ICS29.045代替GB/T14264—2009半導體材料術語國家市場監(jiān)督管理總局國家標準化管理委員會I Ⅲ 12規(guī)范性引用文件 13一般術語 14材料制備與工藝 6縮略語和簡稱 Ⅲ本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本文件代替GB/T14264—2009《半導體材料術語》,與GB/T14264—2009相比，除結構調(diào)整和編輯性改動外，主要技術變化如下：——增加了“寬禁帶半導體”等261項術語及其定義(見第3章～第5章);-—刪除了“脊形崩邊”等64項術語及其定義(見2009年版的第3章);————更改了“化合物半導體”等62項術語及其定義(見第3章～第5章，2009年版的第3章)。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任。本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本文件起草單位：有研半導體硅材料股份公司、有色金屬技術經(jīng)濟研究院有限責任公司、北京大學東莞光電研究院、南京國盛電子有限公司、云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司、青海黃河上游水電開發(fā)有限責任公司新能源分公司、中國科學院上海光學精密機械研究所、有研國晶輝新材料有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、中環(huán)領先半導體材料有限公司、新特能源股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)股份有限公司、中國電子科技集團公司第十三研究所、四川永祥股份有限公司、云南馳宏國際鍺業(yè)有限公司、麥斯克電子材料股份有限公司、浙江海納半導體股份有限公司、常州時創(chuàng)能源股份有限公司、東莞市中鎵半導體科技有限公司、中國科學院半導體研究所。本文件于1993年首次發(fā)布，2009年第一次修訂，本次為第二次修訂。1GB/T14264—2024半導體材料術語和帶負電的電子兩種載流子參加導電，并具有負的電阻溫度系數(shù)以及光電導效應、整流效應的固體由2種或2種以上不同元素按確定的原子配比形成的半導體材料。鋁鎵銦磷(AlGaInP)等。2GB/T14264—20243.7類金剛石碳膜diamond-likecarbonfilm具有類似于金剛石正四面體鍵結構的多晶或非晶碳膜。3.8用于外延生長半導體薄膜的藍寶石單晶拋光片。3.9禁帶寬度為5.5eV,擁有耐高壓、大射頻、低成本、耐高溫特性的半導體材料。3.10表面吸附大量氫原子，呈現(xiàn)負電子親和勢特性(一1.2eV),且本身無需摻雜即具有p型導電特性的金剛石。3.11承受大功率特點的半導體材料。3.12特征尺寸featuresize集成電路中由特定工藝決定的所能光刻或制作的最小尺寸。3.13由2個面心立方點陣沿立方晶胞的體對角線偏移1/4單位嵌套而成的晶體結構。3.14由2種元素的原子各自形成面心立方晶格，再沿對角線滑移至對角線長屬立方晶系的面心立方點陣。3.15由2種元素的原子按六角排列的原子面以AaBbAaBb次序堆垛而成的屬六方晶系的密排六角點陣。注2:纖鋅礦結構化合物半導體有4H-SiC、6H-SiC和GaN等。3注：空穴是p型半導體材料中的多數(shù)載流子。注：例如在半導體表面施加與表面垂直的電場，在表面附近形成電子勢壘，便會積累大量電子，這些電子在表面層能夠自由運動，而在垂直于表面方向的運動會受到限制。即在平行于表面的運動能量是連續(xù)的，在垂直表面的能量是分立的。其具有高的遷移率以及許多量子特性，是許多場效應器件的工作基礎。注：包括自發(fā)極化效應和壓電極化效應，自發(fā)極化效應是源于晶體本身對稱性導致的極化，壓電極化效應是源于外部應力導致晶格變形導致的極化。4GB/T14264—2024耗盡層depletionlayer注：重金屬雜質(zhì)在半導體禁帶中形成的深能級，俘獲非平衡載流子后，經(jīng)過一段時間釋放出來的現(xiàn)象被稱為陷阱注1:一般的計算方法是按照100%減去按該產(chǎn)品標準規(guī)定的元素或成分種類的實測值以后得到的數(shù)值。例如，純度為99.999%,也寫作5個9或5N。μ注1:單位為平方厘米每伏秒[cm2/(V·s)]。注2:在單一載流子體系中，載流子遷移率與特定條件下測定的霍爾遷移率成正比。RH5AH類單晶硅塊橫截面上，具有指定晶向的最大單晶的面積與類單晶硅塊橫截面總面積的比值。注：本征半導體中等于每單位體積中多數(shù)載流子的數(shù)目。雜質(zhì)半導體中在室溫無補償存在的條件下等于電離雜質(zhì)6型)確定一個半導體晶體內(nèi)彼此相鄰接的p型和n型的界面區(qū)域。7為控制半導體材料的性能，有目的摻入一定種類、一定數(shù)量雜質(zhì)的過程。摻雜濃度dopantconcentration為控制半導體材料的性能，有目的同時摻入2種或2種以上雜質(zhì)的用中子流輻照硅單晶錠，使晶體中的Si3嬗變成磷原子，達到在硅單晶中摻雜的方法。80p徑向電阻率梯度radialresistivitygradi晶片中心點與偏離晶片中心的某一點或若干對稱分布的設置點(典型設置點是晶片半徑的1/2處R。方塊電阻squareresistanceR。微小導電金屬探針和晶片上一參考點之間的電勢差與通過探針的電流之比。注1:單位為歐姆(Ω)。9注2:該比值測量了金屬與半導體的接觸電阻，以及在探針附近沒有電邊界的均勻試樣的經(jīng)典擴展電阻。對于具有電阻率梯度或電邊界的試樣，該比值還包括由于這些梯度或邊界而產(chǎn)生的影響。通過空間點陣中不在同一直線上的3個結點的平面。固體內(nèi)一晶粒與另一晶粒相接觸的界面，該界面上的任一點至少構成2個晶向差大于1°的晶格晶面在3個單位長度晶軸上截距倒數(shù)的最小整數(shù)比。注：晶面用“()”表示，如(111);晶面族用“{}”表示，如{111};晶向用“[]”,如[11];晶向族用“(>”表示，如注1:硅片表面的法向矢量在{111)晶面上的投影與最鄰近的<110>晶向在{111}晶面上的投影之間的夾角(見圖1),砷化鎵晶片表面的法向矢量在{100}晶面上的投影與最鄰近的<110>晶向在{100}晶面上的投影之間的夾角(見圖2)。注2:如果偏離方向的角度是由籽晶端確定的，則成品的拋光面是朝向籽晶端的面，反之亦然。由于業(yè)內(nèi)確定偏離定向角度的習慣不一樣，因此有必要建立準確的統(tǒng)一規(guī)定。1——晶片表面法向矢量；2——最近的(110>方向矢量；3——正交晶向偏離；5——主參考面；6——{111}平面；7——晶向偏離的晶片。圖1硅單晶{111}晶向晶片的正交晶向偏離示意圖2-56(100)(1ī(110)As(010)正交晶向偏離7標引序號說明：1——(111)Ga;3——晶片表面法向矢量；4——(110)平面法向矢量；5——晶片表面法向在(100)平面上的投影；6—[110]在(100)平面上的投影；7——(111)Ga。圖2砷化鎵單晶{100}晶向晶片的正交晶向偏離示意圖GB/T14264—20243.90用連續(xù)能譜的X射線投射到固定的單晶體上，滿足布拉格定律的X射線得到的反射，對反射出的X射線進行晶體學分析，以確定晶體宏觀對稱性的X射線衍射方法。