孔表面，在納米孔內嵌入綠色發(fā)光量子點成分或紅綠色發(fā)光量子點成分。0波長轉換實現全彩化的技術路線：重點關注量子轉換效率和光串擾問題色彩轉換材料來達成全彩化是目前比較可行的方（華星光電）（三星）利用應變弛豫效應顏色轉換層和透射層。變?yōu)樗{光。（西安賽富樂斯）（西安賽富樂斯）于防止GaN像素點間的光串擾。春光學）在濾光膜層上設置的PDMS膜層、在在基板上均勻排布凹槽,凹槽內部填充不同顏色量子點材料，凹槽側壁制備金屬反射層，凹槽底部蒸鍍分布布拉格反射層，避免不同量子點之間組分的交聯，抑制相鄰像素發(fā)光單元之間的光串擾，墨打印后出現的“咖啡環(huán)效應”?；?、兩次量子點注入過程和一次光隔離結構制作過程即可完成量子點色轉換層的的制備。ALEDIA基于三維(3D)結構的GANALEDIA基于三維(3D)結構的GAN(3D)結構的形狀為帶有錐形頂部的電線或金字塔形狀。構具有鉛筆形狀。US10658422B2（英特爾）在一晶片上生長的第一彩色納米線LED和第二彩色納米線LED，在另一個晶片上生長一體的第二彩色納米線LED和第三彩色納米線LED，將納米線LED從源晶片轉移到背板以形成具有背板的微英特爾US10923622B2（英特爾）微型發(fā)光二極管(LED)顯示面板的像素元件包括第一顏色納米線LED、第二顏色納米線LED、與第一顏色不同的第二顏色、以及一對第三顏色納米線LED。US11245053B2(英特爾）金字塔502外延生長為納米棒關聯的有不同量的銦。CN114664987A（英特爾）背板包括多個藍色微LED、多個綠色微LED和多個紅色微LED，每個微LED由多個納米金字塔LED組成，每個納米金字塔LED具有接收墊03D納米線Micro-LED技術發(fā)展路線：以ALEDIA和英特爾技術創(chuàng)新為主流維發(fā)光二極管，具有不同的GaN界首款納米線Micro-LED芯片，英特爾于2018年也0303-4Micro-LED——顯示驅動技術介紹全球創(chuàng)新概況主要創(chuàng)新主體CMOS驅動技術挑戰(zhàn)TFT驅動技術挑戰(zhàn)>簡介：Micro-LED陣列用行列掃描方式驅動點亮，列信>簡介：Micro-LED陣列用行列掃描方式驅動點亮，列信號由數三大主流驅動方式>簡介：使用鍵合技術將Micro-LED陣列轉移到含有TFT驅動背板T倒裝到驅動基板后再應用倒裝鍵合技術將芯片倒裝到硅基CMOS主動驅動0Micro-LED顯示驅動技術介紹MicroMicro-LED顯示驅動 又稱無源尋址、被動尋址、無源驅動等等）與有源選址 有源驅動等）Micro-LED顯示驅動全球創(chuàng)新概況專利總量：1700件+有效專利量：560件+顯示驅動2010年之后專利申請趨勢圖Micro-LED顯示驅動技術來源國和主要市場分布顯示驅動技術主要技術來源國分布顯示驅動技術主要專利布局區(qū)域分布OMicro-LED顯示驅動技術全球&中國主要創(chuàng)新主體有差距全球專利申請量Top10創(chuàng)新主體050100150200250300350中國專利申請量Top10創(chuàng)新主體050100150200250三星華星光電京東方群創(chuàng)光電株式會社半導體能源所天馬微電子首爾半導體APPLE友達光電華星光電京東方群創(chuàng)光電天馬微電子 友達光電 惠科股份 重慶康佳 思坦科技北大青鳥南京中電Micro-Micro-LED顯示驅動技術專利分布>Micro-LED顯示驅動創(chuàng)新熱度在TFT驅動，其次是CMOSMicro-LED顯示主流驅動技術——CMOS驅動和TFT驅動以CMOS和TFT為代表的主動驅動設計方案將成為Micro-LED技術發(fā)展良伴>視覺刷新頻率越高，畫面顯示越>視覺刷新頻率越高，畫面顯示越過采用數字化的驅動或數?