2024電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法第3部分：電源芯片_第1頁(yè)
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附錄A（資料性）電源芯片特征參數(shù)測(cè)量方 附錄B（資料性）試驗(yàn)報(bào) 23GB/T9178-1988集成電路術(shù)語(yǔ)GB/T4365-2003GB/T4937.23-202323GB/T17626.4-2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.5-2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.18-2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)GB/T42968.1-20231GB/T43034.3-20233T/CECXXXX.1-20XX1GB/T17626.4-2018、GB/T17626.5-2019、GB/T17626.18-2016T/CECXXXX.1-20XXPowerIntegratedLineLoadPowerSupplyRejectionRatioPowerDUT被測(cè)設(shè)備（DeviceUnderTest）VCC電路供電電壓（VoltCurrentCondenser）GND接地端（Ground）VIN電壓輸入（VoltageInput）VOUT電壓輸出（VoltageOutput） 12V、5V、3.3VDUTDUT——DUT——DUT——DUT——DUT——DUTDUTDUTT/CECXXXX.1-20XX10B。附錄A.1RV11090%所需的時(shí)間。LineRegulation=VV0V2，負(fù)載調(diào)整率為：LoadRegulation=V1V22Vripple(out）。待測(cè)

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