模擬電子技術(shù)晶體管的共射特性曲線內(nèi)容提要一、輸入特性曲線二、輸出特性曲線三、晶體管的主要參數(shù)及溫度影響四、溫度對(duì)特性曲線的影響晶體管的共射特性曲線一、輸入特性曲線輸入特性的表達(dá)式，它是一簇曲線。NPN輸入回路輸出回路UC>UB>UERcVCCIBIERb+UBE

+UCE

VBBcebICuCE=0,兩個(gè)結(jié)正向并聯(lián)。與二極管類似uCE>0,集電結(jié)耗盡層變寬，基區(qū)變窄，復(fù)合變少，基極電流減小右移uCE>1,多數(shù)電子被集電極收集，基極電流基本不變硅0.5V鍺0.1V死區(qū)電壓導(dǎo)通壓降硅0.7V鍺0.2V晶體管的共射特性曲線二、輸出特性曲線輸出特性的表達(dá)式，它是一簇曲線。RcVCCIBIERb+UBE

+UCE

VBBcebICiC

/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321iC

/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321ICEO（1）當(dāng)uCE=0

V時(shí)，因集電極無收集作用，iC=0。（2）uCE↑→Ic

↑

。

（3）當(dāng)uCE

＞1V后，收集電子的能力足夠強(qiáng)。這時(shí)，發(fā)射到基區(qū)的電子都被集電極收集，形成iC。所以u(píng)CE再增加，iC基本保持不變。同理，可作出iB=其他值的曲線。

以iB=30uA為例

(2)輸出特性曲線

飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)

輸出特性曲線可以分為三個(gè)區(qū)域:截止區(qū)：——iC接近零的區(qū)域，相當(dāng)iB=0的曲線的下方。條件：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。相當(dāng)于開關(guān)斷開。

(2)輸出特性曲線iC=f(uCE)

iB=const

飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)——iC受uCE顯著控制的區(qū)域。該區(qū)域內(nèi)uCE＜0.7V。條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏。特點(diǎn)：iC不受iB控制；uCE很小，開關(guān)接通；

UCES飽和壓降硅管約為0.3V，鍺管約為0.1V

(2)輸出特性曲線iC=f(uCE)

iB=const

飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)放大區(qū)——曲線基本平行等距。iB>0,uCE>1V區(qū)域條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。該區(qū)中有：對(duì)于一定的iB

,iC

近似不變，恒流特性可通過iB實(shí)現(xiàn)對(duì)

iC控制三、晶體管的主要參數(shù)（1）電流放大系數(shù)（2）極間反向電流共射電流放大系數(shù)與

含義不同。對(duì)于理想輸出特性曲線，可認(rèn)為。同理，也可得。以后不再嚴(yán)格區(qū)分，。包括ICBO和ICEO

并且

ICEO

=(1+

)ICBO

受溫度影響較大，其值越小越好。ICBO

發(fā)射極開路時(shí)，在其集電結(jié)上加反壓，得到反向電流。ICEO基極開路時(shí)，集電極到發(fā)射極間的電流——穿透電流。β晶體管的共射特性曲線（3）極限參數(shù)晶體管的安全工作區(qū)是由ICM、PCM和U(BR)CEO共同確定的。

①集電極最大允許電流ICM

Ic增加時(shí)，

要下降。當(dāng)

值下降到線性放大區(qū)

值的70％時(shí)，所對(duì)應(yīng)的集電極電流稱為集電極最大允許電流ICM。②集電極最大允許耗散功率PCM

集電極電流通過集電結(jié)時(shí)所產(chǎn)生的功耗，PC=ICUCE

<PCM③反向擊穿電壓

U（BR）CEO——基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間允許的最大反向電壓。U（BR）EBO

U（BR）CBO晶體管的共射特性曲線

選管原則1.使用時(shí)不能超過極限參數(shù)（ICM,PCM,U(BR)CEO）。2.工作在高頻條件下應(yīng)選用高頻或超高頻管;

工作在開關(guān)條件下應(yīng)選用速度足夠高的開關(guān)管。3.要求反向電流小、允許結(jié)溫高且溫變大時(shí)，選硅管;

要求導(dǎo)通電壓低時(shí)選鍺管。4.同型號(hào)管，優(yōu)先選用反向電流小的。

值不宜過大，一般以幾十~一百左右為宜。（進(jìn)口小功率管

較大，如9013、9014等

在200以上）晶體管的共射特性曲線2）

溫度變化對(duì)輸