集成電路工藝與制造生產(chǎn)虛實(shí)聯(lián)動實(shí)訓(xùn)系統(tǒng)需求說明1技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)與要求序號品目名稱標(biāo)的名稱單位數(shù)量1教學(xué)儀器多功能實(shí)驗基礎(chǔ)平臺臺10.002教學(xué)儀器實(shí)驗用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀臺10.003教學(xué)儀器集成電路基礎(chǔ)教師機(jī)系統(tǒng)套1.004教學(xué)儀器基礎(chǔ)數(shù)據(jù)通信板卡個10.005教學(xué)儀器源測試單元（SMU）板卡個20.006教學(xué)儀器半導(dǎo)體工藝仿真板卡個10.007教學(xué)儀器制備線實(shí)景操作板卡個10.008教學(xué)儀器VR高性能運(yùn)算模塊個10.009教學(xué)儀器VR頭戴式設(shè)備套裝及高性能模塊個10.001.1多功能實(shí)驗基礎(chǔ)平臺序號具體技術(shù)(參數(shù))要求11.平臺是實(shí)驗主控平臺，主要完成各類實(shí)驗的設(shè)計，同時也是所有實(shí)驗功能硬件板卡的承載基臺。2.平臺尺寸不小于長355mmx寬360mmx高148mm。3.平臺包含至少60種功能按鍵，其中：至少包括如下主功能按鍵16種：LayoutDesign,ProcessSimu,ProcessDevice,DeviceTesting,DeviceModel,CircuitTesting,AI,AnalogDesign,DigitalDesign,ProcessDesign,ProcessVR,PackageVR,TestingVR,EquipVR,ProcessTeach,DeviceTeach；至少包括如下工藝功能按鍵8種：Oxide，DepositPVDCVD，LithoEUV，EtchCMPRIE，Implant，AnnealRTA，Diffuse，EpitaxyVPEMBE；至少包括如下器件功能按鍵12種：Diode，BJTNPNPNP，MOSFETNMOSPMOS，JFET，MESFET，MODFETHEMT，SOI，F(xiàn)INFET，TFT，Resistor，CAP，Inductor；至少包括如下電路功能按鍵15種：AdderCircuit，NAND/NOR/XOR，F(xiàn)ilterCircuit，Memory，RegisterCircuit，ControlCircuit，Inverter，F(xiàn)eedbackCircuit，SingleStageAmplifier，CurrentSource，VoltageSource，ComplexVoltageSource，IdealAmplifier，OPAmplifier，CascadeAmplifier；至少包括如下人工智能功能按鍵8種：GaussianProcess，DeepLearning，KNN，SVM，NeuralNetwork，RandomForest，PolyFit，DiffEvolution。4.平臺可容納不少于14通道的實(shí)驗功能硬件板卡承載要求，并且，每個通道的接口要求均需符合PCIex16標(biāo)準(zhǔn)。5.平臺設(shè)計區(qū)窗口需為可觸控液晶屏，可觸控區(qū)域不小于長153mmx寬87mm。6.平臺需配備電源線。1.2實(shí)驗用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀序號具體技術(shù)(參數(shù))要求1實(shí)驗用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀1.參數(shù)分析儀是實(shí)驗測量平臺，實(shí)驗結(jié)果展示平臺，同時也是各測試硬件板卡的承載基臺，以及實(shí)驗軟件的承載基臺。2.參數(shù)分析儀尺寸不小于長428mmx寬477mmx高223mm。