3.91注：最常見的多型是根據(jù)拉姆斯代爾的建議命名的，如6H給出了一個周期性疊加序列的層數(shù)(2,3,4,…)和生成的晶體的對稱性(H為六角形，R為菱形),如SiC多型有6H3.92在不同的結晶學方向具有不同的物理特性。3.933.94在不同的結晶學平面呈現(xiàn)出相同腐蝕速率的腐蝕。3.95可能與一個以上的平面相交的極薄且比較長的多重孿晶。3.96晶格失配latticemismatch在由2種晶體材料構成的界面附近，由于2種材料的晶格常數(shù)不完全相同，使晶格連續(xù)性受到破壞3.973.98As面Asfacet注：也稱為(111)As面或B面。3.99界面態(tài)densityofstates;DOS3.100界面態(tài)密度interfacetrapdensity;interfacestatedensityD;GB/T14264—20243.101將雜質(zhì)離子在真空中加速到一定能量后，以高速度穿過晶體表面進入體內(nèi)，經(jīng)過與晶體原子的不斷碰撞而速度減慢，最后在晶體的一定深度處終止的摻雜工藝。3.1022種不同的半導體晶體相接觸所形成的界面區(qū)域。注1:按照2種材料的導電類型不同，又分為同型異質(zhì)結(p-p結或n-n結)和異型異質(zhì)(P-n結或p-N結)。注2:多層異質(zhì)結也稱為異質(zhì)結構。注3:為了方便討論不同帶隙半導體材料接觸形成的異質(zhì)結，規(guī)定了用小寫字母p和n表示窄禁帶半導體材料的導電類型，用大寫字母P和N表示寬禁帶半導體材料的導電類型。3.103采用固態(tài)擴散工藝，將雜質(zhì)引入晶體，使單晶近表面層形成相同或相反導電類型的區(qū)域。3.104擴散長度diffusionlengthLp由外界引起的非平衡少數(shù)載流子從產(chǎn)生到被復合的時間里，從樣品表面向體內(nèi)擴散的平均深度。注：理想的擴散長度僅是樣品體內(nèi)復合的函數(shù)，與表面復合無關。非平衡少數(shù)載流子壽命等于非平衡少數(shù)載流子擴散長度的平方除擴散系數(shù)所得商，而擴散系數(shù)是設定的或由載流子遷移率測量確定的。3.105有效擴散長度effectivediffusionlengthLo由于各種原因造成測試結果偏離理想的擴散長度(Lp)時，實際測試得到的擴散長度。注：例如對很薄的樣品或外延層的測試、樣品的背表面有結存在時的測試、砷化鎵等其他半導體材料的測試以及對硅片潔凈區(qū)寬度的測定等，實際測試值稱為有效擴散長度。3.106晶體缺陷crystaldefect偏離理想晶格點陣中原子的有規(guī)則排列。注1:按照晶格不完整范圍限度的大小，通常分為點缺陷(空位、間隙原子和雜質(zhì))、線缺陷(位錯)和面缺陷(層錯和晶粒間界)。注2:晶體缺陷也分為宏觀缺陷(如雙晶、星形結構、雜質(zhì)析出和夾雜，漩渦缺陷、系屬結構等)或微觀缺陷(如點缺3.107點缺陷pointdefect晶體中一個或幾個晶格常數(shù)范圍內(nèi)的晶體缺陷。3.108微缺陷microdefect晶體中尺寸通常在微米或亞微米數(shù)量級范圍內(nèi)的缺陷。注：微缺陷是無位錯區(qū)熔和直拉硅單晶中常見的一類缺陷。3.109晶體一部分相對另一部分發(fā)生切變位移，在形式上仍保留材料的結晶性的塑性形變過程。在滑移平面與晶面相交處形成的臺階。滑移面slipplane晶體中位錯發(fā)生滑移運動的結晶學平面。位錯腐蝕坑dislocationetchpit位錯密度dislocationdensity單位體積內(nèi)位錯線的總長度。無位錯單晶dislocationfreesinglecrystal;zeroDsinglecrystal位錯密度小于某一規(guī)定值的單晶。腐蝕坑etchpit解理面cleavageplane結晶學上優(yōu)先斷裂的晶面。擇優(yōu)腐蝕preferentialetch沿晶體內(nèi)特定的結晶學晶面呈現(xiàn)出腐蝕速率明顯增大的現(xiàn)象。擇優(yōu)腐蝕坑preferentialetchpits表面腐蝕晶胞surfaceetchedunitecellGB/T14264—20243.122晶體的不可逆轉的形變?nèi)毕荨?.1233.124損傷深度damagedepth;T損傷區(qū)域的最大厚度。3.125晶片經(jīng)過切、磨、拋加工之后，表面殘留下來的沒有完全去除的機械損傷。3.126親水性hydrophilic3.1273.1283.1293.130外延片epitaxialwafer3.131外延層epitaxiallayer3.132從外延層正表面到外延層-襯底界面的距離。3.133凈載流子濃度在規(guī)定范圍內(nèi)的外延層的厚度。GB/T14264—20243.134外延層厚度的0.75處與0.25處的凈載流子濃度的差值除以0.5倍外延層厚度的值。3.135在襯底上生長與襯底材料組分相同的單晶薄層的外延工藝。3.136在襯底上生長與襯底材料組分不同的單晶薄層的外延工藝。3.137側向外延epitaxiallateralover-growth;ELO橫向外延lateralepitaxial3.138從正表面到大于或小于平均凈載流子濃度20%處的外延層深度區(qū)域。3.1393.140生長過程中外延層的組分由GaAs逐漸變?yōu)镚aAs(1-xP、的區(qū)域。3.141距晶片邊緣3.2mm(1/8in)處的表面高度與晶片邊緣處高度之間的差值。3.142緩沖層bufferlayer過渡層transitionlayer3.143埋層襯底上的圖形寬度和外延層表面圖形寬度之差的絕對值與外延層厚度的商。3.144埋層襯底表面圖形中心點和外延層表面對應的圖形中心點之間的橫向距離與外延層厚度的商。3.145去除氧化物后，擴散(埋層)表面與原始基體表面垂直位置的差值。GB/T14264—20243.146鍵合界面bondedinterface2種晶片之間的鍵合面。3.147鍵合硅片bondedSOIwafer鍵合在一起的，中間是典型的熱生長二氧化硅絕緣層的2個硅片。3.148絕緣襯底上的硅silicononinsulator;SOI把頂層單晶硅制備在絕緣層(如SiO?二氧化硅)上的工藝。3.149非SOI邊緣區(qū)non-SOIedgearea表面硅層的標稱半徑和基底硅片標稱半徑之間的環(huán)形區(qū)域。注：非SOI邊緣區(qū)尺寸以寬度確立，即表面硅層標稱半徑和基底硅片標稱半徑之差。3.150由絕緣層分離的硅單晶薄膜。注：絕緣層不局限于二氧化硅，氧化硅片上的多晶或非晶硅薄膜不被認為屬于SOI層。一般稱其為表面硅層或頂層硅薄膜。3.151硅層是由電介質(zhì)材料支撐的多層結構。一種是由比較厚的電介質(zhì)材料直接做襯底的多層結構，另一種是由氧化物和硅組成的多層結構。3.152注氧隔離separationbyimplantationofoxygen;SIMOX將高劑量的氧離子注入到硅單晶中形成隔離層的SOI的制作工藝。3.153注氧隔離層SIMOXlayer硅基SOI材料的絕緣層上氧化注入的一層薄硅。注：也稱頂部硅或表面硅。3.154埋層buriedlayer襯底中被外延覆蓋或打算被外延覆蓋的擴散區(qū)域。3.155埋層氧化物buriedoxide由氧注入形成的氧化物。3.156SOI層和基底硅襯底之間的二氧化硅絕緣層。3.157頂層硅薄膜厚度thicknessoftopsiliconfilm頂層硅薄膜表面與頂層硅薄膜-埋層氧化物界面之間的距離。