多形態(tài)多晶硅薄膜力學(xué)行為及與微結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)特性研究的開題報告一、研究背景和意義由于具有大比表面積、高光吸收系數(shù)、載流子遷移率高等優(yōu)異性能，多晶硅（Poly-Si）薄膜已成為薄膜太陽能電池中的重要材料。但是，多晶硅薄膜的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能等方面存在著一些問題，因此需要對多晶硅薄膜的力學(xué)行為及其與微結(jié)構(gòu)的關(guān)聯(lián)特性進(jìn)行深入研究。此外，目前對多晶硅薄膜的力學(xué)性質(zhì)研究還比較缺乏，因此需要通過更加系統(tǒng)和深入的研究，揭示多晶硅薄膜的力學(xué)性質(zhì)。二、研究內(nèi)容和方法1.研究內(nèi)容本次研究旨在探究多晶硅薄膜的多形態(tài)力學(xué)行為及其與微結(jié)構(gòu)的關(guān)聯(lián)特性，具體包括以下研究內(nèi)容：(1)多晶硅薄膜的制備及其微觀結(jié)構(gòu)表征；(2)多晶硅薄膜的多形態(tài)力學(xué)特性研究；(3)探究多晶硅薄膜的微結(jié)構(gòu)與力學(xué)特性的關(guān)聯(lián)。2.研究方法(1)制備多晶硅薄膜：采用化學(xué)氣相沉積法（CVD）制備多晶硅薄膜。(2)微觀結(jié)構(gòu)表征：使用掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）等對多晶硅薄膜進(jìn)行微觀結(jié)構(gòu)表征。(3)力學(xué)性能測試：使用壓痕法（nano-indentation）、納米壓縮實(shí)驗(yàn)（nano-compression）、納米拉伸實(shí)驗(yàn)（nano-tensile）等測試多晶硅薄膜的多形態(tài)力學(xué)特性。(4)分析微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能關(guān)聯(lián)：在力學(xué)性能測試過程中，結(jié)合微觀結(jié)構(gòu)表征結(jié)果，探究多晶硅薄膜的微結(jié)構(gòu)與力學(xué)特性之間的關(guān)聯(lián)。三、預(yù)期研究成果和意義通過對多晶硅薄膜的力學(xué)性質(zhì)及其與微結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)特性的研究，可以獲得以下預(yù)期研究成果：(1)深入了解多晶硅薄膜的力學(xué)性質(zhì)，讓我們對多晶硅薄膜的制備和應(yīng)用有更清晰的認(rèn)識；(2)揭示多晶硅薄膜的微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能關(guān)系，為多晶硅薄膜的應(yīng)用提供了更多的依據(jù)和支持；(3)提高多晶硅薄膜的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能等方面的應(yīng)用性能。四、研究進(jìn)度安排本次研究從2021年9月開始，預(yù)計于2023年6月完成，主要進(jìn)度安排如下：(1)2021年9月-2022年2月：多晶硅薄膜制備及結(jié)構(gòu)表征；(2)2022年3月-2022年8月：多晶硅薄膜的壓痕實(shí)驗(yàn)、納米壓縮實(shí)驗(yàn)；(3)2022年9月-2023年2月：多晶硅薄膜的納米拉伸實(shí)驗(yàn)；(4)2023年3月-2023年6月：數(shù)據(jù)處理與分析，撰寫論文和結(jié)題報告。五、參考文獻(xiàn)[1]ChenYF,ChienCF,WuKH.Thestructuralandelectricalpropertiesofpoly-Sithinfilmspreparedbymetal-inducedlateralcrystallization[J].AppliedSurfaceScience,2010,256(6):1853-1857.[2]LinCH,KuoCL,ChenHL,etal.Influenceofmicrostructureonthethin-filmmechanicalpropertiesofpolycrystallinesilicon[J].MaterialsScienceandEngineering:A,2009,507(1-2):132-137.[3]LiuX,HanY,LiD,etal.AstudyofthemicrostructureandmechanicalpropertiesofpolycrystallinesiliconfilmsforMEMSapplications[J].JournalofMicromechanicsandMicroengineering,2009,19(4):045013.[4]QiS,ChenJ,ZhangY,etal.Investigationofmechanicalpropertiesofpolycrystallinesiliconfilmbynanoindentationandfini