磁記錄介質(zhì)用四角形變FeCo薄膜的制備及應(yīng)力影響研究

摘要：本研究以磁記錄介質(zhì)為研究對象，針對四角形變FeCo薄膜進行制備，并對其應(yīng)力影響進行了深入研究。通過氬離子輔助沉積技術(shù)，制備出多層結(jié)構(gòu)的四角形變FeCo薄膜。通過應(yīng)力測試、表征和分析，分析了薄膜在制備過程中的應(yīng)力演化，及其對材料性能的影響。研究結(jié)果表明，通過控制沉積參數(shù)，可以有效地改善四角形變FeCo薄膜的應(yīng)力狀態(tài)，提高其磁性能和熱穩(wěn)定性，為磁記錄介質(zhì)的制備提供了重要參考。

關(guān)鍵詞：四角形變FeCo、磁記錄介質(zhì)、應(yīng)力影響、制備

1.引言

磁記錄介質(zhì)是信息存儲器件中必不可少的組成部分，其性能對數(shù)據(jù)存儲和讀取速度有著重要影響。四角形變FeCo薄膜作為一種有望用于磁場傳感器和磁存儲器件的材料，具有優(yōu)異的磁性能和熱穩(wěn)定性。因此，研究四角形變FeCo薄膜的制備及其應(yīng)力影響對于提高磁記錄介質(zhì)的性能具有重要意義。

2.實驗方法

2.1四角形變FeCo薄膜制備

本實驗采用氬離子輔助沉積技術(shù)制備四角形變FeCo薄膜。通過調(diào)整沉積時間、功率和氣氛等參數(shù)，控制薄膜的成分和結(jié)構(gòu)。

2.2薄膜應(yīng)力測試與分析

制備好的四角形變FeCo薄膜進行應(yīng)力測試。利用X射線衍射(XRD)和原子力顯微鏡(AFM)對薄膜的結(jié)構(gòu)和表面形貌進行表征。通過四點探針法測量薄膜的電阻率。

3.結(jié)果與討論

3.1薄膜制備及結(jié)構(gòu)表征

采用氬離子輔助沉積技術(shù)制備的四角形變FeCo薄膜具有均勻的成分和致密的結(jié)構(gòu)。XRD分析結(jié)果顯示，薄膜的晶體結(jié)構(gòu)為fcc結(jié)構(gòu)。AFM表征結(jié)果顯示，薄膜表面平整度高，無明顯晶粒尺寸偏差。通過調(diào)整沉積參數(shù)，可以控制薄膜的成分和結(jié)構(gòu)。

3.2薄膜應(yīng)力測試與分析

應(yīng)力測試結(jié)果顯示，四角形變FeCo薄膜的應(yīng)力隨著沉積厚度增加而增大。應(yīng)力變化曲線呈現(xiàn)明顯的階梯狀，每個階梯對應(yīng)一個沉積層。分析認為，這種現(xiàn)象與薄膜內(nèi)部的應(yīng)力演化和材料的結(jié)構(gòu)有關(guān)。通過調(diào)整沉積參數(shù)，可以有效降低薄膜的應(yīng)力。

4.結(jié)論

本研究成功制備了四角形變FeCo薄膜，并對其應(yīng)力影響進行了研究。研究結(jié)果表明，通過調(diào)整沉積參數(shù)可以有效控制薄膜的成分和結(jié)構(gòu)，提高其磁性能和熱穩(wěn)定性。此外，薄膜的應(yīng)力狀態(tài)也會影響其性能。通過應(yīng)力測試和分析，可以有效降低薄膜的應(yīng)力，提高其制備質(zhì)量和穩(wěn)定性。

本研究成功制備了四角形變FeCo薄膜，并通過XRD和AFM對其結(jié)構(gòu)和表面形貌進行了表征。結(jié)果顯示，薄膜具有均勻的成分和致密的結(jié)構(gòu)，且表面平整度高。應(yīng)力測試結(jié)果表明，薄膜的應(yīng)力隨著沉積厚度增加而增大，并呈現(xiàn)明顯的階梯狀變化。通過調(diào)整沉積參數(shù)，可以有效降低薄膜的應(yīng)力。綜上所述