GB/T14264—20243.158壽命lifetime非平衡載流子從產(chǎn)生到復合存在的平均時間間隔。注1:通常壽命是指少數(shù)載流子壽命或載流子復合壽命。因為實際測得的壽命是體復合和表面復合的綜合結果，所以實際測量的壽命也稱為有效壽命。由于壽命的測量是從脈沖注入結束到衰減信號降至初始信號的1/e時注2:如果從壽命衰減曲線呈現(xiàn)指數(shù)衰減作為壽命測量的起始時間，這時的1/e壽命等于基本模式壽命。注3:如果符合小注入條件，且壽命衰減信號是由非平衡少數(shù)載流子提供的，這時的載流子復合壽命等于少數(shù)載流3.158.1載流子復合壽命carrierrecombinationlifetime在均勻半導體內(nèi)非平衡空穴-電子對由產(chǎn)生到復合存在的平均時間間隔。3.158.2少數(shù)載流子壽命minoritycarrierlifetime均勻半導體內(nèi)非平衡少數(shù)載流子由產(chǎn)生到復合存在的平均時間間隔。3.158.3非平衡載流子復合衰減曲線上滿足指數(shù)衰減部分的時間常數(shù)。注1:基本模式壽命受材料基體和表面性質(zhì)的影響。注2:基本模式壽命開始的起點是由計算機系統(tǒng)確認衰減曲線滿足指數(shù)衰減后計算出的。3.158.4體壽命bulklifetime3.158.5表面壽命surfacelifetime3.158.6直觀壽命filamentlifetime示波器上直觀顯示的從脈沖注入結束到衰減信號降至初始信號的1/e時的持續(xù)時間。注1:由于衰減曲線的初始部分往往不符合指數(shù)衰減，因此從衰減曲線的初始部分確定的直觀壽命不能用來確定少線的指數(shù)部分確定。注2:在直流光電導方法中，直觀壽命的確定是指光導電壓峰值或飽和電壓到光導電壓衰減等于初始電壓的1/e3.158.7注入水平injectionlevelη在非本征半導體晶體或晶片內(nèi)，由光子或其他手段產(chǎn)生的過剩載流子濃度與多數(shù)載流子的平衡濃度之比。GB/T14264—20243.159產(chǎn)生壽命generationlifetime3.160表面電子-空穴對載流子的產(chǎn)生速度。3.161上制作器件，或在其上生長、沉積的同一種或另一種材料的薄膜中制造器件或電路的基底材料。注2:襯底也有用sustentationwafer表示的。3.162正面frontside已經(jīng)或?qū)⒁谄渖现圃彀雽w有源器件的外露表面。3.163背面backside相對于正表面的外露表面。3.164晶片拋光后獲得的如鏡面狀近乎完美的表面。3.165在晶圓片表面通過圓片中心點且不與參考面或圓周上任何基準區(qū)相交的直線長度。3.166圓形晶片的規(guī)定目標直徑。3.167定位基準fiducial晶片上提供結晶軸基準位置的平面或切口。3.168基準面偏差referenceplanedeviation;RPD晶片表面任一指定點，沿垂直于基準面方向與基準面之間的距離。3.169GB/T14264—20243.170晶片的參考面flatonsemiconductorwafer晶片圓周的一部分被割去，稱為弦的面。3.171主取向參考面primaryorientationflat主參考面晶片上長度最長的參考面。3.172副參考面secondaryflat長度比主參考面短，用其相對于主參考面的位置標記晶片的導電類型和晶向的參考面。3.173參考面直徑flatdiameter半導體晶圓片表面上過中點沿著垂直于主參考平面的直徑，由晶圓片主參考面的平面中心到晶圓片對邊圓周的線性尺寸。3.174邊緣輪廓edgeprofile在邊緣倒角的晶片上，其邊緣經(jīng)化學或機械加工整形，是對連結晶片正表面與表面邊界輪廓的描述。3.175邊緣輪廓部分segmentofanedgeprofile晶圓片上邊緣輪廓的確定區(qū)域。3.176邊緣輪廓部分的參數(shù)parameterofanedgeprofilesegment邊緣輪廓部分的長度、角度或半徑等參數(shù)。3.177邊緣輪廓模型modeledgeprofile由橫截面視圖中的直線(頂端和斜面)和圓弧(肩部)組成的晶片邊緣輪廓。3.178重建的邊緣輪廓reconstructededgeprofile用從邊緣輪廓實際測量中獲取的參數(shù)構造的邊緣輪廓模型。3.179邊緣輪廓的基準線referencelineofanedgeprofile位于上表面和下表面之間，表示晶片邊緣橫截面視圖上的中位面的線。注：指橫截面視圖q-z參考坐標系的q軸。3.180穿過晶片外圍圓線，垂直于通過晶圓片外圍的參考線，原點在晶圓片外圍與參考線的交點處，且指向晶圓片正表面的正方向。頂端apex位于晶片正表面和背表面肩部之間且近似垂直于基準線，用于表征晶片邊緣輪廓的區(qū)域。頂角apexangle晶片邊緣輪廓的表征參數(shù)，z軸與前頂端或后頂端的夾角。晶片邊緣輪廓的表征參數(shù)，在邊緣輪廓的前肩和后肩之間沿z軸的距離。注：通常由從基準線到前肩和后肩2個距離組成。使用指定的或預先選擇的邊緣輪廓參數(shù)構造的典型的邊緣輪廓。從晶片表面圓周到邊緣輪廓線末端之間的距離。標稱邊緣去除edgeexclusionnominal;EE從合格質(zhì)量區(qū)邊界到晶片物理周邊的距離。邊緣輪廓測量measurededgeprofile測量系統(tǒng)獲得的，由一系列q、z點組成的晶片邊緣輪廓的橫截面視圖。邊緣參考edge-referenced近邊緣幾何學nearedgegeometry大直徑晶片近邊緣區(qū)域的表面幾何形態(tài)。近邊緣區(qū)域near-edgeregion圓片位于邊緣的內(nèi)邊界(邊緣輪廓的內(nèi)端)和合格質(zhì)量區(qū)(FQA)的外邊界之間，或根據(jù)研究范圍有時向合格質(zhì)量區(qū)延伸一小段距離的圓環(huán)形區(qū)域。大直徑晶片在近邊緣附近的表面偏差。卷曲度edgerolloffamoun;ROA在自由無夾持狀態(tài)下，晶片的近邊緣區(qū)域從基準線到測量點的位移。注1:ROA定義在遠離基準線的方向上為正。注2:晶片近邊緣幾何形態(tài)的評價方法。GB/T14264—20243.189.43.189.53.189.6近邊緣曲率near-edgecurvature;radialdoublederivativeofz(height);ZDD使用晶片高度的陣列數(shù)據(jù)獲得垂直于晶片中位面一系列Z坐標的徑向二階導數(shù)所描述的參數(shù)。3.189.7將晶片近邊緣環(huán)形區(qū)域分割成N個扇形區(qū)域，其若干個扇形區(qū)域中總指示讀數(shù)(TIR)或焦平面偏差(FPD)的最大值。注1:由于選擇的基準面不同，分別用ESFQR、ESFQD或ESBIR分別描述晶片近邊緣的形態(tài)。注2:近邊緣扇形區(qū)域平整度是晶片近邊緣幾何形態(tài)的評價方法之一。3.189.8近邊緣不完整區(qū)域的局部平整度partialwafersiteflatness;PSFQR;PSFQD將晶片分割成N個矩形區(qū)域，其近邊緣若干個不完整局部區(qū)域相對于基準面的總指示讀數(shù)(TIR)或焦平面偏差(FPD)的最大值。注1:由于選擇的基準面不同，分別以PSFQR或PSFQD分別描述晶片近邊緣的形態(tài)。