第一章1、⑴、什么是集成電路：集成電路（）是指用半導(dǎo)體工藝，或薄膜、厚膜工藝把電路元器件以相互不行分別的狀態(tài)制作在半導(dǎo)體或絕緣體基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，構(gòu)成一個(gè)完整的、具有肯定功能的電路。⑵、集成電路分類：1.按工藝分：半導(dǎo)體、膜（薄/厚膜）、混合2.按功能分：數(shù)字：能夠完成數(shù)字運(yùn)算，以低電平和高電平兩種狀態(tài)來代表二進(jìn)制數(shù)中的“0”和”1”，通過各種邏輯關(guān)系進(jìn)行運(yùn)算，又稱為邏輯。模擬：能對電壓、電流等模擬量進(jìn)行放大與轉(zhuǎn)換的。其中輸出信號與輸入信號成線性關(guān)系的電路，如直流放大器、差分放大器、低頻放大器、高頻放大器、線性功率放大器、運(yùn)算放大器等稱為線性。輸出信號與輸入信號不成線性關(guān)系的電路，如對數(shù)放大器、振蕩器、混頻器、檢波器、調(diào)制器等稱為非線性。3.按構(gòu)成的有源器件結(jié)構(gòu)分：雙極、。雙極：有源元件采納或雙極晶體管，管內(nèi)導(dǎo)電的載流子要流經(jīng)P型或N型兩種極性的材料。：有源元件采納（金屬－氧化物－半導(dǎo)體）晶體管。4.按集成度凹凸分：小規(guī)模（）、中規(guī)模（）、大規(guī)模（）、超大規(guī)模（）。集成度：單塊晶片上或單個(gè)封裝中構(gòu)成的的所包含的最大元件數(shù)（包括有源/無源元件）。<100個(gè)元件（或10個(gè)門電路），100<<1000元件（10個(gè)～100個(gè)門電路），>1000個(gè)元件以上（100個(gè)門電路以上）。>10萬個(gè)（1000門以上）⑶、集成電路遵從的定律2、與之間的的關(guān)系3、設(shè)計(jì)所須要的學(xué)問范圍（、、）1)系統(tǒng)學(xué)問計(jì)算機(jī)/通信/信息/限制學(xué)科2)電路學(xué)問更多的學(xué)問、技術(shù)和閱歷3)工具學(xué)問任務(wù)和內(nèi)容相應(yīng)的軟件工具4)工藝學(xué)問元器件的特性和模型/工藝原理和過程其次章4、⑴、材料的分類分類材料電導(dǎo)率導(dǎo)體鋁、金、鎢、銅等105S·1半導(dǎo)體硅、鍺、砷化鎵、磷化銦等10-9~102S·1絕緣體2、、3N4等10-22~10-14S·1⑵、半導(dǎo)體材料的特性1）通過摻雜可明顯變更半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。2）當(dāng)半導(dǎo)體受到外界熱的刺激時(shí)，導(dǎo)電實(shí)力將發(fā)生顯著變更。3）光照可變更半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。4）多種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，當(dāng)注入電流時(shí)，會放射光，從而可制造發(fā)光二極管和激光二極管。⑶、常用的最基本的材料半導(dǎo)體材料在集成電路的制造中起著根本性的作用。硅，砷化鎵和磷化銦是最基本的三種半導(dǎo)體材料2.2硅()1.