ICS49035

CCSV.25

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T43366—2023

宇航用半導(dǎo)體分立器件通用規(guī)范

Generalspecificationfordiscretesemiconductordevices

ofspaceapplication

2023-11-27發(fā)布2024-03-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T43366—2023

目次

前言

…………………………Ⅴ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………2

技術(shù)要求

4…………………3

總體要求

4.1……………3

質(zhì)量保證等級(jí)

4.2………………………3

設(shè)計(jì)

4.3…………………3

材料

4.4…………………3

標(biāo)識(shí)

4.5…………………3

生產(chǎn)過(guò)程

4.6……………6

外協(xié)加工和外購(gòu)芯片

4.7………………7

基本要求

4.8……………8

試驗(yàn)方法

5…………………12

內(nèi)部目檢

5.1……………12

外觀及尺寸檢查

5.2……………………12

參數(shù)性能

5.3……………12

高溫壽命

5.4……………12

溫度循環(huán)

5.5……………12

二極管耐久性試驗(yàn)

5.6…………………12

晶體管耐久性試驗(yàn)

5.7…………………12

引線鍵合強(qiáng)度

5.8………………………13

掃描電子顯微鏡檢查

5.9(SEM)………………………13

浪涌

5.10………………13

熱響應(yīng)

5.11……………13

恒定加速度

5.12………………………13

粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)

5.13…………13

細(xì)檢漏

5.14……………13

粗檢漏

5.15……………13

晶體管高溫反偏

5.16…………………13

功率高溫反偏

5.17FET………………13

二極管高溫反偏

5.18…………………14

射線照相

5.19X………………………14

Ⅰ

GB/T43366—2023

超聲掃描

5.20…………………………14

可焊性

5.21……………14

耐溶劑

5.22……………14

熱沖擊液體液體

5.23(—)……………14

間歇工作壽命

5.24……………………14

二極管熱阻

5.25………………………14

雙極型晶體管熱阻

5.26………………14

功率熱阻

5.27FET……………………14

閘流晶體管熱阻

5.28…………………14

熱阻

5.29IGBT…………………………14

熱阻

5.30GaAsFET…………………15

重量

5.31………………15

耐濕

5.32………………15

沖擊

5.33………………15

掃頻振動(dòng)

5.34…………………………15

鹽氣侵蝕

5.35()………………………15

內(nèi)部氣氛含量

5.36……………………15

高壓蒸煮

5.37…………………………15

穩(wěn)態(tài)總劑量輻射

5.38…………………15

單粒子效應(yīng)

5.39………………………15

破壞性物理分析

5.40(DPA)…………15

低氣壓只適用于額定電壓大于的器件

5.41(200V)………………16

靜電放電敏感度

5.42(ESDS)…………16

耐焊接熱

5.43…………………………16

預(yù)處理

5.44……………16

回流焊模擬

5.45………………………16

引出端強(qiáng)度

5.46………………………16

強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱

5.47…………………16

檢驗(yàn)規(guī)則

6…………………16

通則

6.1…………………16

檢驗(yàn)分類(lèi)

6.2……………16

試驗(yàn)和檢驗(yàn)的環(huán)境條件

6.3……………16

檢驗(yàn)批

6.4………………17

篩選

6.5…………………17

鑒定檢驗(yàn)

6.6……………19

質(zhì)量一致性檢驗(yàn)

6.7……………………19

用戶(hù)方監(jiān)制

6.8…………………………27

Ⅱ

GB/T43366—2023

用戶(hù)方驗(yàn)收

6.9…………………………27

包裝標(biāo)識(shí)運(yùn)輸貯存

7、、、…………………27

包裝和標(biāo)識(shí)

7.1…………………………27

運(yùn)輸貯存

7.2、…………………………28

附錄規(guī)范性材料要求

A()………………29

總體要求

A.1…………………………29

封裝材料

A.2…………………………29

器件的鍍涂

A.3………………………30

附錄資料性用戶(hù)方監(jiān)制

B()……………32

監(jiān)制方式

B.1……………32

監(jiān)制內(nèi)容

B.2……………32

監(jiān)制

B.3…………………32

附錄資料性用戶(hù)方驗(yàn)收

C()……………34

總則

C.1…………………34

驗(yàn)收工作內(nèi)容

C.2………………………34

質(zhì)量文件審查

C.3………………………34

驗(yàn)收試驗(yàn)

C.4……………34

驗(yàn)收的結(jié)果和處理

C.5…………………35

Ⅲ

GB/T43366—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)宇航技術(shù)及其應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC425)。

本文件起草單位中國(guó)運(yùn)載火箭技術(shù)研究院中國(guó)空間技術(shù)研究院西安電子科技大學(xué)濟(jì)南市半導(dǎo)

:、、、

體元件實(shí)驗(yàn)所北京中科新微特科技開(kāi)發(fā)股份有限公司國(guó)營(yíng)第八七三廠深圳吉華微特電子有限公司

、、、、

朝陽(yáng)微電子科技股份有限公司

。

本文件主要起草人加春雷張偉李彭叢忠超張愛(ài)學(xué)熊盛陽(yáng)孫巖張瑩薛軍帥崔同王迎春

:、、、、、、、、、、、

張彥飛李壽全陳江曲赫然李志福

、、、、。

Ⅴ

GB/T43366—2023

宇航用半導(dǎo)體分立器件通用規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了宇航用半導(dǎo)體分立器件以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件的通用要求質(zhì)量保證規(guī)定交貨準(zhǔn)備和說(shuō)

(“”)、、

明事項(xiàng)

。

本文件適用于宇航用半導(dǎo)體分立器件的設(shè)計(jì)生產(chǎn)檢驗(yàn)和銷(xiāo)售

、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第部分整流二極管

GB/T4023—20152:

半導(dǎo)體器件分立器件第部分場(chǎng)效應(yīng)晶體管

GB/T4586—19948:

半導(dǎo)體分立器件和集成電路第部分雙極型晶體管

GB/T4587—19947:

半導(dǎo)體分立器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T4589.1—200610:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分低氣壓

GB/T4937.2—20062:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分外部目檢

GB/T4937.3—20123:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

GB/T4937.4—20124:

(HAST)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分快速溫度變化雙液

GB/T4937.11—201811:

槽法

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分掃頻振動(dòng)

GB/T4937.12—201812:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分鹽霧

GB/T4937.13—201813:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分引出端強(qiáng)度