注2:邊緣不完整區(qū)域的局部平整度是晶片近邊緣幾何形態(tài)的評價方法。3.189.9邊緣卷曲確定的基準線referencelineofanedgeroll-offdetermination對不包括卷曲在內(nèi)的理想表面進行擬合后推算得到的直線或立體曲線。3.189.10合格質(zhì)量區(qū)的扇形區(qū)域sectoroftheFQA合格質(zhì)量區(qū)外環(huán)界定徑向長度和角度的區(qū)域部分。3.190邊緣去除后所限定的各參數(shù)值均符合規(guī)定的晶片表面中心區(qū)域。注：合格質(zhì)量區(qū)的邊界是距標稱尺寸的晶片邊緣的所有點。合格質(zhì)量區(qū)的大小與晶片直徑和參考面長度的偏差無3.191通過晶片上一給定點垂直于表面方向穿過晶片的距離。3.192標稱厚度nominalthickness晶片的規(guī)定目標厚度。GB/T14264—2024晶片的中心厚度與標稱值間的最大允許差。總厚度變化totalthicknessvariation;TTV晶片厚度的最大值和最小值間的差。線性厚度變化linearthicknessvariation;LTV晶片的正表面和背表面能用2個非平行平面表示的晶片厚度變化。晶片的宏觀非均勻厚度變化。平行度parallelism晶片沿某一直徑上的最大厚度變化。平整度flatness相對于一規(guī)定的基準面的偏差。與成像系統(tǒng)的光軸垂直且包含成像系統(tǒng)焦點的平面。焦平面偏差focalplanedeviation;FPD晶片表面的一點平行于光軸到焦平面的距離?？偲秸萭lobalflatness;GBIR最大的焦平面偏差maximumfocalplanedeviation焦平面偏差中絕對值最大的值。GB/T14264—20243.198.5在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)以百分數(shù)表示符合規(guī)定要求的面積比。注：百分可用區(qū)域常是指符合要求的局部平整度區(qū)域(包括完整的或全部的)所占的百分數(shù)。3.198.6基準面referenceplane基準平面a)晶片正表面上指定位置的3個點；b)用合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)的所有點對晶片正表面進行最小二乘法擬合；c)用局部區(qū)域內(nèi)的所有點對晶片正表面進行最小二乘法擬合；d)理想的背表面(相當于與晶片接觸的理想平坦的吸盤表面)。注：選擇規(guī)定的基準面可考慮成像系統(tǒng)的能力，根據(jù)晶片放置系統(tǒng)選用正表面或背表面為基準面。如果成像系統(tǒng)中晶片不能用萬向夾具固定，則規(guī)定背表面為基準面。3.198.7在掃描局部平整度計算中順序掃描次局部區(qū)域的方向。3.198.8總指示讀數(shù)totalindicatorreading;TIR總指示器偏移totalindicatorrunout包含了晶片正表面合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)或規(guī)定的局部區(qū)域內(nèi)所有的點，與基準面平行的2個平面之間的最小垂直距離。3.198.9局部平整度siteflatness;STIR;SBIR;SBID;SF3R;SF3D;SFLR;SFLD;SFQR;SFQD3.198.10掃描局部平整度scannersiteflatness一個局部區(qū)域內(nèi)的次局部區(qū)域的TIR或焦平面偏差(FPD)的最大值。注1:一個次局部區(qū)域的總指示讀數(shù)(TIR),是在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)和局部區(qū)域內(nèi)的這個次局部區(qū)域的總指示讀數(shù)(TIR)。一個次局部區(qū)域的最大焦平面偏差(FPD),是在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)和局部區(qū)域內(nèi)這個次局部區(qū)域的最大焦平面偏差(FPD),用SFSR/SFSD表示，基準面的計算用到了合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)的次局部區(qū)域所有的點。注2:精確的掃描局部平整度要求測量點足夠接近，足以詳細地顯示表面形貌。目前，掃描局部平整度使用相鄰點間隔為1mm或更小的數(shù)據(jù)點陣列。3.198.11晶片正表面上平行或垂直于主參考面方向的區(qū)域。3.198.12一組鄰接的局部區(qū)域。3.198.13晶片正表面上與一個特定局部區(qū)域有關，中心在此局部區(qū)域內(nèi)且矩形的某一部分在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)GB/T14264—2024或落在其邊界上的矩形區(qū)域。注1:矩形區(qū)域[Lss(長)×Wss(寬)]。完整局部區(qū)域fullsite整個區(qū)域均位于合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)的局部區(qū)域。不完整局部區(qū)域partialsite與晶片正表面和背表面等距離點的軌跡。自由無夾持晶片中位面中心點與中位面基準面間的偏離。翹曲度warp晶片在處于自由無夾持狀態(tài)時，正表面與使用正表面進行最小二乘法擬合得到的基準面間的最大當晶片處于自由無夾持狀態(tài)時，由在規(guī)定的合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)的總指示讀數(shù)(TIR)范圍或最大的基準偏移(晶圓片上平面的端面區(qū)域)offset(oftheendregionofaflatonawafer)用于定義平面邊界的平面兩端與水平基準線的垂直偏差。用于快速檢測晶片表面合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)表面缺陷的設備。晶片表面上顆?；虬伎拥葘е孪鄬τ谥車A片表面的光散射強度增加的孤立的離散特征。GB/T14264—20243.205.3延伸光散射體extendedlightscattere;XLS在高強度光照射下目視可見，將導致相對于周圍晶片表面的光散射強度增加，在晶片表面或內(nèi)部的大于檢查設備空間分辨率的特征。3.205.4聚苯乙烯乳膠球polystyrenelatexsphere;PLS校準掃描表面檢查系統(tǒng)(SSIS)所用的參考樣片上沉積的單個分散的聚苯乙烯材料乳膠球。3.205.5用一個乳膠球的直徑來表示一個局部光散射體的尺寸單位，該乳膠球與局部光散射體具有相同光散射量。3.205.6乳膠球的標稱尺寸分布nominalspheresizedistribution用于校準SSIS的特定標稱尺寸的聚苯乙烯乳膠球的直徑在懸浮液中的分布狀況。3.205.7用于掃描表面檢查系統(tǒng)校準的沉積物depositionforcalibratinganSSIS在參考晶片表面已知位置上沉積的具有已知尺寸分布及已知數(shù)量的參考球。注：也稱為聚苯乙烯乳膠球(PLS)。