硅工藝生產(chǎn)的器件雙極型晶體管（），結(jié)型場效應(yīng)管（），P型、N型雙極場效應(yīng)管（）2.硅工藝的優(yōu)點(diǎn)：1）原材料豐富2）技術(shù)成熟3）硅基產(chǎn)品價(jià)格低廉3.硅工藝達(dá)到的技術(shù)指標(biāo)：的速度1，晶圓直徑達(dá)到300(12英寸)2.3砷化鎵()1材料：能工作在超高速超高頻，其緣由在于這些材料具有更高的載流子遷移率，和近乎半絕緣的電阻率2.材料的特點(diǎn)：1）中非平衡少子漂移速度特別快2）導(dǎo)帶微小值和價(jià)帶極大值都出現(xiàn)在布里淵區(qū)波矢為0處，電子和空穴可以干脆復(fù)合，利用這一性質(zhì)可制作發(fā)光器件，如，，。3）中價(jià)帶與導(dǎo)帶之間的禁帶寬度大于。（1.43，1.1）中價(jià)帶與導(dǎo)帶之間的禁帶寬度大于帶來的好處：1）在襯底上可制作高性能的器件，如電感、微波變壓器與微波毫米波傳輸線。2）器件與電路能工作在更高的溫度。3）具有更好的抗輻射性能。3.工藝制作的器件：三種有源器件:,和2.4 磷化銦()1材料的特點(diǎn)：能工作在超高速超高頻2工藝制作的器件：三種有源器件:,和3.的應(yīng)用：廣泛應(yīng)用于光纖通信系統(tǒng)中發(fā)出的激光波長位于0.92~1.65之間，覆蓋了玻璃光纖的最小色散(1.3)和最小衰減(1.55)的兩個(gè)窗口2.5絕緣材料2、和3N4是系統(tǒng)中常用的幾種絕緣材料絕緣材料功能：①充當(dāng)離子注入與熱擴(kuò)散的掩膜②鈍化層③電隔離絕緣材料的要求：低介電常數(shù)的絕緣材料減小連線間的寄生電容。高介電常數(shù)的絕緣材料主要應(yīng)用在大容量的，邏輯電路與混合電路中的濾波電容、隔離電容和數(shù)模轉(zhuǎn)換用的電容制造。2.6金屬材料金屬材料的功能1.形成器件本生的接觸線；2.形成器件間的互聯(lián)線；3.形成焊盤。半導(dǎo)體表面制作了金屬層后，依據(jù)金屬的種類與半導(dǎo)體摻雜濃度的不同，可形成肖特基型接觸或歐姆接觸假如摻雜濃度較低，金屬和半導(dǎo)體結(jié)合面形成肖特基型接觸，構(gòu)成肖特基二極管。假如摻雜濃度足夠高，以致于隧道效應(yīng)可以抵消勢壘的影響，那么就形成了歐姆接觸。器件互連材料包括金屬，合金，多晶硅，金屬硅化物第三章5、制造的工藝環(huán)節(jié)3.1外延生長①外延生長的目的：外延的目的是用同質(zhì)(異質(zhì)）材料形成具有不同的摻雜種類與濃度,因而具有不同性能的晶體層。②液態(tài)生長(:)意味著在晶體襯底上用金屬性的溶液形成一個(gè)薄層。在加熱過的飽和溶液里放上晶體，再把溶液降溫，外延層便可形成在晶體表面。原理在于溶解度隨溫度變更而變更。氣相外延生長

③氣相外延生長(:)是指全部在氣體環(huán)境下在晶體表面進(jìn)行外延生長的技術(shù)的總稱。在不同的技術(shù)里，鹵素()傳遞生長法在制作各種材料的沉淀薄層中得到大量應(yīng)用。在外延過程中，石墨板被石英管四周的射頻線圈加熱到1500-2000度，在高溫作用下，發(fā)生：4+2H2→4的反應(yīng)，釋放出的原子在基片表面形成單晶硅，典型的生長速度為0.5~1.④金屬有機(jī)物外延生長（:）與其它不同之處在于它是一種冷壁工藝，只要將襯底限制到肯定溫度就行了。