3.參數(shù)分析儀可容納至少7通道測試板卡的承載要求，可承載的測試板卡種類需包括：源測試單元（SMU）板卡和LCR測試單元板卡。4.參數(shù)分析儀需包含機(jī)箱溫度監(jiān)測模塊，可以實(shí)時監(jiān)測機(jī)箱溫度，并且根據(jù)機(jī)箱溫度動態(tài)調(diào)節(jié)散熱情況。5.參數(shù)分析儀顯示區(qū)需為可觸控液晶屏，可觸控區(qū)域不小于長294mmx寬167mm。6.參數(shù)分析儀前面板需包含至少兩路USB接口和1個電源開關(guān)。7.參數(shù)分析儀后部需至少包含如下接口：1路電源接口，6路預(yù)留COM口，2路網(wǎng)口，還需包含VGA、HDMI等常用輸出端口。8.參數(shù)分析儀內(nèi)部需預(yù)置半導(dǎo)體參數(shù)分析儀配套功能軟件，該軟件需至少具有如下功能：器件測試設(shè)置，電路測試設(shè)置，器件建模配置，器件連接設(shè)置，電路連接設(shè)置，工藝與聯(lián)動配置，數(shù)據(jù)輸入，器件教學(xué)，工藝教學(xué)，工藝仿真，器件測試，電路測試，訓(xùn)練，預(yù)測，優(yōu)化，版圖設(shè)計，工藝實(shí)訓(xùn)（VR版），工藝實(shí)訓(xùn)（PC版），測試實(shí)訓(xùn)（VR版），測試實(shí)訓(xùn)（PC版），封裝實(shí)訓(xùn)（VR版），封裝實(shí)訓(xùn)（PC版），設(shè)備實(shí)訓(xùn)（VR版），設(shè)備實(shí)訓(xùn)（PC版），至少11種分析功能，至少3種輸出功能和至少3種資源功能，需配備數(shù)據(jù)區(qū)、圖像區(qū)、圖像調(diào)節(jié)區(qū)、參數(shù)選擇區(qū)等多個測試結(jié)果顯示和調(diào)節(jié)方式。并需顯示如下課程的實(shí)驗指導(dǎo)書等教學(xué)材料，包括：器件實(shí)驗、工藝實(shí)驗、版圖設(shè)計、模擬設(shè)計、數(shù)字設(shè)計、電路測試、器件建模、人工智能、工藝設(shè)計、制備聯(lián)動、器件教學(xué)、工藝教學(xué)、測試實(shí)操、制備實(shí)操、封裝實(shí)操、設(shè)備實(shí)操。9.除主機(jī)箱外，半導(dǎo)體參數(shù)分析儀還需包含電源線，數(shù)據(jù)線，視頻線，鍵盤和鼠標(biāo)等配套設(shè)施。10.包含數(shù)字集成電路設(shè)計實(shí)驗課程的資源設(shè)施，至少包括如下資源：1計數(shù)器、2加法器、3數(shù)據(jù)比較器、4數(shù)據(jù)選擇器、5觸發(fā)器、6移位寄存器、7加法器樹乘法器、8兩級流水線加法器樹乘法器、9Wallace樹乘法器、10復(fù)數(shù)乘法器、11查找表方式實(shí)現(xiàn)Log函數(shù)、12泰勒級數(shù)展開方式實(shí)現(xiàn)Log函數(shù)、13ROM存儲器、14單端口RAM存儲器、15雙端口RAM存儲器、16濾波器、17FIFO數(shù)據(jù)緩存器、18UART接口控制器、19SPI接口控制器、20鍵盤掃描和編碼器和21CORDIC算法設(shè)計。11.包含數(shù)字集成電路設(shè)計課程的學(xué)生用實(shí)驗指導(dǎo)書，實(shí)驗指導(dǎo)書不少于130頁，內(nèi)容至少包括：實(shí)驗1熟悉數(shù)字集成電路設(shè)計流程和軟件操作指導(dǎo)書，實(shí)驗2編寫功能模塊的硬件描述語言實(shí)驗指導(dǎo)書，實(shí)驗3編寫Testbench與功能驗證實(shí)驗指導(dǎo)書，實(shí)驗4邏輯綜合實(shí)驗指導(dǎo)書，實(shí)驗5靜態(tài)時序分析與形式驗證實(shí)驗指導(dǎo)書，實(shí)驗6乘法器設(shè)計實(shí)驗指導(dǎo)書，實(shí)驗7Log函數(shù)設(shè)計實(shí)驗指導(dǎo)書，實(shí)驗8存儲器設(shè)計實(shí)驗指導(dǎo)書，實(shí)驗9濾波器設(shè)計實(shí)驗指導(dǎo)書，實(shí)驗10FIFO數(shù)據(jù)緩存器設(shè)計實(shí)驗指導(dǎo)書，實(shí)驗11總線控制器設(shè)計實(shí)驗指導(dǎo)書，實(shí)驗12鍵盤掃描和編碼器設(shè)計實(shí)驗指導(dǎo)書，實(shí)驗13CORDIC算法設(shè)計實(shí)驗指導(dǎo)書。