3.205.8用于掃描表面檢查系統(tǒng)校準的沉積物的沉積工藝depositionprocessforcalibratinganSSIS將參考球放置在用于校準SSIS的參考晶片上的程序。3.205.9等效尺寸準確度equivalentsizingaccuracy在拋光片上沉積具有特定標稱尺寸的單個分散的聚苯乙烯乳膠球，測量乳膠球直徑尺寸的分布變化系數(shù)與由供應商所提供的乳膠球的標稱尺寸分布的變化系數(shù)之比。3.205.10定位準確度positionalaccuracy由SSIS報告的來自于晶片上的局部光散射體與其在晶片表面上真實位置的偏差。3.205.11掃描表面檢查系統(tǒng)的X-Y不確定度scannerX-YuncertaintyofanSSIS在可重復性條件下確定的由SSIS在檢測中報告的X和Y位置的1o標準差的平方和的平方根。3.205.12SSIS在確定的設置下運行時，其檢測到的局部光散射體的乳膠球當量信號的概率。3.205.13虛假計數(shù)falsecount;FC由設備原因引起的，而不是來自晶片表面或近表面發(fā)生的激光光散射現(xiàn)象。注：也稱為正向虛假計數(shù)或正向誤報計數(shù)。3.205.14在SSIS設置運行時，由系統(tǒng)報告每個晶片上的總虛假計數(shù)的平均值。GB/T14264—20243.205.15由SSIS報告的乳膠球當量直徑尺寸等于或大于局部光散射體尺寸(S;)的虛假計數(shù)在多次(Z次)掃描中的總數(shù)平均值。05.17在掃描儀XY不確定距離內(nèi)的后續(xù)掃描中發(fā)現(xiàn)的，與在早期掃描中發(fā)現(xiàn)的位置相同的局部光散射體。3.205.18討厭的計數(shù)nuisancecount3.205.19靜態(tài)方法staticmethod在1級變化率的條件下進行測試的方法。3.205.20在2級變化率的條件下進行測試的方法。3.205.21動態(tài)范圍dynamicrange3.205.22變化率級別levelvariability準偏差為σ?;每次均需裝載和取出晶片，其對應的標準偏差為σ?;c)3級變化率：在1級和2級變化率規(guī)定的條件下，每天進行n次測量，共進行5d,其對應的標3.205.23△m在3級變化率的條件下，應用測量系統(tǒng)分析(MSA)分別確定2個同一種類測試系統(tǒng)的偏倚差值。GB/T14264—2024注：如果對每個系統(tǒng)給出一個穩(wěn)定、確定的偏倚，并且如果每個系統(tǒng)有可接受的線性，則2個偏倚相減能夠獲得設3.205.243.205.25由表面形貌(微粗糙度)及表面或近表面高濃度的不完整性引起的非定向光散射現(xiàn)象。注：霧是由一群不完整性的存在引起的群體效果；某些情況下霧不能用眼或沒有放大的光學檢測系統(tǒng)很容易的辨別。對于SSIS,霧有時引起本底信號及激光光散射現(xiàn)象，它和來自晶片表面的光散射，兩者共同組成信號。霧是由光學系統(tǒng)收集的、由入射通量歸一化的總散射光通量。也被稱為拋光霧。3.206注：顆粒也稱為微粒(particulate)。3.207潔凈包裝cleanpackage屬及有機物對片盒中晶片的沾污。3.2083.209潔凈區(qū)denudedzone3.210標準機械接口系統(tǒng)standardmechanicalinterface;SMIF自動物料搬運系統(tǒng)的3個組成部分(存儲系統(tǒng)、搬運系統(tǒng)和整體系統(tǒng)控制軟件)中的自動化機械接3.211激光刻字lasermarking利用激光將供方代碼和其他信息刻于晶片某一位置的標記。3.212Rad同一行2個相鄰字符的字符基線之間的垂直距離。3.213晶片表面激光刻字中相鄰字符的字符中心線之間的水平距離。3.214晶片表面激光刻字中將所有字符都包含在內(nèi)的矩形窗口。GB/T14264—20243.215行字符未對準度linespacingmisalignment晶片表面激光刻字中同一行最高和最低字符的基線之間的垂直距離。3.216鍺礦或含鍺的鉛鋅礦經(jīng)過火法或濕法提取富集鍺后，鍺含量一般在1.0%～60.0%的鍺富集物。3.217水解(鍺)hydrolysis(germanium)將高純四氯化鍺置于水解反應釜內(nèi)，加入7等份左右體積的去離子水，控制反應條件經(jīng)水解反應后3.218采用鍺精礦為原料，經(jīng)過鹽酸浸出、氧化蒸餾分離后得到的，其純度一般在95%～99%的初級四氯化鍺產(chǎn)品。3.219粗四氯化鍺經(jīng)提純后得到的高純鍺的氯化物。3.220高純四氯化鍺經(jīng)過水解反應后得到的產(chǎn)物。3.221還原鍺錠reductionofingotgermanium將高純二氧化鍺通過氫氣還原得到的高純金屬鍺錠。3.222區(qū)熔鍺錠germaniumingotmeltedinz以純度為4N～5N的還原鍺錠為原料，通過區(qū)熔提純后得到的在23℃時電阻率不低于47Ω·cm3.223改變晶片或晶棒特性的熱過程。注：根據(jù)需要有不同的退火工藝，如硅單晶和砷化鎵的消除氧施主退火、3.224在惰性氣氛或減壓氣氛下，通過高溫退火致使近表面形成一個潔凈區(qū)(無COP缺陷)的硅片。3.225用于評估熱過程工藝中金屬沾污的晶片。GB/T14264—20243.226黑硅硅片blacksiliconwafer采用金屬輔助刻蝕或反應離子刻蝕等技術，在光伏用硅片表面形成亞微米或納米尺寸的絨面結注：制作方式上分為濕法黑硅(metalcatalyzedchemicaletching;MCCE)和干法黑硅(reactiveionetching;RIE)。3.227通過控制熔化的硅熔體表層溫度梯度，使硅熔體在表層結晶，用模具形成特定厚度的硅多晶薄片3.228假片為了穩(wěn)定氣流和平衡爐管溫度而在爐管中放置的晶片，或者在機臺啟動以及恢復過程中為了暖機注：假片是為區(qū)別于正式正片(primewafer)的命名。3.2293.230再生片為了繼續(xù)利用被重新處理的晶片。3.231參考片referencewafer3.232為測量晶片幾何參數(shù)時利用翻轉的方法進行重力校正的代表性晶片，與被測晶片具有完全相同的3.233經(jīng)過絨面加工處理的光伏用硅片。3.234工業(yè)硅siliconmetal冶金硅metallurgicalsilicon由石英石和炭在電爐內(nèi)冶煉而成，主成分硅元素的含量在98%以上，主要用作硅多晶、冶煉及有機硅生產(chǎn)的原料。3.235致密硅多晶densepolysilicGB/T14264—2024注1:也稱為致密料。3.236菜花狀硅多晶popcornpolysilicon珊瑚狀硅多晶宏觀表面晶粒凹陷程度大于致密硅多晶的硅多晶。3.237從硅多晶棒均勻沉積層上取得的已經(jīng)確定其施主3.238用硅烷流化床法(FBR)生產(chǎn)出來的顆粒狀硅多晶。3.239硅多晶沉積層growthlayerofpolysiliconrod在硅芯上沉積生長的硅。3.240具有納米或亞微米級別孔型結構表面的硅片。3.241用以提供硅多晶沉積的小直徑硅棒。3.242籽晶seedcrystal具有與所生長目標晶體相同晶向的小單晶體。3.243低溫成核層nucleationlayer3.2443.245在含氧氣氛的熱工藝中沉積或生長的氧化物。3.246態(tài)，以降低少數(shù)載流子的表面復合工藝。