Part1Part2Part3目錄1.制程簡介2.制程圖示3.各制程優(yōu)缺點

1.1：PG制程1.制程簡介

PG制程是一種先進的GPP芯片制造工藝，對PN結(jié)采用三層鈍化保護（SIPOS/玻璃/LTO)。工藝過程是先在PN結(jié)表面沉積一層SIPOS,再通過光刻法上玻璃（光阻劑和玻璃粉的混合物，稱為PhotoGlass），采用光刻的原理，先通過勻膠機自然旋轉(zhuǎn)的方法在晶片表面均勻覆蓋一層光阻玻璃（PhotoGlass)，然后通過烘烤、曝光、顯影去掉切割道及焊接面上的玻璃，只在PN結(jié)的表面留下需要鈍化保護的光阻玻璃，最后通過低溫玻璃的燒結(jié)的工藝將光阻玻璃中的光阻劑去掉，最后在高溫下將粉狀玻璃燒結(jié)成致密的固態(tài)玻璃體，最后再在玻璃沉積一層LTO，從而起到非常致密地鈍化保護PN結(jié)的作用。1.2：刀刮制程1.制程簡介

刀刮制程是一種比較傳統(tǒng)的較為簡單的GPP芯片工藝，只有一層玻璃鈍化保護，即采用手工的方法用刀片將玻璃漿亂涂在晶片表面，再經(jīng)過低溫?zé)Y(jié)將玻璃漿中的有機成份去掉，然后用手工擦拭的方法除掉焊接面的玻璃粉，留下溝槽中的玻璃粉，最后再經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)，將粉狀的玻璃燒結(jié)成固態(tài)玻璃體，從而起到鈍化保護PN結(jié)的作用。1：一次黃光/蝕刻后圖示2.制程圖示制程PG刀刮

圖示

說明單面曝光，單面蝕刻雙面曝光，N面會預(yù)先蝕刻為后續(xù)背切割做準(zhǔn)備2：二次黃光后圖示2.制程圖示制程PG刀刮

圖示

說明1：晶粒臺面有玻璃保護；2：溝槽中的玻璃被去除便于后續(xù)切割；3：鈍化用的光阻玻璃是光阻劑與玻璃粉的混合物；1：晶粒臺面無玻璃保護；2：溝槽中填滿玻璃，背切割裂片時會對玻璃造成損傷；3：鈍化用的玻璃漿是乙基纖維素、乙基卡比醇與玻璃粉的混合物；3：切割后晶粒圖示2.制程圖示制程PG刀刮

圖示

說明P面沿溝槽切割，不會對鈍化玻璃造成損傷；背面（N面）切割后裂片，會對玻璃有損傷；3.各制程優(yōu)缺點制程PG刀刮優(yōu)點1:采用3層鈍化保護，高信賴性；2.臺面及玻璃有氧化膜保護，可以阻止焊錫流淌到玻璃；3.玻璃包覆臺面可以完好的保護PN結(jié)尖角的地方（尖角是電場最集中的，也通常是應(yīng)用失效），提高可靠性能；1.生產(chǎn)工藝簡單，成本低；2:因晶粒臺面無玻璃，焊接時引線的設(shè)計比較簡單適用；

缺點1：臺面有玻璃，其高度Max:30um，其焊接面積也會比DB制程小2mil左右，客戶需要調(diào)整引線釘頭的高度和釘頭的尺寸；1.焊接時因玻璃及臺面無氧化膜保護，焊錫容易流淌到玻璃上形成錫橋，造成HI-REL及應(yīng)用失效比例上升；2.DB制程晶粒玻璃不包覆臺面，故PN結(jié)尖角處保護就存在缺陷，容易造成銅硅擴散，應(yīng)用失效；4.PG產(chǎn)品與DB產(chǎn)品的實際表現(xiàn)我司普通整流PG制程產(chǎn)品均采用SIPOS（Semi-insulatingpolycrystalline-silicon)為一種半絕緣的氧化膜，所以其會增加芯片的常溫（0.1uA左右）及高溫漏電。但是SIPOS本身的漏電流有限，所以到達一定的溫度后，SIPOS自身的漏電流不再增加，可以保證材料在高溫條件下穩(wěn)定性。一般在150℃條件下，仍為uA級別（50mil芯片約為50uA）。DB的芯片如不采用SIPOS,其PN結(jié)表面鈍化直接為玻璃，玻璃為絕緣材料，所以其漏電可以做到很?。ǔ兀?.01uA），150℃條件下，正常材料IR為10uA左右；

分別計算PG和DB制程芯片在150℃高溫條件下的功耗：PG:P=400V*50uA=0.02WDB:P=400V*10uA=0.004W；此功耗其對材料結(jié)溫的影響非常小4.PG產(chǎn)品與DB產(chǎn)品的實際表現(xiàn)統(tǒng)計以往，DB和PG制程產(chǎn)品的內(nèi)部HTRB評估結(jié)果制程DieSize實驗批數(shù)每批實驗數(shù)量不合格批數(shù)DB46mil*46mil97Lots22pcs450mil*50mil26Lots22pcs1PG46mil*46mil156Lots22pcs050mil*50mil231Lots22pcs0備注：如果實驗后材料電性不符合產(chǎn)品規(guī)格即為不合格（一般為材料電壓衰降或者Short）從以上對