12.包含數(shù)字集成電路設(shè)計課程的教師用教輔材料，教輔材料不少于88頁，內(nèi)容至少包括：實(shí)驗1熟悉數(shù)字集成電路設(shè)計流程和軟件操作教輔材料，實(shí)驗2編寫功能模塊的硬件描述語言實(shí)驗教輔材料，實(shí)驗3編寫Testbench與功能驗證實(shí)驗教輔材料，實(shí)驗4邏輯綜合實(shí)驗教輔材料，實(shí)驗5靜態(tài)時序分析與形式驗證實(shí)驗教輔材料，實(shí)驗6乘法器設(shè)計實(shí)驗教輔材料，實(shí)驗7Log函數(shù)設(shè)計實(shí)驗教輔材料，實(shí)驗8存儲器設(shè)計實(shí)驗教輔材料，實(shí)驗9濾波器設(shè)計實(shí)驗教輔材料，實(shí)驗10FIFO數(shù)據(jù)緩存器設(shè)計實(shí)驗教輔材料，實(shí)驗11總線控制器設(shè)計實(shí)驗教輔材料，實(shí)驗12鍵盤掃描和編碼器設(shè)計實(shí)驗教輔材料，實(shí)驗13CORDIC算法設(shè)計實(shí)驗教輔材料。13.包含數(shù)字集成電路設(shè)計課程的理論教學(xué)視頻，視頻總時長不少于1小時35分，內(nèi)容至少包括：課程1：集成電路設(shè)計概述、課程2：數(shù)字集成電路設(shè)計流程和課程3：Linux基礎(chǔ)。1.3集成電路基礎(chǔ)教師機(jī)系統(tǒng)序號具體技術(shù)(參數(shù))要求1集成電路基礎(chǔ)教師機(jī)系統(tǒng)1.集成電路基礎(chǔ)教師機(jī)系統(tǒng)需包含主機(jī)和USB電源線，主要用于集成電路工藝基礎(chǔ)教學(xué)。2.主機(jī)需包含Power，Communication，Button和Screen指示燈；需包含Process，Layout，Teach和Test功能選擇按鈕；需至少包含如下8個單步工藝選擇按鈕：Oxidation，Deposit，Lithography，Etch，Implant，Anneal，Diffuse，Epitaxy；需至少包含如下12個器件成套工藝選擇按鈕：MOSFET，SOI，Diode，BJT，F(xiàn)inFET，Resistor，Varactor，LDMOS，JFET，GaAs，Custom，VR-Process；需包含一塊可觸控液晶屏輸入顯示區(qū)；需至少包含5個器件管腳BNC接口，10個接口指示燈。3.需能模擬真實(shí)器件制造工藝，學(xué)習(xí)工藝參數(shù)對器件的影響，支持器件剖面結(jié)構(gòu)及其組成材料的縮放；支持摻雜、電勢等參數(shù)的色階圖顯示；支持器件結(jié)構(gòu)中各個材料的網(wǎng)格顯示；支持器件中的摻雜、電勢等參數(shù)的提取和保存；支持完整器件的成套工藝和完整工序步驟。4.需包含集成電路工藝實(shí)驗課程的實(shí)驗指導(dǎo)書和實(shí)驗答案，至少包括：（1）：干氧氧化工藝實(shí)驗；（2）：濕氧氧化工藝實(shí)驗；（3）：離子注入的深度與能量關(guān)系實(shí)驗；（4）：離子注入的劑量與摻雜濃度關(guān)系實(shí)驗；（5）：離子注入的角度影響實(shí)驗；（6）：擴(kuò)散工藝時間對摻雜濃度的影響實(shí)驗；（7）：擴(kuò)散工藝溫度對摻雜濃度的影響實(shí)驗；（8）：二極管制造實(shí)驗；（9）：集成電路電阻制造實(shí)驗；（10）：MOSFET制造實(shí)驗；（11）：變?nèi)莨苤圃鞂?shí)驗；（12）：SOI制造實(shí)驗；（13）：FinFET制造實(shí)驗；（14）：三極管制造實(shí)驗；（15）：LDMOS制造實(shí)驗；（16）：JFET制造實(shí)驗；（17）：GaAs制造實(shí)驗1.4基礎(chǔ)數(shù)據(jù)通信板卡序號具體技術(shù)(參數(shù))要求1基礎(chǔ)數(shù)據(jù)通信板卡1.