1、柵極-發(fā)射極尖峰電壓防護在MOSFET的柵極和源極之間添加一個外部齊納二極管，可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意，齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。圖

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柵極尖峰電壓的防護2、

最佳的柵極電阻器開關(guān)速度根據(jù)柵極電阻器值而有所不同。增大柵極電阻器值會降低MOSFET的開關(guān)速度，并增大其開關(guān)損耗。減小柵極電阻器值會增大MOSFET的開關(guān)速度，但由于線路雜散電感和其它因素的影響，可能在其漏極端子和源極端子之間產(chǎn)生了尖峰電壓。因此，必須選擇最佳的柵極電阻器。有時會使用不同的柵極電阻器來開通和關(guān)斷MOSFET。圖2

顯示了使用不同的柵極電阻器進行開通和關(guān)斷的示例。圖2柵極電阻器3、

柵極故障預(yù)防MOSFET的一大問題在于其漏柵電容會導(dǎo)致出現(xiàn)寄生開通（自開通）現(xiàn)象。關(guān)斷后，MOSFET的源極和漏極之間形成陡峭的dv／dt。產(chǎn)生的電流經(jīng)由漏柵電容流到柵極。導(dǎo)致柵極電阻器中發(fā)生的電壓降提高柵極電壓。該電流計算如下：iDG＝Cgd·dVDS／dt圖3顯示了電流通路。如果dv／dt的斜率極為陡峭，則根據(jù)柵源電容與柵漏電容的比率為MOSFET的柵極施加電壓。如果出現(xiàn)這種情況，可能會發(fā)生自開通。如果在二極管反向恢復(fù)期間對處于關(guān)斷狀態(tài)的MOSFET施加快速變化的電壓，也可能發(fā)生自開通。有三種方法可以防止出現(xiàn)自開通現(xiàn)象：在柵極和源極之間添加一個電容器在柵極和源極之間插入的電容器會吸收因dv／dt產(chǎn)生的漏柵電流。該電路如圖4中所示。由于柵源電容器與Cgs在MOSFET內(nèi)部并聯(lián)連接，因此柵極電荷會增加。如果柵極電壓固定，您可以通過改變柵極電阻器值來保持MOSFET的開關(guān)速度不變，但這樣會增大消耗的驅(qū)動功率。米勒箝位電路米勒箝位電路利用開關(guān)器件使MOSFET的柵極與源極之間的通路發(fā)生短路。通過在相關(guān)MOSFET的柵極和源極之間添加另一個MOSFET來實現(xiàn)短路。在圖5中，如果電壓降至預(yù)定義電壓以下，低于米勒電壓，則通過比較器提供邏輯高，開通柵極和源極之間的MOSFET。而這樣又會使輸出MOSFET的柵源通路發(fā)生短路，并抑制通過反饋電容器Crss和柵極電阻器的電流導(dǎo)致的柵極電壓升高。可將關(guān)斷柵極電壓驅(qū)動到負值，避免其超過Vth。但這種方法需要負電源圖3柵極故障的機理圖4

在柵極和源極之間添加電容器圖5米勒箝位電路我們使用圖6中所示的電路模擬自開通現(xiàn)象。自開通由iDG（dv／dt電流）和柵極電阻造成，會導(dǎo)致發(fā)生誤開通。在反向恢復(fù)模式中，如果Q2在電感負載電流通過Q1的二極管回流時開通，電感電流會流過Q2，導(dǎo)致相關(guān)的二極管關(guān)斷。我們研究了對關(guān)斷狀態(tài)的MOSFET施加高dv／dt電壓時會發(fā)生的情況。為促使發(fā)生自開通現(xiàn)象，圖6中只改變了與Q1相關(guān)的柵極電阻器R4。圖6

自開通波形的測試電路圖7

無自開通的波形(左圖)和

自開通波形(右圖)接下來，如圖8中所示，我們?yōu)閳D6中所示電路在MOSFETQ1的柵極端子和源極端子之間添加了一個電容器。該電容器的用途是吸收柵電流（Cgd·dVDS／dt），以便降低柵極電阻器產(chǎn)生的柵極電壓，從而降低自開通電壓。圖9顯示了改進后的波