3.247由界面電荷或表面條件引起的異常情況，其存在阻礙了電容最小值的正確確定，在C-V曲線上表現(xiàn)為最小反轉區(qū)域。3.248光澤度glossiness在規(guī)定的光源和接收器張角的條件下，樣品在鏡面反射方向的反射光光通量與標準陶瓷板樣品在該鏡面反射方向的反射光通量之比。注1:光澤度通常以數(shù)值表示，單位為Gs,也有用百分數(shù)表示的，即以正表面為100%,其背表面為正表面的百分數(shù)表示。多用于雙面拋光片的背表面的光澤度要求。3.249間距更小的表面織構的分量。注：與波紋比較，這些分量被認為是在空間波長(或頻率)限定的范圍內(nèi)，表面結構由彼此更窄間距的組織構成。3.249.1求值長度內(nèi)，相對于中間線表面輪廓高度偏差Z(x)的平均值。3.249.2用隨機變量的四階中心矩除以標準差的四次冪表示統(tǒng)計數(shù)據(jù)信號分布的尖銳程度。3.249.3表面織構主方向lay表面織構起主要作用的方向。注：雖然硅拋光片的織構通常是各向同性的，但用原子力顯微鏡檢驗時，某些外延片表面呈現(xiàn)一種階梯和凸緣圖形。3.249.4微粗糙度microroughness在不規(guī)則物(空間波長)之間的間隔小于100μm時的表面粗糙度分量。3.249.5峰到谷差peaktovalleyR,在一個求值長度(L)內(nèi)，相對于中間線表面輪廓最高點至最低點的高度偏差Z(x)值。3.249.63.249.7在取值長度(L)內(nèi)，相對中間線的表面剖面(輪廓)高度偏差Z(x)的均方根。GB/T14264—20243.249.8均方根斜率rmsslope3.249.9十點粗糙度高度tenpointroughnessheightR?在求值長度內(nèi)，相對中間線，5個最高輪廓峰高度的絕對值和5個最低輪廓谷深度的絕對值的平均值。3.249.10Rsk表面Z(x,y)相對于中心線的形貌偏差的不對稱性的描述。3.249.11真實表面與基準表面的形貌偏差。3.2503.251用于判別波紋度輪廓的不規(guī)則特征的X軸方向上的長度。3.252波紋評定長度wavinessevaluationlengthL用于評定波紋度輪廓的X軸方向上一個或多個取樣長度。3.253波紋度輪廓偏距wavinessprofiledepartureZ(x)波紋度輪廓上的點與波紋度中線之間的距離。3.2543.2553.256在晶片表面大約0.2mm～20mm空間波長范圍內(nèi)的非平面偏差。GB/T14264—2024光伏用(100)晶面的硅片在堿腐蝕過程中，由于在(100)面上腐蝕速度高于(111)面，形成四周為通過擇優(yōu)腐蝕或金屬離子誘導刻蝕的技術，在光伏用硅片表面形成四周為(111)面，底部為尖底的倒金字塔形狀的絨面結構。邊皮edgecrystalsilicon使用閉環(huán)式三氯氫硅氫還原法工藝生產(chǎn)的硅多晶。硅烷法硅多晶silanedecompositionreactionpolysilicon使用硅烷氣體熱分解工藝生產(chǎn)的硅多晶。鈉流法Na-fluxmethod通過添加金屬鈉(Na)作為助溶劑，在較低溫度(600℃~900℃)和壓力(<10MPa)條件下液相生長氮化鎵單晶的方法。在超臨界和高密度的氨以及在其中的礦物劑(金屬鋰和金屬鉀等)中溶解金屬鎵或多晶氮化鎵，再結晶生成單晶的方法。導模法edge-definedfilm-fedgrowth;EFG在浸潤模具虹吸作用下將目標熔體虹吸至生長界面，實現(xiàn)目標熔體按所需形狀結晶的晶體生長方法。注：導模法是藍寶石晶體的生長方法之一。泡生法Kyropoulosmethod;KY注：泡生法是目前藍寶石晶體的主要生長方法。在充惰性氣體的低真空系統(tǒng)中，通過電場的作用使惰性氣體電離產(chǎn)生氣體離子流，去轟擊靶陰極(濺射材料),被濺射出的靶材料原子或分子沉積在襯底表面上形成薄膜的方法。熱交換法heatexchangermethod;HEM體結晶的晶體生長方法。注1:高溫高壓法包括靜壓法和動力法兩大類，通常用于金剛石和立方氮化硼的制備。注2:該方法制備的金剛石經(jīng)切割、研磨和拋光后能作為同質(zhì)外延生長金剛石的襯底。4.104.11碳化硅物理氣相傳輸法SiCphysicalvaportransportgrowth;PVT在2300℃高溫以上，通過SiC原料在高溫下的升華，在SiC籽晶上大面積生長高質(zhì)量的碳化硅晶錠的方法。4.12輝光放電沉積glowdischarged4.13燃燒火焰沉積combustionflame采用氧-乙炔火焰的內(nèi)焰產(chǎn)生的2000K～3550K高溫，使反應氣體發(fā)生化學激發(fā)，沉積金剛石膜4.14注2:在低壓下通過化學氣相沉積能制成金剛石。4.154.16利用金屬有機化合物進行金屬輸運的氣相沉積方法。GB/T14264—2024注：金屬有機物化學氣相沉積是化合物半導體生產(chǎn)普遍的外延制備方法。4.17過飽和，在SiC同質(zhì)籽晶上按照籽晶的原子堆垛順序成核并生長出新的SiC單晶的方法。4.18采用偏晶向4H-SiC襯底，通過控制表面上的原子臺階流動實現(xiàn)4H-SiC晶型控制及外延層生長的方法。4.19液相外延liquidphaseepitaxy;LPE4.204.21利用氫化物作為載體輸運反應物質(zhì)的氣相外延生長方法。4.22層的方法。4.23將金屬有機源氣體和非金屬氫化物等氣體形成的分子束流直接噴向加熱的襯底表面，發(fā)生反應并有序地排列起來形成外延層的生長方法。注：綜合了MBE和MOCVD的優(yōu)點，特別適合生長具有高蒸汽壓的磷化物材料。4.24直拉法verticalpullingmethod沿著垂直方向從熔體中拉制單晶體的方法。4.25磁場直拉法magneticfieldCzoc注：按照磁場相對于單晶拉制方向有橫向磁場法和縱向磁場法等。4.26注：液封覆蓋直拉法主要用于制備具有揮發(fā)性組分的化合物半導體單晶。將晶錠水平放置，在晶錠一端建立較窄熔區(qū)，然后以一定的速度使熔區(qū)水平向晶錠的另一端移將原生硅多晶料熔化，通過控制熔融液體的冷卻方向和速度，使硅晶核從坩堝底部區(qū)域開始成冶金硅與氫氣、四氯化硅在流化床反應器中反應生產(chǎn)三氯氫硅，又稱氫化氯化或冷氫化。注：硅的精餾是利用三氯氫硅與雜質(zhì)組分相對揮發(fā)度的差異在精餾塔中提純?nèi)葰涔?。鍺的精餾是在精餾塔內(nèi)(84～90)℃條件下對四氯化鍺進行多次精餾提純得到高純四氯化鍺的過程。常用的設備包括板式精餾塔和填料精餾塔。注：硅多晶的還原是指在還原爐內(nèi)通過熱分解高純硅烷氣或用氫氣為還原劑還原除去高純?nèi)葰涔柚械穆群蜌洌玫礁呒児瓒嗑У倪^程。鍺的還原是指用氫氣為還原劑在還原爐內(nèi)還原除去高純二氧化鍺中的氧，得到還原鍺金屬的工藝過程。注1:同時完成多個片的切割過程，稱為多線切割。注2:根據(jù)切割線的結構可分為金剛線切割和砂漿線切割。光伏用鑄錠多晶或類單晶被切割成25(5×5),36(6×6),49(7×7),64(8×8)或更多種尺寸GB/T14264—2024背封backseal孔洞cavityhole空位聚集形成的缺陷，晶片中的空隙，或SOI材料中局部沒有鍵合界面或埋層氧化或宏觀上的晶體缺失。