基礎(chǔ)數(shù)據(jù)通信板卡用于完成多功能實(shí)驗基礎(chǔ)平臺和實(shí)驗用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀間的信號傳輸和數(shù)據(jù)通訊。2.板卡尺寸不小于190mmx97mm（長×寬）。3.板卡的接口需滿足PCIex16設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。4.為了滿足運(yùn)算IO、算力和性能要求，板卡主控芯片的管腳數(shù)至少為240個。5.板卡輸出接口需為VGA15Pin標(biāo)準(zhǔn)接口，該接口與源測試單元（SMU）板卡的PACtrl的端口需能相連通，完成數(shù)據(jù)通訊和傳輸功能，同時，還需支持與遠(yuǎn)程前置放大器的Communication端口相連通，完成高精度測試對應(yīng)的數(shù)據(jù)通訊和傳輸功能。6.板卡還需配備至少1條數(shù)據(jù)線。1.5源測試單元（SMU）板卡序號具體技術(shù)(參數(shù))要求1源測試單元（SMU）板卡1.源測試單元（SMU）板卡用于完成標(biāo)準(zhǔn)源測試單元（SourceMeasureUnit）的測量功能。2.板卡尺寸不小于190mmx97mm（長×寬）。3.板卡的接口需滿足PCIex4設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。4.板卡輸出接口需為標(biāo)準(zhǔn)3路射頻輸出口和1路遠(yuǎn)程前置放大器放大接口，配合半導(dǎo)體參數(shù)分析儀配套功能軟件使用，需能夠完成1通道SMU的測試功能，包括1路Force端（供電端），1路Low端（GND端）和1路Sense端（測試端）。5.配合半導(dǎo)體參數(shù)分析儀配套功能軟件使用，板卡的電流測試精度需至少為1nA(1e-9A)，需能夠支持配合遠(yuǎn)程前置放大器使用，提高電流測量精度至少到0.1fA(1e-16A)。1.6半導(dǎo)體工藝仿真板卡序號具體技術(shù)(參數(shù))要求1半導(dǎo)體工藝仿真板卡1.半導(dǎo)體工藝仿真板卡主要完成工藝仿真工作，是微電子工藝實(shí)驗課程的基本硬件組成部分。2.板卡尺寸不小于190mmx97mm（長×寬），接口需滿足PCIeX16設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。輸出接口至少為7路SMA接口，作為工藝仿真器的輸出端口，用于與源測試單元（SMU）板卡相連，完成工藝仿真運(yùn)算和結(jié)果調(diào)用功能。3.板卡內(nèi)嵌半導(dǎo)體工藝仿真器，需支持如下各項指標(biāo)的仿真，并輸出對應(yīng)結(jié)果：可以進(jìn)行氧化、光刻、刻蝕、淀積、離子注入、擴(kuò)散、退火和外延8種類型工藝的仿真。仿真器需支持X軸、Y軸工藝網(wǎng)格劃分（不少于8個點(diǎn)位），網(wǎng)格點(diǎn)需要能夠上萬，工藝呈現(xiàn)稠密度調(diào)整（至少10種不同稠密度可供調(diào)整），至少2種襯底材料（如硅）可供選擇，至少12種襯底初始摻雜雜質(zhì)（如硼）可供選擇，任意設(shè)置襯底初始摻雜濃度和至少3種襯底晶相可供選擇。