標(biāo)準(zhǔn)解讀
GB/T 4937.14-2018是關(guān)于半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之一,具體針對(duì)的是半導(dǎo)體器件引出端強(qiáng)度(即引線牢固性)的測(cè)試。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了評(píng)估半導(dǎo)體器件引線上施加力后其連接可靠性的方法。通過模擬實(shí)際使用過程中可能遇到的各種應(yīng)力條件,如拉伸、彎曲等,來(lái)檢測(cè)引線與封裝體之間或引線本身在受到外力作用時(shí)是否能夠保持良好的電氣連接性能而不發(fā)生斷裂或其他形式的損壞。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)行試驗(yàn)前需先對(duì)樣品進(jìn)行預(yù)處理,并確保所有測(cè)試設(shè)備滿足要求精度。測(cè)試過程通常包括但不限于:選擇合適的夾具固定樣品;按照規(guī)定的速度和方向?qū)σ€施加力量;記錄下導(dǎo)致引線失效所需的最大力值。此外,還詳細(xì)描述了如何報(bào)告測(cè)試結(jié)果以及對(duì)于不同類型半導(dǎo)體產(chǎn)品適用的具體測(cè)試參數(shù)設(shè)置建議。
該文件適用于各種類型的半導(dǎo)體分立器件及集成電路產(chǎn)品的質(zhì)量控制與可靠性評(píng)價(jià)工作,在研發(fā)階段可幫助工程師優(yōu)化設(shè)計(jì),在生產(chǎn)環(huán)節(jié)則能有效監(jiān)控產(chǎn)品質(zhì)量一致性。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-09-17 頒布
- 2019-01-01 實(shí)施
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GB/T 4937.14-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第14部分:引出端強(qiáng)度(引線牢固性)-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
ICS3108001
L40..
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T493714—2018/IEC60749-142003
.:
半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法
第14部分引出端強(qiáng)度引線牢固性
:()
Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—
Part14Robustnessofterminationsleadinterit
:(gy)
(IEC60749-14:2003,IDT)
2018-09-17發(fā)布2019-01-01實(shí)施
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T493714—2018/IEC60749-142003
.:
前言
半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法由以下部分組成
GB/T4937《》:
第部分總則
———1:;
第部分低氣壓
———2:;
第部分外部目檢
———3:;
第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)
———4:(HAST);
第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)
———5:;
第部分高溫貯存
———6:;
第部分內(nèi)部水汽含量測(cè)試和其他殘余氣體分析
———7:;
第部分密封
———8:;
第部分標(biāo)志耐久性
———9:;
第部分機(jī)械沖擊
———10:;
第部分快速溫度變化雙液槽法
———11:;
第部分掃頻振動(dòng)
———12:;
第部分鹽霧
———13:;
第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性
———14:();
第部分通孔安裝器件的耐焊接熱
———15:;
第部分粒子碰撞噪聲檢測(cè)
———16:(PIND);
第部分中子輻照
———17:;
第部分電離輻射總劑量
———18:();
第部分芯片剪切強(qiáng)度
———19:;
第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響
———20:;
第部分對(duì)潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標(biāo)志和運(yùn)輸
———20-1:、、;
第部分可焊性
———21:;
第部分鍵合強(qiáng)度
———22:;
第部分高溫工作壽命
———23:;
第部分加速耐濕無(wú)偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)
———24:(HSAT);
第部分溫度循環(huán)
———25:;
第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)人體模型
———26:(ESD)(HBM);
第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)機(jī)械模型
———27:(ESD)(MM);
第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)帶電器件模型器件級(jí)
———28:(ESD)(CDM);
第部分閂鎖試驗(yàn)
———29:;
第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理
———30:;
第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的
———31:();
第部分塑封器件的易燃性外部引起的
———32:();
第部分加速耐濕無(wú)偏置高壓蒸煮
———33:;
第部分功率循環(huán)
———34:;
第部分塑封電子元器件的聲學(xué)掃描顯微鏡檢查
———35:;
第部分恒定加速度
———36:;
Ⅰ
GB/T493714—2018/IEC60749-142003
.:
第部分采用加速度計(jì)的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法
———37:;
第部分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)方法
———38:;
第部分半導(dǎo)體元器件原材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解率測(cè)量
———39:;
第部分采用張力儀的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法
———40:;
第部分非易失性存儲(chǔ)器件的可靠性試驗(yàn)方法
———41:;
第部分溫度和濕度貯存
———42:;
第部分集成電路可靠性鑒定方案指南
———43:(IC);
第部分半導(dǎo)體器件的中子束輻照單粒子效應(yīng)試驗(yàn)方法
———44:。
本部分為的第部分
GB/T493714。
本部分按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本部分使用翻譯法等同采用半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分
IEC60749-14:2003《14:
引出端強(qiáng)度引線牢固性
()》。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任
。。
本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出
。
本部分由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC78)。
本部分起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所北京大學(xué)微電子研究院無(wú)錫必創(chuàng)傳感科
:、、
技有限公司
。
本部分主要起草人裴選高金環(huán)彭浩宋玉璽柳華光崔波張威陳得民周剛
:、、、、、、、、。
Ⅱ
GB/T493714—2018/IEC60749-142003
.:
半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法
第14部分引出端強(qiáng)度引線牢固性
:()
1范圍
的本部分規(guī)定了幾種不同的試驗(yàn)方法用來(lái)測(cè)定引線封裝界面和引線的牢固性當(dāng)
GB/T4937,/。
電路板裝配錯(cuò)誤造成引線彎曲為了重新裝配對(duì)引線再成型加工時(shí)進(jìn)行此項(xiàng)試驗(yàn)對(duì)于氣密封裝器
,,。
件建議在本試驗(yàn)之后按進(jìn)行密封試驗(yàn)以確定對(duì)引出端施加的應(yīng)力是否對(duì)密封也造成了
,IEC60749-8,
不良影響
。
本部分的每一個(gè)試驗(yàn)條件都是破壞性的僅適用于鑒定試驗(yàn)
,,。
本部分適用于所有需要用戶進(jìn)行引線成型處理的通孔式安裝器件和表面安裝器件
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的引用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分密封
IEC60749-88:(Semiconductordevices—Me-
chanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)
3總則
31設(shè)備
.
每個(gè)特定的試驗(yàn)條件下對(duì)適用設(shè)備進(jìn)行了描述
。
32適用于所有試驗(yàn)條件的通用程序
.
器件應(yīng)經(jīng)受特定的試驗(yàn)條件所確定的應(yīng)力作用
溫馨提示
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