注：例如在砷化鎵半導體中通常是由沉淀物和鎵夾雜物溶解、砷離解留下來的或過高蒸汽壓產(chǎn)生的；在碳化硅單晶中獨立于單晶區(qū)域且呈現(xiàn)特征為六邊形，且邊長角度不一定相等的空洞，稱為六方空洞(hexagonalvoid);局部區(qū)域溫度過高和發(fā)熱體熔化所致，在多晶生長橋架截面的下半部分硅熔化流出，產(chǎn)生的孔洞，稱為硅多晶橫斷面上的孔洞(holein/onsiliconpolycrystallinecrosssection)。在由孿晶平面限定的晶體內(nèi)部的區(qū)域。一個晶體內(nèi)2部分取向不同但具有一個共同鏡面的雙晶體結構。注：一個晶體內(nèi)晶格是2部分，在晶向上成鏡像對稱，交叉于一個連貫的平坦界面，也稱為孿晶生長平面或?qū)\晶邊界。位錯dislocationa)刃(型)位錯——位錯線與滑移矢量相互垂直的位錯；b)螺(型)位錯——位錯線與滑移矢量相互平行的位錯；c)混合位錯———位錯線與滑移矢量既不垂直也不平行，而是相交成0角。碳化硅中的穿透位錯也屬于混合位錯。基平面位錯basalplanedislocation;BPDSiC晶體中位錯線垂直于[0001],位錯線的伯格斯矢量垂直于[0001]的位錯。位錯蝕坑的某一邊排列在一條直線上的位錯組態(tài)。位錯團dislocationcluster位錯堆dislocationpileGB/T14264—2024注：位錯團在光致發(fā)光檢測(PL)成像圖中表現(xiàn)為黑色的團狀形貌。注：化學腐蝕后呈現(xiàn)一個腐蝕坑頂對另一個腐蝕坑底系屬結構lineage小角晶界或位錯排的局部密集排列。注1:系屬結構包括位錯坑，晶粒間界及由位錯排造成的小角晶界，在擇優(yōu)腐蝕面上，位錯排會呈現(xiàn)為多列腐蝕坑。注2:在晶體生長以及隨后的熱處理或外延工藝中，系屬結構可能被引入材料，只有在擇優(yōu)腐蝕后，系屬結構才能用肉眼觀測到。晶體內(nèi)部存在的與基體取向不同的小晶體(晶粒)。晶體中存在的異質(zhì)顆粒。碳化硅及金剛石單晶中存在的由碳(C)元素組成的固相原子團簇或小顆粒體。注：碳包裹體目前在碳化硅和金剛石單晶中較為常見；其他材料中也可能存在各種包裹體。芯為中心的年輪狀結構。沉淀物precipitates晶體生長時或其后續(xù)高溫工藝中達到溶解度極限的摻雜劑或雜質(zhì)形成的局部富集物。GB/T14264—2024微管micropipe;MP注2:納米管缺陷目前主要是在生長氮化物單晶或薄膜中出現(xiàn)，但不限于氮化物材料。注1:當晶體原生凹坑與硅片表面相交時，類似局部光散射體。因為在使用SSIS觀察時，在一些情況下它們的作用注2:現(xiàn)代的SSIS一般能夠從顆粒中區(qū)分出晶體原生凹坑。當晶體原生凹坑存在時，表面清洗或亮腐蝕常常會增大其被觀察的尺寸和數(shù)量。GB/T14264—2024色心colorcenter晶體中由點缺陷、點缺陷對或點缺陷群捕獲電子或空穴而構成的一種可導致光吸收的缺陷。橢圓缺陷ellipticdefect由鎵源中的微小鎵液滴噴射到外延層中引起外延層表面的橢圓狀的缺陷。氧化層錯oxidationinducedstackingfault;OISF;OSF氧化誘生堆垛層錯晶片表面存在機械損傷、雜質(zhì)沾污和微缺陷等時，在熱氧化過程中其近表面層長大或轉化的層錯?；瘜W拋光或化學機械拋光后的硅片經(jīng)熱氧化處理和化學腐蝕后，其表面上出現(xiàn)高密度的微缺陷，由于光線的漫反射，在微缺陷密集區(qū)域呈現(xiàn)的宏觀霧狀缺陷。注：氧化霧也稱為霧缺陷或氧化霧缺陷。氧化霧缺陷不屬于硅晶體的原生缺陷。擇優(yōu)腐蝕后肉眼可見、在放大倍數(shù)100倍下顯現(xiàn)不連續(xù)螺旋狀或同心狀的特征缺陷。由于晶體內(nèi)原子(排列)偏離了正常的堆垛次序所致的二維缺陷。硅單晶拋光片表面經(jīng)高溫處理和腐蝕后可以觀察到的環(huán)狀分布的氧化誘生層錯。淺蝕坑shallowetchpit碟狀坑saucerpit單晶晶片經(jīng)化學液腐蝕后，在大于200倍的放大倍數(shù)下觀察呈現(xiàn)為小而淺的沒有特征形態(tài)的腐凹坑dimple在適當?shù)墓庹諚l件下目視可見的，晶片表面的一種具有一個凹面，類似球狀的外形和傾斜的側面的淺凹陷。半導體晶片上的凸起物，帶有一個或多個不規(guī)則顯露的小平面。5.39螺旋spiral月牙洼胡蘿卜缺陷carrotdefect碳化硅外延片上外觀呈現(xiàn)胡蘿卜形狀的表面缺陷。主參考面[1120]方向平行。胡蘿卜缺陷長度(L)趨于相同，并滿足L=d/sinθ關系，其中d為4H-SiC外延層注：上游短坡堤線和下游長巨觀臺階線之間的距離(L)隨著外延層厚度增加而增加，滿足L=d/sinθ關系，其中d注1:三角形缺陷由變形的4H-SiC晶型邊界和含有3C晶型夾層的三角形區(qū)域構成，是外延生長過程中，臺階流動因襯底表面存在外來顆粒物、晶體缺陷或者劃痕而受到干擾所致。注2:三角形缺陷在光致發(fā)光通道呈現(xiàn)三角形形狀，而在表面通道呈現(xiàn)一條或者2條或者3條邊，第三條邊與主參考面幾乎成90°。三角形頭部有時有一明顯的小三角形凹痕，內(nèi)含3C-SiC晶型層，此時為淺三角形缺陷。4H-SiC外延層表面出現(xiàn)的平行于<1100>方向的有多個原子臺階匯聚在一起而形成的線條狀巨觀GB/T14264—2024注：多晶點是外延工藝過程中或由襯底表面的雜質(zhì)顆粒在外延層表面形成的。注：使用內(nèi)圓切割時，其弧狀的半徑與切割刀具的半徑是相同的；而線切割產(chǎn)生的刀痕特點取決于線切割過程。注：使用金剛線切割后常見的切割線痕。注：劃傷一般分為重劃傷(大劃傷)和輕微劃傷(小劃傷),也有人將經(jīng)過輕微腐蝕后仍舊殘留的劃傷定義為重劃傷。在自動檢測技術中，通常定義重劃傷長寬比大于5:1,主要根據(jù)其對晶片表面的損傷程度以及對后續(xù)工序的影響程度而決定。GB/T14264—2024缺口indent樣品外形的正投影圖上所測量的最大徑向深度和圓周弦長確定。在光伏領域中，硅片很小的崩邊也被稱為夾痕chuckmark少子壽命低，在掃描圖中呈現(xiàn)的紅色區(qū)域。AAS:原子吸收光譜(AtomicAbsorptionSpectrum)。AFM:原子力顯微鏡(AtomicForceMicroscope)。ANSI:美國國家標準研學會(AmericanNationalStaASCII:美國信息交換標準代碼(AmericanStandardCodeforInformationInterchange)ASTM:美國材料試驗協(xié)會(AmericanSocietyofTestingMaterials)。BMD:體微缺陷(BulkMicrodefect)。BRDF:雙向反射分布函數(shù)(BidirectionalReflectionDistribuCCW:逆時針方向(CounterClockwiseDirection)。CDF:累積分布函數(shù)(CumulativeDistributionFunctiCW:順時針方向(Clockwisedirection)。DAPCVD:直流電弧等離子噴射化學氣相沉積(DirectCurrentArcPlasmajetChemicalVaporDeposition)。DDS:數(shù)據(jù)設置差異(DateSetDifferencing)。注：參考數(shù)據(jù)設置與樣片數(shù)據(jù)設置的差異。DIN:德國國家標準組織(DeutchesInstitutfüIOC-88:國際通用硅中間隙氧的轉換系數(shù)(1998年)(InternationalOxygenConversionFactor注：2000年JEIDA與日本電子工業(yè)協(xié)會(EIAJ)合并成立JEITA。