仿真器至少支持2種氧化條件，至少2種氧化參數(shù)（如氧化時間）的設(shè)置和選擇；至少12種離子注入類型（如砷），至少3種離子注入?yún)?shù)（如注入計量）的設(shè)置和選擇；至少支持兩種退火模式，至少支持2種退火參數(shù)的設(shè)置和選擇；至少支持8種刻蝕材料，至少支持1種刻蝕參數(shù)設(shè)置和選擇；至少支持6種沉積材料，至少支持3種沉積參數(shù)設(shè)置和選擇；至少支持12種擴(kuò)散雜質(zhì)，3種擴(kuò)散參數(shù)設(shè)置和選擇；至少支持2種外延材料，12種外延雜質(zhì)，2種外延參數(shù)的設(shè)置和選擇；至少支持8種光刻材料，8個光刻位置的設(shè)置和選擇。輸出常用器件的電勢、摻雜濃度仿真二維界面圖。4.板卡內(nèi)嵌微電子工藝實(shí)驗課程的學(xué)生用實(shí)驗指導(dǎo)書和教師用教輔材料，需包含視頻和文字材料，實(shí)驗指導(dǎo)書不少于145頁，教輔材料不少于130頁。教材內(nèi)容至少包括：實(shí)驗1工藝仿真實(shí)驗基礎(chǔ)及襯底特性分析實(shí)驗、實(shí)驗2氧化工藝分析與應(yīng)用實(shí)驗、實(shí)驗3離子注入工藝分析與應(yīng)用實(shí)驗、實(shí)驗4擴(kuò)散和退火工藝分析與應(yīng)用實(shí)驗、實(shí)驗5沉積、外延、光刻、刻蝕與典型前后道工序?qū)嶒灐?shí)驗6電阻和二極管成套工藝分析實(shí)驗、實(shí)驗7JFET和MESFET成套工藝分析實(shí)驗、實(shí)驗8雙極型晶體管成套工藝分析實(shí)驗、實(shí)驗9MOSFET成套工藝分析實(shí)驗。5.板卡內(nèi)嵌微電子工藝實(shí)驗過程講解視頻，視頻總時長不小于4小時30分鐘。1.7制備線實(shí)景操作板卡序號具體技術(shù)(參數(shù))要求1制備線實(shí)景操作板卡1.制備線實(shí)景操作板卡主要用于制備線實(shí)景操作VR軟件的硬件載體和必要的數(shù)據(jù)輸入輸出交互硬件平臺，是生產(chǎn)實(shí)習(xí)：芯片工藝制造生產(chǎn)實(shí)習(xí)的基本硬件組成部分。2.板卡尺寸不小于190mmx97mm（長×寬），接口需滿足PCIeX16設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。輸出接口需為1路VGA15Pin接口，該接口需要能與源測試單元（SMU）板卡的PACtrl的端口相連通，主要用于VR軟件的數(shù)據(jù)交互。3.板卡需內(nèi)嵌制備線實(shí)景操作VR軟件，通過VR還原真實(shí)集成電路制備場景和操作方法。內(nèi)部場景布置需與當(dāng)前工業(yè)界工藝廠（Foundry）主流場景布置類似（非高校超凈間布置方式），內(nèi)部包含至少19種虛擬設(shè)備，并且必須包括EUV光刻機(jī)、氧化爐、退火爐、低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備、介質(zhì)刻蝕機(jī)、硅刻蝕機(jī)、化合物刻蝕機(jī)、金屬刻蝕機(jī)、光刻膠刻蝕機(jī)、DUV光刻機(jī)、物理氣相淀積設(shè)備，原子層沉積設(shè)備、硅外延設(shè)備、離子注入機(jī)、擴(kuò)散爐、金屬氧化物氣相沉積設(shè)備、槽式清洗機(jī)、單片清洗機(jī)、激光退火設(shè)備，每個設(shè)備均需為當(dāng)前產(chǎn)線使用的常見設(shè)備（非高校超凈間設(shè)備），每個設(shè)備需提供可供用戶交互設(shè)備交互方法，總計交互步驟不少于100步。制備線需包含天車系統(tǒng)及自適應(yīng)的天車算法，并且需要與Foundry主流天車系統(tǒng)和算法類似。系統(tǒng)需要能夠完成至少十種器件，且必須包含二極管、集成電路電阻、MOSFET、變?nèi)莨堋OI、FinFET、三極管、LDMOS、JFET、GaAs的完整設(shè)備參數(shù)設(shè)置的流程和生產(chǎn)實(shí)習(xí)流程，總計設(shè)置步驟不少于200步，設(shè)置完成后，需要以天車系統(tǒng)為核心的運(yùn)轉(zhuǎn)方式完成晶圓的全部制備過程，用戶可以在這一過程中觀察任意設(shè)備情況并且能夠查看器件在每一步的制造數(shù)值結(jié)果和二維微觀結(jié)構(gòu)圖。