記憶科技(深圳)有限公司RamaxelTechnology(Shenzhen)Ltd.

“服務(wù)客戶精益求精”DDR內(nèi)存的工作原理與設(shè)計(jì)2001年9月記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel介紹議程

DDR技術(shù)背景

DDR與SDRAM的異同

DDRSDRAM的工作原理

DDRMODULE的設(shè)計(jì)、仿真記憶科技（深圳）有限公司RamaxelDDR技術(shù)背景1、內(nèi)存帶寬的需求2、SDRAM技術(shù)升級（SDRAMⅡ）3、存儲(chǔ)器廠商的支持4、1998年12月，由JEDEC正式確定為新一代的內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)記憶科技（深圳）有限公司RamaxelDDR與SDRAM的異同（一）SDRDDRClockRate100/133M100/133M（差分時(shí)鐘）DataRate100/133M200/266MCASLatency2/31.5/2/2.5SingalGroup

DQS、Vref、VTBandwidth(B/s)800/1050M1600/2100MLevelInterfaceLVTTL(3.3V)SSTL_Ⅱ(2.5V)記憶科技（深圳）有限公司RamaxelDDR與SDRAM的異同（二）SDRDDR

Package54-PinTSOPII

66-PinTSOPIILABERPC100/PC133PC200/PC266DIMMLABERPC100/PC133PC1600/PC2100DIMMKeyNumber21DIMMGoldFingerNumber168184差分時(shí)鐘F1：CLK&CLK#F2：DifferentialClock記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel記憶科技（深圳）有限公司RamaxelDQS

記憶科技（深圳）有限公司RamaxelDQSWaveform

記憶科技（深圳）有限公司RamaxelReadOperation記憶科技（深圳）有限公司RamaxelWriteOperation記憶科技（深圳）有限公司RamaxelBlockDiagram記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel2n-PrefetchRead記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel2n-PrefetchWrite記憶科技（深圳）有限公司RamaxelSSTL_2

SeriesTerminationTendstoquietthebusforlargeoscillations10W-18WParallelTermination

22-27WTermVoltage

VddQ/2VttR//Rs_m/cRsRsRsRsDIMMSeriesTermination22WStubSeriesTerminatedLogicfor2.5V記憶科技（深圳）有限公司RamaxelSSTL-2主要參數(shù)ParameterDescriptionValueVdd/VddqSupplyVoltage2.3~2.7VrefI/OInterfaceVoltage1.15~1.35VolOutputLowVoltageVref-0.35VohOutputHighVoltageVref+0.35VilInputLowVoltageVref-0.35VihInputHighVoltageVref+0.35記憶科技（深圳）有限公司RamaxelDDRSubsystem記憶科技（深圳）有限公司RamaxelDDR原理小結(jié)

控制信號(hào)在時(shí)鐘的上升沿有效，數(shù)據(jù)信號(hào)在時(shí)鐘的上升、下降沿均有效。SSTL_2

適合數(shù)據(jù)的快速翻轉(zhuǎn),低功耗

DifferentialClock提供更精確的時(shí)鐘信號(hào)

DQS的使用使數(shù)據(jù)的讀寫更可靠-記憶科技（深圳）有限公司RamaxelQuestionsAndAnswerDiscussion記憶科技（深圳）有限公司RamaxelWeAreReadyForDDRMODULEDesignandSimulation記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel頻率的發(fā)展趨勢

Rambus600、800

DDR200、266PC100 、133 記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel信號(hào)完整性（SI）信號(hào)完整性是指信號(hào)在信號(hào)線上的質(zhì)量。信號(hào)具有良好的信號(hào)完整性是指當(dāng)在需要的時(shí)候，具有所必需達(dá)到的電壓電平數(shù)值。信號(hào)完整性問題包括反射、振蕩、串?dāng)_、過沖等。1.信號(hào)頻率的提升使信號(hào)完整性的問題更為突出2.信號(hào)完整性問題會(huì)影響內(nèi)存的品質(zhì)和兼容性3.調(diào)節(jié)PCB布線可改變信號(hào)反饋而改善信號(hào)完整性反射