RDS:參考數(shù)據(jù)設置(ReferenceDataSetting)。漢語拼音索引A氨熱法……………4.4凹坑……………5.37B白點……………5.90百分可用區(qū)域………………3.198.5半導體……………3.1半極性…………3.25半絕緣砷化鎵……3.6胞狀結構………5.24背表面…………3.163背面……………3.163背封……………4.46本征半導體………3.2崩邊……………5.78邊皮……………3.260邊緣白圈………5.65邊緣參考………3.188邊緣卷曲確定的基準線……3.189.9邊緣寬度………3.185邊緣輪廓………3.174邊緣輪廓部分…………………3.175邊緣輪廓部分的參數(shù)…………3.176邊緣輪廓測量…………………3.187邊緣輪廓的基準線……………3.179邊緣輪廓模型…………………3.177邊緣拋光………4.41邊緣凸起………3.141變化率級別………………3.205.22標稱厚度………3.192標稱直徑………3.166標稱邊緣去除…………………3.186標準機械接口系統(tǒng)……………3.210表面波紋度……3.254表面電阻………3.77表面腐蝕晶胞…………………3.121表面缺陷………3.115表面壽命……3.158.5表面織構…………………3.249.11表面織構主方向……………3.249.3波動度…………3.255波紋……………3.250波紋度輪廓偏距………………3.253波紋評定長度…………………3.252波紋取樣長度…………………3.251補償……………3.31補償摻雜………3.71不完整局部區(qū)域…………3.198.15C菜花狀硅多晶…………………3.236參考面直徑……3.173參考片…………3.231殘留機械損傷………………3.125側向外延………3.137測試片…………3.229層錯……………5.34摻雜……………3.60摻雜劑…………3.61摻雜密度………3.62摻雜濃度………3.62摻雜條紋環(huán)……5.21產(chǎn)生壽命………3.159產(chǎn)生速率………3.160沉淀物…………5.19襯底……………3.161重復計數(shù)…………………3.205.17沖刷印…………5.91穿透位錯…………5.6垂直布里奇曼法………………3.53垂直梯度凝固法………………3.52純度……………3.32磁場直拉法……4.25磁場拉晶法……4.25粗糙度…………3.249粗四氯化鍺……3.218D單晶……………3.38擋片……………3.228刀具缺陷………5.66刀痕……………5.68導電類型………3.72導模法……………4.5倒角……………4.37倒金字塔絨面…………………3.259等電子摻雜……3.67等效尺寸準確度……………3.205.9低溫成核層……3.243第三代半導體…………………3.11典型片…………3.232點缺陷…………3.107電導率…………3.73電子(導電)……3.18電阻率…………3.74電阻率條紋……5.21電阻率允許偏差………………3.75掉落顆粒物缺陷………………5.57碟狀坑…………5.36釘………………5.62頂層硅薄膜厚度………………3.157頂端……………3.181頂端長度………3.183頂角……………3.182定位基準………3.167定位準確度………………3.205.10動態(tài)范圍…………………3.205.21動態(tài)方法…………………3.205.20堆垛層錯………5.34鈍化……………3.246多晶……………3.39多晶點…………5.63多孔硅…………3.240多數(shù)載流子……3.45多型……………3.91E二維電子氣……3.20二維空穴氣……3.21F方塊電阻………3.77非SOI邊緣區(qū)…………………3.149非本征…………3.59非對稱性(分布不均)……3.249.10非極性…………3.24非晶……………3.40非線性厚度變化………………3.196分凝……………3.56分凝系數(shù)………3.57分子束外延……4.22峰到谷差……3.249.5峰-谷差………3.202俘獲率……3.205.12腐蝕……………3.116腐蝕坑…………3.117復合中心………3.29副參考面………3.172G改良西門子法硅多晶……………4.1高純二氧化鍺…………………3.220高純四氯化鍺…………………3.219高溫高壓法………4.9各向同性腐蝕…………………3.94各向異性………3.92各向異性腐蝕…………………3.93工業(yè)硅…………3.234共摻雜…………3.64管道……………5.13硅多晶沉積層…………………3.239硅多晶控制棒…………………3.237硅多晶吸除……4.45硅退火片………3.224硅烷法硅多晶……4.2硅芯……………3.241硅芯夾層………5.16過渡層…………3.142光澤度…………3.248H行字符未對準度………………3.215耗盡層…………3.27合格質(zhì)量區(qū)……3.190合格質(zhì)量區(qū)的扇形區(qū)域…3.189.10黑邊……………5.88黑硅硅片………3.226黑角……………5.86黑心……………5.87痕跡……………5.81橫向外延………3.137紅區(qū)……………5.94紅外散射缺陷…………………5.28厚度……………3.191厚度允許偏差…………………3.193胡蘿卜缺陷……5.51滑移……………3.109滑移面…………3.111滑移線…………3.110劃痕……………5.70化合物半導體……3.4化學-機械拋光…………………4.40化學氣相沉積…………………4.14化學束外延……4.23劃傷……………5.70還原……………4.34還原鍺錠………3.221環(huán)狀氧化誘生層錯……………5.35緩沖層…………3.142輝光放電沉積…………………4.12回收片…………3.230彗星缺陷………5.55霍爾遷移率……3.37霍爾系數(shù)………3.36霍爾效應………3.35火山口…………5.41J基本模式壽命………………3.158.3基平面位錯………5.5基準面………3.198.6基準平面……3.198.6基準面偏差……3.168激光光散射現(xiàn)象……………3.205.1激光刻字………3.211激子……………3.22極化效應………3.26極性……………3.23技術代…………3.12夾層……………3.95夾痕……………5.81夾雜……………5.15假片……………3.228間接帶隙半導體………………3.48監(jiān)控片…………3.229漸變區(qū)…………3.140濺射法……………4.7鍵合硅片………3.147鍵合界面………3.146焦平面………3.198.1焦平面偏差…………………3.198.2階梯……………5.60潔凈包裝………3.207潔凈區(qū)…………3.209結晶學表示法…………………3.86解理面…………3.118界面態(tài)…………3.99界面態(tài)密度……3.100金剛石……………3.9金剛石結構……3.13金屬硅…………3.234金屬有機物化學氣相沉積……4.16近邊緣不完整區(qū)域的局部平整度…………3.189.8近邊緣幾何學…………………3.189近邊緣區(qū)域…………………3.189.1近邊緣曲率…………………3.189.6近邊緣扇形區(qū)域平整度……3.189.7晶胞……………3.82晶格失配……