MOOCVLSI設(shè)計基礎(chǔ)（數(shù)字集成電路設(shè)計基礎(chǔ)）-東南大學(xué)中國大學(xué)慕課答案第二章單元作業(yè)第二章測試1、問題：下面哪個圖是增強型NMOS轉(zhuǎn)移特性曲線選項：A、B、C、D、正確答案:【】2、問題：以下哪個條件是線性區(qū)的條件選項：A、B、C、D、正確答案:【】3、問題：MOS晶體管的電學(xué)本質(zhì)：電壓控制電流源選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4、問題：MOS器件的最高工作頻率與其溝道長度的平方成正比，增大溝道長度L可有效地提高工作頻率。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第二章單元測試21、問題：MOS管的小信號輸出電阻是由MOS管的____效應(yīng)產(chǎn)生的。選項：A、體B、襯底偏置C、溝道長度調(diào)制D、亞閾值導(dǎo)通正確答案:【溝道長度調(diào)制】2、問題：MOS管一旦出現(xiàn)_____現(xiàn)象，此時的MOS管將進入飽和區(qū)。選項：A、夾斷B、反型C、導(dǎo)電D、耗盡正確答案:【夾斷】3、問題：以下哪些為MOS管相關(guān)的二階效應(yīng)：①短溝道效應(yīng)；②窄溝道效應(yīng)；③漏致勢壘降低效應(yīng)；④閉鎖效應(yīng)；⑤熱載流子效應(yīng)選項：A、①②③④⑤⑥B、①②③④⑤C、①③④⑤⑥D(zhuǎn)、①②③⑤⑥正確答案:【①②③④⑤⑥】4、問題：當(dāng)晶體管的W值較小時，受窄溝道效應(yīng)的影響，晶體管的閾值電壓選項：A、升高B、降低C、不變D、以上均不對正確答案:【升高】5、問題：隨著MOS器件尺寸的縮小，源端和反向偏置的漏端結(jié)的耗盡區(qū)對器件的影響變得重要。由于在柵下的一部分區(qū)域已被耗盡，導(dǎo)致器件的閾值電壓選項：A、升高B、降低C、不變D、以上均不對正確答案:【降低】6、問題：我們希望柵源電壓一旦下降至閾值電壓以下時電流應(yīng)當(dāng)下降得盡可能，即斜率系數(shù)S的值越。選項：A、慢；小B、慢；大C、快；小D、快；大正確答案:【快；小】7、問題：下面關(guān)于MOSFET電容不正確的是：選項：A、結(jié)電容是由正向偏置的源-體和漏-體之間的pn結(jié)引起的。B、避免電路工作在閾值電壓附近可以使線性電容具有較好特性。C、柵至溝道的電容CGC的大小以及它的劃分取決于工作區(qū)域和端口電壓。D、橫向擴散xd是由工藝決定的，習(xí)慣上把它與每單位面積的柵氧電容相乘得到每單位晶體管寬度的覆蓋電容。正確答案:【結(jié)電容是由正向偏置的源-體和漏-體之間的pn結(jié)引起的?！?、問題：短溝道器件的閾值電壓往往會隨時間漂移，這是由于熱載流子效應(yīng)，一般這個效應(yīng)使NMOS器件的閾值電壓，使PMOS器件的閾值電壓。選項：A、升高；降低B、升高；升高C、降低；降低D、降低；升高正確答案:【升高；降低】9、問題：下面有關(guān)MOS晶體管閾值電壓的說法不正確的是：選項：A、當(dāng)源與體之間存在襯底偏置電壓VSB時，將會使n溝MOS管的閾值電壓增大。B、隨著柵電壓的不斷提高，耗盡區(qū)寬度將逐漸增大。C、閾值電壓通常對于NMOS器件是一個正值，對于PMOS器件是一個負(fù)值。D、p型硅襯底的費米勢的典型值是-0.3V。正確答案:【隨著柵電壓的不斷提高，耗盡區(qū)寬度將逐漸增大。】第三章測試1、問題：下圖對應(yīng)的邏輯表達式是選項：A、B、C、D、正確答案:【】2、問題：下圖等效寬長比為2:1，求ABCD四個PMOS和NMOS管的寬長比選項：A、4,8,8,42,2,2,1B、8,8,8,82,2,2,2C、4,4,4,81,1,1,2D、4,4,4,41,1,1,1正確答案:【4,8,8,42,2,2,1】3、問題：寫出圖中所示電路的邏輯表達式選項：A、F=ABCDE；B、F=ABCD+E；C、F=D、F=；正確答案:【F=；】4、問題：對于下圖所示電路，逐級加大晶體管尺寸，降低了起主要作用的電阻，同時使得電容的增加保持在一定的范圍內(nèi)