反射就是在傳輸線上的回波。信號(hào)功率(電壓和電流)的一部分傳輸?shù)骄€上并達(dá)到負(fù)載處，但是有一部分被反射了。如果源端與負(fù)載端具有相同的阻抗，反射就不會(huì)發(fā)生了。記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel過沖就是第一個(gè)峰值或谷值超過設(shè)定電壓.信號(hào)過沖（Overshoot）振蕩振蕩的現(xiàn)象是反復(fù)出現(xiàn)過沖和下沖。通過適當(dāng)?shù)牟季€或加以適當(dāng)?shù)亩私佑枰詼p小記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel信號(hào)延時(shí)延時(shí)是指在驅(qū)動(dòng)器端狀態(tài)的改變到接收器端狀態(tài)的改變之間的時(shí)間。

同步是穩(wěn)定工作的關(guān)鍵。信號(hào)延時(shí)產(chǎn)生的主要原因。

1.主板上信號(hào)同步不良

2.PCB板布線長度不當(dāng)

記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel串?dāng)_（Crosstalk）

串?dāng)_是兩條信號(hào)線之間的耦合，信號(hào)線之間的互感和互容引起線上的噪聲。PCB板層的參數(shù)、信號(hào)線間距、驅(qū)動(dòng)端和接收端的電氣特性及線端接方式對串?dāng)_都有一定的影響記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel電磁干擾（EMI）和電磁兼容性(EMC)

EMI有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。傳導(dǎo)干擾是指通過導(dǎo)電介質(zhì)把一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)上的信號(hào)耦合（干擾）到另一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)。輻射干擾是指干擾源通過空間把其信號(hào)耦合（干擾）到另一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)。在PCB設(shè)計(jì)中，高頻信號(hào)線和集成電路的引腳都可能成為具有天線特性的輻射干擾源，能發(fā)射電磁波并影響其他信號(hào)線的正常工作。

記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel品質(zhì)保證

設(shè)計(jì)

制程

來料測試Module測試

優(yōu)異的品質(zhì)記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel設(shè)計(jì)依據(jù)

根據(jù)JEDEC(聯(lián)合電器設(shè)備協(xié)會(huì))公布的《PC1600andPC2100DDRSDRAMUnbufferedDIMMDesignSpecification》

滿足拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)規(guī)格保證設(shè)計(jì)質(zhì)量的關(guān)鍵-記憶科技（深圳）有限公司RamaxelDQDataDQM,DQSDataStrobesA,BAAddressCK,CK#DifferentialClocksCS#,WE#,CAS#,RAS#,CKEControlVrefReferenceVoltageSignalGroups記憶科技（深圳）有限公司RamaxelClock記憶科技（深圳）有限公司RamaxelAddressandControl記憶科技（深圳）有限公司RamaxelData-記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel改善信號(hào)質(zhì)量

濾波電容地/電源層屏蔽阻抗匹配利用仿真結(jié)果進(jìn)行設(shè)計(jì)調(diào)整記憶科技（深圳）有限公司RamaxelVREFTrackingtoVDDVDDVREFVSSVDDVREFVSSAABBVDDVREFVSSCC記憶科技（深圳）有限公司RamaxelPCB層結(jié)構(gòu)記憶科技（深圳）有限公司RamaxelPCB特征阻抗要求UnbufferedSDRAM：70Ω±10ΩRegisteredSDRAM：65Ω±10%SO-DIMMSDRAM:55Ω±15%DDRSDRAM：60Ω±10%Rambus：28Ω±10%、41Ω±10%記憶科技（深圳）有限公司Ramaxel影響PCB特征阻抗四個(gè)參數(shù)影響阻抗的幾個(gè)主要參數(shù)為：線寬、介質(zhì)厚度、介電常數(shù)、銅厚。在PCB板的制作過程中控制PCB的特征阻抗記憶科技（深圳）有限公司