1基于SnS2電子傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池1精選課件ppt

1、FTO基底生長SnS2納米材料

2、器件組裝及性質測試目錄2024/1/2423、問題及下一步計劃

4、

工作總結2精選課件ppt35mmolSnCl4·5H2O15mmol硫代乙酰胺反應釜中190℃反應6h磁力攪拌去離子水、乙醇抽濾洗滌冷卻

50℃真空烘箱中干燥1小時

配制SnS2的乙醇溶液

旋涂到FTO基底上實驗過程：材料合成3精選課件pptSnS2

表面電鏡44精選課件ppt55mmolSnCl4·5H2O15mmol硫代乙酰胺放入FTO,190℃反應6h磁力攪拌5分鐘去離子水、乙醇洗滌FTO冷卻

50℃真空烘箱中干燥1小時

作為基底制備電池

2mmolSnCl2·H2O3mmol硫代乙酰胺20ml水75℃30min

作為基底制備電池實驗過程：材料合成5精選課件ppt合成條件5mmolSnCl4·5H2O20mmol硫代乙酰胺40ml水190℃反應6h50℃真空干燥1h反應時間對產物的影響6二硫化錫表面電鏡6精選課件ppt合成條件5mmolSnCl4·5H2O20mmol硫代乙酰胺40ml水190℃反應9h50℃真空干燥1h反應時間對產物的影響7二硫化錫表面電鏡7精選課件ppt合成條件5mmolSnCl4·5H2O20mmol硫代乙酰胺190℃反應9hSnS進行表面處理1h50℃真空干燥1h反應時間對產物的影響8二硫化錫/硫化錫表面電鏡8精選課件ppt合成條件5mmolSnCl4·5H2O20mmol硫代乙酰胺190℃反應12h50℃真空干燥1h反應時間對產物的影響9二硫化錫表面電鏡9精選課件ppt合成條件5mmolSnCl4·5H2O20mmol硫代乙酰胺190℃反應12hSnS進行表面處理1h50℃真空干燥1h反應時間對產物的影響10二硫化錫/硫化錫表面電鏡10精選課件ppt反應時間：9h反應時間：6h反應時間：12h1111精選課件ppt反應時間：6h反應時間：9h反應時間：12h1212精選課件ppt合成條件5mmolSnCl4·5H2O20mmol硫代乙酰胺20ml水190℃反應9h50℃真空干燥1h反應濃度對產物的影響1313精選課件ppt合成條件5mmolSnCl4·5H2O20mmol硫代乙酰胺20ml水190℃反應9hSnS進行表面處理1h50℃真空干燥1h反應濃度對產物的影響1414精選課件ppt低濃度條件電鏡高濃度條件電鏡反應濃度對產物的影響1515精選課件ppt截面電鏡低濃度條件截面電鏡高濃度條件截面電鏡1616精選課件ppt電池I-V測試Voc(V)Jsc(mA/cm2)FFEff/%0.7317.100.496.141717精選課件ppt光致發(fā)光光譜1818精選課件pptRtRcRs電化學阻抗測試19RsRtRc19精選課件ppt實驗存在問題及方案問題一：在FTO上生長的SnS2與在溶液中生長的形貌截然不同，可能是由于FTO能夠引起SnS2的定向生長。方案：測試反應后的溶液的形貌，若與FTO上的形貌不同，說明體相生長與在FTO上生長的不同，即FTO能夠引導定向生長。問題二：在FTO上生長的棒狀SnS2不夠均勻致密，SnS處理后使得表面均勻性更差。方案：重新探究SnS處理的條件，主要是反應溫度濃度和時間。2020精選課件ppt0h1h2h3h4hSnS200nmFigure1.MicrostructureofTiO2/SnSfilmsandcrystalstructureofnanocrystallineTiO2andSnS.FE-SEMimageofTiO2/SnSfilmwithvaryingCBDtime:a)0,b)1,c)2,d)3,ande)4h.SnS-QuantumDotSolarCellsUsingNovelTiCCounterElectrodeandOrganicRedoxCouples，WeiGuo，Chem