便于多片和大片外延生長，可生長全部的族化合物。⑤分子束外延生長(:)在超真空中進(jìn)行，基本工藝流程包含產(chǎn)生轟擊襯底上生長區(qū)的和V族元素的分子束等。幾乎可以在基片上生長無限多的外延層。這種技術(shù)可以限制，或上的生長過程，還可以限制摻雜的深度和精度達(dá)納米極。經(jīng)過法，襯底在垂直方向上的結(jié)構(gòu)變更具有特別的物理屬性。的不足之處在于產(chǎn)量低。3.2掩膜制作①掩膜制造的定義：用光學(xué)曝光方式要在襯底（如硅等半導(dǎo)體晶片）上形成微細(xì)圖形，一般要有圖形的物，當(dāng)這種圖形的物被放大或縮小復(fù)印到半導(dǎo)體基片上后，即形成電路圖形。這種圖形的物稱為掩膜板，簡稱掩膜。②掩膜的基本功能：在光線照耀其上時(shí)，圖形區(qū)和非圖形區(qū)對光線的汲取和透射實(shí)力不同。志向狀況下，圖形區(qū)讓光線完全透射過去，非圖形區(qū)則對光線完全汲取?；蛘叻粗?。⑴、圖案發(fā)生器方法(:)⑵、X射線制版由于X射線具有較短的波長（約為數(shù)埃），它可用來制作更高辨別率的掩膜版。掩膜版的襯底材料與光學(xué)版不同，通常要求用低汲取的輕元素做成的低比重的透膜材料?；虻幕衔铮?N4或高質(zhì)量的人造石英）對X射線完全透亮。⑶、電子束掃描法()1)涂抗蝕劑?？刮g劑采納正電子抗蝕劑（辨別率高，但敏感度低）2)電子束曝光。曝光可用精密掃描儀，電子束制版的一個(gè)重要參數(shù)是電子束的亮度，或電子的劑量。3)顯影。用二甲苯。二甲苯是一種較柔軟的有弱極性的顯影劑，顯像速率大約是甲基異丁烯酮（對為良溶性劑）/異丙醇（對為非溶性劑）的1/8，用清洗可停止顯像過程。3.3光刻()晶圓涂光刻膠：①清洗晶圓，在200C溫度下烘干1小時(shí)。目的是防止水汽引起光刻膠薄膜出現(xiàn)缺陷。②待晶圓冷卻下來，馬上涂光刻膠。光刻膠有兩種：正性()與負(fù)性()。正性膠顯影后去除的是經(jīng)曝光的區(qū)域的光刻膠，負(fù)性膠顯影后去除的是未經(jīng)曝光的區(qū)域的光刻膠。正性膠適合作窗口結(jié)構(gòu),如接觸孔,焊盤等，而負(fù)性膠適用于做長條形態(tài)如多晶硅和金屬布線等。常用83為負(fù)性光刻膠。光刻膠對大部分可見光靈敏，對黃光不靈敏，可在黃光下操作。③涂光刻膠的方法：光刻膠通過過濾器滴入晶圓中心，被真空吸盤吸牢的晶圓以20008000轉(zhuǎn)/分鐘的高速旋轉(zhuǎn)，從而使光刻膠勻稱地涂在晶圓表面。④晶圓再烘，將溶劑蒸發(fā)掉，打算曝光曝光:光源可以是可見光,紫外線,X射線和電子束。光量，時(shí)間取決于光刻膠的型號，厚度和成像深度?！毓夥绞剑航佑|式與非接觸式兩種方式※非接觸式光刻又分為：接近式光刻與非接近式光刻三、顯影:晶圓用真空吸盤吸牢，高速旋轉(zhuǎn)，將顯影液噴射到晶圓上。顯影后，用清潔液噴洗。四、烘干:將顯影液和清潔液全部蒸發(fā)掉?！谀ず途A之間實(shí)現(xiàn)志向接觸的制約因素①掩膜本身不平坦，②晶圓表面有稍微凸凹，③掩膜和晶圓之間有灰塵。3.4刻蝕刻蝕(腐蝕）的作用: 以此工藝手段來獲得基片上具有肯定辨別率的圖形或器件結(jié)構(gòu)，如線條、接觸孔、臺式晶體管、凸紋、柵等。被刻蝕的材料: 抗蝕劑，半導(dǎo)體，絕緣體，金屬等?？