4.板卡內(nèi)嵌的制備線實(shí)景操作VR軟件需能記錄學(xué)生操作，并給學(xué)生打分，完成實(shí)訓(xùn)過程考核，同時，軟件需留有可供第三方控制系統(tǒng)進(jìn)行自動控制的接口，以便在嵌入第三方系統(tǒng)后，實(shí)現(xiàn)實(shí)訓(xùn)課程的智能跟蹤與管控，獲取和統(tǒng)計學(xué)生實(shí)時實(shí)訓(xùn)情況和過往實(shí)訓(xùn)進(jìn)度。5.板卡內(nèi)嵌生產(chǎn)實(shí)習(xí)：芯片工藝制造生產(chǎn)實(shí)習(xí)的學(xué)生用實(shí)驗指導(dǎo)書和教師用教輔材料，需包含視頻和文字材料，實(shí)驗指導(dǎo)書不少于185頁，教輔材料不少于165頁。教材內(nèi)容至少包括：實(shí)習(xí)1芯片工藝制造基本操作教學(xué)、實(shí)習(xí)2熟悉芯片工藝制造相關(guān)設(shè)備、實(shí)習(xí)3集成電路電阻制造常規(guī)生產(chǎn)實(shí)習(xí)、實(shí)習(xí)4集成電路二極管制造常規(guī)生產(chǎn)實(shí)習(xí)、實(shí)習(xí)5集成電路雙極型晶體管制造常規(guī)生產(chǎn)實(shí)習(xí)、實(shí)習(xí)6集成電路MOSFET常規(guī)制造生產(chǎn)實(shí)習(xí)、實(shí)習(xí)7集成電路JFET制造常規(guī)生產(chǎn)實(shí)習(xí)、實(shí)習(xí)8集成電路MESFET制造常規(guī)生產(chǎn)實(shí)習(xí)、實(shí)習(xí)9集成電路LDMOS制造常規(guī)生產(chǎn)實(shí)習(xí)、實(shí)習(xí)10應(yīng)用MOSFET進(jìn)行Varactor制造綜合生產(chǎn)實(shí)習(xí)、實(shí)習(xí)11應(yīng)用MOSFET進(jìn)行SOI制造綜合生產(chǎn)實(shí)習(xí)、實(shí)習(xí)12應(yīng)用MOSFET進(jìn)行FinFET制造綜合生產(chǎn)實(shí)習(xí)。6.板卡內(nèi)嵌生產(chǎn)實(shí)習(xí)：芯片工藝制造生產(chǎn)實(shí)習(xí)考核題，考核題不少于350個，能夠完成學(xué)生考核和打分功能，教師可以通過輸入密碼的方式獲取學(xué)生的考核結(jié)果，考核結(jié)果至少包括學(xué)生姓名、學(xué)號、考核成績、學(xué)生答題記錄與正確答案。1.8VR高性能運(yùn)算模塊序號具體技術(shù)(參數(shù))要求1VR高性能運(yùn)算模塊1.VR高性能運(yùn)算模塊是進(jìn)行虛擬現(xiàn)實(shí)實(shí)景操作類實(shí)驗所必不可少的硬件設(shè)施，需包括高交換率主板、高速CPU、獨(dú)立顯卡和大容量內(nèi)存四項。2.CPU需至少為基礎(chǔ)頻率2.9GHz，6核，6線程。3.內(nèi)存需至少為DDR42666MHz16GB內(nèi)存或更大容量的內(nèi)存。4.顯卡需至少為顯存6GBGDDR5，顯存頻率8000MHz，顯存位寬：192-bit的顯卡。5.主板需支持IntelCoffeeLakeLGA1151型處理器，需至少支持4條雙通道UDIMM插槽，支持DDR42133/2400/2666，內(nèi)存容量最高需達(dá)到64GB，需至少提供下述接口：1個標(biāo)準(zhǔn)的DB15VGA顯示接口、1個標(biāo)準(zhǔn)的HDMI接口、1個標(biāo)準(zhǔn)DP接口、7個標(biāo)準(zhǔn)的7PinSATA接口、6個COM插針接口、6個標(biāo)準(zhǔn)USB3.0接口、8個USB2