；旌系腃MO技術挑戰(zhàn)技術挑戰(zhàn)S驅動技術簡介轉移鍵合技術，難對準轉移鍵合技術，難對準>技術難度高，將RGB三色LED陣列準備轉移到驅動基板上實現全彩的襯底膨脹系數與驅動電路的襯底的膨脹系數不同，導致Micro-LED像不穩(wěn)定>驅動晶體管的內部特性發(fā)生緩慢變化，導致驅動晶體管的閾值電壓發(fā)生漂移，從而影響驅動晶體管的綜合特性，進而可能導致在Micro-灰度調節(jié)，亮度補償難灰度調節(jié)，亮度補償難（福州大學）觸層，并采用微接觸印CN（福州大學）觸層，并采用微接觸印CN110310907B（思坦）將所述Micro-LED芯片以倒裝方式對準轉移至所述驅通過導電膠與CMOS驅動電表面的共面電觸點直接路的超平鍵合界面,晶圓到晶圓的直接鍵合。金屬-金屬接合而接合到電極焊CN113885211A（康佳）Micro-LED發(fā)光芯片通過UBM焊盤與CMOS集成電路驅動基CMOS驅動轉移鍵合技術路線：重點探索Micro-LED與CMOS驅動電路的鍵合技術（香港北大青鳥）微型LED陣列通過使用粘合劑被轉移到中間Si襯底上，通過中間襯底將微型LED陣列鍵合到CMOS像素驅動器US11270644B2（樂金）驅動晶體管的閾值電壓的補償時間被充分固定,以便通過CN112992062B（天馬微電子）US11270644B2（樂金）驅動晶體管的閾值電壓的補償時間被充分固定,以便通過CN112992062B（天馬微電子）將驅動晶體管分為第一驅動部和第二第一漏極間的第一驅動部或者第一漏極與第二漏極間的第二驅動部中的一US11373590B2（天馬微電子）偏置模塊連接在驅動晶體管的漏極和發(fā)光控制信號線之間，在偏置階段,通過調整驅動晶體管的柵極電位和漏極電位,可以平衡非偏置階段驅動晶體管I-V曲線的偏差。CN114758612A（華星光電）通過采用兩種不同類型的能夠互補極性的晶體管，并接入第一掃描線和第二掃描線，即可實現補償驅動晶體管中的閾值電壓的功能，使得OCMOS驅動晶體管的閾值電壓補償技術路線：各創(chuàng)新主體補償方式各有特色US10217402B1（蘋果）補償電路配置為調整驅動電流信號,以使驅動電流信號獨立于高電壓軌(VDD)和閾值電壓VTH（第一晶使用大的LFET來產生參考電流，然后使用相同的大的LFET來充當鏡像參考電流的電流源，從而確保參考電流FETUS11056047B2（三星）對于多個像素的每條行線,按照用于設置PWM數據電壓的數據設置US11056047B2（三星）對于多個像素的每條行線,按照用于設置PWM數據電壓的數據設置時段和發(fā)光時段的順序驅動，當驅動顯示面板時，可以同時執(zhí)行PWM數據的設置(或編程)和發(fā)光將PAM與PWM混合調制方法應用于驅動芯片架構，取代現有PWM控制模式，獲得更好的小電流模式下圖像灰階均勻性；采用DAC小電流精準控制電路來獲CMOS驅動亮度補償調節(jié)技術路線CN112863427A（天馬微電子）第一脈寬調制信號和第一電壓信號同時對控制發(fā)光單元的通電時間和導通電流的共同交互作用，基于兩者的交互作用影