涛g的兩種方法： 濕法和干法3.5摻雜3.5.1摻雜目的、原理和過程摻雜的目的是以形成特定導(dǎo)電實(shí)力的材料區(qū)域,包括N型或P型半導(dǎo)體層和絕緣層，晶體管的源漏區(qū)，雙極管的結(jié)。是制作各種半導(dǎo)體器件和的基本工藝。經(jīng)過摻雜，原材料的部分原子被雜質(zhì)原子代替。材料的導(dǎo)電類型確定于雜質(zhì)的化合價(jià)，可用于制作隔離層。摻雜可與外延生長同時(shí)進(jìn)行，也可在其后，例如，雙極性硅的摻雜過程主要在外延之后，而大多數(shù)與器件和的摻雜與外延同時(shí)進(jìn)行。3.5.2熱擴(kuò)散摻雜3.5.3離子注入法離子注入法定義：通過將雜質(zhì)原子加速為高能離子束，再用其轟擊晶片表面而使雜質(zhì)注入無掩膜區(qū)域而實(shí)現(xiàn)的。摻雜濃度（劑量）由注入濃度和注入時(shí)間確定，而摻雜區(qū)域的濃度確定于離子束的能量。注入法的優(yōu)點(diǎn)：①摻雜的過程可通過調(diào)整雜質(zhì)劑量與能量來精確的限制，雜質(zhì)分布的勻稱。②可進(jìn)行小劑量的摻雜。③可進(jìn)行微小深度的摻雜。④較低的工藝溫度，故光刻膠可用作掩膜。⑤可供摻雜的離子種類較多，離子注入法也可用于制作隔離島。在這種工藝中，器件表面的導(dǎo)電層被注入的離子（如Ｏ+）破壞，形成了絕緣區(qū)。缺點(diǎn)：①費(fèi)用昂揚(yáng)②在大劑量注入時(shí)半導(dǎo)體晶格會被嚴(yán)峻破壞并很難復(fù)原3.6絕緣層形成平面上的絕緣層可通過腐蝕和/或離子注入法制成。垂直方向上的不同層之間的絕緣可以運(yùn)用絕緣層，絕緣層可用氧化與淀積法制成。3.7金屬層形成金屬層的用途：制作和器件的柵極、鋁柵、器件的柵極和器件的互連材料。金屬層的制作方法主要有：蒸發(fā)、濺射和電鍍。蒸發(fā)：通過限制基質(zhì)材料的溫度和蒸發(fā)室的壓力，使欲淀積的材料汽化，當(dāng)發(fā)生再凝聚時(shí)，就形成了蒸發(fā)膜。濺射：用高能離子轟擊濺射材料，撞擊出分子團(tuán)，這些分子團(tuán)被吸附在襯底的表面形成薄膜。電鍍：通常用來加工厚金屬層（1或1以上)。金屬層的制作技術(shù)在等工藝中，人們開發(fā)出一種所謂的空氣橋（）技術(shù)。一、空氣橋技術(shù)：懸空的金屬層作為互連層，以減小寄生電容?？諝鈽虻幕竟に嚵鞒蹋?.在下一層材料上沉淀一層可以揮發(fā)的犧牲層。2.光刻成形，使欲形成空氣橋地段的犧牲層保留。3.沉積金屬層。4.金屬層光刻成型，側(cè)面暴露犧牲層。5.揮發(fā)犧牲層空氣橋技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)：1.由于金屬層是懸空的，可以減小寄生電容。2.采納多段空氣橋形成螺旋電感，可大大減小襯底引起的介質(zhì)損耗，提高電感的Q值。不平坦現(xiàn)象：在制造流程中，包括Ｎ型擴(kuò)散，Ｐ型擴(kuò)散，局部氧化，接觸電極的形成等，這些處理過程都會導(dǎo)致芯片表面變得凹凸不平。由于在不平坦的表面配置金屬的互連線會出現(xiàn)局部很薄和不連續(xù)的現(xiàn)象，所以通常不干脆在不平坦的表面配置金屬互連線，因?yàn)樵诓黄教沟谋砻孢M(jìn)行精細(xì)光刻變得特別困難。金屬層的不平坦的處理：在下一層金屬層淀積之前對表面進(jìn)行平坦化處理。方法：現(xiàn)在晶圓表面淀積一層較厚的02來覆蓋全部的表面不連續(xù)的地方。然后采納所謂的回流熱處理技術(shù)、后向刻蝕或者化學(xué)機(jī)械磨光（）技術(shù)將這層厚的02的頂層磨平。化學(xué)機(jī)械磨光（）法：是在晶圓表面運(yùn)用有磨蝕作用的02漿體進(jìn)行磨光。法優(yōu)點(diǎn)：可以使芯片上產(chǎn)生連續(xù)的金屬互連層，并且每一新層都淀積在平整后的氧化層表面上。第五章6、什么是硅柵自對準(zhǔn)工藝？須要幾張掩膜？在硅柵工藝中，S，D，G是一次掩膜步驟形成的。先利用感光膠愛護(hù)，刻出柵極，再以多晶硅為掩膜，刻出S，D區(qū)域。那時(shí)的多晶硅還是絕緣體，或非良導(dǎo)體。經(jīng)過擴(kuò)散，雜質(zhì)不僅進(jìn)入硅中，形成了S和D，還進(jìn)入多晶硅，使它成為導(dǎo)電的柵極和柵極引線。硅柵工藝的優(yōu)點(diǎn)：①自對準(zhǔn)的，它無需重疊設(shè)計(jì)，減小了電容，提高了速度。②無需重疊設(shè)計(jì)，減小了柵極尺寸，漏、源極尺寸也可以減小，即減小了晶體管尺寸，提高了速度，增加了集成度。③增加了電路的牢靠性。7、絕緣層的制作方法？的分類。8、常見器件的英文縮寫9、工藝流程一層多晶硅,一層金屬,n型襯底的掩膜和典型工藝流程第六章的I—U特性推導(dǎo)非飽和狀況下，通過管漏源間的電流為：ε=εˊ?ε0柵極-溝道間氧化層介電常數(shù),ε'=4.5,ε0=0.88541851.10-1111非飽和時(shí)，在漏源電壓作用下，這些電荷Q將在時(shí)間內(nèi)通過溝道，因此有為載流子速度，為漏到源方向電場強(qiáng)度，為漏到源電壓。μ為載流子遷移率：μn=6502/()電子遷移率()μp=2402/()空穴遷移率()管的基本結(jié)構(gòu)兩個(gè)結(jié)：1）N型漏極與P型襯底；2）N型源極與P型襯底。同雙極型晶體管中的結(jié)一樣，在結(jié)四周由于載流子的擴(kuò)散、漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，而產(chǎn)生了耗盡層。一個(gè)電容器結(jié)構(gòu)：柵極與柵極下面的區(qū)域形成一個(gè)電容器，是管的核心。影響的幾大因素1. 材料的功函數(shù)之差當(dāng)金屬電極同晶片接觸時(shí)，φ=φm-φs對于—(p)接觸，φ=(-0.7)~(-1.5)2. 2層中可移動(dòng)的正離子主要是離子的影響,使閾值電壓降低3. 氧化層中固定電荷固定正電荷使閾值電壓降低4. 界面勢阱與其它材料界面上，硅晶格突然終止有電子被掛起，形成掛鍵,導(dǎo)致界面勢阱。的器件定義語句7.3.1標(biāo)題、結(jié)束和注釋語句①標(biāo)題語句必需出現(xiàn)在輸入文件的第一行，可由隨意的字母或字符串組成，但一般最好以電路有關(guān)的英文說明為好。例如：②結(jié)束語句必需出現(xiàn)在輸入文件的最終一行，用于標(biāo)記文件的結(jié)束。格式為：。其中，.是結(jié)束語句不行省略的一部分。③注釋語句可以出現(xiàn)在文件中標(biāo)題語句和結(jié)束語句之間的任何位置，用于給出注釋，便于閱讀。格式為：*<注釋語句>。例如：*100K，*A。