響，生成較相關技術中通過脈沖寬度調制信號的方式調節(jié)更多種的亮度的梯電流調節(jié)模塊，用于產生調節(jié)電流，鏡像模塊用于復制調節(jié)電流以生成多個鏡像電流，譯碼器模塊用于將多個鏡像電流整合，生成亮度調節(jié)信號；控制模塊，用于根據控制信號輸出亮度調節(jié)信號至通過驅動模塊、光電轉換模塊和數據的調節(jié)，使得LED陣列中的每個LED芯片的發(fā)光亮度相同，提高了Micro-LED目前在工藝上仍然還存在一定難度。>技術挑戰(zhàn)2：每個晶體管會持續(xù)受到不同柵壓的影響，閾值電壓會發(fā)生漂移，從而導致輸出的圖像不穩(wěn)定，出現圖像偽像OTFT驅動技術簡介分類類型優(yōu)勢高劣勢連接線和設置在基板的另一表面上的焊盤部分通過連接包括碳納米管。連接線和設置在基板的另一表面上的焊盤部分通過連接包括碳納米管。在薄膜晶體管玻璃基板的邊緣處形成多個側布線，將TFT基板的前表面電連接到TFT基板的后表面的布線可CN114695421A（三星）在顯示區(qū)域DA之間的組合區(qū)域SM的耦合構件，顯示區(qū)域DA對外部光的反射率與顯示裝置之間的組合區(qū)域SM對外部光的反射率基本相同，第一光阻擋部分三星第一單元顯示模塊的單元顯示區(qū)的背面具有遠離單元非顯示區(qū)端部的挖空部,第二單元顯示模塊的單元非顯示區(qū)設置在挖空部內。在玻璃基板的下方制備背面金屬層，背面金屬層包括用于連接驅動芯片的金屬光阻擋層，減少了大尺寸的Micro-LED應用中面板拼接時的邊框。通過在基底與載板之間設置第一調節(jié)構件和第二調節(jié)構件，使第二調節(jié)構件相對于第一調節(jié)構件在平行華星光電OTFT驅動Micro-LED芯片的無縫拼接屏技術CN114078915A（三星）連接線和焊盤部件通過貫穿基底的接觸孔在基底的下表面上CN115000132A（三星）通過設置在襯底的底表面上的第二焊盤部分將設置在襯底上的第一焊盤部分電連接到設置在襯底的底表面上的柔性膜。CN114898668A華星光電）第一顯示模塊的容納槽與另一第一顯示模塊的容納槽拼接形成容納腔，至少一個第二顯示模塊，設置在容納腔內，且第二顯示向薄膜晶體管傳輸掃描信號和數據信號的掃描線和數據線設置在襯底基板背離驅動電路層的一側，從而避免了拼接縫隙大、生產良率低的處理電路被配置為預測與像素的晶體管相關聯的閾值電壓的變化;并且基于閾值電壓的預測變化來調整圖像數據以生成調整后的圖像數據。處理電路被配置為預測與像素的晶體管相關聯的閾值電壓的變化;并且基于閾值電壓的預測變化來調整圖像數據以生成調整后的圖像數據。過動態(tài)調整施加到顯示像素的偏置電壓來減輕視覺偽影，偏置電壓源為圖像數據幀的第一子幀、第二子幀向顯示像蘋果將相互獨立的PWM控制單元以及PAM控制單元同時控制發(fā)光單元驅動發(fā)光，在解決PAM驅動色偏移的將驅動薄膜晶體管（T1-T6）分別接入第一掃描線、第二掃描線、第三掃描線、數據信號線、復位信號線和控制驅動晶體管采用多晶硅薄膜晶體管且補償晶體管采用氧化物薄膜晶體管，可以降低或者消除華星光電第一電容的第一端用于接收第一電容對驅動單元的耦合TFT驅動晶體管的閾值電壓補償技術路線使用外部補償電路抵消因發(fā)光二極管隨時間推移出現的電壓漂移而引起的負偽影，向多個像素提供像素數據之前，顯示面板外部的補償電路將偏移數據即電壓信通過獲取發(fā)光二極管陣列面板的使用時間查找數據電壓補償值，然后通過