*是注釋語句的標(biāo)識符。注釋語句不參加仿真分析。㈠電阻R格式：R×××××××N1N2<1<2>>其中，R是關(guān)鍵字，代表元器件類型，在Ｒ后面的×××××××代表元器件名，可以是字母或數(shù)字。語句中的英文字母可大寫，也可小寫。N1，N2為電阻的兩個(gè)節(jié)點(diǎn)編號，可用字母或數(shù)字。為電阻值，單位為Ω，可正可負(fù)，但不能為0。1，2是溫度系數(shù)，可選。作為溫度函數(shù)給出的電阻值為：()()*(11(－))2*(－)**2)※其中是指當(dāng)前溫度，是指常溫認(rèn)可的數(shù)字比列因子縮寫縮寫符等效輸入比例因子縮寫符等效輸入比例因子K1E3M131E6U16G1E9N19T1E12P112F115㈡電容C和電感L格式：Ｃ×××××××<>L×××××××<>其中，，分別是元件的正負(fù)節(jié)點(diǎn)，是單位為Ｆ的電容值或單位為Ｈ的電感值。對于電容，可選的初始值電壓為0Ｖ，電容器兩端的節(jié)點(diǎn)依次應(yīng)與初始值電壓的方向保持一樣。對于電感，可選的初始值電流為0Ａ，方向從到。留意：給出的初始條件只有在瞬態(tài)分析語句中給出定義才有效。例如：Ｃ1001

231003V355120101N1㈢互感M格式：Ｋ×××××××為兩個(gè)藕合電感明。是電感系數(shù)Ｋ，它必需大于0，小于等于1，默認(rèn)值為1。應(yīng)用“.”約定，“.”放在每個(gè)電感的Ｎ+節(jié)點(diǎn)上。例如：L11210；定義L1L22310：定義L2L36710；定義L3L48910：定義L4L1L2L3L4O．977；互感㈣線性電壓限制電流/電壓源線性電壓限制電流源G，線性電壓限制電壓源E。格式：Ｇ×××××××E×××××××其中，，分別是受控源的正負(fù)節(jié)點(diǎn)，是限制端口的正負(fù)節(jié)點(diǎn)，G的是單位為S的跨導(dǎo)值，E的是單位為無量綱的電壓增益。㈤線性電流限制電流/電壓源

線性電流限制電流源F，線性電流限制電壓源H。格式：F×××××××H×××××××其中，，分別是受控源的正負(fù)節(jié)點(diǎn)，電流從到，是限制電流支路電壓源名稱，電流方向從正節(jié)點(diǎn)通過電壓源流向負(fù)節(jié)點(diǎn)。F的是無量綱的電流增益。H的是單位為Ω的電阻值。㈥獨(dú)立電源獨(dú)立電源有獨(dú)立電壓源V和獨(dú)立電流源I格式分別為：Ｖ×××××××<<>+<<<>>>Ｉ×××××××<<>+<<<>>>①，分別是電源的正負(fù)節(jié)點(diǎn)，正電流的方向規(guī)定從正節(jié)點(diǎn)通過電流源流向負(fù)節(jié)點(diǎn)。正值的電流源是強(qiáng)制電流從正節(jié)點(diǎn)流出，負(fù)節(jié)點(diǎn)流入。②在中，電壓源還可用作電流表，用于測試支路電流，由于電壓源內(nèi)阻為0，相當(dāng)于短路，故對電路不產(chǎn)生影響。③是電源的直流和瞬態(tài)值，假如兩值均為0，則可省略，假如電源值不變，則標(biāo)識可省略。④和分別是溝通信號的幅度和相位，用于電路的分析。假如在標(biāo)識中省略，它的值就假定為1；假如省略，它的值就假定為0。假如電源不是溝通小信號輸入，、、均省略。⑤任何一個(gè)電源均可設(shè)定為時(shí)變信號源，用于瞬態(tài)分析。此時(shí)，時(shí)間等于0的值就用于分析。例如：10005V；*直流電源V202020；*省去的直流電源631V；*溝通電源1020.50.5（011）；*直流，溝通和瞬態(tài)分析正弦電壓源20210.345.0(0110G51)；*電流源1213；*電流表的分析類型、各種分析類型對電源的要求1、直流分析直流分析主要包括：

①直流工作點(diǎn)分析

②小信號轉(zhuǎn)換函數(shù)分析

③直流掃描分析

④直流掃描曲線族分析在直流分析中，全部的獨(dú)立電源和受控電源都是直流型的，且處于直流穩(wěn)態(tài)下，因此，電感應(yīng)看成短路，電容應(yīng)看成開路。㈠直流工作點(diǎn)分析在電路中電感短路和電容開路的狀況下，計(jì)算電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。在進(jìn)行瞬態(tài)分析、溝通分析前自動(dòng)進(jìn)行直流工作點(diǎn)分析，已確定瞬態(tài)分析的初始條件、溝通分析的非線性器件線性化小信號模型。其格式為。靜態(tài)工作點(diǎn)分析（·）①當(dāng)電路中含有非線性元件（如二極管、三極管）時(shí)，其參數(shù)取決于靜態(tài)工作點(diǎn)。②在不同的工作點(diǎn)，會產(chǎn)生在工作點(diǎn)旁邊的小信號等效參數(shù)。③在進(jìn)行直流分析和轉(zhuǎn)移函數(shù)分析時(shí)，都需計(jì)算出直流工作點(diǎn)，若有非線性元件就會自動(dòng)計(jì)算出非線性元件在工作點(diǎn)處的小信號參數(shù)。假如輸入中有語句，將打印輸出以下內(nèi)容：①全部節(jié)點(diǎn)的電壓；②全部電壓源的電流與電路的直流總功率；③全部晶體管各級的電壓和電流；④非線性受控源的小信號（線性化）參數(shù)。否則，紙打印輸出①的內(nèi)容。㈡直流掃描分析（）直流掃描分析的作用是：當(dāng)電路中某一參數(shù)（稱為自變量）在肯定范圍內(nèi)變更時(shí)，對自變量每一個(gè)取值，計(jì)算電路的直流偏置特性（稱為輸出變量）。在分析過程中，將電容開路，電感短路，各個(gè)信號源取其直流電平值；若電路中還包含邏輯單元，則將每個(gè)邏輯器件的延時(shí)取為0，邏輯信號激勵(lì)源取其0時(shí)的值。㈢小信號轉(zhuǎn)換函數(shù)分析()

運(yùn)用小信號轉(zhuǎn)移函數(shù)分析計(jì)算電路的直流小信號增益、輸入電阻和輸出電阻。若電路中有非線性元件，是通過計(jì)算靜態(tài)I作點(diǎn)，并且作出工作點(diǎn)旁邊的非線性元件特的性線性化來計(jì)算直流轉(zhuǎn)移函數(shù)，此時(shí)，L短路、C開路。表示求直流分析時(shí)小信號輸出/輸入值,即V(5,3)值值由電源給出，為輸入電壓。分析后同時(shí)給出輸出、輸入電阻值，用于直流放大器的分析。例:I()()表示求轉(zhuǎn)移電流比2、溝通特性分析（）①例：51100表示十倍頻程變更,上例表示在110，10100兩個(gè)頻段中,分別取5個(gè)頻率點(diǎn)做溝通分析②例：328表示二倍頻程變更.上例表示在24，48各頻段中,每